RU94016497A - THERMOELECTRIC CONVERTER - Google Patents

THERMOELECTRIC CONVERTER

Info

Publication number
RU94016497A
RU94016497A RU94016497/07A RU94016497A RU94016497A RU 94016497 A RU94016497 A RU 94016497A RU 94016497/07 A RU94016497/07 A RU 94016497/07A RU 94016497 A RU94016497 A RU 94016497A RU 94016497 A RU94016497 A RU 94016497A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
heater
thermistor
layer
substrate
thermoelectric converter
Prior art date
Application number
RU94016497/07A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2074429C1 (en
Inventor
В.М. Андреев
А.П. Есенков
Д.В. Зиновьев
К.А. Тузовский
Original Assignee
Московский государственный институт электронной техники
Filing date
Publication date
Application filed by Московский государственный институт электронной техники filed Critical Московский государственный институт электронной техники
Priority to RU94016497A priority Critical patent/RU2074429C1/en
Priority claimed from RU94016497A external-priority patent/RU2074429C1/en
Publication of RU94016497A publication Critical patent/RU94016497A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2074429C1 publication Critical patent/RU2074429C1/en

Links

Claims (1)

Изобретение относится к полупроводниковой технике и предназначено для передачи электрического сигнала посредством тепловой энергии. Устройство обеспечивает высокую точность и стабильность работы при малой инерционности. Преобразователь состоит из терморезистора и нагревателя с контактными площадками к ним. Терморезистор и нагреватель выполнены из одного и того же материала - монокристаллического кремния - в виде шин и размещены в подложке из высокоомного поликремния. Причем терморезистор и нагреватель изолированы от подложки слоем из диоксида кремния. Поверх монокристаллической шины нагревателя сформирован слой из силицида переходного металла, например Ni, Co, Ti, Mo. Слой и контактные площадки к нагревателю и терморезистору формируются в едином цикле, например напылением, без усложнения технологического процесса.The invention relates to semiconductor technology and is designed to transmit an electrical signal through thermal energy. The device provides high accuracy and stability of work with low inertia. The converter consists of a thermistor and a heater with contact pads to them. The thermistor and the heater are made of the same material - monocrystalline silicon - in the form of tires and placed in a high-resistance polysilicon substrate. Moreover, the thermistor and the heater are insulated from the substrate with a layer of silicon dioxide. A layer of transition metal silicide, for example Ni, Co, Ti, Mo, is formed on top of the single-crystal tire of the heater. Layer and pads to the heater and the thermistor are formed in a single cycle, for example by spraying, without complicating the process.
RU94016497A 1994-04-29 1994-04-29 Temperature transducer RU2074429C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94016497A RU2074429C1 (en) 1994-04-29 1994-04-29 Temperature transducer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94016497A RU2074429C1 (en) 1994-04-29 1994-04-29 Temperature transducer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94016497A true RU94016497A (en) 1995-12-10
RU2074429C1 RU2074429C1 (en) 1997-02-27

Family

ID=20155548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94016497A RU2074429C1 (en) 1994-04-29 1994-04-29 Temperature transducer

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2074429C1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2281788A1 (en) Method of producing silicon oxide film, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, display, and infrared irradiating device
EP0892443A3 (en) Electrode of n-type nitride semiconductor, semiconductor device having the electrode, and method of fabricating the same
KR970705743A (en) A TEMPERATURE CALIBRATION SUBSTRATE
RU94016497A (en) THERMOELECTRIC CONVERTER
IT1029419B (en) PROCEDURE FOR FIXING A CONDUCTOR ELEMENT TO A SEMICONDUCTING DEVICE AND PRODUCT OBTAINED
JPS54155770A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5618463A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5360171A (en) Electrode for silicon substrate and its production
JPS55156847A (en) Gas detecting element
JPS53138677A (en) Vapor cooling type semiconductor device
SU1262300A2 (en) Heat flow transmitter
JPS5313359A (en) Connecting method for semiconductor element or device
JPH0216052U (en)
JPS5330274A (en) Semiconductor device
JPS5350676A (en) Semiconductor device
JPS56129354A (en) Semiconductor device
JPS532077A (en) Semiconductor device
JPS5662358A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JPS649642A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5722077A (en) Thermal head
JPS54142978A (en) Semiconductor device
RU93036529A (en) THERMOMETER RESISTANCE
JPS53108373A (en) Manufacture for semiconductor device
RU96114768A (en) SEMICONDUCTOR DEVICE FOR THERMOPUNCTURE
JPH02113137U (en)