RU2655507C1 - Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO2 - Google Patents
Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO2 Download PDFInfo
- Publication number
- RU2655507C1 RU2655507C1 RU2017117817A RU2017117817A RU2655507C1 RU 2655507 C1 RU2655507 C1 RU 2655507C1 RU 2017117817 A RU2017117817 A RU 2017117817A RU 2017117817 A RU2017117817 A RU 2017117817A RU 2655507 C1 RU2655507 C1 RU 2655507C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- germanium
- geo
- matrix
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 7
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims abstract description 27
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N germanium monoxide Inorganic materials [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- ZECIXLDHQCJVPL-UHFFFAOYSA-N europium(2+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Eu+2] ZECIXLDHQCJVPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018643 Mn—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- JZQOJFLIJNRDHK-CMDGGOBGSA-N alpha-irone Chemical compound CC1CC=C(C)C(\C=C\C(C)=O)C1(C)C JZQOJFLIJNRDHK-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010517 secondary reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
-
- H01L21/203—
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO при низких температурах. Получаемая Mn5Ge3Ox фаза может быть использована в качестве элементов спинтроники. Способ включает подготовку подложки, нанесение на нее слоя германийсодержащего вещества и слоя марганца и последующий отжиг полученного двухслойного образца. В качестве германийсодержащего вещества на подложку термически наносят слой моноокиси германия. Перед нанесением слоя марганца осуществляют охлаждение подложки с нанесенным слоем моноокиси германия до комнатной температуры. Отжиг полученного образца выполняют при температуре 300°C. Техническим результатом данного изобретения является уменьшение количества технологических циклов и требований к вакууму за счет снижения температуры образования Mn5Ge3Ox (фазы Новотного) до 300°C, при этом достигаются высокие магнитные характеристики: Ms=600 emu/cm3, Тс=420 K, что приводит к увеличению функциональных возможностей Mn5Ge3Ox-GeO2 пленочных образцов. 1 ил.
Description
Изобретение относится к области технологических процессов, связанных с получением ферромагнитных фаз в диэлектрической матрице при низких температурах. Получаемая Mn5Ge3Ox фаза может быть использована в качестве элементов спинтроники.
Известен способ получения материала, содержащего оксид металла и ферромагнитный металл, который может применяться в спинтронике. В качестве оксида металла используют монооксид европия, а в качестве ферромагнитного металла - α-железо, при следующем соотношении компонентов, вес %: монооксид европия EuO - 75-85; железо α-Fe - 25-15 [патент RU 2291134 С2, МПК С04В 35/50, С30В 29/22, опубл. 10.01.2007].
Недостатками данного изобретения являются низкая температура Кюри (Тс) равная 300 K, невысокая намагниченность (Ms) порядка 280 emu/cm3, высокие поля насыщения (Н) 10 кЭ. Самый главный недостаток - высокая стоимость европия и его химическая активность.
Известен способ получения полупроводниковой, ферромагнитной гетероструктуры, функционирующей при комнатной и выше температурах, состоящей из ферромагнитной пленки Mn-Si, осаждаемой методом магнетронного распыления монокристаллического кремния на подложку [патент CN 1885493 А, МПК H01L 21/203; С23С 14/35, опубл. 27.12.2006].
Недостатком данной технологии является неоднородность интерфейса Mn/Si, а также низкая намагниченность насыщения, температура Кюри чуть выше комнатной. Кроме того, из-за химической активности кремния требуется сверхвысокий вакуум, предварительная очистка поверхности, и нет возможности изготовления таких структур на гибких подложках.
Наиболее близким аналогом, принятым за прототип, является ферромагнитная фаза Mn5Ge3, обладающая намагниченностью выше, чем магнитные фазы в системе Mn/Si [В.Г. Мягков, В.С. Жигалов, А.А. Мацынин и др. Фазовые превращения в системе Mn-Ge и в разбавленных полупроводниках GexMn1-x. - Письма в ЖЭТФ, 2012, том 96, вып. 1, с. 42-45]. Известно, что в данной системе можно получить фазу Новотного, которая обладает еще более высокой намагниченностью насыщения и температурой Кюри по сравнению с Mn5Ge3. Эту фазу можно получить легированием образца углеродом с последующим отжигом при температуре около 500°C, получая соединение Mn5Ge3Cx.
Задачей, на решение которой направлено изобретение, является разработка способа получения Mn5Ge3Ox-GeO2 диэлектрических пленок, обладающих ферромагнитными свойствами (высокой намагниченностью насыщения) при температурах выше комнатной.
Техническим результатом данного изобретения является способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO2, в котором уменьшается количество технологических циклов и требования к вакууму, снижается температура образования Mn5Ge3Ox (фазы Новотного) до 300°C, достигаются высокие магнитные характеристики: Ms=600 emu/cm3, Тс=420 K.
