RU2629926C1 - Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке - Google Patents
Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке Download PDFInfo
- Publication number
- RU2629926C1 RU2629926C1 RU2016123687A RU2016123687A RU2629926C1 RU 2629926 C1 RU2629926 C1 RU 2629926C1 RU 2016123687 A RU2016123687 A RU 2016123687A RU 2016123687 A RU2016123687 A RU 2016123687A RU 2629926 C1 RU2629926 C1 RU 2629926C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon substrate
- etching
- mask
- metallized
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 49
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 25
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims abstract description 4
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 6
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 abstract 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении 3D-устройств микросистемной техники и полупроводниковых приборов, содержащих в своей структуре металлизированные и/или неметаллизированные сквозные отверстия в кремнии различного функционального назначения. Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке включает формирование полиимидного покрытия из раствора полиамидокислоты на основе диангидрида и оксидианилина в полярном растворителе толщиной не менее 2 мкм с последующей сушкой при температуре 80–120оС и термоимидизацией при температуре не менее 350оС в течение не менее 30 минут, проведение «сухого» травления через маску алюминия толщиной не менее 1 мкм в два этапа последовательно реактивным ионным травлением и в «Бош»-процессе до образования положительного клина травления на границе раздела «кремниевая подложка - полиимидное покрытие» глубиной не менее 1 мкм, удаление маски и «стоп-слоя» проводят в едином цикле в щелочном травителе полиимида. Техническим результатом изобретения является повышение технологичности и воспроизводимости при изготовлении сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Область техники
Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении 3D-устройств микросистемной техники и полупроводниковых приборов, содержащих в своей структуре металлизированные и/или неметаллизированные сквозные отверстия в кремнии различного функционального назначения.
Уровень техники
Из уровня техники известен способ формирования сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке, который включает формирование маски нитрида кремния на кремниевых подложках; формирование затравочных ямок при помощи травления кремния в 10% растворе KOH; формирование микроотверстий - макропор глубиной 200-300 мкм при помощи электрохимического анодирования кремния; вскрытие пор путем механической шлифовки кремниевых подложек с тыльной стороны; окисление кремниевой поверхности; нанесение меди на стенки полученного отверстия [Степанова Л.И. Формирование и металлизация сквозных пор в кремниевых подложках для трехмерных токопроводящих межсоединений: материалы V Международной научной конференции «Материалы и структуры современной электроники»/Л.И. Степанова и др. 10 – 11 октября 2012. Минск. 2012. C. 94].
К недостаткам известного способа относится низкая технологичность способа из-за невозможности получения вертикального профиля стенки формируемого отверстия, а также необходимость шлифовки кремниевых подложек с тыльной стороны для вскрытия отверстий.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту является способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке и/или в слое полимера для оптических и электрических межсоединений, включающий последовательное формирование методами литографии маски для травления с одной стороны подложки, «стоп-слоя» на основе окисла кремния с маской или без маски с обратной стороны подложки, травление подложки через маску до «стоп-слоя», удаление маски и/или «стоп-слоя» и металлизацию микроотверстий и обратной стороны подложки с возможным последующим выравниванием поверхности обратной стороны [P.A.Thadesar, M.S.Bakir. Novel Photo-Defined Polymer-Enhanced Through-Silicon Vias for Silicon Interposers. IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS, PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY, VOL. 3, NO. 7, JULY 2013. P. 1130-1137].
К недостаткам известного способа относятся низкая технологичность из-за образования острых кромок отверстий на обратной стороне подложки (что приводит к утонению металлизации), механической неустойчивости, образующейся в процессе изготовления покрытия на обратной стороне на основе окисла кремния, и в связи с этим низкой воспроизводимости процесса изготовления, в особенности отверстий относительно большого диаметра.
Раскрытие изобретения
Техническим результатом заявленного изобретения является повышение технологичности и воспроизводимости при изготовлении сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке.
