TW201732063A - 用於處理基板的方法與設備 - Google Patents

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Abstract

於此揭露用於處理基板的方法及設備。在一些實施例中，處理腔室包含：一腔室主體，該腔室主體界定一內部容積；一基板支撐件，該基板支撐件在該內部容積內支撐一基板；複數個陰極，該複數個陰極耦合至該腔室主體且具有對應的複數個標的以受噴濺至該基板上；及一屏蔽，該屏蔽可旋轉地耦合至該腔室主體的上方部分且具有至少一個孔洞以曝露受噴濺的該複數個標的之其中至少一者，及設置於該屏蔽的背側中的至少一個袋部以容納及覆蓋未受噴濺的該複數個標的之其中至少另一者，其中該屏蔽經配置以繞著該處理腔室的一中央軸旋轉及沿著該處理腔室的該中央軸線性移動。

Description

用於處理基板的方法與設備
本揭示案的實施例一般相關於用於處理基板的方法及設備。
已知用於半導體裝置的用於移除或建立材料層的多種方法。在半導體工業中經常使用物理氣相沉積(PVD)方法。
介電PVD噴濺具有半導體工業中的許多應用，例如，如氧化鉿、氧化鉭、用於電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)及傳導性電橋式隨機存取記憶體(CBRAM)燈絲的氧化鋁、用於STT-RAM阻隔層的氧化鎂、用於影像感測器之用於抗反射層的氧化鉭及氧化鈦，諸如此類。可使用反應性噴濺來沉積介電材料，其中使用金屬傳導性標的且與氧氣或氮氣電漿反應以沉積介電質，或使用合成的非傳導性標的與RF功率(電容性或電感性耦合)以直接噴濺標的材料至基板上。第二種方法典型地被使用於介電質沉積期間不需要基板氧化或氮化的應用中，在該等應用中禁止使用反應性氣體。儘管使用反應性噴濺來產生介電薄膜的技術已存在，發明人觀察到：面對使用RF電漿直接的介電標的噴濺仍有許多挑戰，包含隨著處理套件的生命週期之進程的沉積速率偏移，惡化了缺陷效能，且惡化了均勻性。
為了解決上述問題，使用具角度的多陰極腔室。介電標的連接至RF電源，且金屬標的連接至DC電源。使用旋轉屏蔽以避免噴濺期間標的之間的交叉污染。金屬標的的目的為黏合屏蔽以恢復沉積速率(導因於由介電塗覆所造成的接地損失)。金屬黏合亦幫助防止屏蔽上介電顆粒的剝落及剝離。
然而，發明人觀察到上述設計的幾個缺點。首先，典型地需要大量的黏合以服務上述目的，因為環繞標的的暗區面積(特別是屏蔽中的孔洞的側壁)需要足夠的覆蓋，以便恢復沉積速率。第二，金屬標的的污染是不可避免的，導因於沉積於環繞標的的暗區面積上的介電材料的RF噴濺。典型地，在噴濺介電質於基板上之前，噴濺一些介電材料至屏蔽及擋門上以允許黏合材料被介電質的薄層覆蓋以減低污染。然而，發明人觀察到：噴濺一些介電材料至黏合材料上使得腔室顆粒效能惡化。最後，上述設備的另一缺點為接地屏蔽的位能，如同相對於電漿正向位能的負向位能，而導致先前沉積於屏蔽的零件上的材料之噴濺。結果，發明人觀察到基板被污染，導因於屏蔽上的黏合金屬被噴濺至基板上。
因此，發明人提供用於處理基板的改良方法及設備的實施例。
於此揭露用於處理基板的方法及設備。在一些實施例中，處理腔室包含：一腔室主體，該腔室主體界定一內部容積；一基板支撐件，該基板支撐件在該內部容積內支撐一基板；複數個陰極，該複數個陰極耦合至該腔室主體且具有對應的複數個標的以被噴濺至該基板上；及一屏蔽，該屏蔽可旋轉地耦合至該腔室主體的上方部分且具有至少一個孔洞以曝露受噴濺的該複數個標的之其中至少一者，及設置於該屏蔽的背側中的至少一個袋部以容納及覆蓋未受噴濺的該複數個標的之其中至少另一者，其中該屏蔽經配置以繞著該處理腔室的一中央軸旋轉及沿著該處理腔室的該中央軸線性移動。
