RU2777453C1 - Способ получения монослойного силицена - Google Patents
Способ получения монослойного силицена Download PDFInfo
- Publication number
- RU2777453C1 RU2777453C1 RU2021116692A RU2021116692A RU2777453C1 RU 2777453 C1 RU2777453 C1 RU 2777453C1 RU 2021116692 A RU2021116692 A RU 2021116692A RU 2021116692 A RU2021116692 A RU 2021116692A RU 2777453 C1 RU2777453 C1 RU 2777453C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicene
- monolayer
- substrate
- silicon
- layer
- Prior art date
Links
- 229910021428 silicene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 229910018891 PSi Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000000004 low energy electron diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000004574 scanning tunneling microscopy Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- DXKAKWDPPFFMSM-UHFFFAOYSA-N strontium;silicon(1-) Chemical compound [Si-].[Si-].[Sr+2] DXKAKWDPPFFMSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N Gadolinium Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 1
- 231100000614 Poison Toxicity 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atoms Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic Effects 0.000 description 1
- 210000004027 cells Anatomy 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atoms Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000009114 investigational therapy Methods 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic Effects 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing Effects 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 230000002588 toxic Effects 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов в вакууме и может быть использовано для производства кремнийсодержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для реального сектора экономики. Способ получения монослойного силицена состоит из трех этапов. На первом этапе исходная подложка монокристалла W(110) очищается от посторонних загрязнений в условиях сверхвысокого вакуума, на втором этапе наносится методом молекулярно-лучевой эпитаксии слой Ag(111) толщиной от 5 до 16 нм, на заключительном этапе методом молекулярно-лучевой эпитаксии наносится монослой кремния на нагретую до Т=200°С подложку Ag(111)/W(110) и в результате на поверхности формируется однослойный силицен. Улучшение кристаллической структуры монослойного силицена (увеличение размеров отдельных доменов до 100 нм) достигнуто за счет использования в качестве задающего кристаллографическую структуру силицена слоя Ag(111) и определенных параметров для нанесения методом молекулярно-лучевой эпитаксии атомарного кремния (скорость потока VSi=от 0.01 до 0.02 нм/мин, давление PSi=5×l0-10 мбар) на нагретую до Т=200°С подложку Ag(111)/W(110). 4 ил.
Description
Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов в вакууме и может быть использовано для производства кремний-содержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для реального сектора экономики.
В последние годы широко изучаются материалы, которые имеют потенциал заменить кремний в устройствах микроэлектроники. Одним из таких материалов является графен - монослой атомов углерода, расположенных в узлах шестиугольных ячеек. На настоящий момент он уже достаточно хорошо изучен как теоретически, так и экспериментально, существует огромное количество методов производства как чистого графена, так и устройств на его основе.
Кремниевым аналогом графена является силицен - материал, имеющий такую же кристаллическую структуру, но состоящий из атомов кремния. В последнее время начали появляться теоретические работы [1], показывающие схожесть этих материалов - у обоих есть Дираковский конус электронных состояний в К точке зоны Бриллюэна, а перенос заряда осуществляется безмассовыми фермионами. Однако, вследствие нестабильности монослоя атомов кремния, успешных способов производства силицена, на настоящий момент, известно достаточно мало.
Известны способы получения эпитаксиальных пленок дисилицида стронция [2] и дисилицида европия [3] на кремнии. Способ [2] реализован следующим образом. На предварительно очищенную и нагретую до Ts=500±20°C поверхность подложки кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии осаждается атомарный поток стронция с давлением PSr=(0.5÷3)×10-8 торр до формирования пленки дисилицида стронция (SrSi2) требуемой толщины. Способ [3] реализован схожим образом. На предварительно очищенную и нагретую до Ts=400±20°С поверхность подложки кремния Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии осаждается атомарный поток европия с давлением PEu=(0.5÷5)×10-8 торр до формирования пленки дисилицида европия (EuSi2). При достижении толщины пленки 10 нм и более, дальнейшее осаждение производится при Ts=560±20°C до формирования пленки дисилицида европия требуемой толщины. Недостатком известных изобретений, по сравнению с заявленным, является высокая стоимость получения конечного материала за счет применения более сложного технологического процесса с использованием редкоземельных металлов. Помимо этого, в описанных способах формируются достаточно толстые (до 10 нм) слои силицидов, а не монослойный силицен.
