RU2739312C2 - Способ получения высокочистого поликристаллического кремния - Google Patents
Способ получения высокочистого поликристаллического кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2739312C2 RU2739312C2 RU2018137312A RU2018137312A RU2739312C2 RU 2739312 C2 RU2739312 C2 RU 2739312C2 RU 2018137312 A RU2018137312 A RU 2018137312A RU 2018137312 A RU2018137312 A RU 2018137312A RU 2739312 C2 RU2739312 C2 RU 2739312C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- trichlorosilane
- hydrogen
- silicon tetrachloride
- silicon
- reactor
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/12—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state
- C30B28/14—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state by chemical reaction of reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
- Y02P20/129—Energy recovery, e.g. by cogeneration, H2recovery or pressure recovery turbines
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Изобретение относится к химической технологии получения поликристаллического кремния водородным восстановлением трихлорсилана водородом на кремниевые стержни-основы в безотходном режиме. Способ включает приготовление исходной парогазовой смеси в испарителе SiHCl3 1 барботированием водорода через слой трихлорсилана с мольным отношением H2:SiHCl3 = (3,0-3,5):1 с последующей ее подачей в реактор восстановления 2, где осуществляют осаждение поликристаллического кремния на нагретых до 1100-1150°C кремниевых стержнях, подачу отходящей из реактора восстановления 2 парогазовой смеси, состоящей из водорода, тетрахлорида кремния, трихлорсилана и хлористого водорода, в реактор-утилизатор 3, в котором при температуре 315-350°C осуществляют отделение хлористого водорода от отходящей из реактора восстановления 2 парогазовой смеси с получением смеси водорода, трихлорсилана и тетрахлорида кремния в соотношении SiHCl3/SiCl4 = 50%/50%, далее полученную смесь направляют в установку мембранного разделения 4 для отделения водорода на полимерных мембранах при температуре нагрева до 100°C и перепаде давлений, равном 8 атм, который возвращают в испаритель SiHCl3 1, а смесь трихлорсилана и тетрахлорида кремния подвергают конденсации 5 и ректификации 6, после чего трихлорсилан возвращают в испаритель SiHCl3 1, а тетрахлорид кремния направляют в испаритель SiCl4 7, в котором осуществляют барботирование водорода через слой тетрахлорида кремния с образованием парогазовой смеси с мольным соотношением H2:SiCl4 = (3,0-6,5):1, которую далее подают в плазмохимический реактор 8 для синтеза трихлорсилана, откуда парогазовую смесь, состоящую из водорода, тетрахлорида кремния, трихлорсилана и хлористого водорода, направляют в реактор-утилизатор 3 для отделения хлористого водорода. Таким образом, все компоненты используют в производстве без образования отходов или выбросов в атмосферу. В результате снижаются энергозатраты, повышается качество кремния, экологическая безопасность, снижается расход реагентов на единицу продукции. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 пр.
Description
Изобретение относится к химической технологии, а именно к получению поликристаллического кремния восстановлением трихлорсилана водородом. Поликристаллический кремний имеет широкое применение в различных областях техники. Основное количество получаемого поликристаллического кремния используют в электронике, в полупроводниковых отраслях и в энергетике для получения солнечных батарей. Процесс получения поликристаллического кремния является энергоемким и многооперационным. В зависимости от требований к качеству конечного продукта необходимо проводить очистку исходных материалов - трихлорсилана и водорода. Для полупроводникового кремния требования к исходным компонентам высокие, а получение и очистка водорода и трихлорсилана - энергоемкие процессы. Водород получают электролизом, трихлорсилан очищают ректификацией. В процессе водородного восстановления значительные количества трихлорсилана и водорода переходят в отходящую газовую фазу, и необходим возврат их в основное производство. Охрана окружающей среды ставит задачу создания безотходных производств, и это требование относится к производству кремния, отходы которого являются токсичными.