在一些實施例中，處理腔室包含：一腔室主體，該腔室主體界定一內部容積；一腔室主體配接器，該腔室主體配接器耦合至該腔室主體的一上方部分，其中該腔室主體配接器接地；一基板支撐件，該基板支撐件在該內部容積內支撐一基板；複數個陰極，該複數個陰極耦合至該腔室主體配接器且具有對應的複數個標的以受噴濺至該基板上；及一屏蔽，該屏蔽可旋轉地耦合至該腔室主體配接器且具有至少一個孔洞以曝露受噴濺的該複數個標的之其中至少一者，及至少一個袋部以容納未受噴濺的該複數個標的之其中至少另一者，其中該屏蔽經配置以繞著該處理腔室的一中央軸旋轉及沿著該處理腔室的該中央軸線性移動；及複數個接地環，該複數個接地環設置於該屏蔽及該腔室主體配接器之間以將該屏蔽接地，其中該複數個標的包含至少一個介電標的及至少一個金屬標的。
在一些實施例中，一種用於在一處理腔室中處理設置於一基板支撐件上的一基板的方法，包含以下步驟：放置設置於該處理腔室內的一屏蔽，以經由該屏蔽中的一孔洞曝露一第一標的，同時覆蓋一第二標的，該第二標的設置於一袋部中，該袋部在相對於該基板的該屏蔽之一背側中形成；自該第一標的噴濺一第一材料；旋轉該屏蔽，以經由該屏蔽中的該孔洞曝露一第二標的，同時覆蓋該第一標的，該第一標的設置於該袋部中或在一第二袋部中，該第二袋部在該屏蔽之該背側中形成；及自該第二標的噴濺一第二材料。
在一些實施例中，一種用於在一處理腔室中處理設置於一基板支撐件上的一基板的方法，包含以下步驟：旋轉設置於該處理腔室內的該屏蔽以經由該屏蔽中的孔洞曝露一介電標的；沿著該處理腔室的一中央軸向上移動該屏蔽遠離該基板支撐件至一縮回位置；自介電標的沉積介電材料至該基板上；自該處理腔室移除該基板；沿著該中央軸向下移動該屏蔽朝向該基板支撐件；旋轉該屏蔽，以經由該屏蔽中的該孔洞曝露該金屬標的；自該金屬標的黏合金屬材料至該處理腔室的內部表面上；及流動氧氣進入該處理腔室以氧化所黏合的該金屬材料。
於此提供用於處理基板的方法及設備之實施例。所揭露的方法及設備可有利地改良標的的生命週期、延長清理前所需的時間週期、及緩和沉積速率偏移同時實質最小化或消除標的之間的交叉污染。
在一些實施例中，多陰極PVD腔室(亦即，處理腔室100)包含複數個陰極102，具有對應的複數個標的(至少一個介電標的104及至少一個金屬標的106)，(例如，5個陰極)該等標的接合至腔室主體(例如，經由腔室主體配接器108)。在一些實施例中，金屬標的可由例如金屬形成，如：鉭、鋁、鈦、鉬、鎢、及/或鎂，或由例如傳導性金屬氧化物形成，如：氧化鈦、氧化鈦鎂、及/或氧化鉭鎂。然而，可選擇地使用其他金屬及/或傳導性金屬氧化物。處理腔室包含基板支撐件132，基板支撐件132具有支撐表面134以支撐基板136。處理腔室100包含穿過其中的開口150(例如，狹縫閥)，末端效應器(未圖示)可延伸以放置基板136於升降銷(未圖示)上，以降低基板至支撐表面134上。
在第1圖中所展示的實施例中，每一標的以相對於支撐表面134之預先決定的角度α設置。在一些實施例中，角度α可介於約10度至約50度之間。基板支撐件包含經由匹配網路142耦合至設置於基板支撐件132中的偏壓電極140的偏壓來源138。腔室主體配接器108耦合至處理腔室100的腔室主體110的上方部分且接地。每一陰極可具有DC功率來源112或RF功率來源114及相關聯的磁控管。在RF功率來源114的情況下，RF功率來源114經由RF匹配網路115耦合至陰極。
屏蔽116可旋轉地耦合至腔室主體配接器108且由所有陰極所共用。依據需要受噴濺的標的之數量，旋轉的屏蔽可具有一個或更多個孔洞以曝露對應的一個或更多個標的。屏蔽116有利地限制或消除複數個標的104、106之間的交叉污染。例如，在一些實施例中，提供五個陰極的情況下，屏蔽116可包含至少一個孔洞118以曝露受噴濺的標的104及至少一個袋部120以收容未受噴濺的標的(例如，金屬標的106)。屏蔽116經由軸件122旋轉地耦合至腔室主體配接器108。
