RU2716858C1 - Способ изготовления кремниевого рентгеношаблона - Google Patents
Способ изготовления кремниевого рентгеношаблона Download PDFInfo
- Publication number
- RU2716858C1 RU2716858C1 RU2019112195A RU2019112195A RU2716858C1 RU 2716858 C1 RU2716858 C1 RU 2716858C1 RU 2019112195 A RU2019112195 A RU 2019112195A RU 2019112195 A RU2019112195 A RU 2019112195A RU 2716858 C1 RU2716858 C1 RU 2716858C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- template
- ray
- etching
- membrane
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
- G01T1/06—Glass dosimeters using colour change; including plastic dosimeters
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B42/00—Obtaining records using waves other than optical waves; Visualisation of such records by using optical means
- G03B42/02—Obtaining records using waves other than optical waves; Visualisation of such records by using optical means using X-rays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Использование: для изготовления кремниевого рентгеношаблона. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает в себя процессы предварительного отбора плоскопараллельных кремниевых пластин, напыления проводящих адгезивных подслоев из легких (т.е. с малым атомным весом) металлов на рабочую поверхность кремниевой пластины (подложки), формирования на рабочей поверхности резистивной маски, электроосаждения рентгенопоглощающего маскирующего слоя из тяжелых металлов через резистивную маску, ее последующее удаление и формирование опорного кольца и несущей мембраны шаблона путем частичного удаления травлением центральной части кремниевой пластины с ее тыльной стороны, формирование опорного кольца и несущей мембраны шаблона производится посредством плазмохимического травления через трафарет или предварительно сформированную непосредственно на тыльной стороне пластины защитную маску, трафарет и защитная маска должны быть выполнены из материалов, характеризующихся сравнительно малой скоростью травления по сравнению с кремнием, например, из алюминия или его сплавов. Технический результат: обеспечение возможности упрощения изготовления рентгеношаблона. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Предполагаемое изобретение относится к способу изготовления кремниевого рентгеношаблона (рентгенолитографического шаблона, маски для рентгеновской литографии, рентгенолитографической маски, рентгеновского шаблона), применяемого для формирования резистивной маски или скрытого изображения в рентгеночувствительных материалах способом трафаретной рентгеновской литографии.
В качестве аналога выбран способ изготовления рентгеношаблона с полимерной мембраной [описанный в работах: [1] Flanders D.C., Smith H.I. Polyimide membrane X-ray lithography masks fabrication and distortion measurements // J. Vac. Sci. Technol., 1978, V. 15, №3, P. 995; [2] Feder R., Romankiw L.T., Spiller E., Topalian J.C. Polyimide substrates for X-ray lithography // IBM Technical Disc. Bull., 1978, v. 20, №11B; [3] Grispell P.I., Garbarino P.L., Zielinski L.B. Polyimide process for fabrication X-ray marks // IBM Technical Disc. Bull., 1978, v. 20, №10]. Механическая прочность многих полимерных пленок такова, что позволяет, в частности из майлара, изготавливать несущую мембрану рентгеношаблона толщиной около 1 мкм. Рентгеношаблоны с такими мембранами, обладая достаточно высокой механической прочность, имеют низкое поглощение рентгеновского излучения и оптически прозрачны. Был предложен способ формирования тонких, с идеальной рабочей поверхностью бездефектных полимерных пленок, выполняющих функцию несущей мембраны рентгеношаблона. Согласно описаниям в вышеприведенных работах [1-3], пленки формируют непосредственно в процессе изготовления рентгеношаблона, для чего на подложку из стекла, сапфира, кварца или другого материала, способного выдержать температуру 400°C и имеющего гладкую, отполированную поверхность, наносят тонкий слой полимера и производят полимеризацию. Затем поверх этого слоя наносят (напыляют) рентгенопоглощающий слой «тяжелого» металла, в котором литографическим способом с последующим травлением создают топологический рентгенопоглощающий рисунок. Спецификой данного процесса является тот факт, что полимерная мембрана находится в контакте с подложкой в течение всего времени формирования рентгенопоглощающего рисунка и лишь после его создания подложка стравливается, а мембрана остается прикрепленной к опорному кольцу. Опорное кольцо из стали, алюминия или другого материала прикрепляется к мембране перед стравливанием подложки [1], или перед отделением мембраны от подложки [2], или опорное кольцо изготавливается из самого материала подложки [3].
