RU2723125C1 - СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНЕНА EuGe2 И SrGe2 С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА - Google Patents
СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНЕНА EuGe2 И SrGe2 С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА Download PDFInfo
- Publication number
- RU2723125C1 RU2723125C1 RU2020106154A RU2020106154A RU2723125C1 RU 2723125 C1 RU2723125 C1 RU 2723125C1 RU 2020106154 A RU2020106154 A RU 2020106154A RU 2020106154 A RU2020106154 A RU 2020106154A RU 2723125 C1 RU2723125 C1 RU 2723125C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- germanene
- euge
- films
- srge
- materials
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
Abstract
Изобретение относится к получению материалов на основе германена EuGeи SrGeс высокой подвижностью носителей заряда, которые могут использоваться при создании наноэлектронных устройств. Атомарный поток европия или стронция с давлением (0,1÷100)⋅10Торр осаждают на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до T=250÷510°С. Формируют пленки толщиной более 100 нм с последующим опциональным отжигом полученных пленок при температуре не более T=530°С. Обеспечивается стабилизация германена и формирование пленок кристаллической модификации hP3. 7 ил., 4 пр.
Description
Область техники
Изобретение относится к способам получения материалов с высокой подвижностью носителей заряда, а именно EuGe2 и SrGe2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного европием (стронцием) многослойного германена, которые могут быть использованы при создании устройств наноэлектроники.
Уровень техники
Бурный рост производительности электронных устройств, продолжавшийся на протяжении полувека, в последние годы начал замедляться. Данный факт связан с выходом на пределы, устанавливаемые как физическим свойствами традиционных функциональных материалов, так и принципами функционирования рабочих элементов. Дальнейшее развитие наноэлектроники сопряжено с использованием новых материалов, демонстрирующих широкий спектр уникальных свойств и позволяющих задействовать в работе устройств новые физические механизмы.
После открытия графена значительная доля внимания сосредоточилась на двумерных системах. Особое место среди них занимают аналогичные графену соединения из элементов IV группы таблицы Менделеева, в частности, германен - гексагональный монослой атомов германия.
Согласно теоретическим предсказаниям спектр уникальных свойств, проявляемых германеном, достаточно широк: носители заряда в нем должны являться безмассовыми дираковскими фермионами, материал должен проявлять квантовый аномальный эффект Холла, квантовый спиновый эффект Холла, квантовый долинный эффект Холла, нетривиальная сверхпроводимость, гигантское магнетосопротивление и т.д. Что особенно важно, ширина запрещенной зоны германена может управляться внешним электрическим полем или химической функционализацией. Вместе с тем, структурная близость германена с объемным германием должна обеспечить ему возможность прямой интеграции с коммерческими полупроводниковыми системами.
Однако на данный момент исследования германена остаются в большей степени теоретическими: получению свободного германена препятствует его высокая химическая активность. В результате гибридизации электронных состояний германеновые слои, получаемые эпитаксией на металлических подложках, имеют сильно искаженную электронную структуру.
Для уменьшения гибридизации германена с подложкой в пространство между германеном и подложкой можно интеркалировать атомы активных металлов. Аналогичным образом, можно рассматривать интеркалированный многослойный германен с германеновыми слоями, разделенными слоями активного металла. В таких системах дираковские состояния сохраняются.
В данном изобретении реализован вышеупомянутый механизм стабилизации германена путем интеркаляции атомами Eu и Sr и формированием, таким образом, пленок EuGe2 и SrGe2 кристаллической модификации hP3. Помимо решения проблемы стабильности германена, пленки, изготовленные предложенным способом, улучшают один из ключевых параметров материалов наноэлектроники, критическим образом сказывающийся на основных характеристиках электронных устройств - подвижность носителей заряда. В данном случае она оказывается более чем на 3 порядка превосходящей значение, известное для неинтеркалированного многослойного германена. Совместно с антиферромагнитными свойствами EuGe2 все это делает данные вещества крайне привлекательными для применения в устройствах наноэлектроники.
На настоящий момент неизвестны патенты, в которых патентуются обладающие высокой подвижностью носителей заряда материалы EuGe2 и SrGe2 кристаллической модификации hP3, однако известен ряд статей и патентов, в которых были получены данные вещества или вещества со схожей структурой. Статьи и патенты, имеющие наибольшее отношение к рассматриваемой области, приведены ниже.