Технический результат достигается тем, что согласно заявленному способу при изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке используют полиимидное покрытие в качестве «стоп-слоя».
В предложенном способе:
– полиимидное покрытие формируют из раствора полиамидокислоты на основе диангидрида и оксидианилина в полярном растворителе толщиной не менее 2 мкм с последующей сушкой при температуре 80 – 120оС и термоимидизацией при температуре не менее 350оС в течение не менее 30 минут;
– «сухое» травление проводят в два этапа последовательно реактивным ионным травлением и в «Бош»-процессе до образования положительного клина травления на границе раздела «кремниевая подложка – полиимидное покрытие» глубиной не менее 1 мкм;
– в качестве маски для травления используют алюминий толщиной не менее 1 мкм;
– удаление маски и «стоп-слоя» проводят в едином цикле в щелочном травителе полиимида.
Краткое описание чертежей
Признаки и сущность заявленного изобретения поясняются в последующем детальном описании, иллюстрируемом чертежами, где показано следующее.
На фиг.1 А-Е представлена последовательность операций по формированию сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке.
На фиг. 1 А-Е обозначены:
поз. 1 – исходная кремниевая подложка,
поз. 2 – сформированная методами литографии алюминиевая маска для травления,
поз.3 – сплошной «стоп-слой», в качестве которого используется полиимидное покрытие,
поз.4 – образовавшийся в результате реактивного ионного травления положительный клин травления на границе раздела «кремниевая подложка-маска»,
поз.5 – микроотверстия,
поз.6 – образовавшийся в результате травления в «Бош»-процессе положительный клин травления на границе раздела «кремниевая подложка - полиимидное покрытие»,
поз.7 – металлизация полученного микроотверстия.
На фиг.1 А представлена подвергнутая очистке кремниевая подложка (1).
На фиг.1 Б показана кремниевая подложка со сформированной методами литографии алюминиевой маской (2) для травления. Для формирования данной маски на кремниевую подложку магнетронным напылением наносится слой алюминия толщиной 0,3-0,5 мкм. Затем на алюминиевый слой наносили фоторезист толщиной 1,2 мкм, в котором формировали маску.
На фиг.1 В показана кремниевая подложка, на обратной стороне которой сформирован сплошной «стоп-слой» (3), в качестве которого используется полиимидное покрытие.
На фиг.1 Г показана кремниевая подложка, подвергнутая «сухому» травлению в два этапа последовательно реактивным ионным травлением до формирования положительного клина (4) на границе «кремниевая подложка- маска» глубиной не менее 1 мкм и в «Бош»-процессе до образования отверстия (5) с положительным клином травления (6) на границе раздела «кремниевая подложка – полиимидное покрытие» глубиной не менее 1 мкм.
На фиг.1 Д показана кремниевая подложка после удаления алюминиевой маски и «стоп-слоя» в щелочном травителе полиимида.
На фиг.1 Е показана кремниевая подложка, подвергнутая металлизации (7).
На фиг. 2 представлены РЭМ–изображения профилей микроотверстий, сформированных «сухим» травлением в два этапа – последовательно реактивным ионным травлением и в «Бош»-процессе без применения полиимидного покрытия (фиг.2 а) и с применением полиимидного покрытия (фиг.2б).
На фиг 2 а, б обозначены:
поз. 1 – образовавшийся в результате реактивного ионного травления положительный клин травления на границе раздела «кремниевая подложка-маска»;
поз. 2 – образовавшийся в результате травления в «Бош»-процессе положительный клин травления на границе раздела «кремниевая подложка – полиимидное покрытие».
На фиг. 3 представлены спектры состава поверхности стенки неметаллизированного микроотверстия в кремниевой подложке до удаления полиимидного покрытия и алюминия (фиг.3а) и после удаления полиимидного покрытия и алюминия и обработки в кислородсодержащей плазме (фиг.3б). На фиг 3в представлен спектр состава поверхности металлизированного отверстия.
Осуществление изобретения.