Известен способ получения кремния водородным восстановлением трихлорсилана на кремниевые стержни-основы (Бочкарев Э.П., Елютин А.В., Иванов Л.С., Левин В.Г. RU 2 136 590 Способ получения поликристаллического кремния 1999). Способ включает предварительную очистку исходных компонентов - водорода и трихлорсилана, приготовление исходной парогазовой смеси в испарителе, осаждение кремния на нагретых стержнях в реакторе восстановления, фракционную конденсацию хлорсиланов и хлористого водорода и возврата непрореагировавших трихлорсилана и водорода на стадию приготовления парогазовой смеси. Недостатками данного способа является то, что для разделения компонентов отходящей из реактора восстановления парогазовой смеси необходимо компримировать ее с последующей фракционной конденсацией при давлении 1,7-2,2 ати, а также образовавшийся в результате фракционной конденсации тетрахлорид кремния не подвергается повторной переработке и возврату в технологический цикл. Таким образом данный способ не является замкнутым технологическим процессом.
Известен способ получения поликристаллического кремния, позволяющий использовать как исходные реагенты, так и продукты реакции из реактора водородного восстановления кремния (Гаврилов П.М., Ревенко Ю.А.. Муравицкий С.А.. Громов Г.Н., Болгов М.В., Левинский А.И., Гущин В.В., Прочанкин А.П. RIJ 2 357 923 Способ получения поликристаллического кремния 2009). Способ включает монтаж кремниевых стержней в реакторе водородного восстановления, нагревание их до температуры 1100÷1200°С, при этом подают водород и трихлорсилан при мольном отношении, равном (3,6÷6,0):1 и давлении 0,03÷0,07 МПа, осаждают кремний на разогретых кремниевых стержнях, с получением поликристаллического кремния, реактор гидрирования, в котором сначала осаждают кремний из трихлорсилана до диаметра 20÷30 мм на кремниевые стержни, нагретые до температуры 1100÷200°С, за счет пропускания по ним электрического тока, затем прекращают подачу трихлорсилана и направляют в реактор отфильтрованные и разбавленные в тетрахлориде кремния полисиланхлориды, нагретые до температуры 350÷600°С, и водород, с мольным отношением к хлорсиланам (6,0÷12,0):1. Полисиланхлориды выделяют из кубовых остатков ректификационных колонн процесса получения поликристаллического кремния. Недостатком данного способа является то, что для разделения компонентов отходящей из реактора восстановления парогазовой смеси путем фракционной конденсации необходимо охлаждать ее до температуры -90÷-95°С. О методах отделения водорода и гидрирования получаемого тетрахлорида кремния в трихлорсилан не указывается.
Известен способ получения кремния водородным восстановлением трихлорсилана на поверхности нагретых кремниевых стержней (Иванов Л.С., Левин В.Г.. Назаркин Д.В., Харченко В.A. RU 2 278 075 Способ получения поликристаллического кремния 2006). Способ включает приготовление исходной парогазовой смеси в испарителе барботированием водорода через слой трихлорсилана, разделение компонентов отходящей из реактора восстановления парогазовой смеси путем компримированния и фракционной конденсации хлорсиланов и хлористого водорода, разделение ректификацией трихлорсилана и тетрахлорида кремния из продуктов конденсации, разделение газообразных компонентов хлористого водорода и водорода путем абсорбции хлористого водорода в трихлорсилане, синтез трихлорсилана из полученного тетрахлорида кремния и рециркуляцию синтезированного трихлорсилана на стадию приготовления парогазовой смеси для восстановления. Недостатками данного способа является то. что для разделения компонентов отходящей из реактора восстановления парогазовой смеси необходимо компримировать ее до давлений 7.5-8 ати и охлаждать до температуры -45÷-47°С с целью фракционной конденсации, для отделения водорода используют абсорбцию на угле, что приводит к его загрязнению углеродсодержащими примесями, гидрирование получаемого тетрахлорида кремния проводят при высоких температурах с низкой степенью конверсии в трихлорсилан. Вышеперечисленные недостатки приводят к снижению качества получаемого кремния и высоким энергозатратам на единицу продукта.