Известны статьи «Металлическое поведение фаз Цинтля EuGe2: совместные структурные исследования, измерения свойств и моделирование электронной структуры» «Metallic behavior of the Zintl phase EuGe2: combined structural studies, property measurements, and electronic structure calculations)) (DOI: 10.1016/j.jssc.2004.06.018) и «Синтез 1T, 2H и 6R политипов германана» ((Synthesis of 1T, 2H, and 6R Germanane Polytypes)) (DOI: 10.1021/acs.chemmater.7b04990), в которых соединение EuGe2 получали путем совместного отжига чистых веществ Eu и Ge в запаянной емкости. Недостатком описанной процедуры получения материала является невозможность его использования для получения пленок, а также наличие в образцах примесей с нежелательной кристаллической структурой Ge и Eu3Ge5, приводящих к потере желаемых свойств носителей заряда.
Известна статья «Рост монокристаллов соединений интерметаллидов европия и иттербия при помощи техники металлического потока» ((Single crystal growth of europium and ytterbium based intermetallic compounds using metal flux technique)) (DOI: 10.1007/s12039-012-0335-0), в которой описан способ получения монокристаллов EuGe2 необходимой кристаллической модификации путем роста соединения в потоке индия. Предложенный способ не позволяет растить пленки вещества. Кроме того, в рамках представленной статьи авторами не была произведена характеризация полученного материала методами, позволяющими судить о его кристаллическом качестве и транспортных свойствах образцов.
Известна статья «Создание тонких пленок SrGe2 на пластинах Ge (100), (110), (111)» ((Fabrication of SrGe2 thin films on Ge (100), (110), (111) substrates» (DOI: 10.1186/s11671-018-2437-1), в которой описан способ получения тонких пленок SrGe2 на пластинах Ge(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Данный способ может быть применен для получения пленок необходимой толщины. Недостатком способа является невозможность получить пленки заданной стехиометрии и необходимой кристаллической модификации - в указанной статье пленки не были монокристаллическими, высокая дефектность пленок ведет к потере подвижности носителей заряда в связи с рассеянием. Также недостатком описанного в статье способа является невозможность применения указанных ростовых параметров для роста EuGe2.
Известна статья «Металлическое состояние с высокой проводимостью и сильным спин-орбитальным взаимодействием в отожженном германане» ((Highly conductive metallic state and strong spin-orbit interaction in annealed germanane» (DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04207), в которой был получен многослойный германен путем деинтеркаляции соединения CaGe2 и последующего отжига германана. Синтезированный таким образом многослойный германен обладает большой проводимостью, однако приведенная в статье подвижность носителей в материале не превышает 21 см2 В-1 с-1. Кроме того, недостатком приведенного метода является невозможность получения материалов EuGe2 и SrGe2.
Известен патент RU 2663041 «Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием», в котором эпитаксиальные монокристаллические пленки EuSi2 необходимой кристаллической модификации hP3 формируются методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Данный метод позволяет получать только тонкие пленки материала. Для получения объемных материалов на основе германена необходима модификация этого метода.
Технической проблемой, на решение которой направлено заявляемое изобретение является стабилизация германена путем интеркаляции атомами Eu и Sr и формированием, таким образом, пленок EuGe2 и SrGe2 кристаллической модификации hP3.
Раскрытие изобретения
Техническим результатом настоящего изобретения является формирование обладающих высокой подвижностью носителей заряда пленок материалов EuGe2 и SrGe2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного европием (стронцием) многослойного германена на германиевых подложках.
Для достижения технического результата предложен способ создания материалов на основе германена EuGe2 и SrGe2 с высокой подвижностью носителей заряда, заключающийся в осаждении атомарного потока европия или стронция с давлением (0,1÷100)⋅10-8 торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до Ts=250÷510°С, до формирования пленок толщиной более 100 нм с последующим опциональным отжигом полученных пленок до температуры не более Ts=530°С.
Слои EuGe2 и SrGe2 образуются за счет диффузии атомов, а ориентация германеновых слоев в пленке параллельно поверхности задается структурными параметрами подложки.
В установках молекулярно-лучевой эпитаксии обычно имеет место неоднозначная трактовка температур подложки. В настоящем изобретении температурой подложки считается температура, определяемая по показаниям инфракрасного пирометра. Давлением потока считается давление, измеренное ионизационным манометром, находящимся непосредственно в положении подложки.
