RU2778657C1 - Способ изготовления многослойных гибридных керамических плат с переходными металлизированными отверстиями - Google Patents
Способ изготовления многослойных гибридных керамических плат с переходными металлизированными отверстиями Download PDFInfo
- Publication number
- RU2778657C1 RU2778657C1 RU2021132428A RU2021132428A RU2778657C1 RU 2778657 C1 RU2778657 C1 RU 2778657C1 RU 2021132428 A RU2021132428 A RU 2021132428A RU 2021132428 A RU2021132428 A RU 2021132428A RU 2778657 C1 RU2778657 C1 RU 2778657C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- holes
- metallized
- vanadium
- copper
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- -1 vanadium-copper-chromium Chemical compound 0.000 claims abstract description 14
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium(0) Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 210000004544 DC2 Anatomy 0.000 description 3
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 3
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 3
- 230000002530 ischemic preconditioning Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
Изобретение относится к технологии создания многослойных плат ВЧ, СВЧ и КВЧ диапазонов на керамических подложках с переходными металлизированными отверстиями. Технический результат - обеспечение возможности создания многослойной структуры с заданным количеством электронных радиоэлементов и переходными металлизированными отверстиями, соединяющими лицевую и противоположную стороны подложки, повышение надежности соединений в микроплатах, улучшение адгезии металлизированных слоев к подложке за счет резистивного подслоя. Технический результат достигается тем, что в способе изготовления многослойных гибридных керамических плат с переходными металлизированными отверстиями на керамической подложке осуществляют напыление резистивного слоя, формируют окружности под переходные отверстия для прожигания их лазером и пленочные резисторы. Прожигают лазером размеченные отверстия, осуществляют в вакууме напыление металлизированного слоя ванадий-медь-хром, затем формируют топологию лицевой стороны подложки. Лицевую сторону подложки закрывают фольгой и осуществляют напыление в вакууме металлизированного слоя ванадий-медь-хром на противоположную сторону подложки и переходные отверстия, далее осуществляется монтаж навесных элементов. 1 ил.
Description
Изобретение относится к области лазерной технологии, в частности, к области микроэлектроники и может быть использовано для создания многослойных гибридных керамических плат высоких, сверхвысоких и крайне высоких частот (ВЧ, СВЧ и КВЧ) диапазона с переходными металлизированными отверстиями.
Известен способ металлизации отверстий в диэлектрической подложке [1], основанный на последовательном формировании отверстий в подложке лазером, обработку их поверхности в растворе активации, химическую и гальваническую металлизацию отверстий, при этом формирование отверстий и обработку их поверхности в растворе активации проводят одновременно при размещении подложки до совпадения поверхности подложки с зеркалом раствора, для чего используется керамическая подложка, которую погружают в раствор активатора и прошивают (прожигают) лазером отверстия. Однако этот способ недостаточно высокого качества изготовления поверхности металлизированных переходных отверстий вследствие воздействия химических реактивов на материал подложки.
Известен способ изготовления гибридных интегральных схем (ГИС) СВЧ на керамических подложках для приемопередающих устройств космической связи [2], основанный на прошивке отверстий в подложках лазером, их металлизации и последующем двухстороннем напылении на подложку слоев металлов, при этом на подложку с двух сторон наносят слой полиоргансилоксановой жидкости, затем лазером прошивают отверстия, отмывают подложку от остатков жидкости и производят химическое осаждение золота на поверхность отверстий, затем химическое осаждение никеля и вновь химическое осаждение золота, причем все процессы химического осаждения ведут в ультразвуковой ванне, после чего на обе стороны подложки напыляют нужные слои металлов. Для реализации этого способа используется керамическая подложка, на которую наносится с двух сторон слой полиоргансилоксановой жидкости. Прошивка отверстий производится импульсным лазером, при этом полиоргансилоксановая жидкость взаимодействует с расплавом керамики и выполняется прошивка отверстий. Однако известный способ изготовления ГИС СВЧ на керамических подложках является недостаточно точным за счет того, что жидкостью покрывается вся плата и есть вероятность, что края отверстий будут неточными, что неприемлемо на сверхвысоких частотах. Кроме того, вследствие неравномерности толщины покрытия по глубине отверстия этим способом невозможно применение химической металлизации для глубоких отверстий малого диаметра.
