RU2748443C1 - Магнетронная распылительная система - Google Patents

Магнетронная распылительная система Download PDF

Info

Publication number
RU2748443C1
RU2748443C1 RU2020120317A RU2020120317A RU2748443C1 RU 2748443 C1 RU2748443 C1 RU 2748443C1 RU 2020120317 A RU2020120317 A RU 2020120317A RU 2020120317 A RU2020120317 A RU 2020120317A RU 2748443 C1 RU2748443 C1 RU 2748443C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plates
magnetron
magnetron sputtering
substrate holder
vacuum chamber
Prior art date
Application number
RU2020120317A
Other languages
English (en)
Inventor
Иван Александрович Корж
Original Assignee
Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП") filed Critical Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП")
Priority to RU2020120317A priority Critical patent/RU2748443C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2748443C1 publication Critical patent/RU2748443C1/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к магнетронной распылительной системе и может быть использовано для получения покрытий из металлов, диэлектриков, полупроводников и т.п. в различных отраслях промышленности, в том числе в микроэлектронике. Магнетронная распылительная система состоит из вакуумной камеры, магнетронных источников распыления, размещенных по окружности в вакуумной камере, и карусели в виде барабана с подложками, состоящего из отдельных вертикально стоящих пластин, образующих подложкодержатели. Каждая из пластин, образующих подложкодержатель, выполнена в виде двух пластин, скрепленных в центре, расположенном напротив оси вращения карусели. Края каждой из пластин отогнуты по направлению к магнетронному источнику и составляют между собой угол α, равный 160-170°. Такая конструкция магнетрона позволяет обеспечить равномерность осаждаемого покрытия по толщине, уменьшить расход материала мишени и увеличить число обрабатываемых подложек за счет увеличения линейных размеров пластин, составляющих подложкодержатель. 1 ил.