Технический результат достигается тем, что способ получения на подложке диэлектрической пленки включает подготовку подложки, нанесение на нее слоя германийсодержащего вещества, нанесение слоя марганца и отжиг полученного двухслойного образца, новым является то, что в качестве германийсодержащего вещества на подложку термически наносят слой моноокиси германия, а перед нанесением слоя марганца осуществляют охлаждение подложки с нанесенным слоем моноокиси германия до комнатной температуры, при этом отжиг полученного образца выполняют при температуре 300°C.
Сопоставительный анализ с прототипом позволяет сделать вывод, что заявляемое изобретение отличается от известного тем, что в качестве диэлектрика на подложку наносят моноокись германия, после охлаждения подложки до комнатной температуры наносят слой марганца и отжигают образец при температуре 300°C.
Признаки, отличающие заявляемое решение от прототипа, обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию «новизна».
Признаки, отличающие заявляемое решение от прототипа, не выявлены при изучении других известных технических решений в данной области техники и, следовательно, обеспечивают ему соответствие критерию «изобретательский уровень».
Изобретение поясняется чертежом, на котором представлена петля гистерезиса образца GeO/Mn после вакуумного отжига при 300°C.
Пример осуществления
В пленочном состоянии магнитный нанокомпозит Mn5Ge3Ox-GeO2 получают в следующей технологической последовательности:
1. Подготовка подложки: стеклянную подложку или другой полимерный материал очищаем с помощью водных растворов и перекиси водорода, высушиваем в парах изопропилового спирта.
2. При высоком вакууме нагреваем подложки до температуры 250°C для обезгаживания и лучшей адгезии пленки с подложкой.
3. Осаждаем моноокись германия на подложку с помощью термического метода напыления. Расстояние между испарителем и подложкой составило 30 см, вакуум 10-6 Torr, толщина напыляемого слоя 150 нм, она контролировалась с помощью кварцемера.
4. После остывания первого слоя моноокиси германия до комнатной температуры, чтобы избежать вторичных реакций, осаждаем слой марганца при комнатной температуре толщиной 15 нм, при тех же условиях, что и моноокись германия.
5. Далее полученные двухслойные образцы GeO/Mn подвергались вакуумному отжигу при температуре 300°C и длительностью 60 минут. Этого времени достаточно, чтобы полностью прошли последовательные твердофазные реакции (1) и (2):
Намагниченность насыщения Ms измерялась на вибрационном магнитометре и на крутильном магнетометре, температура Кюри Тс измерялась на SQUID-магнетометре MPMS-XL фирмы Quantum Design в магнитном поле до 5 кЭ. Идентификация образующихся фаз была проведена на дифрактометре ДРОН-4-07.
Полученные образцы являются диэлектриками и обладают следующими магнитными характеристиками: Ms=600 emu/cm3, Тс=420 K.
Благодаря невысокой температуре образования нанокомпозитных пленок Mn5Ge3Ox-GeO2 данная технология может быть использована для нанесения их на различные подложки (включая гибкие), которые выдерживают температуру 300°C.
Получаемые нанокомпозитные Mn5Ge3Ox-GeO2 пленки, содержащие ферромагнитные Mn5Ge3Ox нанокластеры, вложенные в непроводящую GeO2 матрицу, могут быть использованы в современных элементах спинтроники и микроэлектроники. Это связанно с тем, что представленные материалы обладают одновременно полупроводниковыми (диэлектрическими) и магнитными свойствами. Данные материалы используются для разработки прототипов компьютерной памяти, процессоров и других элементов, построенных на совершенно новых принципах, отличных от принципов построения современной электроники, где единицей информации является не электрический заряд, а электрон (электроны) со строго определенным спином.