Известен способ изготовления микроплат с переходными металлизированными отверстиями, предназначенный для создания микроплат СВЧ диапазона длин волн с переходными металлизированными отверстиями (МПО), который является наиболее близким по решаемой задаче и технической реализации и принят в качестве прототипа [3]. Известный способ основан на лазерном формировании отверстий в подложке из керамики, ее очистке, металлизации отверстий и двухстороннем напылении проводящих слоев, гальваническом осаждении слоев металлов и формировании топологического рисунка методом фотолитографического травления, последующем нанесении сначала на подложку с лицевой стороны защитного поглощающего слоя суспензии на основе оксида алюминия, затем прошивании лазером отверстий, очищении подложки и металлизации отверстий в одном вакуумном технологическом цикле с одновременным напылением проводящих слоев ванадия и меди на лицевую и обратную стороны подложки методом магнетронного распыления, затем формировании топологического рисунка путем создания маски из негативного фоторезиста на двух сторонах подложки методом вытягивания и гальванического осаждения в окна маски слоев меди и золота с последующим травлением слоев ванадия и меди со свободного поля поверхности микроплаты.
Недостатком известного способа, принятого в качестве прототипа, является недостаточно высокая надежность соединений в микроплатах за счет того, что при отмывке, часть жидкости остается в пористой структуре керамики, что в дальнейшем негативно влияет на характеристики платы, которые очень чувствительны к загрязнениям на сверхвысоких частотах, еще одним недостатком известного способа, принятого в качестве прототипа, является некачественная адгезия металлических слоев ванадия и меди по всей площади подложки, за счет того, что подложка отличается от первоначальной качественной поверхности из-за нанесения суспензии и последующей отмывки. Кроме того, еще одним недостатком известного способа является применение навесных резисторов для создания топологии ГИС, поскольку данные компоненты имеют небольшую мощность рассеивания и менее прецизионные, чем пленочные резисторы, полученные с помощью магнетронного распыления.
Техническим результатом является обеспечение возможности создания многослойной структуры с заданным количеством электронных радиоэлементов и переходными металлизированными отверстиями, соединяющими лицевую и противоположную стороны подложки, повышение надежности соединений в микроплатах, улучшение адгезии металлизированных слоев к подложке, за счет резистивного подслоя.
Сущность заявленного способа изготовления многослойных гибридных керамических плат с переходными металлизированными отверстиями состоит в том, что предварительно до напыления в вакууме металлизированного слоя ванадий-медь-хром и металлизации переходных отверстий, прожигания лазером переходных отверстий, проводят напыление резистивного слоя, после чего под переходные отверстия формируют посредством литографии окружности, прожигают лазером размеченные по контурам отверстия, затем последовательно проводят напыление в вакууме проводящего слоя ванадий-медь-хром, после чего формируют топологию лицевой стороны подложки, при этом прикрывают от запыления лицевой стороны подложки фольгой и проводят напыление в вакууме проводящего слоя ванадий-медь-хром на обратную сторону подложки с последующим запылением переходных металлизированных отверстий.
Гибридная интегральная схема - интегральная схема, в которой присутствуют, как пленочные элементы, так и навесные элементы (диоды, транзисторы, резисторы и др.). Одним из лучших оснований (подложка) для формирования плат для ВЧ, СВЧ и КВЧ диапазонов, является керамика, т.к. она обладает высокими прочностными свойствами, химической стойкостью к воздействию кислых и щелочных реагентов, высокими диэлектрическими характеристиками, сохранением свойств при резких перепадах температуры, низким газовыделением при температурах до 1500°С и др. После определения марки керамики происходит нанесение тонких резистивных и проводящих слоев в вакууме с помощью магнетронного, электронно-лучевого, термического, катодного и других способов нанесения. После получения данных слоев с помощью литографии формируется топология будущей схемы. Для соединения двух сторон платы используют переходные металлизированные отверстия. Они могут формироваться разными способами. Наилучший способ - прожигание отверстий лазером, т.к. данный способ позволяет сформировать отверстия диаметром до 100 мкм с ровным краем, что является обязательным условием в ВЧ, СВЧ и КВЧ диапазонах. После формирования отверстий необходимо покрыть их слоем металла, что можно сделать разными способами. Наиболее предпочтительный способ - вакуумное напыление, которое покрывает равномерным слоем керамику и с адгезией к подложке более 50 кгс/см2. После этого происходит покрытие платы гальваническим осаждением. Последним этапом происходит монтаж навесных элементов.