Способ принят за прототип.
Техническим результатом заявленного изобретения является повышение качества получаемого поликристаллического кремния, снижение энергозатрат на процесс конверсии тетрахлорида кремния в трихлорсилан. снижение энергозатрат на процесс отделения водорода из смеси с трихлорсиланом и тетрахлоридом кремния, повышение экологической безопасности и снижение расхода энергии на единицу продукции.
Это достигается тем, что в способе получения поликристаллического кремния водородным восстановлением трихлорсилана на кремниевых стержнях, включающем приготовление парогазовой смеси (ПГС) в испарителе, осаждение кремния на нагретых кремниевых стержнях в реакторе восстановления, утилизацию хлористого водорода, отделение водорода от хлорсиланов и хлористого водорода на полимерных мембранах, конверсию тетрахлорида кремния в ВЧ-разряде, ректификацию тетрахлорида кремния и трихлорсилана, возврат трихлорсилана в цикл производства кремния, а тетрахлорид кремния в цикл конверсии, согласно изобретению приготовление парогазовой смеси для восстановления осуществляют путем барботажа водорода через слой трихлорсилана при поддержании в испарителе постоянной температуры и давления, соответствующих получению парогазовой смеси, с мольным отношением водорода и трихлорсилана (3,0-3,5):1, отходящую из реактора восстановления парогазовую смесь пропускают через реактор-утилизатор хлористого водорода, содержащий мелкодисперсный кремний при температуре 325°С, при этом хлористый водород превращается в трихлорсилан и тетрахлорид кремния в соотношении 50%/50%, далее смесь, состоящая из трихлорсилана. тетрахлорида кремния и водорода поступает на отделение водорода от смеси трихлорсилана и тетрахлорида кремния на установку мембранного разделения при температуре 100°С и перепаде давления 8 атм со степенью извлечения 95%, смесь трихлорсилана и тетрахлорида кремния конденсируется при температуре 2-10°С, полученный после конденсации конденсат трихлорсилана и тетрахлорида кремния подвергают ректификации с выделением в отдельный продукт трихлорсилана и тетрахлорида кремния, трихлорсилан возвращают в цикл производства кремния, а тетрахлорид кремния подвергают плазмохимической конверсии в трихлорсилан в ВЧ-разряде атмосферного давления, отходящую после плазмохимической конверсии парогазовую смесь направляют на те же стадии, что и смесь, выходящую из реактора восстановления;
Сущность способа заключается в том, что заявленная совокупность признаков и режимов осуществления способа позволяет организовать процесс осаждения поликристаллического кремния в безотходном режиме и снизить энергозатраты. Безотходный режим повышает технико-экономические показатели и предотвращает загрязнение окружающей среды. При осуществлении способа в безотходном режиме достигают максимальной выработки трихлорсилана, тетрахлорида кремния и водорода.
Совокупность заявленных признаков обеспечивает возможность использования высокочистых компонентов, а также, одновременно с полной переработкой исходных трихлорсилана и тетрахлорида кремния, позволяет повторно использовать непрореагировавший водород и образовавшийся в результате хлористый водород, предотвращая тем самым какие-либо загрязнения окружающей среды, несмотря на применение высокотоксичных исходных веществ.
Способ заключается в следующем (см. схему 1).
В испаритель SiHCl3 (1). заполненный жидким трихлорсиланом, подают водород и получают парогазовую смесь ТХС и водорода. Подачу водорода осуществляют путем барботажа через слой трихлорсилана. Температуру в испарителе SiHCl3 поддерживают постоянной. Необходимо, чтобы температура в испарителе SiHCl3 обеспечивала получение парогазовой смеси для восстановления кремния с мольным отношением водорода и трихлорсилана (3,0-3,5):1. Полученную парогазовую смесь направляют в реактор восстановления (2). В реакторе восстановления происходит осаждение поликристаллического кремния на нагретых до t=1100-1150°С кремниевых стержнях. Количество подаваемой в реактор восстановления ПГС пропорционально площади поверхности стержней.