Description

Изобретение относится к конструкциям магнетронных распылительных систем и может быть использовано для получения покрытий из металлов, диэлектриков, полупроводников и т.п. в различных отраслях промышленности, в том числе в микроэлектронике.
Известна магнетронная распылительная система, состоящая из протяженного плоского магнетронного источника распыления материала. Магнетронный источник может располагаться вертикально как по центру вакуумной камеры, так и по ее окружности. Магнетронный источник распыления материалов в общем виде представляет из себя магнитный блок с закрепленной на его поверхности распыляемой мишенью. Вокруг магнетронного источника находится вращающаяся карусель (подложкодержатель) с подложками [1]. Недостаток такой магнетронной распылительной системы является высокая неравномерность по толщине напыления по длине подложки, особенно на краях подложкодержателя. Это связано с тем, что на краях распыляемой мишени поток вещества меньше, чем в середине распыляемой мишени. Поэтому для получения приемлемой неравномерности по толщине напыляемой пленки (обычно ±10%) длину подложкодержателя необходимо уменьшать. Это приводит к уменьшению числа закрепляемых подложек на подложкодержателе (т.е. к снижению производительности) и излишнему расходу материала мишени.
Известна магнетронная распылительная система, состоящая из вертикальной карусели с вращающимися подложками и магнетронного источника расположенного в центре карусели. Для получения высокой равномерности по толщине осаждаемого материала магнетронный источник выполнен цилиндрическим, внутри которого располагается магнитная система с перемещающимся вверх-вниз магнитным полем [2, стр. 45]. Это позволяет повысить равномерность осаждаемых покрытий по толщине. Недостатками такой магнетронной распылительной системы являются сложность конструкции и невозможность распыления нескольких различных материалов в едином вакуумном цикле.
Известна магнетронная распылительная система [3], состоящая из камеры, анода, катода-мишени и магнитного блока, содержащего магнитопровод с закрепленной мишенью. Для увеличения равномерности по толщине осаждаемых покрытий по длине катода-мишени боковые магниты вблизи концов магнитного блока имеют остаточную индукцию магнитного поля на (5-15) % выше, чем в середине магнитного блока, что приводит к повышению скорости осаждения покрытия на краях мишени. Недостатками такой магнетронной распылительной системы являются: уменьшение срока службы мишени за счет более интенсивного ее распыления на концах; необходимость в дополнительных магнитах для увеличения магнитного поля и, как следствие к необходимости увеличения габаритов магнитного блока; сложность конструкции, связанная со сложной конструкцией магнитного блока.
Наиболее близким к заявляемому объекту является плоская магнетронная распылительная система, состоящая из плоского магнетронного источника (от одного до нескольких штук) и барабана с подложками [4, стр. 57]. Для получения высокой равномерности используются специальные профилированные экраны, конфигурация которых подбирается эмпирически [4, стр. 55]. Недостатками такой магнетронной распылительной системы распыления является снижение эффективной скорости осаждения, что приводит к перерасходу материала мишени, что в ряде случаев (дороговизна материала мишени) является недопустимым.
Задача изобретения - создание конструкции плоской магнетронной распылительной системы, позволяющей производить осаждение различных покрытий с высокой равномерностью по толщине на протяженные подложки.
Еще одной задачей изобретения является создание конструкции плоской магнетронной системы с максимальной площадью поверхности протяженного подложкодержателя с высокой равномерностью осаждаемых покрытий по толщине и расположенного в пределах длины магнетронного источника распыления.
Еще другой задачей изобретения является снижение расхода материала распыляемых мишеней за счет устранения корректирующих профилированных экранов.
Поставленные задачи достигаются следующим образом.
Предлагается конструкция магнетронной распылительной системы, состоящая из одного или нескольких магнетронных источников распыления, расположенных вертикально по окружности вакуумной камеры и расположенным в центре вакуумной камеры барабана с подложками, состоящего из отдельных вертикально стоящих пластин, при чем каждая из пластин выполнена в виде двух пластин, скрепленных в середине, расположенном напротив центра магнетронного источника, а края каждой из пластин отогнуты по направлению к плоскости магнетронного источника. Таким образом расстояние от магнетронного источника распыления материала до подложки расположенной на краю пластины, образующей барабан подложкодержателя, будет меньше, чем расстояние от поверхности магнетронного источника до подложки, расположенной ближе к центру одной из пластин, образующей подложкодержатель.
Подложкодержатель, состоящий из двух пластин образует в центре угол меньше 180°. Так как скорость распыления материала мишени при уменьшении расстояния увеличивается, то на концах плоских пластин будет происходит увеличение толщины осаждаемого материала, т.е. произойдет выравнивание толщины осаждаемого материала в центре подложкодержателя и на его краях. Тем самым увеличивается равномерность осаждаемого покрытия по толщине, уменьшается расход материала мишени и появляется возможность увеличения числа обрабатываемых подложек за счет увеличения линейных размеров пластин, составляющих подложкодержатель. Угол в центре двух пластин выбирается экспериментально для получения покрытий с максимальной равномерностью по толщине и обычно находится в пределах 160°-170°. При угле меньше 160° увеличиваются габариты подложкодержателя, что не всегда приемлемо, а при угле большем 170° увеличивается неравномерность осаждаемых пленок по толщине.
На фиг. 1 (а, б) показана конструкция магнетронной системы распыления. Здесь: а - вид сбоку, б - вид сверху; 1 - вакуумная камера; 2 - магнетронные источники, расположенные по окружности внутри вакуумной камеры; барабан с подложкодержателями 3 с расположенными на них подложками 4; α - угол между двумя пластинами, образующими подложкодержатель 3.
В другом варианте магнетронные источники могут располагаться в центре вакуумной камеры - по окружности, а карусель (барабан) с подложкодержателями также по окружности на периферии вакуумной камеры. При таком расположении количество пластин, составляющих подложкодержатель, может быть увеличено.
Еще в другом варианте магнетронные источники и карусель (барабан) с подложкодержателями могут располагается горизонтально также по соответствующим окружностям. При этом карусель подложкодержателей может крепиться как на передней крышке вакуумной камеры, так и на задней крышке вакуумной камеры, а магнетронные источники, соответственно, также могут крепиться как на задней крышке вакуумной камеры, так и на передней крышке вакуумной камеры.
Для проверки правильности выбранных решений была изготовлена магнетронная распылительная система, состоящая из четырех вертикально расположенных по окружности плоских протяженных магнетронных источников распыления материалов. В центре вакуумной камеры располагался барабан с подложками, состоящий из шести подложкодержателей. Каждый из подложкодержателей состоял из двух плоских пластин, соединенных посредине в центре с углом 166°. Длина зоны эрозии мишени по длине мишени размером 465 мм составляла 435 мм. Длина плоской пластины, составляющей половину одного из шести подложкодержателя составляла 220 мм при ширине 110 мм. Подложка представляла из себя пластину из стекла 220×110 мм. Неравномерность осажденной пленки алюминия по толщине на длине 220 мм была ±10%, в то время как неравномерность пленки алюминия нанесенной на подложкодержатель состоящий из двух пластин, соединенных между собой в центре под углом 180° (т.е. представляющего прямую линию) составляла ±30%, т.е. использование такого подложкодержателя в магнетронной системе распыления позволило в 3 раза повысить равномерность осаждаемых покрытий (осаждаемых пленок) по толщине. При использовании плоского подложкодержателя зона осаждаемой пленки по длине подложкодержателя с неравномерностью по толщине ±10% составляет (280-290) мм, в то время как при использовании предложенной конструкции подложкодержателя зона осаждаемой пленки с неравномерностью по толщине ±10% составляет 440 мм. Равномерность осаждаемых покрытий по ширине подложкодержателя была не хуже ±3%.
Источники информации
1. Установка магнетронного распыления Caroline D12B. Каталог вакуумно-технологического оборудования компании ЗАО НПП «ЭСТО-Вакуум». www.esto-vacuum.ru.
2. Данилин Б.С, Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. - М.: Радио и связь; 1982, с. 45
3. Патент РФ 2242281. Магнетронная распылительная система. Опубл. 20.12.2004 г.
4. Данилин Б.С, Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. - М.: Радио и связь; 1982, с. 55, 57.

