RU92004305A - Полупроводниковое запоминающее устройство - Google Patents

Полупроводниковое запоминающее устройство

Info

Publication number
RU92004305A
RU92004305A RU92004305/09A RU92004305A RU92004305A RU 92004305 A RU92004305 A RU 92004305A RU 92004305/09 A RU92004305/09 A RU 92004305/09A RU 92004305 A RU92004305 A RU 92004305A RU 92004305 A RU92004305 A RU 92004305A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
memory device
semiconductor memory
address
address bits
address selector
Prior art date
Application number
RU92004305/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Джанг Хыун-Сун
Original Assignee
Самсунг Электроникс Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Самсунг Электроникс Ко., Лтд. filed Critical Самсунг Электроникс Ко., Лтд.
Publication of RU92004305A publication Critical patent/RU92004305A/ru

Links

Claims (1)

  1. Схема резервирования ряда для восстановления неисправной ячейки матрицы ячеек памяти в полупроводниковом запоминающем устройстве, содержащая адресный селектор для приема двух или более адресных бит, обозначающих неисправную ячейку, для выборочной выдачи на выход одного из двух или более адресных бит, блок плавких перемычек для сохранения информации остальных адресных бит, за исключением битового выхода, выбранного адресным селектором, и по меньшей мере резервный дешифратор для дешифрации выходных сигналов адресного селектора и блока плавких предохранителей, посредством чего максимизируется эффективность резервирования ряда.
RU92004305/09A 1992-03-09 1992-10-30 Полупроводниковое запоминающее устройство RU92004305A (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR3841/1992 1992-03-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU92004305A true RU92004305A (ru) 1996-08-27

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB2265031B (en) Row redundancy circuit for a semiconductor memory device
KR970013336A (ko) 반도체기억장치
JPS563499A (en) Semiconductor memory device
KR890015280A (ko) 마스크 rom
TW337046B (en) Semiconductor memory and the memory system
KR930018593A (ko) 반도체 기억장치
KR910010534A (ko) 반도체 기억장치의 용장회로
EP0504434A4 (ru)
KR940022583A (ko) 병렬비트테스트모드내장 반도체 메모리
US5033024A (en) Matrix memory with redundancy and minimizes delay
KR950024220A (ko) 용장 회로 장치
JPH0289299A (ja) 半導体記憶装置
KR940022845A (ko) 반도체 메모리 및 용장 어드레스 기입방법
KR940026948A (ko) 결함구제회로
TW364999B (en) Semiconductor memory devices with electrically programmable redundancy
EP0443775B1 (en) Signature circuit for non-volatile memory device
KR920008773A (ko) 반도체 기억장치
TW340219B (en) Semiconductor memory device having redundant memory cell array
KR860002155A (ko) 반도체 장치
KR960002368A (ko) 리던던시 기능을 가지는 반도체 메모리 장치
KR19990023090A (ko) 반도체 기억 장치
WO2002017078A3 (en) Burst read incorporating output based redundancy
JP2529554B2 (ja) メモリ
RU92004305A (ru) Полупроводниковое запоминающее устройство
TW344072B (en) Redundant recovery circuit