Процесс восстановления кремния осуществляют при непрерывной подаче парогазовой смеси на восстановление и с непрерывным отводом отходящий парогазовой смеси.
Отходящую ПГС подают в реактор-утилизатор хлористого водорода (3), после которого получают смесь водорода с трихлорсиланом и тетрахлоридом кремния. Полученная смесь поступает в установку мембранного разделения (4), где происходит отделение водорода от трихлорсилана и тетрахлорида кремния на полимерной мембране. Перепад давлений на мембране составляет 8 атм. температура 100°С. Прошедший через мембрану водород возвращают в испаритель SiHCl3 (1), а конденсат трихлорсилана и тетрахлорида кремния, полученный после конденсации (5) подвергают ректификации на разделительной колонне (6) с получением трихлорсилана и тетрахлорида кремния.
Трихлорсилан возвращают в испаритель SiHCl3 (1), а тетрахлорид кремния в испаритель SiCl4 (7) и далее, путем барботажа водорода через слой тетрахлорида кремния, с мольным отношением водорода и тетрахлорида (3,0-6.5):1, в плазмохимический реактор (8) для плазмохимической конверсии в трихлорсилан.
Таким образом, все компоненты используют в производстве без образования отходов или выбросов в атмосферу.
Возврат в процесс непрореагировавших водорода и трихлорсилана существенно снижает энергозатраты на их получение и очистку.
Обоснование параметров.
При мольном отношении водорода и трихлорсилана менее 3,0:1 возможно протекание газовых реакции с выделением кремния в объеме реактора; что резко снижает качество получаемого кремния.
При мольном отношении водорода и трихлорсилана более 3,5:1 снижается конденсация ТХС в газовой фазе и, соответственно, скорость осаждения кремния, ухудшается его структура и. увеличиваются энергозатраты.
Поддержание температуры в реакторе - утилизаторе хлористого водорода в диапазоне 315-350°С обеспечивает перевод хлористого водорода в трихлорсилан и тетрахлорид кремния в соотношении 50%/50%.
Нагрев и перепад давлений на установке мембранного разделения до температуры 100°С и 8 атм создает необходимые температурные условия для осуществления процесса очистки водорода через мембрану.
Применение высокочастотного разряда атмосферного давления создает необходимые условия для осуществления процесса конверсии тетрахлорида кремния в трихлорсилан с выходом трихлорсилана до 50%.
При мольном отношении водорода и тетрахлорида менее 3,0:1 выход трихлорсилана резко снижается.
При мольном отношении водорода и тетрахлорида более 6,5:1 выход трихлорсилана резко снижается и кроме того наблюдается образование большого количества кремния.
Пример
Процесс получения поликристаллического кремния проводят в системе аппаратов, состоящей из испарителей SiHCl3 и SiCl4, реактора восстановления, реактора-утилизатора хлористого водорода в трихлорсилан и тетрахлорид кремния, установки мембранного разделения водорода, установки для конденсации трихлорсилана и тетрахлорида кремния, ректификационной колонны для разделения хлорсиланов, плазмохимического реактора для конверсии тетрахлорида кремния в трихлорсилан соединенных друг с другом согласно схемы 1.
Трихлорсилан находится в секции испарения, в которой поддерживают температуру 8°С и постоянный уровень жидкости.
Водород поступает в испаритель и барботирует через слой трихлорсилана с образованием ПГС с мольным отношением Н2:ТХС=3,5:1. Парогазовую смесь направляют в реактор восстановления. Осаждение кремния на кремниевых стержнях-основах проводят при температуре 1050-1090°С.