Заявляемое изобретение поясняется Фиг. 1, на которой, для наглядного пояснения технологического процесса изготовления платы, приведена подложка с переходным металлизированными отверстия и напыленными в вакууме резистивным и металлическими слоями. На Фиг. 1 представлена схема подложки из керамики (1), на которую сначала наносят резистивный слой (2) в вакууме с помощью магнетронного распыления, формируют литографией окружности под переходные отверстия (3), наносят металлизированные слои ванадий (4), меди (5), хром (6) с помощью электронно-лучевого распыления.
Заявленный способ изготовления многослойных гибридных керамических плат с переходными металлизированными отверстиями реализуется (Фиг. 1) предварительной очисткой подложки. Толщина подложки от 0,25 мм до 2 мм. После чего на очищенную подложку наносится резистивный слой методом магнетронного распыления с номиналом сопротивления пленки от 10 до 3000 на квадрат. Толщина наносимой пленки не более 1 мкм. после чего формируют окружности под отверстия с помощью литографии и пленочные резисторы. После этого с помощью электронно-лучевого напыления формируют металлизированный слой ванадий-медь-хром, толщина подслоя ванадия до 1 мкм, толщина меди от 5 до 12 мкм, толщина хрома до 1-2 мкм. После этого формируется топология схемы с помощью литографии на одной из сторон подложки. После чего для защиты от подпыления закрывается топология схемы фольгой и происходит напыление проводящих слоев ванадий 1 мкм, медь 5-7 мкм, хром 1-2 мкм на чистую сторону подложки и на сформированные отверстия.
Реализация заявленного способа поясняется конкретными примерами апробации.
Пример 1.
Подложка из поликора ВК-100 размером 30x24x0,25 мм покрывалась резистивным слоем методом магнетронного распыления на установки МЭШ-60 составом РС-5406 с сопротивлением пленки 50 
. После этого методом фотолитографии формировались окружности под отверстия для прошивки их лазером, а также резисторы. Далее Nd:YA импульсным лазером модели МЛ1-1 формировались отверстия в подложке. Резистивные окружности имеют темный цвет, что приводит к лучшему поглощению лазерной энергии и повышает качество отверстий. Далее на установке электронно-лучевого напыления УВН-74 формируются металлические слои с обеих сторон подложки ванадия-меди-хрома. Толщина слоя ванадия - 1 мкм, слоя меди - 5-12 мкм, слоя хрома - 1 мкм. После этого происходило формирование на лицевой стороне подложки нужной топологии. Затем на установке УВН-74 напылялся металлический слой ванадия-меди-хрома. Лицевая часть подложки закрывалась тонким слоем фольги, чтобы избежать нежелательного подпыления сформированной топологии при напылении металла на противоположную сторону подложки. После этого стравливалась пленка хрома и подложка гальванически покрывалась золотом..
Пример 2.
Подложка из нитрида алюминия размером 60x48x1 мм покрывалась резистивным слоем методом магнетронного распыления на установки МЭШ-60 составом РС-3710 с сопротивлением пленки 100 . После этого методом фотолитографии формировались окружности под отверстия для прожигания их лазером, а также резисторы. Далее Nd:YA импульсным лазером модели МЛ1-1 формировались отверстия в подложке. Далее на установке электронно-лучевого напыления УВН-74 формируются металлические слои с обеих сторон подложки ванадия-меди-хрома. Толщина слоя ванадия - 1 мкм, слоя меди - 5-12 мкм, слоя хрома - 1 мкм. После этого происходило формирование на лицевой стороне подложки нужной топологии. Затем на установке УВН-74 напылялся металлический слой ванадия-меди-хрома. Лицевая часть подложки закрывалась тонким слоем фольги, чтобы избежать нежелательного подпыления сформированной топологии при напылении металла на противоположную сторону подложки. После этого стравливалась пленка хрома и подложка облуживалась припоем ПОСК 50-18.