致動器124相對於屏蔽116耦合至軸件122。致動器124經配置以旋轉屏蔽116(如箭頭126所指示)且沿著處理腔室100的中央軸130移動屏蔽116向上及向下(如箭頭128所指示)。發明人觀察到：當屏蔽116移動向上進入縮回位置而使得環繞孔洞118的屏蔽面在面對基板136的標的(例如，介電標的104)面後方時，有利地最小化環繞標的之暗區(例如，孔洞118的側壁上)中噴濺的材料。結果，自一個標的(例如，介電標的104)噴濺的材料不會污染另一標的(例如，金屬標的106)，因為材料的噴濺累積在暗區中。此外，因為最小化噴濺至暗區上的介電材料量，有利地減低自金屬標的黏合的金屬材料量至少三倍。
在一些實施例中，可提供帶有袋部120的屏蔽116以收容未受噴濺的標的。袋部有利地防止噴濺標的之散射材料沉積於未受噴濺的標的上。儘管該散射是不可避免的，袋部120確保散射不會污染未受噴濺標的之噴濺表面(或最小化該污染)。結果，進一步減低未受噴濺的標的之污染。
在一些實施例中，處理腔室100包含複數個接地環144，以在屏蔽處於縮回位置時提供改良的屏蔽116接地至腔室主體配接器108。RF接地環144藉由最小化電漿及屏蔽之間的能量來有利地防止屏蔽116被負向地充電。結果，進一步減低屏蔽受噴濺的機會。
在一些實施例中，處理腔室100進一步包含處理氣體供應146以供應預先決定處理氣體至處理腔室100的內部容積105。處理腔室100亦可包含流體地耦合至內部容積105的排放泵148，以自處理腔室100排放處理氣體。在一些實施例中，例如，處理氣體供應146可在金屬標的106受噴濺之後供應氧氣至內部容積105。發明人觀察到：金屬黏合之後流動氧氣進入處理腔室100有利地減低黏合金屬材料的噴濺良率，因為金屬氧化物(例如，氧化鉭)的噴濺良率明顯較該金屬(例如，鉭)低。結果，進一步減低基板136的污染。
第2圖描繪第1圖之屏蔽116之底部視圖。儘管在第2圖中，圖示複數個標的104、106為五個標的，可使用更多或更少的標的，例如，如第4圖中所展示及下方所描述。在第2圖中所展示的實施例中，屏蔽116可包含一個孔洞118及四個袋部120。然而，屏蔽116可選擇地包含多於一個孔洞118以曝露多於一個受噴濺標的。
第3圖根據本揭示案的一些實施例描繪處理腔室之上方部分的特寫。第3圖中相同或相似於第1圖中的處理腔室100之對應元件的處理腔室之元件將參照以相同元件符號。因此，此處省略該等元件之描述。如第3圖中所展示，可選擇地使用具有平坦定向的屏蔽316，而非第1圖中所展示的處理腔室100中的具角度屏蔽116。在第3圖中所展示的實施例中，標的104、106平行於支撐表面134。在一些實施例中，例如第3圖中所展示，標的104、106為同平面。
屏蔽316包含一個或更多個孔洞318以曝露一個或更多個受噴濺標的104、106。屏蔽316亦包含一個或更多個袋部320以收容未受噴濺的一個或更多個標的。孔洞318與具角度屏蔽116的孔洞118的差異在於：孔洞318具有小於孔洞118的寬度之寬度302。因為標的104、106相對於支撐表面134具有角度，孔洞118足夠大以允許受噴濺標的在屏蔽116移動至縮回位置時通過孔洞118。相對照下，因為屏蔽316為平坦的且標的104、106平行於支撐表面134，孔洞318之寬度302僅較標的寬度稍大。因為受噴濺標的(例如，介電標的104)及屏蔽之間的空隙較第1圖中所展示的具角度屏蔽及標的之間的空隙小，進一步減低污染，因為較少材料沉積於孔洞318的側壁上。