Краткое описание чертежей
Изобретение поясняется чертежами:
На Фиг. 1 показана структурная модель EuGe2 и SrGe2, состоящая из плоских слоев атомов Eu (Sr) и рифленых слоев из атомов Ge.
На Фиг. 2 представлены изображения дифракции быстрых электронов на различных этапах роста пленки EuGe2 на Ge(111): (а) поверхность подложки Ge(111); (b) EuGe2 толщиной 1 нм; (с) EuGe2 толщиной 128 нм; (е) EuGe2 толщиной 460 нм. Все изображения сняты вдоль азимута подложки (азимут EuGe2).
На Фиг. 3 представлены изображения дифракции быстрых электронов на различных этапах роста пленки SrGe2 на Ge(111): (а) поверхность подложки Ge(111); (b) SrGe2 толщиной 1 нм; (с) SrGe2 толщиной 113 нм; (е) SrGe2 толщиной 460 нм. Все изображения сняты вдоль азимута подложки (азимут SrGe2).
На Фиг. 4 показаны θ-2θ рентгеновские дифрактограммы пленок: (a) EuGe2 на Ge(111); (b) SrGe2 на Ge(111). Пики от подложки Ge(111) помечены *.
На Фиг. 5 показана микроскопическая структура пленок EuGe2: (а) темнопольное изображение просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), снятое с поперечного среза структуры EuGe2(128 HM)/Ge(111); (b) спектр характеристических потерь энергии электронов в EuGe2, снятый на краю поглощения N4,5 Eu, соответствующий валентному состоянию Eu2+; (c) темнопольное ПЭМ-изображение, снятое с поперечного среза EuGe2 с высоким разрешением, демонстрирующее чередующиеся слои Eu и германена; (d) темнопольное ПЭМ-изображение, снятое с планарного среза EuGe2 с высоким разрешением (вид сверху), показывающее треугольную решетку из атомов Eu и сотовую структуру решетки из атомов Ge; (е) темнопольное ПЭМ-изображение поперечного среза интерфейса SiOx/EuGe2; (f) темнопольное ПЭМ-изображение поперечного среза интерфейса EuGe2/Ge(111). Изображения (а, с, е, f) сняты вдоль оси зоны подложки Ge(111), изображение (d) - вдоль оси зоны [111].
На Фиг. 6 показана микроскопическая структура пленок SrGe2: (а) темнопольное ПЭМ-изображение, снятое с поперечного среза структуры SiOx/SrGe2(113 HM)/Ge(111); (b) темнопольное ПЭМ-изображение, снятое с поперечного среза SrGe2 с высоким разрешением, демонстрирующее чередующиеся слои Sr и германена; (с) темнопольное ПЭМ-изображение, снятое с планарного среза SrGe2 с высоким разрешением (вид сверху), показывающее треугольную решетку из атомов Sr и сотовую структуру решетки из атомов Ge; (d) темнопольное ПЭМ-изображение поперечного среза интерфейса SiOx/SrGe2; (е) темнопольное ПЭМ-изображение поперечного среза интерфейса SrGe2/Ge(111). Изображения (a, b, d, е) сняты вдоль оси зоны подложки Ge(111), изображение (с) - вдоль оси зоны [111].
На Фиг. 7 показано магнетосопротивление пленок в магнитном поле, перпендикулярном плоскости при 2 K: (a) EuGe2; (b) SrGe2.
Осуществление изобретения
Пример 1.
Пример относится к формированию пленок EuGe2 с высокой подвижностью носителей заряда. Подложка Ge(111) помещается в сверхвысоковакуумную камеру (остаточный вакуум Р<1⋅10-10 торр). Затем, для удаления с поверхности подложки слоя естественного оксида осуществляется ее нагрев до температуры Ts=65÷700°С. Факт очистки поверхности подложки от оксида устанавливается in situ с помощью дифракции быстрых электронов: наблюдается реконструкция поверхности с(2×8). После этого подложка остужается до ростовой температуры 250°С<Ts<510°С, и происходит открытие заслонки ячейки Eu, нагретой до такой температуры (-400°С), чтобы обеспечивать давление потока атомов Eu PEu=(0,1÷100)⋅10-8 торр (поток PEu=1⋅10-8 торр соответствует скорости роста пленки ). Все температуры подложки указаны по пирометру, температуры ячеек - по термопаре. Ростовой цикл длится до получения пленки EuGe2 толщиной более 100 нм, после чего заслонка ячейки Eu закрывается. При формировании пленки EuGe2 толщиной менее 100 нм, подвижность носителей заряда в ней оказывается значительно меньше. Это связано с повышенной концентрацией в области, более близкой к интерфейсу, дефектов, возникающих за счет рассогласования решеток двух материалов.
