RU71477U1 - Многовыводной матричный по размерам кристалла корпус большой интегральной схемы - Google Patents
Многовыводной матричный по размерам кристалла корпус большой интегральной схемы Download PDFInfo
- Publication number
- RU71477U1 RU71477U1 RU2007131802/22U RU2007131802U RU71477U1 RU 71477 U1 RU71477 U1 RU 71477U1 RU 2007131802/22 U RU2007131802/22 U RU 2007131802/22U RU 2007131802 U RU2007131802 U RU 2007131802U RU 71477 U1 RU71477 U1 RU 71477U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystal
- microcircuit
- protective layer
- housing
- base
- Prior art date
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 1
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 abstract description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SEEZIOZEUUMJME-UHFFFAOYSA-N cannabinerolic acid Natural products CCCCCC1=CC(O)=C(CC=C(C)CCC=C(C)C)C(O)=C1C(O)=O SEEZIOZEUUMJME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 206010035148 Plague Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- SEEZIOZEUUMJME-FOWTUZBSSA-N cannabigerolic acid Chemical compound CCCCCC1=CC(O)=C(C\C=C(/C)CCC=C(C)C)C(O)=C1C(O)=O SEEZIOZEUUMJME-FOWTUZBSSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к микроэлектронике, а именно к корпусному исполнению больших и сверхбольших интегральных микросхем с большим количеством выводов, и используется для поверхностного монтажа.
Цель - конструкция многовыводного матричного корпуса БИС по размерам, не превышающим площадь кристалла микросхемы, и изготавливающегося на тех же площадях и на том же оборудовании, что и микросхема, групповыми технологическими методами, защищенного от внешних механических, климатических и электрических воздействий, имеющего высокую степень копланарности столбиковых выводов, минимальные значения паразитных индуктивностей и емкостей, высокую надежность, совместимого со стандартными методами и оборудованием для высококачественного и надежного поверхностного монтажа.
Корпус состоит из основания в виде кремниевого кристалла с микросхемой на лицевой стороне, защитного слоя из поликристаллического кремния на обратной стороне основания, крышки в виде кремниевого кристалла, приклеенного к лицевой поверхности основания, и столбиковых выводов.
Основание содержит матрицу сквозных проводящих каналов, соединяющих электропроводящие шины микросхемы со столбиковыми выводами корпуса. Каналы имеют форму усеченной четырехгранной пирамиды, выполнены из поликристаллического кремния и изолированы слоем диэлектрика от кристалла и защитного слоя.
Защитный слой изолирован от основания и от окружающей среды диэлектриком. Столбиковые выводы выступают над защитным слоем не менее чем на 30 мкм. Их контактные площадки покрыты металлом и обладают высокой копланарностью.
Боковая периферия кристалла и защитного слоя защищены от окружающей среды пассивными областями кремния.
Description
Полезная модель относится к микроэлектронике, а именно, к корпусному исполнению больших и сверхбольших интегральных микросхем с большим количеством выводов и используется для поверхностного монтажа.
Известны конструкции матричных корпусов типа BGA (Ball Grid Array - "матрица шариковых выводов"):
- PBGA(«Plastic Ball Grid Array») - пластмассовые корпуса с матрицей шариковых выводов фирмы «Моторола»;
- CBGA - («Ceramik B.G.A.») - керамические корпуса с матрицей шариковых выводов;
CCGA - («Ceramik Column Ball Grid Array») - керамические корпуса с матрицей столбиковых выводов;
- TBGA - (« Таре Bold Grid Array»)- матричные TAB корпуса. («Матричные корпуса ИС», журнал «Электронные компаненты» 5-6, 1997, стр 20-23)
Все перечисленные корпуса обладают рядом одинаковых конструктивных особенностей:
- имеют миниатюрную печатную плату (из различных материалов для каждого типа корпуса),
- матрицу шариковых или столбиковых выводов из припойного материала, контактные площадки платы соединяются с контактными площадками кристалла ИС с помощью термокомпрессионной разварки золотой проволокой или методом перевернутого кристалла («Flip Chip»).
- выводы корпуса соединяются с контактными площадками платы с помощью сквозных интерметаллических соединений.