Пример 3
Подложка из ситалла СТ-50 размером 60x24x0,6 мм К-50С покрывалась резистивным слоем методом магнетронного распыления на установки МЭШ-60 составом К-50С с сопротивлением пленки 500 . После этого методом фотолитографии формировались окружности под отверстия для прожигания их лазеров, а также резисторы. Далее Nd:YA импульсным лазером модели МЛ1-1 формировались отверстия в подложке. Далее на установке электронно-лучевого напыления УВН-74 формируются металлические слои с обеих сторон подложки ванадия-меди-хрома. Толщина слоя ванадия - 1 мкм, слоя меди - 5-12 мкм, слоя хрома - 1 мкм. После этого происходило формирование на лицевой стороне подложки нужной топологии. Затем на установке УВН-74 напылялся металлический слой ванадия-меди-хрома. Лицевая часть подложки закрывалась тонким слоем фольги, чтобы избежать нежелательного подпыления сформированной топологии при напылении металла на противоположную сторону подложки. После этого стравливалась пленка хрома и подложка гальванически покрывалась гальваническим серебром.
Как показывают приведенные выше примеры, заявленный способ позволяет с большой точностью и высокой надежностью изготавливать многослойные керамические платы с переходными металлизированными отверстиями, улучшает адгезию металлизированных слоев за счет резистивного подслоя, позволяет формировать пленочные сопротивления, которые являются более прецизионными и могут рассеивать большую мощность.
Список использованных источников информации.
1. Патент РФ №1820831 (с 27.05.1997 из А.С.- SU 914918550 от 12.03.1991); МПК: Н05К 3/18(3/42).
2. Патент РФ №2242823; МПК: H01L 21/84; C25D 5/34(5/20).
3. Патент РФ №2697814; МПК: H05K 3/42 (прототип).
Claims (1)
- Способ изготовления многослойных гибридных керамических плат с переходными металлизированными отверстиями, включающий прожигание лазером переходных отверстий, напыление в вакууме металлизированного слоя ванадий-медь-хром и металлизацию переходных отверстий, отличающийся тем, что на керамической подложке предварительно, до прожигания лазером переходных отверстий, осуществляют напыление резистивного слоя, после чего посредством литографии формируют окружности под переходные отверстия для прожигания их лазером и пленочные резисторы, прожигают лазером размеченные отверстия, после этого осуществляют в вакууме напыление металлизированного слоя ванадий-медь-хром, затем формируют топологию лицевой стороны подложки, для защиты от подпыления сформированной топологии лицевую сторону подложки закрывают фольгой и осуществляют напыление в вакууме металлизированного слоя ванадий-медь-хром на противоположную сторону подложки и переходные отверстия, далее осуществляется монтаж навесных элементов.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2778657C1 true RU2778657C1 (ru) | 2022-08-22 |
Family
ID=
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2806812C1 (ru) * | 2023-01-25 | 2023-11-07 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры "Прогресс" (АО "НИИМА "Прогресс") | Способ изготовления микрополосковых плат СВЧ-диапазона с переходными металлизированными отверстиями на основе микроволновых диэлектрических подложек |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2242823C2 (ru) * | 1995-08-21 | 2004-12-20 | Открытое акционерное общество "НИИПП" | Способ изготовления гис свч на керамических подложках |
| RU2342812C2 (ru) * | 2007-01-24 | 2008-12-27 | ФГУП "Казанский научно-исследовательский институт радиоэлектроники" | Способ изготовления плат гибридных интегральных схем крючатова в.и. |
| US20130056250A1 (en) * | 2010-04-02 | 2013-03-07 | Haeun Chemtec Co., Ltd. | Method for Manufacturing a Double-Sided Printed Circuit Board |
| RU2543518C1 (ru) * | 2013-10-03 | 2015-03-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Компания РМТ"(ООО"РМТ") | Способ изготовления двусторонней печатной платы |
| RU2629926C1 (ru) * | 2016-06-15 | 2017-09-04 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке |
| RU2697814C1 (ru) * | 2018-07-13 | 2019-08-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления микроплат с переходными металлизированными отверстиями |
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2242823C2 (ru) * | 1995-08-21 | 2004-12-20 | Открытое акционерное общество "НИИПП" | Способ изготовления гис свч на керамических подложках |
| RU2342812C2 (ru) * | 2007-01-24 | 2008-12-27 | ФГУП "Казанский научно-исследовательский институт радиоэлектроники" | Способ изготовления плат гибридных интегральных схем крючатова в.и. |
| US20130056250A1 (en) * | 2010-04-02 | 2013-03-07 | Haeun Chemtec Co., Ltd. | Method for Manufacturing a Double-Sided Printed Circuit Board |
| RU2543518C1 (ru) * | 2013-10-03 | 2015-03-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Компания РМТ"(ООО"РМТ") | Способ изготовления двусторонней печатной платы |
| RU2629926C1 (ru) * | 2016-06-15 | 2017-09-04 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке |
| RU2697814C1 (ru) * | 2018-07-13 | 2019-08-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления микроплат с переходными металлизированными отверстиями |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2806799C1 (ru) * | 2022-11-02 | 2023-11-07 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры "Прогресс" (АО "НИИМА "Прогресс") | Способ изготовления микрополосковых плат СВЧ-диапазона с переходными металлизированными отверстиями на основе микроволновых диэлектрических подложек, изготовленных из высокочастотных керамических материалов с высокой диэлектрической проницаемостью |
| RU2806812C1 (ru) * | 2023-01-25 | 2023-11-07 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры "Прогресс" (АО "НИИМА "Прогресс") | Способ изготовления микрополосковых плат СВЧ-диапазона с переходными металлизированными отверстиями на основе микроволновых диэлектрических подложек |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2852896B2 (ja) | 基板表面にパターン化された金属被覆を形成する方法 | |
| US4865873A (en) | Electroless deposition employing laser-patterned masking layer | |
| US3576722A (en) | Method for metalizing ceramics | |
| EP0133201A2 (en) | Metallization of ceramics | |
| KR100992269B1 (ko) | 도금층 형성 방법 | |
| KR100915277B1 (ko) | 배선 회로 기판의 제조 방법 | |
| JPH0463838B2 (ru) | ||
| RU2778657C1 (ru) | Способ изготовления многослойных гибридных керамических плат с переходными металлизированными отверстиями | |
| CN113709984B (zh) | 一种用激光加工电镀孔、焊盘抗镀及抗蚀图案的制电路板方法 | |
| EP0415336B1 (en) | Method for manufacturing thick film circuit substrate | |
| CN113709986A (zh) | 只电镀孔后激光制抗镀图案和导电图案的制电路板方法 | |
| KR101553635B1 (ko) | 프린트 배선판의 제조 방법 및 그 프린트 배선판의 제조 방법을 이용해 얻어진 프린트 배선판 | |
| RU2697814C1 (ru) | Способ изготовления микроплат с переходными металлизированными отверстиями | |
| RU2386225C2 (ru) | Способ изготовления печатных плат с встроенными резисторами | |
| CN113692131A (zh) | 一种用激光加工电镀孔抗镀及导电图案的制电路板方法 | |
| JP4639975B2 (ja) | 立体回路基板の製造方法 | |
| US10785878B2 (en) | Circuit board and method of forming same | |
| RU2806799C1 (ru) | Способ изготовления микрополосковых плат СВЧ-диапазона с переходными металлизированными отверстиями на основе микроволновых диэлектрических подложек, изготовленных из высокочастотных керамических материалов с высокой диэлектрической проницаемостью | |
| US6003225A (en) | Fabrication of aluminum-backed printed wiring boards with plated holes therein | |
| RU2806812C1 (ru) | Способ изготовления микрополосковых плат СВЧ-диапазона с переходными металлизированными отверстиями на основе микроволновых диэлектрических подложек | |
| CN113709983B (zh) | 一种用激光加工电镀孔、焊盘抗镀及导电图案的制电路板方法 | |
| GB1597806A (en) | Thin film resistor and method for making the same | |
| RU2242823C2 (ru) | Способ изготовления гис свч на керамических подложках | |
| KR100593211B1 (ko) | 웨이퍼 관통형 전극 제조 방법 | |
| JP2024009740A (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 |