Таким образом, последовательность основных операций, характеризующих способ изготовления, может быть, согласно работе [1], записана следующим образом:
1. наносят на поверхность подложки тонкий слой полимера и формируют полиимидную пленку, толщиной ~ 1 мкм;
2. формируют известным литографическим способом на поверхности полиимидной пленки рентгенопоглощающий рисунок из золота, толщиной 0,03÷0,5 мкм;
3. изготавливают опорное кольцо и приклеивают его к полиимидной пленке;
4. удаляют (стравливают) подложку;
На Фиг. 1 схематично изображена конструкция рентгеношаблона, изготавливаемого способом-аналогом, где к опорному кольцу 1, прикреплена играющая роль несущей мембраны полимерная (полиимидная) пленка 2, на поверхности которой сформированы элементы 3 маскирующего слоя (рентгенопоглощающего рисунка).
К недостаткам шаблонов данной конструкции можно отнести следующие моменты:
- крепления опорного кольца к мембране вносит в нее дополнительные напряжения, что может привести к некоторым геометрическим деформациям топологического рисунка, поэтому операция крепления кольца должна проводиться очень аккуратно и тщательно;
- полимерные пленки взаимодействуют с атмосферной влагой и меняют свои физические свойства в зависимости от степени влажности окружающей среды, поэтому их эксплуатация и хранение должны проводиться в стабильных по данному параметру условиях;
- в полимерных пленках под действием рентгеновского излучения происходят многочисленные акты «разрывов» и «сшивки» высокоатомных молекулярных цепей, в результате чего свойства полимерной несущей мембраны изменяются в процессе эксплуатации рентгеношаблона, т.е. имеет место процесс деградации мембраны и связанные с ним геометрические искажения рентгенопоглощающего топологического рисунка шаблона.
В качестве прототипа выбран способ изготовления кремниевых рентгенолитографических шаблонов [описанный в работах: [4] Артамонова Л.Д., Глускин Е.С., Красноперова А.А., Кулипанов Г.Н., Назьмов В.П., Пиндюрин В.Ф., Скринский А.Н., Черков Г.А., Чесноков В.В., Шелюхин Ю.Г. Эксперименты по рентгеновской литографии с использованием синхротронного излучения накопителя ВЭПП-2М // В сб. докладов: Всесоюзное совещание по использованию синхротронного излучения СИ-82. Новосибирск, 1982, С. 260-277 и [5] Артамонова Л.Д., Гаврюшкина Н.И., Гаштольд В.Н., Глуздакова Г.В., Дейс Г.А., Домахина A.M., Коломеец А.Н., Коломеец Т.М., Прокопенко B.C., Черков Г.А. Рентгеновские шаблоны для рентгенолитографии и LIGA-технологии. Отчет Сибирского международного центра синхротронного излучения за 1991-1992 гг. Ин-т ядерной физики им. Будкера СО РАН // Новосибирск, 1993, С. 229-231], рентгенопоглощающий топологический рисунок которых сформирован на несущей мембране, представляющей собой тонкую (толщиной ~ 2 мкм) пленку легированного бором кремния.