Корпуса BGA являются новинкой технологии поверхностного монтажа, но и обладают рядом серьезных недостатков:
- большие габаритные размеры,
- плохая копланарность выводов (шарики припоя),
- наличие большого числа составных компонентов корпуса из материалов с различным ТКЛР (кремний, стекло, компаунд, герметик, адгезив, полиимид, стеклопластик и т.п.),
- наличие интерметаллических соединений, что в купе с плохой влагонепроницаемостью предопределяет электрокоррозионные процессы,
- низкая защита от механических, климатических и электрических воздействий,
- ограничения по количеству, форме и шагу выводов,
- длинные межсоединения, высокая индуктивность выводов,
- высокая стоимость.
Задача полезной модели - конструкция многовыводного матричного корпуса БИС по размерам, не превышающим площадь кристалла микросхемы, и изготавливающегося на тех же площадях и на том же оборудовании, что и микросхема, групповыми технологическими методами, защищенного от внешних механических, климатических и электрических воздействий, имеющего высокую степень копланарности столбиковых выводов, минимальные значения паразитных индуктивностей и емкостей, высокую надежность, совместимого со стандартными методами и оборудованием для высококачественного и надежного поверхностного монтажа.
Решение задачи достигается тем, что многовыводной матричный по размерам кристалла корпус большой интегральной микросхемы состоит из основания в виде кремниевого кристалла со сформированной на его лицевой стороне микросхемой, крышки в виде
другого кремниевого кристалла по всей его площади тонким слоем теплопроводного соединительного материала, защитного слоя из сильнолегированного поликристаллического кремния, закрывающего обратную сторону кристалла и изолированного от него и от окружающей среды слоем диэлектрика, столбиковых выводов корпуса, сформированных из сильнолегированного поликристаллического кремния и заканчивающихся металлизированными контактными площадками с высокой степенью копланарности, причем основание содержит матрицу сквозных проводящих каналов в виде усеченных пирамид из поликристаллического кремния, изолированных от кристалла и защитного слоя слоем диэлектрика, верхние основания которых лежат в лицевой плоскости кристалла и контактируют с соответствующими шинами металлической разводки микросхемы, а нижние, большие по размеру заканчиваются на обратной стороне кристалла и переходят в столбиковые вывода корпуса, сформированные из сильнолегированного поликристаллического кремния и заканчивающиеся металлизированными контактными площадками с высокой степенью копланарности, при этом столбиковые выводы выступают над поверхностью защитного слоя не менее чем на 30 микронов.
Кроме того многовыводной матричный корпус содержит, по крайней мере, один вывод корпуса электрически и конструктивно связанный с защитным слоем, на который подается соответствующий электрический потенциал для электрической экранизации микросхемы от окружающей среды с нижней стороны корпуса.
Решение задачи достигается так же и тем, что в многовыводном матричном корпусе один или несколько столбиковых выводов матрицы не имеют электрического контакта с микросхемой, а являются теплоотводом. Решение задачи достигается и тем, что вместо нескольких выводов, выполняющих функцию теплоотвода, многовыводной матричный корпус имеет один столбиковый теплоотвод с габаритными размерами, пропорциональными количеству замененных выводов.
Кроме того в многовыводном матричном корпусе по боковой периферии основание и защитный слой изолированы от внешней среды пассивными электрически нейтральными областями кремния.
На фиг.1 схематично изображено поперечное сечение предлагаемого многовыводного матричного по размерам кристалла корпуса большой интегральной микросхемы (сама микросхема на рисунке не показана).
Корпус состоит из основания 1, представляющего собой кремниевый кристалл со сформированной на его лицевой поверхности микросхемой. Основание 1 содержит матрицу сквозных проводящих каналов 2 в форме усеченной четырехгранной пирамиды из поликристаллического кремния, изолированного от кристалла слоем 3 диэлектрика. Верхние основания 4 пирамидальных сквозных каналов лежат в лицевой плоскости кристалла, могут иметь минимальные размеры (вплоть до 5х5 мкм2) и служат для осуществления контакта с соответствующим электрическим выводом кристалла микросхемы.
Нижние основания каналов 2, большие по размеру, переходят в столбиковые выводы 5 корпуса, и сформированы из того же низкоомного поликристаллического кремния.