Для предотвращения воздействия на EuGe2 воздуха при выносе образца из камеры по окончании роста пленка закрывается сплошным защитным слоем, например, оксидом кремния SiOx толщиной более 10 нм.
Модель кристаллической структуры пленки EuGe2, получающейся в результате описанного процесса, показана на Фиг. 1.
Контроль за состоянием пленки производится in situ с помощью дифракции быстрых электронов. Динамика картин дифракции в процессе роста EuGe2 показана на Фиг. 2. На протяжении всего процесса роста рефлексы представляют собой тяжи, что свидетельствует о формировании гладкой пленки. Латеральный параметр решетки, который может быть определен по расстоянию между рефлексами, имеет величину a = 4,11±0,03Полученная величина близка к значению, известному для объемных кристаллов: а = 4,10095±0,00032
Исследование изготовленных образцов с помощью рентгеновской дифрактометрии (Фиг. 4а) показало, что пленки EuGe2 являются эпитаксиальными, имеют ориентацию (0001) и не содержат нежелательных фаз. Определенный вертикальный параметр решетки EuGer составляет с = 4,9853±0,0009 что согласуется со значением для объемных кристаллов (с = 4,99811±0,00044 ).
Исследование образцов с помощью ПЭМ высокого разрешения (Фиг. 5) доказывает формирование пленок EuGe2 необходимой фазы (Фиг. 5b) с содержанием германеновых слоев в качестве элементов структуры (Фиг. 5с, d), их эпитаксиальность (Фиг. 5f), отсутствие в их объеме посторонних фаз, резкость (Фиг. 5е, f) и ровность (Фиг. 5а) интерфейсов, а также однородность пленок вдоль толщины (Фиг. 5а). Также они позволяют установить ориентационные соотношения пленки относительно подложки: EuGe2[0001]||Ge[111].
Пример 2.
Способ реализуется как в Примере 1 за исключением того, что после окончания формирования пленки производится дополнительная процедура отжига до температур не более Ts=530°С. Проведение этой процедуры приводит к улучшению структурных свойств EuGe2.
Пример 3.
Пример относится к формированию двумерных ферромагнитных пленок SrGe2. Способ реализуется как в Примере 1 за исключением того, что после очистки поверхности и установки температуры подложки в ростовой диапазон 250°С<Ts<510°С происходит открытие заслонки ячейки Sr, нагретой до такой температуры (~250°С), чтобы обеспечивать давление потока атомов PSr=(0,1÷100)⋅10-8 торр (поток PSr=1⋅10-8 торр соответствует скорости роста пленки ). Ростовой цикл длится до получения пленки SrGe2 толщиной более 100 нм, после чего заслонка ячейки Sr закрывается. Для предотвращения деградации при выносе на атмосферу пленка закрывается защитным слоем толщиной более 10 нм.
Модель кристаллической структуры пленки SrGe2, получающейся в результате описанного процесса, показана на Фиг. 1.
Динамика картин дифракции быстрых электронов, снимавшихся in situ, показана на Фиг. 3. Так же, как и в случае EuGe2, тяжевидная структура рефлексов указывает на рост гладкой пленки. Латеральный параметр решетки, определенный по расстоянию между рефлексами, составляет а = 4,12±0,03 . Полученная величина близка к значению, известному для объемных кристаллов: а = 4,104±0,003
Результаты рентгеновской дифрактометрии (Фиг. 4b) свидетельствуют, что пленки SrGe2 являются эпитаксиальными, имеют ориентацию (0001) и не содержат нежелательных фаз. Вертикальный параметр решетки SrGe2, определенный по положению пиков, составляет с = 5,1489±0,0009 , что согласуется со значением для объемных кристаллов (с = 5,165±0,005 ).