На фиг. 2 приведено схематическое изображение кремниевого рентгенолитографического шаблона. Суть технологии его изготовления, в общих чертах, сводится к следующим основным операциям. Кремниевую подложку с обеих сторон легируют методом термической диффузии бором (до объемной концентрации примеси бора ~1019÷1020 см-3) на глубину ~ 2 мкм, в результате чего на рабочей поверхности образуется легированный слой, который в последующем будет выполнять роль несущей мембраны 4 рентгенолитографического шаблона. Затем на рабочую поверхность напыляют металлические адгезивные подслои титана и никеля толщиной несколько сотен ангстрем (на схеме не отражены), а поверх них формируют резистивную маску, в окнах которой методом электролиза выращивают маскирующий слой (рентгенопоглощающий рисунок) 3 из золота. На последних этапах удаляют резистивную маску и центральную часть подложки, путем жидкостного селективного травления подложки с ее тыльной стороны, формируя кремниевую несущую мембрану 4 шаблона и соответственно его опорное кольцо 5 (или иными словами формируя в шаблоне рентгенопрозрачное окно).
Вышеизложенный способ изготовления рентгеношаблона содержит следующие основные операции:
1. предварительно формируют границы кремниевой несущей мембраны, путем создания стоп-слоя для селективного травления, что достигается путем термического легирования кремниевой пластины с обеих сторон бором на глубину ~ 2 мкм;
2. наносят на рабочую поверхность кремниевой пластины адгезивные электропроводящие подслои из сравнительно легких (с малым атомным весом) металлов: титана (Ti) и никеля (Ni);
3. формируют любым известным литографическим способом на рабочей поверхности кремниевой пластины резистивную маску;
4. проводят гальваническое осаждение золотого маскирующего слоя (рентгенопоглощающего рисунка) через окна в резистивной маске;
5. удаляют остатки резистивной маски;
6. наносят защитные слои (полностью на рабочую поверхность пластины и в виде кольца на ее тыльную поверхность) для последующего селективного жидкостного травления кремния;
7. формируют несущую мембрану и опорное кольцо шаблона, путем удаления центральной части кремниевой пластины селективным жидкостным травлением с тыльной стороны до стоп-слоя (легированного бором слоя кремния);
8. удаляют защитные слои с кремниевой пластины.
Основными достоинствами кремниевых шаблонов являются высокая химическая и радиационная стойкость несущей мембраны, ее высокая рентгенопрозрачность, а также универсальность технологии их изготовления, поскольку она в основном содержит хорошо известные процессы, используемые в полупроводниковом производстве. Их недостатками являлись высокая себестоимость, хрупкость несущей мембраны и также сложность многооперационной технология изготовления. В частности, несущую мембрану формируют на одном из последних этапов изготовления рентгеношаблона путем удаления центральной части пластины посредством жидкостного селективного травления с тыльной стороны до стоп-слоя, что требует создания нескольких защитных слоев (для топологического рисунка, расположенного на рабочей поверхности шаблона, а также в виде кольца на тыльной стороне пластины) и последующего их удаления после формирования несущей мембраны. Это существенно усложняет технологию изготовления шаблона, увеличивает его себестоимость и нередко приводит к необратимым изменениям (порывам) несущей мембраны, вследствие ее сравнительно малой прочности.
Предлагаемый способ существенно упрощает технологию изготовления рентгеношаблона, снижает его себестоимость, позволяет изготавливать рентгеношаблон с произвольной наперед заданной (заранее определенной) толщиной несущей мембраны (≥1,8 мкм в зависимости от предназначения рентгеношаблона и условий его эксплуатации), что приводит к существенному увеличению прочности несущей мембраны.
Данный способ содержит следующие основные операции:
1. производят предварительный отбор плоскопараллельных кремниевых пластин,
2. последовательно наносят на рабочую поверхность кремниевой пластины посредством магнетронного напыления тонкий (толщиной ~ 30-40 нм) адгезионный подслой из титана (Ti) или хрома (Cr), а затем подслой никеля (Ni) (толщиной ~ 20 нм);
3. формируют известным литографическим способом на рабочей поверхности кремниевой пластины резистивную маску;
4. проводят гальваническое осаждение через резистивную маску рентгенопоглощающего маскирующего слоя (из золота, платины или другого тяжелого металла);
5. удаляют остатки резистивной маски,
6. формируют несущую мембрану и опорное кольцо шаблона, путем удаления центральной части кремниевой пластины посредством ее плазмохимического травления с тыльной стороны на определенную заранее заданную глубину.