Известен способ получения эпитаксиальных слоев силицена, интеркалированного европием [4] и гадолинием [5]. Способ [4] основан на стабилизации требуемой фазы EuSi2 путем ее эпитаксиального роста на предварительно сформированном на Si(001) или Si(111) буферном слое SrSi2. Способ заключается в осаждении методом молекулярно-лучевой эпитаксии атомарного потока стронция с давлением PSr=(0.5÷3)⋅10-8 торр на предварительно очищенную и нагретую до Ts=500±20°C поверхность подложки кремния до формирования пленки дисилицида стронция, а затем в осаждении атомарного потока европия с давлением PEu=(0.5÷10)⋅10-8 торр на подложку при температуре Ts=430÷550°C до формирования пленки дисилицида европия толщиной не более 8 нм. Способ [5] основан на осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0.1 до менее 1) ×10-8 торр или PGd (от более 1 до 10) ×10-8 торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350°С ÷ менее 400°С или Ts = более 400÷450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм.
Недостатком известных устройств является высокая стоимость получения конечного материала за счет применения более сложного технологического процесса с использованием редкоземельных металлов. Кроме того, материал, сформированный подобным образом, имеет периодическую структуру, разделенную редкоземельными металлами, а не отдельный монослой силицена.
Известен метод [6, 7] изготовления силиценовых слоев на подложке кристаллического бета-нитрида кремния. Способ заключается в термическом росте слоя силицена на нагретой до 100-350°С подложке методом молекулярно-лучевой эпитаксии в вакууме не меньше, чем 1×10-9 мбар. В качестве подложки используется термически очищенная в вакууме пластина кристаллического кремния Si(111), на поверхности которой термическим методом (при температуре 700-800°С и экспозиции в аммиаке (NH3) от 10 до 250 Ленгмюр) выращен слой нитрида кремния. Преимущество данного способа производства заключается в использовании метода молекулярно-лучевой эпитаксии для нанесения атомов кремния, формирующих силицен. Этот метод достаточно прост в использовании и позволяет контролировать количество нанесенного материала в широких диапазонах. Благодаря этому, в известном методе продемонстрировано формирование именно монослойного силицена.
Недостатком известного способа является использование в процессе подготовки подложки токсичных (аммиак) веществ, а качество кристаллической структуры получаемого силицена остается нераскрытым.
Наиболее близким к заявляемому способу является метод, описанный в патенте [8, 9]. В качестве подложек для роста используются слои серебра (толщиной до 50-60 нм), нанесенные предварительно на слюду, кремний (или диоксид кремния) или монокристаллы Ag(111). После помещения подложки в камеру реактора, подложка нагревалась до температур 20-290°С, в камеру вводилась газовая смесь Н2 и SiH4 (в соотношении от 100:1 до 400:1), и производился индуцируемый плазмой процесс химического осаждения кремния в течение 10-25 минут при мощности генератора плазмы 10-90 Вт, давление в камере поддерживалось 100-1300 мТорр. Несомненным преимуществом данного метода является использование подложки с нанесенным каталитическим слоем Ag(111), имеющим наименьшее рассогласование параметров кристаллических решеток с силиценом. Кроме того, получаемый силицен свободен от углеродного загрязнения и имеет однородную толщину в 1 монослой на всей площади подложки.
Недостатком данного метода является то, что естественным образом такой метод синтеза производит гидрогенизированный силицен. Это требует дополнительной подготовки синтезированного материала к дальнейшему использованию в устройствах наноэлектроники. Другим недостатком является использование в процессе синтеза токсичных (силан) и взрывоопасных (водород, силан) веществ. Упорядоченность кристаллической структуры и размеры доменов полученного известным методом силицена также остаются нераскрытыми.
Заявленное изобретение свободно от этих недостатков.
Техническим результатом заявляемого изобретения является улучшение кристаллической структуры на единице площади монослойного силицена на слое серебра. Итоговое качество кристаллической структуры определяется количеством доменов силицена на единице площади и размером отдельных доменов. Для достижения указанного технического результата предложен способ получения монослойного силицена, заключающийся в нанесении методом молекулярно-лучевой эпитаксии атомарного потока кремния (скорость потока VSi = от 0.01 до 0.02 нм/мин, давление PSi=5×10-10 мбар), на нагретую до Т=200°С подложку W(110) с предварительно нанесенным методом молекулярно-лучевой эпитаксии слоем Ag(111) толщиной от 5 до 16 нм (скорость потока VAg = от 0.1 до 0.15 нм/мин, давление PAg = 5×10-10 мбар). Однослойный силицен образуется за счет миграции атомов кремния на поверхности нагретой подложки Ag(111)/W(110), а кристаллическая ориентация силицена задается структурными параметрами слоя серебра. С помощью поверхностно-чувствительных методов фотоэлектронной спектроскопией с угловым разрешением (ФЭСУР), сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и дифракции медленных электронов (ДМЭ) характеризовалось итоговое качество кристаллической структуры монослоя силицена. Измерения методами СТМ и ДМЭ, проведенные в разных точках поверхности, показали однородность полученного силицена на всей площади подложки.
