RU92011711A - Способ получения пленок сульфида кадмия - Google Patents
Способ получения пленок сульфида кадмияInfo
- Publication number
- RU92011711A RU92011711A RU92011711/26A RU92011711A RU92011711A RU 92011711 A RU92011711 A RU 92011711A RU 92011711/26 A RU92011711/26 A RU 92011711/26A RU 92011711 A RU92011711 A RU 92011711A RU 92011711 A RU92011711 A RU 92011711A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cadmium sulfide
- films
- sulfide films
- complex compound
- obtaining
- Prior art date
Links
- FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N Cadmium sulfide Chemical compound [S-2].[Cd+2] FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 3
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 title claims 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QQOALHQRKUYNIC-UHFFFAOYSA-L cadmium(2+);N,N-diethylcarbamodithioate Chemical compound [Cd+2].CCN(CC)C([S-])=S.CCN(CC)C([S-])=S QQOALHQRKUYNIC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims 1
Claims (1)
- Способ относится к неорганической химии, в частности к химической технологии полупроводниковых материалов, к получению пленок сульфида кадмия, которые могут быть использованы для изготовления приборов оптоэлектроники. Изобретение позволяет повысить воспроизводимость параметров процесса получения пленок сульфида кадмия, сократить расход исходного летучего комплексного соединения, обеспечить безопасные условия проведения процесса путем термического разложения на нагретой подложке пара малотоксичного, негорючего, серосодержащего комплексного соединения (о-фенантролин)бис(диэтилдитиокарбамато)кадмия при температуре источника 220 - 250oС.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU92011711A RU2055948C1 (ru) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | Способ получения пленок сульфида кадмия |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU92011711A RU2055948C1 (ru) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | Способ получения пленок сульфида кадмия |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2055948C1 RU2055948C1 (ru) | 1996-03-10 |
| RU92011711A true RU92011711A (ru) | 1996-03-20 |
Family
ID=20133582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU92011711A RU2055948C1 (ru) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | Способ получения пленок сульфида кадмия |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2055948C1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AUPQ112199A0 (en) * | 1999-06-22 | 1999-07-15 | Unisearch Limited | Epitaxial film |
| RU2446233C1 (ru) * | 2010-07-16 | 2012-03-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет" (ГОУ ВПО КубГУ) | Способ получения тонких пленок диоксида олова |
-
1992
- 1992-12-14 RU RU92011711A patent/RU2055948C1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES8102177A1 (es) | Un metodo de circundar un cuerpo | |
| DE69125892D1 (de) | Überziehung von Absorbenzien von schwefelhaltigen Substanzen | |
| EP0194109A3 (en) | Method for producing a semiconductor device using a chemical vapour deposition step | |
| DE68918158D1 (de) | Diamanttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
| NL181672C (nl) | Werkwijze voor het bereiden of vervaardigen van een met siliconen behandeld synthetisch organisch vezelmateriaal; werkwijze voor het bereiden van een siliconen bevattend behandelingsmengsel. | |
| BR7705750A (pt) | Processo de fabricacao de um dispositivo semicondutor e dispositivo semicondutor fabricado pelo processo | |
| JPS5578577A (en) | Method of fabricating field effect transistor utilizing one conductivity semiconductor substrate | |
| RU92011711A (ru) | Способ получения пленок сульфида кадмия | |
| DE69111488T2 (de) | Industriematerial mit fluorpassivierter Schicht und Verfahren zum Herstellen desselben. | |
| SE8500419D0 (sv) | Method for manufacture of electrode | |
| ATE358322T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur isolierung elektrotechnischer bauteile | |
| PT95435A (pt) | Processo de producao de uma pelicula depositada e de um dispositivo semicondutor | |
| PT95436A (pt) | Processo de producao de uma pelicula depositada e de producao de um dispositivo semicondutor | |
| JPS57187936A (en) | Manufacture of 3-5 family compound semiconductor element | |
| JPS6428809A (en) | Laser annealing device | |
| ATE86795T1 (de) | Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen schicht. | |
| JPS55124244A (en) | Method of fabricating chip component | |
| JPS5730394A (en) | Semiconductor light emitting device and manufacture thereof | |
| JPS56130914A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS51121272A (en) | Manufacturing method for semiconductor devices | |
| JPS51142275A (en) | Method of manufacturing insulating film for semiconductor | |
| JPS57194524A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5285465A (en) | Production of semiconductor device | |
| KR860006835A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| JPS57106072A (en) | Manufacture of semiconductor device |