Нижние плоскости столбиковых выводов 5 обладают высокой копланарностью (разброс не превышает ±0,2 мкм) и покрыты тонким слоем 6 хорошо паяющегося и коррозионностойкого металла.
Столбиковые выводы 5 на не менее, чем 30 мкм выступают над нижней поверхностью корпуса, которая представляет собой защитный слой 7 из низкоомного поликристаллического кремния, изолированного от кристалла и от окружающей среды слоями 8 диэлектрика. Защитный слой 7 предохраняет микросхему снизу от механических повреждений и служит электрическим экраном, потенциал на который подается с помощью специального столбикового вывода 9. В матрице столбиковых выводов 9 могут быть предусмотрены выводы 10 не имеющие электрической связи ни с защитным слоем ни с кристаллом микросхемы и выполняющие роль теплоотвода. При необходимости он или они
могут быть гораздо больших размеров по площади контактной площадки, чем просто электрический столбиковый вывод.
Сверху кристалл с микросхемой защищен крышкой 11 из плоской кремниевой пластины, которая с помощью тонкого слоя 12 соединительного материала приклеена к лицевой поверхности кристалла по всей его площади. Боковые поверхности кристалла и защитного слоя защищены от окружающей среды пассивными и электрически нейтральными областями 13 кремния.
На фиг.2 показан вариант маркировки, которая выполняется групповыми технологическими способами сразу же на партии пластин микросхем в предлагаемом корпусе - это может быть и лазерная гравировка и фотолитография по окислу и другие.
На фиг.3 и 4 представлены виды на столбиковые выводы двух вариантов предлагаемого корпуса. Вариант на фиг.4 отличается наличием столбикового вывода-теплоотвода большой площади.
На фиг.5 показан вид на поверхность кристалла микросхемы (активные и пассивные элементы не показаны), на котором хорошо видно поле контактных областей 2 изолированных диэлектриком 3. Расположение контактных областей соответствует матрице столбиковых выводов с другой стороны корпуса. Суммарная площадь контактных областей зависит от шага столбиковых выводов и не превышает 0,04% всей площади кристалла при шаге выводов 0,5 мм.
Пример осуществления связи какого-либо вывода (входа или выхода или других узлов электрической схемы) микросхемы с соответствующими столбиковым выводом корпуса показан на фиг.6.
Указанный вывод микросхемы посредством шины 14 металлизации, через контактное окно 15 в верхнем основании 4 - контактной области - электрически связывается с соответствующим контактным столбиком корпуса.
Отмеченные недостатки известных конструкций корпусов микросхем типа μBGA (PBGA, CBGA, CCGA, TBGA, SGA, ОМРАС и т.п.) в предлагаемой полезной модели решаются следующим образом через следующие технические особенности и характеристики.
Предлагаемый многовыводной матричный корпус обладает наименьшими габаритами из всех известных конструкций. Его площадь не превышает площади кристалла микросхемы, высота не превышает 0,7÷0,9 мм. Причем площадь кристалла даже может быть уменьшена, поскольку на кристалле отсутствуют контактные площадки для разварки выводов проволокой, а площадь контактных площадок к сквозным проводящим каналам может быть сведена к минимальной. Суммарная длина токопроводящих шин электрической разводки микросхемы также может быть уменьшена, что снижает паразитную индуктивность разводки и повышает быстродействие ИМС.
Конструкция корпуса предполагает высокоэффективные групповые технологические методы изготовления, полностью происходящие в чистой зоне кристального производства, что обеспечивает высокий процент выхода, низкие материалоемкость и себестоимость корпусирования.
Защита от внешних механических, климатических и электрических воздействий, и таким образом высокая надежность конструкции корпуса обеспечивается следующими конструктивными особенностями:
- механически и электрически микросхема надежна защищена со всех сторон: с лицевой - кремниевой крышкой, приклеенной к кристаллу по всей его площади, с обратной стороны - слоем высоколегированного поликристаллического кремния, с боков - пассивными и электрически нейтральными областями исходного кремния;
- наличие высоколегированного защитного поликристаллического слоя, изолированного от кристалла и окружающей среды диэлектриком, с поданым на него соответствующим
электрическим потенциалом является электрическим экраном от паразитных взаимных наводок и помех на микросхему со стороны печатной платы, и наоборот;
- возможность эффективного теплоотвода уменьшает рабочую температуру кристалла и таким образом повышает долговечность корпуса и микросхемы;
- высокая однородность конструкции, минимальное число компонентов корпуса (только кремний и двуокись кремния), имеющих хорошее согласование по ТКЛР, обеспечивают высокую надежность и безотказность;
- отсутствие интерметаллических соединений («front - to back») и высокая влагозащищенность корпуса устраняют явления электрокоррозии («пурпурной чумы»).