Технический результат, достигаемый заявленным изобретением, состоит в следующем:
- Улучшение кристаллической структуры на единице площади, а именно -увеличение среднего размера доменов силицена до 100 нм. За счет использования в качестве задающего кристаллографическую структуру силицена слоя Ag(111) и определенных параметров для нанесения методом молекулярно-лучевой эпитаксии атомарного кремния (скорость потока VSi = от 0.01 до 0.02 нм/мин, давление PSi=5×10-10 мбар) на нагретую до Т=200°С подложку Ag(111)/W(110).
Сущность изобретения поясняется Фиг. 1 - Фиг. 4
На Фиг. 1 приведена схема заявленного изобретения: на исходную базовую подложку монокристалла W(110) (1), очищенную от посторонних загрязнений в условиях сверхвысокого вакуума, наносится методом молекулярной-лучевой эпитаксии слой Ag(111) толщиной от 5 до 16 нм (2), после чего методом молекулярной-лучевой эпитаксии наносится монослой кремния на нагретую до Т=200°С подложку Ag(111)/W(110), и в результате на поверхности формируется однослойный силицен (3).
На Фиг. 2 представлены результаты ФЭСУР-измерений монослоя силицена.
На Фиг. 3 представлено СТМ изображение (область 1×1 мкм) монослоя силицена.
На Фиг. 4 приводится картина ДМЭ монослоя силицена.
Заявленное изобретение было апробировано в ресурсном центре «Физические методы исследования поверхности» Научного парка и лаборатории «Электроника поверхности» кафедры Электроники твердого тела Физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета (СПбГУ). Конкретные примеры реализации приведены ниже:
Пример 1.
Способ получения монослоя силицена, реализуемый по схеме, приведенной на Фиг. 1, с использованием задающего кристаллографическую структуру силицена слоя Ag(111). В качестве базовой монокристаллической ориентирующей подожки для слоя серебра использовался монокристалл вольфрама с кристаллографическими индексами (110).
Атомарно-чистая поверхность монокристалла W(110) была получена за счет проведения серии чередующихся прогревов в атмосфере кислорода (давление PO2=5×10-8 мбар, температура подложки Ts=1250°C, время прогрева t=20 мин) и кратковременного высокотемпературного отжига (Ts = от 1500 до 1650°С, время прогрева t=20 сек) в сверхвысоком вакууме.
На подготовленную подложку W(110) методом молекулярно-лучевой эпитаксии наносится слой Ag(111) толщиной 5 нм (скорость потока VAg = от 0.1 до 0.15 нм/мин, давление PAg=5×l0-10 мбар).
Сформированную подложку Ag(111)/W(110) нагревают до Т=200°С и нанесения методом молекулярно-лучевой эпитаксии наносится монослой атомарного кремния (скорость потока VSi = от 0.01 до 0.02 нм/мин, давление PSi=5×10-10 мбар). Монослой силицена формируется за счет миграции атомов кремния на поверхности нагретой подложки Ag(111)/W(110), а кристаллическая ориентация силицена задается структурными параметрами слоя серебра. Контроль температуры осуществлялся с помощью однолучевого инфракрасного пирометра Keller MSR PZ20 AF02 и термопары, смонтированной непосредственно у подложки. Толщина слоев оценивалась с помощью кварцевых микровесов.
На Фиг. 2 представлены ФЭСУР-измерения дисперсий электронных состояний монослоя силицена в направлении ГК м ГМ зоны Бриллюэна. На представленных дисперсиях отмечено характерное линейное состояние для монослоя силицена вблизи уровня Ферми. Наличие данной особенности в электронной структуре свидетельствует о формировании монослоя силицена.
На Фиг. 3 представлено СТМ изображение (область 1×1 мкм), а на Фиг. 4 приводится картина ДМЭ монослоя силицена. Аналогичные картины ДМЭ и СТМ были получены при зондировании всей площади поверхности образца. Полученные результаты свидетельствуют о формировании упорядоченной кремниевой структуры большой площади на подложке Ag(111)/W(110), которая соотносится с конфигурацией монослоя силицена.