Claims (1)

  1. Магнетронная распылительная система, состоящая из вакуумной камеры, магнетронных источников распыления, размещенных по окружности в вакуумной камере, и карусели в виде барабана с подложками, состоящего из отдельных вертикально стоящих пластин, образующих подложкодержатели, отличающаяся тем, что каждая из пластин, образующих подложкодержатель, выполнена в виде двух пластин, скрепленных в середине, при этом края каждой из пластин отогнуты по направлению к магнетронному источнику и составляют между собой угол α, равный 160-170°.
RU2020120317A 2020-06-15 2020-06-15 Магнетронная распылительная система RU2748443C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020120317A RU2748443C1 (ru) 2020-06-15 2020-06-15 Магнетронная распылительная система

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020120317A RU2748443C1 (ru) 2020-06-15 2020-06-15 Магнетронная распылительная система

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2748443C1 true RU2748443C1 (ru) 2021-05-25

Family

ID=76033977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020120317A RU2748443C1 (ru) 2020-06-15 2020-06-15 Магнетронная распылительная система

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2748443C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2817729C1 (ru) * 2023-06-29 2024-04-19 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Устройство для нанесения покрытий в вакууме

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19749690A1 (de) * 1996-11-14 1998-05-20 Hitachi Ltd Sputterelektrode und Magnetronsputtervorrichtung unter Verwendung derselben
US5865970A (en) * 1996-02-23 1999-02-02 Permag Corporation Permanent magnet strucure for use in a sputtering magnetron
RU2242821C2 (ru) * 2002-10-17 2004-12-20 Институт сильноточной электроники СО РАН Магнетронная распылительная система
RU2296182C2 (ru) * 2005-05-04 2007-03-27 Открытое акционерное общество "Наро-Фоминский машиностроительный завод" Установка для нанесения покрытий в вакууме
RU192228U1 (ru) * 2018-08-29 2019-09-09 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" Вакуумная установка для нанесения тонкопленочных покрытий на подложку

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5865970A (en) * 1996-02-23 1999-02-02 Permag Corporation Permanent magnet strucure for use in a sputtering magnetron
DE19749690A1 (de) * 1996-11-14 1998-05-20 Hitachi Ltd Sputterelektrode und Magnetronsputtervorrichtung unter Verwendung derselben
RU2242821C2 (ru) * 2002-10-17 2004-12-20 Институт сильноточной электроники СО РАН Магнетронная распылительная система
RU2296182C2 (ru) * 2005-05-04 2007-03-27 Открытое акционерное общество "Наро-Фоминский машиностроительный завод" Установка для нанесения покрытий в вакууме
RU192228U1 (ru) * 2018-08-29 2019-09-09 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" Вакуумная установка для нанесения тонкопленочных покрытий на подложку

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Данилин Б.С, Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. - М.: Радио и связь; 1982, с. 45, 55, 57. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2817729C1 (ru) * 2023-06-29 2024-04-19 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Устройство для нанесения покрытий в вакууме

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8137510B2 (en) Coater with a large-area assembly of rotatable magnetrons
US4981566A (en) Arrangement for measuring the thickness of thin layers
KR100776861B1 (ko) 큰 영역 기판의 마그네트론 스퍼터링 시스템
US4508049A (en) Method and a device for the production of electrical components, in particular laminated capacitors
TW201732063A (zh) 用於處理基板的方法與設備
US20090308739A1 (en) Wafer processing deposition shielding components
US11094513B2 (en) Sputtering apparatus including cathode with rotatable targets, and related methods
KR20130100325A (ko) 스퍼터링된 재료의 층을 형성하기 위한 시스템들 및 방법들
WO2011039316A1 (en) Method for coating a substrate and coater
US8052850B2 (en) Sputtering apparatus, method of operating the same, and method of manufacturing substrate using the same
WO2010123680A2 (en) Wafer processing deposition shielding components
TWI567216B (zh) 供濺鍍沉積的微型可旋轉式濺鍍裝置
RU2748443C1 (ru) Магнетронная распылительная система
US9175383B2 (en) Double-coating device with one process chamber
US6159351A (en) Magnet array for magnetrons
US20050145488A1 (en) Tube magnetron
JPH03122274A (ja) 薄膜製造方法および装置
US5482604A (en) Off-axis radio frequency diode apparatus for sputter deposition of RLG mirrors
EP2081212B1 (en) Double-Coating Device with one Process Chamber
US20150114826A1 (en) Pvd apparatus for directional material deposition, methods and workpiece
RU182457U1 (ru) Установка для вакуумного магнетронного напыления тонких пленок
JP2010248587A (ja) スパッタリング装置およびスパッタリング方法
JP2008007837A (ja) スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法
TW202012672A (zh) 成膜裝置
US20100181187A1 (en) Charged particle beam pvd device, shielding device, coating chamber for coating substrates, and method of coating