Отходящую ПГС, содержащую водород, трихлорсилан. тетрахлорид кремния и хлористый водород, направляют в реактор-утилизатор хлористого водорода, нагретого до температуры 325°С. При выходе из реактора-утилизатора содержание хлорсиланов в ПГС составляет 50%/50%. Далее ПГС направляют на установку мембранного разделения при температуре 100°С и перепаде давления 8 атм для отделения водорода от трихлорсилана и тетрахлорида кремния, отделенный водород поступает в испарители SiHCl3 и SiCl4.
Сконденсированные при температуре 4°С трихлорсилан и тетрахлорид кремния направляют на ректификацию, после которой трихлорсилан и тетрахлорид кремния возвращают в испарители.
Тетрахлорид кремния находится в испарителе, в котором поддерживают температуру 6°С и постоянный уровень жидкости. Водород барботирует через слой тетрахлорида кремния с образованием ПГС с мольным отношением Н2:ТХК=(6,0:1). Парогазовую смесь направляют в плазмохимический реактор для синтеза трихлорсилана. откуда ПГС состоящая из водорода, хлористого водорода, тетрахлорида кремния и трихлорсилана поступает в реактор-утилизатор хлористого водорода.
Таким образом, заявленное изобретение существенно снижает расход электроэнергии, позволяет исключить выброс в атмосферу высокочистого водорода, обеспечивает экологическую безопасность при сохранении высокого качества.
Claims (12)
1. Способ получения поликристаллического кремния водородным восстановлением трихлорсилана на кремниевые стержни-основы, включающий
приготовление исходной парогазовой смеси в испарителе SiHCl3 барботированием водорода через слой трихлорсилана с мольным отношением H2:SiHCl3 = (3,0-3,5):1 с последующей ее подачей в реактор восстановления,
разделение компонентов отходящей из реактора восстановления парогазовой смеси, состоящей из водорода, тетрахлорида кремния, трихлорсилана и хлористого водорода,
конденсацию и ректификацию трихлорсилана и тетрахлорида кремния с возвратом трихлорсилана на стадию приготовления парогазовой смеси,
синтез трихлорсилана из тетрахлорида кремния с рециркуляцией трихлорсилана на стадию приготовления исходной смеси,
отличающийся тем, что
отделение хлористого водорода от отходящей из реактора восстановления парогазовой смеси проводят в реакторе-утилизаторе при температуре 315-350°С с получением смеси водорода, трихлорсилана и тетрахлорида кремния в соотношении SiHCl3/SiCl4 = 50%/50%,
полученную смесь направляют в установку мембранного разделения для отделения водорода на полимерных мембранах при температуре нагрева до 100°С и перепаде давлений, равном 8 атм, который возвращают в испаритель SiHCl3,
а смесь трихлорсилана и тетрахлорида кремния подвергают конденсации и ректификации,
после чего трихлорсилан возвращают в испаритель SiHCl3, а тетрахлорид кремния направляют в испаритель SiCl4, в котором осуществляют барботирование водорода через слой тетрахлорида кремния с образованием парогазовой смеси с мольным соотношением H2:SiCl4 = (3,0-6,5):1, которую далее подают в плазмохимический реактор для синтеза трихлорсилана, откуда парогазовую смесь, состоящую из водорода, тетрахлорида кремния, трихлорсилана и хлористого водорода, направляют в реактор-утилизатор для отделения хлористого водорода.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что конденсацию смеси трихлорсилана и тетрахлорида кремния осуществляют при температуре 2-10°С.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что синтез трихлорсилана из тетрахлорида кремния осуществляют в высокочастотном разряде атмосферного давления плазмохимического реактора.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018137312A RU2739312C2 (ru) | 2018-10-23 | 2018-10-23 | Способ получения высокочистого поликристаллического кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018137312A RU2739312C2 (ru) | 2018-10-23 | 2018-10-23 | Способ получения высокочистого поликристаллического кремния |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2018137312A RU2018137312A (ru) | 2020-04-23 |