Исследование образцов с помощью ПЭМ (Фиг. 6) доказывает формирование пленок SrGe2 необходимой фазы с содержанием германеновых слоев в качестве элементов структуры (Фиг. 6b, с), их эпитаксиальность (Фиг. 6е), отсутствие в их объеме посторонних фаз, резкость (Фиг. 6d, е) и ровность (Фиг. 6а) интерфейсов, а также однородность пленок вдоль толщины (Фиг. 6а). Установленные с помощью изображений ориентационные соотношения такие же, как и для EuGe2: SrGe2[0001]||Ge[111].
Пример 4.
Способ реализуется как в Примере 3 за исключением того, что после окончания формирования пленки производится дополнительная процедура отжига до температур не более Ts=530°С. Проведение этой процедуры приводит к улучшению структурных свойств SrGe2.
Транспортные измерения, выполненные на пленках, выращенных по описанной технологии, предоставляют информацию об электронной структуре EuGe2 и SrGe2. Оба материала являются хорошими проводниками - их продольное сопротивление ρхх при 2 K составляет 0,55 и 2,7 мкОм⋅см, соответственно. EuGe2 (Фиг. 7а) и SrGe2 (Фиг. 7b) демонстрируют чрезвычайно большое магнетосопротивление [R(H) - R(0)]/R(0) при 2 K, достигающее (в 9 Тл) 15090% и 2340%, соответственно. Форма кривых магнетосопротивления в виде квадратичной функции делает возможной прямую оценку подвижностей μ: 1,4⋅104 см2В-1с-1 в EuGe2 и 5,4⋅103 см2В-1с-1 в SrGe2. Полученные значения подвижностей достаточно высоки - на 3 порядка больше, чем наблюдаемые в многослойном германене без интеркаляции. Оценка подвижности μHall при измерении эффекта Холла дает результаты того же порядка, что и расчет из магнетосопротивления. Примечательно, что концентрация носителей оказывается большой (~1021 см-3). Высокая подвижность носителей заряда в сочетании с их высокой концентрацией является редким и востребованным свойством наноматериалов.
Выход за пределы описанных режимов роста может привести к синтезу поликристаллических пленок EuGe2 и SrGe2, формированию пленок с иной стехиометрией или формированию других фаз германидов Eu и Sr, что критическим образом сказывается на подвижности носителей заряда в этих пленках.
Таким образом, изобретение позволяет осуществлять топотактический синтез обладающих высокой подвижностью носителей заряда пленок материалов EuGe2 и SrGe2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного европием (стронцием) многослойного германена на подложках Ge(111). Эти пленки:
Такие структуры могут быть востребованы при создании устройств наноэлектроники, для получения слоев германена и при исследовании спин-зависимых явлений в германеновой решетке.
Claims (1)
- Способ получения материалов на основе германена EuGe2 и SrGe2 с высокой подвижностью носителей заряда, включающий осаждение атомарного потока европия или стронция с давлением (0,1÷100)⋅10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до Ts=250÷510°С, с формированием пленок толщиной более 100 нм и последующий опциональный отжиг полученных пленок при температуре не более Ts=530°С.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020106154A RU2723125C1 (ru) | 2020-02-10 | 2020-02-10 | СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНЕНА EuGe2 И SrGe2 С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020106154A RU2723125C1 (ru) | 2020-02-10 | 2020-02-10 | СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНЕНА EuGe2 И SrGe2 С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2723125C1 true RU2723125C1 (ru) | 2020-06-08 |
Family
ID=71067782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020106154A RU2723125C1 (ru) | 2020-02-10 | 2020-02-10 | СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНЕНА EuGe2 И SrGe2 С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2723125C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2777453C1 (ru) * | 2021-06-07 | 2022-08-04 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ)" | Способ получения монослойного силицена |
CN115612985A (zh) * | 2022-12-20 | 2023-01-17 | 湖南大学 | 一种锗烯/碲化亚铜垂直异质结材料及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2227941C2 (ru) * | 2001-06-07 | 2004-04-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Перспективные магнитные технологии и консультации" | Способ формирования магнитного материала для записи информации с высокой плотностью |
US8231726B2 (en) * | 2006-01-20 | 2012-07-31 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting element, group III nitride semiconductor substrate and method for manufacturing such group III nitride semiconductor substrate |