Claims (1)
- Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO2, включающий подготовку подложки, нанесение на нее слоя германийсодержащего вещества и слоя марганца и последующий отжиг полученного двухслойного образца, отличающийся тем, что в качестве германийсодержащего вещества на подложку термически наносят слой моноокиси германия, а перед нанесением слоя марганца осуществляют охлаждение подложки с нанесенным слоем моноокиси германия до комнатной температуры, при этом отжиг полученного образца выполняют при температуре 300°C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017117817A RU2655507C1 (ru) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO2 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017117817A RU2655507C1 (ru) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO2 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2655507C1 true RU2655507C1 (ru) | 2018-05-28 |
Family
ID=62560516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017117817A RU2655507C1 (ru) | 2017-05-22 | 2017-05-22 | Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO2 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2655507C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2723125C1 (ru) * | 2020-02-10 | 2020-06-08 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНЕНА EuGe2 И SrGe2 С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU308459A1 (ru) * | Тонкопленочный элемент памяти | |||
| RU2119693C1 (ru) * | 1996-04-03 | 1998-09-27 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Способ обработки пластин монокристаллического кремния |
| EP1021246B1 (en) * | 1997-10-10 | 2004-06-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Catalyst for membrane electrode assembly and method of making |
| CN1885493A (zh) * | 2005-06-24 | 2006-12-27 | 中国科学院半导体研究所 | 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 |
| RU2291134C2 (ru) * | 2004-08-25 | 2007-01-10 | Государственное учреждение "Институт химии твердого тела "Уральского Отделения Российской Академии наук" | Спинтронный композиционный материал |
| RU2395620C1 (ru) * | 2008-12-29 | 2010-07-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт комплексных испытаний оптико-электронных приборов и систем (ФГУП НИИКИ ОЭП) | Способ получения покрытия и устройство для его осуществления |
| RU2467851C2 (ru) * | 2006-02-23 | 2012-11-27 | Пикодеон Лтд Ой | Солнечный элемент и способ и система для его изготовления |
-
2017
- 2017-05-22 RU RU2017117817A patent/RU2655507C1/ru active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU308459A1 (ru) * | Тонкопленочный элемент памяти | |||
| RU2119693C1 (ru) * | 1996-04-03 | 1998-09-27 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Способ обработки пластин монокристаллического кремния |
| EP1021246B1 (en) * | 1997-10-10 | 2004-06-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Catalyst for membrane electrode assembly and method of making |
| RU2000116757A (ru) * | 2000-06-23 | 2002-04-27 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин |
| RU2291134C2 (ru) * | 2004-08-25 | 2007-01-10 | Государственное учреждение "Институт химии твердого тела "Уральского Отделения Российской Академии наук" | Спинтронный композиционный материал |
| CN1885493A (zh) * | 2005-06-24 | 2006-12-27 | 中国科学院半导体研究所 | 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 |
| RU2467851C2 (ru) * | 2006-02-23 | 2012-11-27 | Пикодеон Лтд Ой | Солнечный элемент и способ и система для его изготовления |
| RU2395620C1 (ru) * | 2008-12-29 | 2010-07-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт комплексных испытаний оптико-электронных приборов и систем (ФГУП НИИКИ ОЭП) | Способ получения покрытия и устройство для его осуществления |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2723125C1 (ru) * | 2020-02-10 | 2020-06-08 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНЕНА EuGe2 И SrGe2 С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kumar et al. | Magnetic control of large room-temperature polarization | |
| Park et al. | Structural and magnetic characteristics of yttrium iron garnet (YIG, Ce: YIG) films prepared by RF magnetron sputter techniques | |
| Fujii et al. | Ilmenite–hematite solid solution films for novel electronic devices | |
| Han et al. | High-quality thin SiO2 films grown by atomic layer deposition using tris (dimethylamino) silane (TDMAS) and ozone | |
| RU2655507C1 (ru) | Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO2 | |
| Li et al. | Structural, electrical and magnetic properties of Gd-doped and (Al, Gd) codoped ZnO films | |
| CN105399339A (zh) | 一种含掺杂元素的铁酸铋基薄膜及其制备方法 | |
| CN113241253B (zh) | 一种铁磁/氧化物多层膜的制备方法及铁磁/氧化物多层膜 | |
| EP1340716A1 (en) | Ferrite thin film for high frequency and method for preparation thereof | |
| CN101211764A (zh) | 一种铬掺杂二氧化钛室温铁磁薄膜的制备方法 | |
| Liu et al. | The effect of the vacuum extraction and the Fe/Ba ratio on the phase formation of barium ferrite thin film synthesized by sol–gel method | |
| Kim et al. | Stable ferroelectric poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) film for flexible nonvolatile memory application | |
| Lei et al. | The tunable dielectric properties of sputtered yttrium oxide films | |
| Wei et al. | Room‐Temperature Magnetism in 2D MnGa4‐H Induced by Hydrogen Insertion | |
| WO2015065507A1 (en) | Magnetic material | |
| Duan et al. | Magnetoelectric composite films of La0. 67Sr0. 33MnO3 and Fe-substituted Bi4Ti3O12 fabricated by chemical solution deposition | |
| Seol et al. | Development of an annealing process for rapid fabrication of solution-based Y3Fe5O12 thin films | |
| CN101230446A (zh) | 一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法 | |
| Myagkov et al. | Phase transformations in the Mn-Ge system and in Ge x Mn 1− x diluted semiconductors | |
| CN111129286B (zh) | 一种柔性磁电异质结及其制备方法 | |
| Zhigalov et al. | Magnetic and structural properties of granular films Al2O3-FePd3 synthesized by aluminothermy | |
| Cheng et al. | Electrical properties of La 0.6 Ca 0.4 MnO 3–Bi 3.4 Nd 0.6 Ti 3 O 12 thin films derived by a sol–gel process | |
| Cho et al. | Enhanced thermal stability of high-dielectric Gd 2 O 3 films using ZrO 2 incorporation | |
| CN111549317B (zh) | 钴基Heusler合金结构及提升其有序化的制备方法 | |
| Han et al. | Ultrathin SiO2 films grown by atomic layer deposition using tris (dimethylamino) silane (TDMAS) and ozone |