發明人觀察到：屏蔽316及標的104、106之平坦定向(展示於第3圖中)有利地進一步改良RA均勻性，自使用第1圖之具角度屏蔽116的低於5%至使用平坦屏蔽316的約2%至3%。此外，因為屏蔽316為平坦的，可使用較具角度屏蔽116更多的陰極102(假設具相同的整體屏蔽直徑)。
在一些實施例中，例如第4圖中所描繪，複數個標的可包含六個標的：三個介電標的104及三個金屬標的106。在第4圖中所展示的實施例中，屏蔽316包含三個非相鄰孔洞318及三個非相鄰袋部320。因為三個非相鄰孔洞318曝露三個標的以被噴濺，處理腔室的生產率較單一噴濺標的增加三倍，因為沉積速率為單一噴濺標的之三倍。此外，整體標的之生命週期增加，因為自每一標的噴濺之材料量較單一噴濺標的少2/3。結果，亦減少了標的改變之頻率。第4圖中所展示的實施例之另一優點為：環繞每一標的之屏蔽的暗區上有較少的沉積(亦即，較單一噴濺標的少2/3)。結果，進一步減低污染且需要少2/3的黏合材料。儘管參照平坦的屏蔽316來描述第4圖的實施例，第4圖中所展示的配置亦可應用至具角度的屏蔽116。
第5圖根據本揭示案的一些實施例描繪屏蔽516之配置。屏蔽516實質相似於第3及第4圖中所描繪的屏蔽316，除了屏蔽516包含兩個相鄰孔洞518及四個袋部520。在第5圖中所展示的實施例中，複數個標的包含兩個相鄰介電標的104、由第一金屬形成的兩個相鄰第一金屬標的106、及由第二金屬形成的兩個相鄰第二金屬標的507。在一些實施例中，兩個相鄰第二金屬標的507可由不同於介電標的104之第二介電材料形成。結果，屏蔽516可有利地便於堆疊的沉積處理。
在一些實施例中，例如，兩個相鄰介電標的104可由氧化鎂形成，兩個相鄰第一金屬標的106可由鉭形成，且兩個相鄰第二金屬標的507可由鎂形成。結果，可選擇地在相同腔室中執行自兩個相鄰介電標的104直接噴濺氧化鎂或自兩個相鄰第二金屬標的507噴濺鎂及後續的氧化。兩個相鄰第二金屬標的507之噴濺及後續的氧化可對介電標的104之直接噴濺為有利的，因為兩個相鄰第二金屬標的507噴濺後所需的金屬黏合較用於介電標的104之直接噴濺所需更低。
在操作中，可使用根據本揭示案之實施例的設備以在處理腔室內自一個或更多個標的噴濺沉積材料，同時屏蔽設置於處理腔室內的一個或更多個額外的標的免於污染或免於污染處理。例如，可放置設置於處理腔室內的屏蔽116、316以經由屏蔽中的孔洞曝露第一標的(例如104)，同時覆蓋設置於袋部中的第二標的(例如106)，該袋部相對於基板在屏蔽的背側中形成。接著第一材料可自第一標的噴濺同時第二標的被屏蔽覆蓋且設置於屏蔽的袋部內。
在完成第一材料的噴濺後，屏蔽可旋轉以經由屏蔽中的孔洞曝露第二標的，同時覆蓋設置於袋部中或第二袋部中的第一標的，第二袋部在屏蔽的背側中形成。接著第二材料可自第二標的噴濺，同時第一標的被屏蔽覆蓋且設置於屏蔽的袋部內或在於屏蔽的背側中形成的第二袋部中。
在另一圖示範例中，第6圖為根據本揭示案的一些實施例圖示處理基板136的方法600之流程圖。在602處，屏蔽116、316旋轉以曝露介電標的104。在604處，屏蔽沿著處理腔室100的中央軸130向上移動至縮回位置，使得環繞介電標的104的屏蔽116、316面在標的面的後方。在606處，介電材料沉積於基板136上。在608處，自處理腔室100移除基板136。在610處，屏蔽116、316沿著處理腔室100的中央軸130向下移動至原始位置。在612處，屏蔽旋轉以曝露金屬標的106。在614處，屏蔽116、316沿著處理腔室100的中央軸130向上移動至縮回位置，使得環繞金屬標的106的屏蔽116、316面在標的面的後方。在616處，噴濺金屬標的106以使用金屬材料黏合屏蔽116、316及處理腔室100。在618處，氧氣自處理氣體供應146流動進入內部容積105以氧化所黏合的金屬材料。
前述係本揭示案之實施例，可修改本揭示案之其他及進一步的實施例而不遠離其基本範圍。
