RU92004305A - Полупроводниковое запоминающее устройство - Google Patents
Полупроводниковое запоминающее устройствоInfo
- Publication number
- RU92004305A RU92004305A RU92004305/09A RU92004305A RU92004305A RU 92004305 A RU92004305 A RU 92004305A RU 92004305/09 A RU92004305/09 A RU 92004305/09A RU 92004305 A RU92004305 A RU 92004305A RU 92004305 A RU92004305 A RU 92004305A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- memory device
- semiconductor memory
- address
- address bits
- address selector
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
Claims (1)
- Схема резервирования ряда для восстановления неисправной ячейки матрицы ячеек памяти в полупроводниковом запоминающем устройстве, содержащая адресный селектор для приема двух или более адресных бит, обозначающих неисправную ячейку, для выборочной выдачи на выход одного из двух или более адресных бит, блок плавких перемычек для сохранения информации остальных адресных бит, за исключением битового выхода, выбранного адресным селектором, и по меньшей мере резервный дешифратор для дешифрации выходных сигналов адресного селектора и блока плавких предохранителей, посредством чего максимизируется эффективность резервирования ряда.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR3841/1992 | 1992-03-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU92004305A true RU92004305A (ru) | 1996-08-27 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB2265031B (en) | Row redundancy circuit for a semiconductor memory device | |
KR970013336A (ko) | 반도체기억장치 | |
JPS563499A (en) | Semiconductor memory device | |
KR890015280A (ko) | 마스크 rom | |
TW337046B (en) | Semiconductor memory and the memory system | |
KR930018593A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR910010534A (ko) | 반도체 기억장치의 용장회로 | |
EP0504434A4 (ru) | ||
KR940022583A (ko) | 병렬비트테스트모드내장 반도체 메모리 | |
US5033024A (en) | Matrix memory with redundancy and minimizes delay | |
KR950024220A (ko) | 용장 회로 장치 | |
JPH0289299A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR940022845A (ko) | 반도체 메모리 및 용장 어드레스 기입방법 | |
KR940026948A (ko) | 결함구제회로 | |
TW364999B (en) | Semiconductor memory devices with electrically programmable redundancy | |
EP0443775B1 (en) | Signature circuit for non-volatile memory device | |
KR920008773A (ko) | 반도체 기억장치 | |
TW340219B (en) | Semiconductor memory device having redundant memory cell array | |
KR860002155A (ko) | 반도체 장치 | |
KR960002368A (ko) | 리던던시 기능을 가지는 반도체 메모리 장치 | |
KR19990023090A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
WO2002017078A3 (en) | Burst read incorporating output based redundancy | |
JP2529554B2 (ja) | メモリ | |
RU92004305A (ru) | Полупроводниковое запоминающее устройство | |
TW344072B (en) | Redundant recovery circuit |