На Фиг. 3 приведено схематическое изображение рентгеношаблона, изготавливаемого заявляемым способом (пропорции для наглядности не соблюдены), где топологический рентгенопоглощающий рисунок из золота 3, расположен на поверхности многослойной несущей мембраны, крепящейся своими краями к опорному кольцу 5. Несущая мембрана содержит напыленные подслои титана 6 и никеля 7. На последнем этапе изготовления шаблона путем плазменного травления кремниевой пластины с тыльной стороны частично удалена ее центральная часть и оставлен тонкий слой кремния 8.
Далее описан пример изготовления рентгеношаблона с достаточно толстым маскирующим слоем (рентгенопоглощающим топологическим рисунком), толщиной ~30 мкм, выполненным из золота. Данный шаблон предназначен для проведения экспонирования синхротронным излучением жесткого спектрального диапазона . В качестве исходной заготовки использовалась кремниевая пластина (ориентации (100), ∅76 мм).
Рентгеношаблон изготавливается путем проведения следующей последовательности операций:
1. Последовательное магнетронное напыление на рабочую поверхность кремниевой плоскопараллельной пластины адгезивных проводящих подслоев титана (Ti, ~ 40 нм) и никеля (Ni, ~ 20 нм).
2. Формирование из негативного резиста SU-8 посредством рентгенолитографии с применением переходного рентгеношаблона резистивной маски толщиной ~50 мкм.
3. Гальваническое осаждение маскирующего слоя золота (средней толщиной ~30 мкм) на рабочую поверхность пластины через резистивную маску.
4. Удаление центральной части (~∅50 мм) кремниевой пластины путем плазмохимического ее травления с тыльной стороны через дюралюминиевый трафарет с остановкой травления, не доходя ~30 мкм до поверхности пластины (см. Фиг. 3). Эта операция может быть произведена на установке плазмохимического травления Plasmalab 80 Plus с источником индуктивно-связанной плазмы (ICP) при давлении р=30 mTorr, со скоростями подачи газов: SF6 - 50 см3/мин, Ar - 5 см3/мин, подводимые мощности составляли: RF=70 Вт; ICP=500 Вт. Травление рекомендуется проводить а режиме многократного (~160 раз) повторения двух стадий: травление ~ 48 секунд и охлаждение ~ 2 мин.
Процесс травления иллюстрируется схемой, приведенной на Фиг. 4, где кремниевая пластина 9 (с подслоями 6, 7 и сформированным рентгенопоглощающим слоем 3) располагается на охлаждаемом столике 10. Травление производится через дюралюминиевый трафарет 11, задающий геометрию удаляемой области кремниевой пластины 9 потоком ионов плазмы 12. Материалом для трафарета может служить дюралюминий, нержавеющая сталь и иные материалы, скорость плазмохимического травления которых в вышеописанной плазме по сравнению со скоростью травления кремния незначительна (меньше в 10 и более раз). Поскольку во время травления к образцу подводится значительная мощность (~ 500 Вт), то он греется и соответственно поднимается температура столика, которая затем снижается на стадии охлаждения до ~ Т=5°C. Отведение тепла от кремниевой пластины 9 (т.е. ее охлаждение) происходило двумя путями: через теплоотвод к охлаждаемому столику 10 (с которым пластина имеет механический контакт) и посредством теплопереноса в среде газа аргона (на стадии охлаждения поток активных газов перекрывается и существенно (в 10 раз) увеличивается поток аргона до 50 см3/мин). Температура столика контролируется датчиком и исходная температура старта цикла ~ Т=5°C.