| RU2018137312A3 RU2018137312A3 (ru) | 2020-04-23 |
| RU2739312C2 true RU2739312C2 (ru) | 2020-12-22 |
Family
ID=70412476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018137312A RU2739312C2 (ru) | 2018-10-23 | 2018-10-23 | Способ получения высокочистого поликристаллического кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2739312C2 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115072725A (zh) * | 2022-07-13 | 2022-09-20 | 江苏中圣高科技产业有限公司 | 一种多晶硅生产工艺的余热回收系统及工艺 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2278075C2 (ru) * | 2004-08-16 | 2006-06-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" | Способ получения поликристаллического кремния |
| RU2357923C2 (ru) * | 2007-07-09 | 2009-06-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Горно-химический комбинат" | Способ получения поликристаллического кремния |
| RU2475451C1 (ru) * | 2011-10-26 | 2013-02-20 | Общество с ограниченной ответственностью "КОНТИНЕНТ ЭНЕРДЖИ" | Способ получения поликристаллического кремния |
-
2018
- 2018-10-23 RU RU2018137312A patent/RU2739312C2/ru active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2278075C2 (ru) * | 2004-08-16 | 2006-06-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" | Способ получения поликристаллического кремния |
| RU2357923C2 (ru) * | 2007-07-09 | 2009-06-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Горно-химический комбинат" | Способ получения поликристаллического кремния |
| RU2475451C1 (ru) * | 2011-10-26 | 2013-02-20 | Общество с ограниченной ответственностью "КОНТИНЕНТ ЭНЕРДЖИ" | Способ получения поликристаллического кремния |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2018137312A (ru) | 2020-04-23 |
| RU2018137312A3 (ru) | 2020-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101819313B1 (ko) | 폴리실란을 제조하는 방법 및 장치 | |
| RU2503616C2 (ru) | Способ и система для получения чистого кремния | |
| RU2368568C2 (ru) | Способ получения кремния | |
| JP5876589B2 (ja) | ヒドロシランの製造システムおよび方法 | |
| CN101466463A (zh) | 生产甲硅烷的方法 | |
| US9862613B2 (en) | Apparatus for the preparation of silanes | |
| US9994456B2 (en) | Method and device for producing polychlorosilanes | |
| RU2739312C2 (ru) | Способ получения высокочистого поликристаллического кремния | |
| TW201109277A (en) | Plant and process for preparing monosilane | |
| US4515762A (en) | Process for processing waste gases resulting during the production of silicon | |
| US20080175784A1 (en) | Method for producing a high purity trisilane product from the pyrolysis of disilane | |
| RU2357923C2 (ru) | Способ получения поликристаллического кремния | |
| CN104262376A (zh) | 一种三氟甲磺酸三甲基硅酯的纯化方法 | |
| WO2014100705A1 (en) | Conserved off gas recovery systems and processes | |
| TW201536678A (zh) | 製備高純度半金屬化合物之方法 | |
| CN203816452U (zh) | 处理生产氯甲烷副产尾气的系统 | |
| Wu et al. | Preparation of trichlorosilane from hydrogenation of silicon tetrachloride in thermal plasma | |
| CN108586515B (zh) | 一种三甲硅烷基胺的合成方法 | |
| CN111909201A (zh) | 一种合成甲基二氯化膦的方法 | |
| JPH06247707A (ja) | 一酸化炭素の製造方法および製造装置 | |
| CN220213970U (zh) | 回收高纯六氯乙硅烷的系统 | |
| CN108689410A (zh) | 从氯硅烷中分离出溴、碘、含溴和/或碘的化合物的方法 | |
| RU2136590C1 (ru) | Способ получения поликристаллического кремния | |
| RU2214362C1 (ru) | Способ получения моносилана высокой чистоты | |
| KR101556824B1 (ko) | 폴리실리콘 제조용 화학기상증착 반응기에서 배출되는 배기가스의 분리 장치 및 이를 이용한 배기가스의 분리 방법 |