Отличительной особенностью корпуса является также минимально-известные значения длин соединительной металлизации, ее роль выполняют проводящие сквозные каналы, что обеспечивает минимальные значения паразитных емкостей и индуктивностей.
Конструкция предлагаемой полезной модели обладает высокой гибкостью и универсальностью:
- отсутствуют ограничения по количеству, размерам и шагу столбиковых выводов и их форме;
- появляются широкие возможности автоматического проектирования трассировки металлизации и выводов, вследствие регулярной структуры контактных областей на кристалле и столбиковых выводов.
Высокая степень копланарности выводов конструктивно определяется тем фактом, что изначально эти выводы были частью одной кремниевой пластины с высокой степенью плоскостности поверхности. Копланарность контактных площадок столбиковых выводов определяет высокое качество и надежность, низкую трудоемкость монтажа корпуса на печатную плату.
Таким образом, предложена эффективная, высокотехнологичная, надежная, универсальная конструкция многовыводного матричного по размерам кристалла корпуса, обладающего наилучшими показателями среди известных конструкций.
Claims (6)
1. Многовыводной матричный по размерам кристалла корпус большой интегральной микросхемы состоит из основания в виде кремниевого кристалла со сформированной на его лицевой стороне микросхемой, крышки в виде другого кремниевого кристалла, приклеенного к лицевой поверхности первого кристалла по всей его площади тонким слоем теплопроводного соединительного материала, защитного слоя из сильнолегированного поликристаллического кремния, закрывающего обратную сторону кристалла и изолированного от него и от окружающей среды слоем диэлектрика, столбиковых выводов корпуса, сформированных из сильнолегированного поликристаллического кремния и заканчивающихся металлизированными контактными площадками с высокой степенью копланарности, причем основание содержит матрицу сквозных проводящих каналов в виде усеченных пирамид из поликристаллического кремния, изолированных от кристалла и защитного слоя слоем диэлектрика, верхние основания которых лежат в лицевой плоскости кристалла и контактируют с соответствующими шинами металлической разводки микросхемы, а нижние, большие по размеру, заканчиваются на обратной стороне кристалла и переходят в столбиковые выводы корпуса, сформированные из сильнолегированного поликристаллического кремния и заканчивающиеся металлизированными контактными площадками с высокой степенью копланарности.
2. Многовыводной матричный корпус по п.1, отличающийся тем, что столбиковые выводы выступают над поверхностью защитного слоя не менее чем на 30 мкм.
3. Многовыводной матричный корпус по п.1, отличающийся тем, что содержит, по крайней мере, один вывод корпуса электрически и конструктивно связанный с защитным слоем и на который подается соответствующий электрический потенциал для электрической экранизации микросхемы от окружающей среды с нижней стороны корпуса.
4. Многовыводной матричный корпус по п.1, отличающийся тем, что один или несколько столбиковых выводов матрицы не имеют электрического контакта с микросхемой, а являются теплоотводом.