Пример 2.
На подготовленную подложку W(110) методом молекулярно-лучевой эпитаксии наносится слой Ag(111) толщиной 16 нм (скорость потока VAg = от 0.1 до 0.15 нм/мин, давление PAg=5×10-10 мбар). В остальном способ реализуется как в Примере 1.
Приведенные выше примеры доказывают достижение технического результата и позволяют использовать заявленный способ производства монослойного силицена в производстве кремний-содержащих логических компонентах приборов наноэлектроники, композитных материалов для реального сектора экономики.
Список использованной литературы
1. А.Е. Галашев, и др. - Структура и устойчивость дефектного силицена на подложках (001) Ag и (111) Ag: компьютерный эксперимент // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59. - №6. - С. 1218-1227.
2. Патент RU2620197C1
3. Патент RU2615099C1
4. Патент RU2663041C1
5. Патент RU2710570C1
6. Патент ЕР2867391
7. Патент WO2014/002123
8. Патент ЕР3662505 (прототип)
9. Патент WO2019/027645 (прототип)
Claims (1)
- Способ получения монослойного силицена, заключающийся в осаждении кремния на предварительно нанесенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии слой Ag(111), нагретый до Т=200°С, отличающийся тем, что слой Ag(111) толщиной от 5 до 16 нм наносят на монокристалл W(110), а слой кремния осаждают методом молекулярно-лучевой эпитаксии с давлением PSi=5×10-10 мбар и скоростью потока VSi = от 0.01 до 0.02 нм/мин.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2777453C1 true RU2777453C1 (ru) | 2022-08-04 |
Family
ID=
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2723125C1 (ru) * | 2020-02-10 | 2020-06-08 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНЕНА EuGe2 И SrGe2 С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА |
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2723125C1 (ru) * | 2020-02-10 | 2020-06-08 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНЕНА EuGe2 И SrGe2 С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0632145A2 (en) | Method of forming crystalline silicon carbide coatings | |
Zhou et al. | Electron transfer induced thermochromism in a VO 2–graphene–Ge heterostructure | |
Park et al. | Effect of hydrogen plasma precleaning on the removal of interfacial amorphous layer in the chemical vapor deposition of microcrystalline silicon films on silicon oxide surface | |
Wang et al. | Growth of large-scale heteroepitaxial 3C-SiC films and nanosheets on silicon substrates by microwave plasma enhanced CVD at higher powers | |
GB2615867A (en) | A method of forming a graphene layer structure and a graphene substrate | |
RU2363067C1 (ru) | Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности | |
RU2286616C2 (ru) | Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности | |
US10686041B2 (en) | Solid phase epitaxy of 3C-SiC on Si(001) | |
RU2777453C1 (ru) | Способ получения монослойного силицена | |
Chen et al. | Catalyst-free and controllable growth of SiCxNy nanorods | |
JPS63224225A (ja) | 薄膜単結晶ダイヤモンド基板 | |
EA040837B1 (ru) | Способ получения монослойного силицена | |
GB2607410A (en) | A method of forming a graphene layer structure and a graphene substrate | |
Kakiuchi et al. | Effect of hydrogen on the structure of high-rate deposited SiC on Si by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition using high-power-density condition | |
Yagi et al. | 3C SiC growth by alternate supply of SiH2Cl2 and C2H2 | |
Kukushkin et al. | FORMATION OF ORDERED ZnO STRUCTURES GROWN BY THE ALD METHOD ON HYBRID SiC/Si (100) SUBSTRATES. | |
US7678707B1 (en) | Method of carbon nanotube modification | |
RU218247U1 (ru) | Устройство для получения силицена | |
Cai et al. | Fabrication of well-aligned Er nanowires on vicinal silicon (001) surfaces | |
Okhotnikov et al. | Selective deposition of polycrystalline diamond films using photolithography with addition of nanodiamonds as nucleation centers | |
RU2816687C1 (ru) | Карбидокремниевый пленочный функциональный элемент прибора и способ его изготовления | |
Hu et al. | Surface structure of 3C–SiC (111) fabricated by C60 precursor: A scanning tunneling microscopy and high‐resolution electron energy loss spectroscopy study | |
JP2007261900A (ja) | 単結晶炭化シリコン基板の製造方法 | |
Huang et al. | Photoluminescence of Ge quantum dots prepared on porous silicon by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition | |
WO2023100578A1 (ja) | 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 |