100‧‧‧處理腔室 102‧‧‧陰極 104‧‧‧介電標的 105‧‧‧內部容積 106‧‧‧金屬標的 108‧‧‧腔室主體配接器 110‧‧‧腔室主體 112‧‧‧DC 114‧‧‧RF功率來源 115‧‧‧RF匹配網路 116‧‧‧屏蔽 118‧‧‧孔洞 120‧‧‧袋部 122‧‧‧軸件 124‧‧‧致動器 126‧‧‧箭頭 128‧‧‧箭頭 130‧‧‧中央軸 132‧‧‧基板支撐件 134‧‧‧支撐表面 136‧‧‧基板 138‧‧‧偏壓來源 140‧‧‧偏壓電極 144‧‧‧RF接地環 146‧‧‧處理氣體供應 148‧‧‧排放泵 150‧‧‧開口 302‧‧‧寬度 316‧‧‧屏蔽 318‧‧‧孔洞 320‧‧‧袋部 507‧‧‧第二金屬標的 516‧‧‧屏蔽 518‧‧‧孔洞 520‧‧‧袋部 600‧‧‧方法 602-618‧‧‧步驟
可藉由參考描繪於所附圖式中的揭示的圖示實施例以理解本揭示案之實施例(簡短總結於上方且更詳細描述於下方)。然而，所附圖式僅圖示本揭示案典型的實施例，因此不考慮限制其範圍，因為本揭示案可允許其他等效實施例。
第1圖根據本揭示案的一些實施例描繪多陰極處理腔室之示意視圖。
第2圖根據本揭示案的一些實施例描繪設置於第1圖中之多陰極處理腔室中的屏蔽之底部視圖。
第3圖根據本揭示案的一些實施例描繪多陰極處理腔室之上方部分的示意視圖。
第4圖根據本揭示案的一些實施例描繪設置於第3圖中之多陰極處理腔室中的屏蔽之底部視圖。
第5圖根據本揭示案的一些實施例描繪設置於第3圖中之多陰極處理腔室中的屏蔽之底部視圖。
第6圖為根據本揭示案的一些實施例圖示處理基板的方法之流程圖。
為了便於理解，儘可能使用相同元件符號，以標示圖式中常見的相同元件。圖式並未按比例繪製且可為了清晰而簡化。一個實施例中的元件及特徵可有利地併入於其他實施例，而無須進一步敘述。
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100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧陰極
104‧‧‧介電標的
105‧‧‧內部容積
106‧‧‧金屬標的
108‧‧‧腔室主體配接器
110‧‧‧腔室主體
112‧‧‧DC
114‧‧‧RF功率來源
115‧‧‧RF匹配網路
116‧‧‧屏蔽
118‧‧‧孔洞
120‧‧‧袋部
122‧‧‧軸件
124‧‧‧致動器
126‧‧‧箭頭
128‧‧‧箭頭
130‧‧‧中央軸
132‧‧‧基板支撐件
134‧‧‧支撐表面
136‧‧‧基板
138‧‧‧偏壓來源
140‧‧‧偏壓電極
144‧‧‧RF接地環
146‧‧‧處理氣體供應
148‧‧‧排放泵
150‧‧‧開口

Claims (20)

  1. 一種處理腔室，包括： 一腔室主體，該腔室主體界定一內部容積；一腔室主體配接器，該腔室主體配接器耦合至該腔室主體的一上方部分，其中該腔室主體配接器接地；一基板支撐件，該基板支撐件在該內部容積內支撐一基板；複數個陰極，該複數個陰極耦合至該腔室主體配接器且具有對應的複數個標的以被噴濺至該基板上；及一屏蔽，該屏蔽可旋轉地耦合至該腔室主體配接器且具有至少一個孔洞以曝露受噴濺的該複數個標的之其中至少一者，及至少一個袋部以容納未受噴濺的該複數個標的之其中至少另一者，其中該屏蔽經配置以繞著該處理腔室的一中央軸旋轉及沿著該處理腔室的該中央軸線性移動。
  2. 如請求項1所述之處理腔室，其中該複數個標的之每一者以一預先決定角度相對於該基板支撐件設置。
  3. 如請求項1所述之處理腔室，進一步包括： 一處理氣體供應，該處理氣體供應耦合至該處理腔室以供應一預先決定處理氣體。