5. Многовыводной матричный корпус по п.4, отличающийся тем, что вместо нескольких выводов, выполняющих функцию теплоотвода, он имеет один столбиковый теплоотвод с габаритными размерами, пропорциональными количеству замененных выводов;
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007131802/22U RU71477U1 (ru) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | Многовыводной матричный по размерам кристалла корпус большой интегральной схемы |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007131802/22U RU71477U1 (ru) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | Многовыводной матричный по размерам кристалла корпус большой интегральной схемы |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU71477U1 true RU71477U1 (ru) | 2008-03-10 |
Family
ID=39281440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007131802/22U RU71477U1 (ru) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | Многовыводной матричный по размерам кристалла корпус большой интегральной схемы |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU71477U1 (ru) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2381593C1 (ru) * | 2008-10-02 | 2010-02-10 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ") | Корпус интегральной схемы |
RU2410793C2 (ru) * | 2008-10-06 | 2011-01-27 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Способ изготовления корпуса по размерам кристалла интегральной микросхемы |
RU2603850C1 (ru) * | 2015-07-16 | 2016-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ трассировки печатных проводников цепей с резервированием |
RU2603848C1 (ru) * | 2015-12-28 | 2016-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ резервирования плоских кабелей |
RU2603843C1 (ru) * | 2015-09-02 | 2016-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ резервирования для печатных плат |
RU2603851C1 (ru) * | 2015-07-16 | 2016-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ трассировки печатных проводников с дополнительным диэлектриком для цепей с резервированием |
RU2609572C2 (ru) * | 2011-08-16 | 2017-02-02 | Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. | Проводящий слой большой поверхности для распределения мощности с использованием емкостной передачи мощности |
RU2715170C1 (ru) * | 2017-08-28 | 2020-02-25 | Смартфлекс Текнолоджи Пте Лтд | Модули интегральной схемы и интеллектуальная карта, включающая в себя их |
-
2007
- 2007-08-22 RU RU2007131802/22U patent/RU71477U1/ru active
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2381593C1 (ru) * | 2008-10-02 | 2010-02-10 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ") | Корпус интегральной схемы |
RU2410793C2 (ru) * | 2008-10-06 | 2011-01-27 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Способ изготовления корпуса по размерам кристалла интегральной микросхемы |
RU2609572C2 (ru) * | 2011-08-16 | 2017-02-02 | Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. | Проводящий слой большой поверхности для распределения мощности с использованием емкостной передачи мощности |
RU2603850C1 (ru) * | 2015-07-16 | 2016-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ трассировки печатных проводников цепей с резервированием |
RU2603851C1 (ru) * | 2015-07-16 | 2016-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ трассировки печатных проводников с дополнительным диэлектриком для цепей с резервированием |
RU2603843C1 (ru) * | 2015-09-02 | 2016-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ резервирования для печатных плат |
RU2603848C1 (ru) * | 2015-12-28 | 2016-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ резервирования плоских кабелей |
RU2715170C1 (ru) * | 2017-08-28 | 2020-02-25 | Смартфлекс Текнолоджи Пте Лтд | Модули интегральной схемы и интеллектуальная карта, включающая в себя их |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU71477U1 (ru) | Многовыводной матричный по размерам кристалла корпус большой интегральной схемы | |
JP3967133B2 (ja) | 半導体装置及び電子機器の製造方法 | |
US12009343B1 (en) | Stackable package and method | |
US5942795A (en) | Leaded substrate carrier for integrated circuit device and leaded substrate carrier device assembly | |
US7534653B2 (en) | Chip packaging process | |
US6639324B1 (en) | Flip chip package module and method of forming the same | |
US6489687B1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same, manufacturing device, circuit board, and electronic equipment | |
JP3410396B2 (ja) | 高性能集積回路チップパッケージ | |
US7829989B2 (en) | Vertical packaged IC device modules with interconnected 3D laminates directly contacts wafer backside | |
CN101258609B (zh) | 使用配置于层积板上导线的垂直电子组件封装结构 | |
US7141873B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument | |
TW201725661A (zh) | 半導體裝置與其製造方法 | |
US7023085B2 (en) | Semiconductor package structure with reduced parasite capacitance and method of fabricating the same | |
KR100475079B1 (ko) | 고전압용 bga 패키지와 그에 사용되는 히트 스프레더및 제조방법 | |
KR100606295B1 (ko) | 회로 모듈 | |
WO2006072032A2 (en) | Flip chip contact(pcc) power package | |
CN101228625A (zh) | 具有镀金属连接部的半导体封装 | |
JP4828164B2 (ja) | インタポーザおよび半導体装置 | |
JP2001085602A (ja) | 多重チップ半導体モジュールとその製造方法 | |
TWI459512B (zh) | 使用相互連接的三維層片將垂直封裝的mosfet和積體電路功率器件構建成集成模組 | |
KR100762423B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2006324646A (ja) | モジュール基板 | |
US6291893B1 (en) | Power semiconductor device for “flip-chip” connections | |
RU82379U1 (ru) | Устройство семейства корпусов по размерам кристалла интегральных микросхем | |
WO2006100738A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC11 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20140604 |