С применением предложенного способа в кремниевой высокоомной монокристаллической подложке с двусторонней полировкой диаметром 76 мм и толщиной 400±10 мкм были сформированы металлизированные медью микроотверстия диаметром 150 мкм.
Вначале на поверхности подложки методами магнетронного распыления алюминия толщиной не менее 1 мкм и фотолитографии формировался топологический рисунок микроотверстий. На обратной стороне подложки методом центрифугирования раствора формировалось полиимидное покрытие толщиной 3 мкм из раствора полиамидокислоты в полярном растворителе с последующей сушкой и термоимидизацией при температуре 350° С в течение не менее 30 минут. Для формирования положительного клина травления проводилось реактивное ионное травление подложки в плазме элегаза, с расходом 100 см3/мин при пониженном давлении 1 Па, в течение 6 мин. Образовавшийся в результате реактивного ионного травления положительный клин травления на границе раздела «кремниевая подложка-маска» показан на фиг.2 а, б, поз.1.
Затем без разгерметизации камеры проводилось травление подложки до формирования положительного клина травления на границе «кремниевая подложка - полиимидное покрытие». Образовавшийся в результате травления в «Бош»-процессе положительный клин травления на границе раздела «кремниевая подложка - полиимидное покрытие» показан на фиг.2б поз.2. Травление проводилось с использованием «Бош»-процесса при мощности источника индуктивно-связанной плазмы 1200 Вт и со смещением на подложку 40 В. Соотношение шага травления к пассивации составляло 3:1. Исходным реагентами являлись элегаз, с расходом 400 см3/мин, и хладон-318 с расходом 300 см3/мин. Удаление масок алюминия и полиимидного покрытия проводилось в щелочном травителе на основе моноэтаноламина, триэтаноламина, едкого кали и воды. Затем полученную структуру подвергали обработке в кислородсодержащей плазме в реакторе объемного типа при мощности 1 кВт в течение 30 минут.
Спектры состава поверхности стенки неметаллизированного микроотверстия в кремниевой подложке до удаления полиимидного покрытия и алюминия и после удаления полиимидного покрытия и алюминия и обработки в кислородсодержащей плазме представлены на фиг.3 а и б соответственно. Из спектров видно, что следы алюминия (маска), сформировавшиеся на стенках микроотверстий в процессе травления, исчезают после предложенных обработок. Затем полученную структуру подвергали термическому окислению до образования слоя термического окисла толщиной, превышающей величину микрошероховатости, образовавшейся в результате применения «Бош»-процесса, а затем образовавшийся окисел удаляли в плавиковой кислоте. Полученную структуру подвергали металлизации методом двустороннего магнетронного распыления или химического осаждения меди с применением палладиевого катализатора с последующим гальваническим наращиванием меди.
Измерение сопротивления сформированных пленок осуществляли мультиметром с двух металлизированных сторон подложки. Величина сопротивления металлизации составляла менее 0,01 Ом, т.е. мультиметр показывал короткое замыкание, что также дополнительно подтверждается спектром, представленным на фиг 3в.
Таким образом, при реализации заявленного способа повышается технологичность изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке путем формирования положительных клиньев травления с двух сторон подложки за счет применения полиимидного покрытия в качестве «стоп-слоя» (а также алюминия в качестве маски при травлении), в результате чего уменьшается количество высокотемпературных процессов, удаление «стоп-слоя» и маски происходит одновременно, как следствие, увеличивается процент выхода годных изделий и снижается количество дефектов, и повышается воспроизводимость формирования вертикальных сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке.
Claims (5)
1. Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке, последовательно включающий очистку подложки, формирование методами литографии маски для травления с одной стороны подложки, сплошного «стоп-слоя» с обратной стороны подложки, «сухое» травление подложки через маску до «стоп-слоя», удаление маски, «стоп-слоя», подготовку поверхности перед металлизацией, металлизацию микроотверстий и формирование топологического рисунка на поверхностях подложки, отличающийся тем, что в качестве «стоп-слоя» используют полиимидное покрытие.
2. Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке по п. 1, отличающийся тем, что полиимидное покрытие формируют из раствора полиамидокислоты на основе диангидрида и оксидианилина в полярном растворителе толщиной не менее 2 мкм с последующей сушкой при температуре 80 – 120оС и термоимидизацией при температуре не менее 350оС в течение не менее 30 минут.
3. Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке по п. 1, отличающийся тем, что «сухое» травление проводят в два этапа последовательно реактивным ионным травлением и в «Бош»-процессе до образования положительного клина травления на границе раздела «кремниевая подложка – полиимидное покрытие» глубиной не менее 1 мкм.
4. Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке по п. 1, отличающийся тем, что в качестве маски для травления используют алюминий толщиной не менее 1 мкм.
5. Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке по п. 4, отличающийся тем, что удаление маски и «стоп-слоя» проводят в едином цикле в щелочном травителе полиимида.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016123687A RU2629926C1 (ru) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016123687A RU2629926C1 (ru) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2629926C1 true RU2629926C1 (ru) | 2017-09-04 |
Family
ID=59797737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016123687A RU2629926C1 (ru) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2629926C1 (ru) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2676240C1 (ru) * | 2018-01-25 | 2018-12-26 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Способ формирования плат микроструктурных устройств со сквозными металлизированными отверстиями на монокристаллических кремниевых подложках |
| RU2680264C1 (ru) * | 2017-12-11 | 2019-02-19 | Публичное акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" | Способ изготовления глубокопрофилированных структур в кремниевой пластине |
| RU2686119C1 (ru) * | 2018-07-12 | 2019-04-24 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Способ разделения пластин на чипы и получения сквозных отверстий большой площади для изделий микроэлектроники |
| RU2692112C1 (ru) * | 2018-11-09 | 2019-06-21 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Способ изготовления сквозных микроотверстий в кремниевой подложке |
| RU2715412C1 (ru) * | 2019-11-26 | 2020-02-28 | Акционерное общество «Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем» (АО «Российские космические системы») | Многослойная коммутационная плата СВЧ-гибридной интегральной микросхемы космического назначения и способ её получения (варианты) |
| RU2778657C1 (ru) * | 2021-11-08 | 2022-08-22 | Акционерное общество "Северный пресс" (АО "Северный пресс") | Способ изготовления многослойных гибридных керамических плат с переходными металлизированными отверстиями |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090001598A1 (en) * | 2007-06-27 | 2009-01-01 | Wen-Chih Chiou | Formation of Through Via before Contact Processing |
| RU2463683C1 (ru) * | 2011-05-31 | 2012-10-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Способ изготовления мощных транзисторов свч |
| CN103151298A (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种硅通孔制作方法 |
| US8803322B2 (en) * | 2011-10-13 | 2014-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Through substrate via structures and methods of forming the same |
| RU2525668C1 (ru) * | 2013-02-05 | 2014-08-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ) | Способ изготовления сквозных отверстий в кремниевой подложке |
| RU2536771C1 (ru) * | 2013-07-09 | 2014-12-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток" | Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона |
-
2016
- 2016-06-15 RU RU2016123687A patent/RU2629926C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090001598A1 (en) * | 2007-06-27 | 2009-01-01 | Wen-Chih Chiou | Formation of Through Via before Contact Processing |
| RU2463683C1 (ru) * | 2011-05-31 | 2012-10-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Способ изготовления мощных транзисторов свч |