  4. 如請求項1所述之處理腔室，進一步包括： 複數個接地環，該複數個接地環設置於該屏蔽及該腔室主體配接器之間以將該屏蔽接地。
  5. 如請求項1至4之任一者所述之處理腔室，其中設置該複數個標的之每一者平行於該基板支撐件。
  6. 如請求項5所述之處理腔室，其中該複數個標的包含六個標的。
  7. 如請求項6所述之處理腔室，其中該六個標的包含三個介電標的及三個金屬標的。
  8. 如請求項7所述之處理腔室，其中該屏蔽包含三個非相鄰孔洞。
  9. 如請求項6所述之處理腔室，其中該六個標的包含兩個相鄰介電標的、由一第一金屬形成的兩個相鄰第一金屬標的、及由一第二金屬形成的兩個相鄰第二金屬標的。
  10. 如請求項9所述之處理腔室，其中該屏蔽包含兩個相鄰孔洞。
  11. 一種處理腔室，包括： 一腔室主體，該腔室主體界定一內部容積；一腔室主體配接器，該腔室主體配接器耦合至該腔室主體的一上方部分，其中該腔室主體配接器接地；一基板支撐件，該基板支撐件在該內部容積內支撐一基板；複數個陰極，該複數個陰極耦合至該腔室主體配接器且具有對應的複數個標的以被噴濺至該基板上；一屏蔽，該屏蔽可旋轉地耦合至該腔室主體配接器且具有至少一個孔洞以曝露受噴濺的該複數個標的之其中至少一者，及至少一個袋部以容納未受噴濺的該複數個標的之其中至少另一者，其中該屏蔽經配置以繞著該處理腔室的一中央軸旋轉及沿著該處理腔室的該中央軸線性移動；及複數個接地環，該複數個接地環設置於該屏蔽及該腔室主體配接器之間以將該屏蔽接地，其中該複數個標的包含至少一個介電標的及至少一個金屬標的。
  12. 如請求項11所述之處理腔室，其中該複數個標的之每一者以一預先決定角度相對於該基板支撐件設置。
  13. 如請求項11所述之處理腔室，進一步包括： 一處理氣體供應，該處理氣體供應耦合至該處理腔室以供應一預先決定處理氣體。
  14. 如請求項11至13之任一者所述之處理腔室，其中設置該複數個標的之每一者平行於該基板支撐件。
  15. 如請求項14所述之處理腔室，其中該複數個標的包含六個標的。
  16. 如請求項15所述之處理腔室，其中該六個標的包含三個介電標的及三個金屬標的。
  17. 如請求項16所述之處理腔室，其中該屏蔽包含三個非相鄰孔洞。
  18. 如請求項15所述之處理腔室，其中該六個標的包含兩個相鄰介電標的、由一第一金屬形成的兩個相鄰第一金屬標的、及由一第二金屬形成的兩個相鄰第二金屬標的，且其中該屏蔽包含兩個相鄰孔洞。
  19. 一種用於在一處理腔室中處理設置於一基板支撐件上的一基板的方法，包括以下步驟： 放置設置於該處理腔室內的一屏蔽，以經由該屏蔽中的一孔洞曝露一第一標的，同時覆蓋一第二標的，該第二標的設置於一袋部中，該袋部在相對於該基板的該屏蔽之一背側中形成；自該第一標的噴濺一第一材料；旋轉該屏蔽，以經由該屏蔽中的該孔洞曝露一第二標的，同時覆蓋該第一標的，該第一標的設置於該袋部中或在一第二袋部中，該第二袋部在該屏蔽之該背側中形成；及自該第二標的噴濺一第二材料。
  20. 如請求項19所述之方法，其中該第一標的為一介電標的且該第二標的為一金屬標的，且進一步包括以下步驟： 在噴濺該第一材料之前，旋轉該屏蔽以經由該屏蔽中的該孔洞曝露該介電標的，且沿著該處理腔室的一中央軸向上移動該屏蔽遠離該基板支撐件至一縮回位置；噴濺該第一材料至該基板的一表面上；自該處理腔室移除該基板；沿著該中央軸向下移動該屏蔽朝向該基板支撐件，旋轉該屏蔽，以經由該屏蔽中的該孔洞曝露該金屬標的，且沿著該中央軸向上移動該屏蔽離開至該縮回位置；自該金屬標的黏合金屬材料至該處理腔室的內部表面上；及流動氧氣進入該處理腔室以氧化所黏合的該金屬材料。
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