KR101575875B1 (ko) * | 2014-04-15 | 2015-12-11 | 충북대학교 산학협력단 | 단결정의 크기를 조절할 수 있는 극성 금속간 화합물 및 그의 제조방법 |
RU2655507C1 (ru) * | 2017-05-22 | 2018-05-28 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) | Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO2 |
RU2663041C1 (ru) * | 2018-03-14 | 2018-08-01 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием |
-
2020
- 2020-02-10 RU RU2020106154A patent/RU2723125C1/ru active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2227941C2 (ru) * | 2001-06-07 | 2004-04-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Перспективные магнитные технологии и консультации" | Способ формирования магнитного материала для записи информации с высокой плотностью |
US8231726B2 (en) * | 2006-01-20 | 2012-07-31 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting element, group III nitride semiconductor substrate and method for manufacturing such group III nitride semiconductor substrate |
KR101575875B1 (ko) * | 2014-04-15 | 2015-12-11 | 충북대학교 산학협력단 | 단결정의 크기를 조절할 수 있는 극성 금속간 화합물 및 그의 제조방법 |
RU2655507C1 (ru) * | 2017-05-22 | 2018-05-28 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) | Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO2 |
RU2663041C1 (ru) * | 2018-03-14 | 2018-08-01 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2777453C1 (ru) * | 2021-06-07 | 2022-08-04 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ)" | Способ получения монослойного силицена |
CN115612985A (zh) * | 2022-12-20 | 2023-01-17 | 湖南大学 | 一种锗烯/碲化亚铜垂直异质结材料及其制备方法 |
CN115612985B (zh) * | 2022-12-20 | 2023-02-28 | 湖南大学 | 一种锗烯/碲化亚铜垂直异质结材料及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Andrews et al. | Atomic-level control of the thermoelectric properties in polytypoid nanowires | |
Tonnoir et al. | Induced superconductivity in graphene grown on rhenium | |
Kampmeier et al. | Selective area growth of Bi2Te3 and Sb2Te3 topological insulator thin films | |
Ngabonziza et al. | In situ spectroscopy of intrinsic Bi 2 Te 3 topological insulator thin films and impact of extrinsic defects | |
Wang et al. | Growth of high-quality Bi2Se3 topological insulators using (Bi1-xInx) 2Se3 buffer layers | |
Borisova et al. | Domain formation due to surface steps in topological insulator Bi2Te3 thin films grown on Si (111) by molecular beam epitaxy | |
Kowalczyk et al. | Single atomic layer allotrope of bismuth with rectangular symmetry | |
Dahal et al. | Electrical transport and magnetic properties of cobalt telluride nanostructures | |
Liu et al. | High-quality ultra-flat BiSbTe3 films grown by MBE | |
Mohanty et al. | Growth of epitaxial CdTe thin films on amorphous substrates using single crystal graphene buffer | |
Falmbigl et al. | Modifying a charge density wave transition by modulation doping: ferecrystalline compounds ([Sn 1− x Bi x Se] 1.15) 1 (VSe 2) 1 with 0≤ x≤ 0.66 | |
Hite et al. | Transport properties of VSe2 monolayers separated by bilayers of BiSe | |
RU2723125C1 (ru) | СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНЕНА EuGe2 И SrGe2 С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА | |
RU2663041C1 (ru) | Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием | |
Jeon et al. | Metal-supported high crystalline Bi2Se3 quintuple layers | |
Jia et al. | STM and MBE: one of the best combinations | |
Zotov et al. | Multi-mode growth in Cu/Si (1 1 1) system: Magic nanoclustering, layer-by-layer epitaxy and nanowire formation | |
WO2021183049A1 (en) | A new class of 3d materials generated from layered materials | |
KR102196693B1 (ko) | 전이금속-칼코젠 화합물 패턴 구조체, 그의 제조 방법, 및 그를 포함한 2차원 평면형 소자용 전극 | |
Guha et al. | Molecular beam epitaxial growth of Sb2Te3–Bi2Te3 lateral heterostructures | |
Chen et al. | Ultrathin BaTiO3 templates for multiferroic nanostructures | |
Wang et al. | Orientational domains in metalorganic chemical vapor deposited CdTe (111) film on cube-textured Ni | |
Dau et al. | An unusual phenomenon of surface reaction observed during Ge overgrowth on Mn5Ge3/Ge (111) heterostructures | |
RU2722664C1 (ru) | СПОСОБ СОЗДАНИЯ ДВУМЕРНЫХ ФЕРРОМАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ EuGe2 И GdGe2 НА ОСНОВЕ ГЕРМАНЕНА | |
Malikov et al. | Epitaxial Ni films for ballistic ferromagnetic nanostructures |