| US8803322B2 (en) * | 2011-10-13 | 2014-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Through substrate via structures and methods of forming the same |
| CN103151298A (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种硅通孔制作方法 |
| RU2525668C1 (ru) * | 2013-02-05 | 2014-08-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ) | Способ изготовления сквозных отверстий в кремниевой подложке |
| RU2536771C1 (ru) * | 2013-07-09 | 2014-12-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток" | Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| P.A.THADESAR et al., Novel Photo-Defined Polymer-Enhanced Through-Silicon Vias for Silicon Interposers. IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, Vol. 3, No 7, 2013, p. 1130-1137. * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2680264C1 (ru) * | 2017-12-11 | 2019-02-19 | Публичное акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" | Способ изготовления глубокопрофилированных структур в кремниевой пластине |
| RU2676240C1 (ru) * | 2018-01-25 | 2018-12-26 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Способ формирования плат микроструктурных устройств со сквозными металлизированными отверстиями на монокристаллических кремниевых подложках |
| RU2686119C1 (ru) * | 2018-07-12 | 2019-04-24 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Способ разделения пластин на чипы и получения сквозных отверстий большой площади для изделий микроэлектроники |
| RU2692112C1 (ru) * | 2018-11-09 | 2019-06-21 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Способ изготовления сквозных микроотверстий в кремниевой подложке |
| RU2715412C1 (ru) * | 2019-11-26 | 2020-02-28 | Акционерное общество «Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем» (АО «Российские космические системы») | Многослойная коммутационная плата СВЧ-гибридной интегральной микросхемы космического назначения и способ её получения (варианты) |
| RU2778657C1 (ru) * | 2021-11-08 | 2022-08-22 | Акционерное общество "Северный пресс" (АО "Северный пресс") | Способ изготовления многослойных гибридных керамических плат с переходными металлизированными отверстиями |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2629926C1 (ru) | Способ изготовления сквозных металлизированных микроотверстий в кремниевой подложке | |
| US7060624B2 (en) | Deep filled vias | |
| JP5313903B2 (ja) | 誘電体薄膜を用いたウエハ貫通電気相互接続及びその他構造の形成 | |
| KR101492467B1 (ko) | 베리어층 제거 방법 및 장치 | |
| KR20030093205A (ko) | 암모니아를 이용한 유기질 저유전율 유전체 에칭 | |
| EP1519410A1 (en) | Method for producing electrical through hole interconnects and devices made thereof | |
| US20120291275A1 (en) | Method of forming metal interconnection line on flexible substrate | |
| Lu et al. | Demonstration of 3–5 μm RDL line lithography on panel-based glass interposers | |
| JP2014090192A (ja) | 通常の低ｋ誘電性材料および／または多孔質の低ｋ誘電性材料の存在下でのレジスト剥離のための方法 | |
| JP2010532817A (ja) | 局所皮膜の堆積方法 | |
| Rasmussen et al. | Fabrication of high aspect ratio through-wafer vias in CMOS wafers for 3-D packaging applications | |
| TW201604993A (zh) | 高深寬比結構的蝕刻方法及mems裝置的製作方法 | |
| JP7038139B2 (ja) | 超伝導体相互接続のための堆積方法 | |
| JP5708762B2 (ja) | 貫通電極基板の製造方法 | |
| Fu et al. | Adhesive enabling technology for directly plating copper onto glass/ceramic substrates | |
| RU2692112C1 (ru) | Способ изготовления сквозных микроотверстий в кремниевой подложке | |
| RU2676240C1 (ru) | Способ формирования плат микроструктурных устройств со сквозными металлизированными отверстиями на монокристаллических кремниевых подложках | |
| JP5493165B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Li et al. | A facile and low-cost route to high-aspect-ratio microstructures on silicon via a judicious combination of flow-enabled self-assembly and metal-assisted chemical etching | |
| Joshi et al. | Investigation of “fur-like” residues post dry etching of polyimide using aluminum hard etch mask | |
| JP5453763B2 (ja) | 貫通電極基板の製造方法 | |
| US20190385861A1 (en) | Hybrid mask for deep etching | |
| RU2826900C1 (ru) | Способ изготовления многослойных радиоэлектронных компонентов | |
| CN103681242B (zh) | 硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺 | |
| JPH08134639A (ja) | 樹脂表面処理方法 |