Установка, на которой производилась отработка режимов формирования несущей мембраны шаблона, не оснащена интерферометрическим датчиком, позволяющим отслеживать процесс травления в режиме «in-situ», но такая опция для данного типа установок существует и в этом случае процесс может контролироваться по показаниям такого датчика. Экспериментально измеренная скорость травления кремния ~2 мкм/цикл (т.е. толщина слоя, удаляемого за один цикл). Поскольку исходная толщина пластины и скорость ее травления известны, а процесс может быть оставлен в любой момент (ориентируясь на расчеты), то это позволяет получать заданную толщину несущей мембраны без стоп-слоя с точностью ± 0,1 мкм, при условии предварительного отбора плоскопараллельных пластин.
Преимущество данной технологии по сравнению с прототипом в том, что в ней исключены операции легирования кремния бором, жидкостного травления кремния, формирования и удаления защитных слоев и пр., а также в том, что заявляемый способ позволяет получать несущие мембраны произвольной заранее определенной толщины (в зависимости от целевых приложений рентгеношаблона), что существенно увеличивает их прочность, а следовательно снижает необратимые потери при изготовлении шаблонов, обусловленные порывами несущих мембран.
В итоге был получен образец шаблона с толщиной несущей мембраны ~ 30 мкм. Следует отметить, что при формировании таким способом несущей мембраны шаблона, а соответственно и его опорного кольца величина подтрава не имела для нас принципиального значения, но она не превышала толщины кремниевой пластины, т.е. была не более 0,35 мм. Однако, в случае если стоит задача формирования окон с точными габаритными размерами, то необходимо перейти с плазмохимического травления на ионно-лучевое и формировать защитную алюминиевую маску (выполняющую роль трафарета при травлении) любым литографическим способом непосредственно на тыльной стороне кремниевой пластины. Защитная маска из алюминия толщина маски ~ 1 мкм обеспечит травление кремниевой пластины на глубину ~500 мкм.
На Фиг. 1 схематично изображена конструкция рентгеношаблона, изготавливаемого способом-аналогом, где к опорному кольцу 1 прикреплена играющая роль несущей мембраны полимерная (полиимидная) пленка 2, на поверхности которой сформированы элементы 3 маскирующего слоя (рентгенопоглощающего рисунка).
На Фиг. 2 приведено схематическое изображение кремниевого рентгеношаблона, изготовленного способом-прототипом, где маскирующий рентгенопоглощающий слой 3, расположен на поверхности несущей мембраны, представляющей собой пленку легированного бором кремния 4, крепящуюся своими краями к опорному кольцу 5.
На Фиг. 3 приведено схематическое изображение рентгеношаблона, изготовленного заявляемым способом, где маскирующий рентгенопоглощающий слой 3 из золота, расположен на поверхности несущей мембраны, крепящейся своими краями к опорному кольцу 5. Несущая мембрана содержит напыленные подслои титана 6 и никеля 7 и тонкий слой кремния 8, который сформирован на последнем этапе изготовления шаблона путем плазменного травления кремниевой пластины с тыльной стороны.
На Фиг. 4 приведена схема, иллюстрирующая процесс формирования несущей мембраны шаблона и его опорного кольца посредством плазмохимического травления, где кремниевая пластина 9 с напыленными подслоями 6, 7 и сформированным маскирующим рентгенопоглощающим слоем 3 располагается на охлаждаемом столике 10 в посадочном месте дюралюминиевого трафарета 11 и подвергается воздействию потока ионов 12 с ее тыльной стороны.
Claims (2)
1. Способ изготовления кремниевого рентгенолитографического шаблона, включающий в себя процессы напыления проводящих адгезивных подслоев легких (т.е. с малым атомным весом) металлов на рабочую поверхность кремниевой пластины (подложки), формирования на рабочей поверхности резистивной маски, электроосаждения рентгенопоглощающего слоя тяжелых металлов через резистивную маску, удаления резистивной маски и формирования несущей мембраны шаблона и его опорного кольца травлением пластины с тыльной стороны, отличающийся тем, что несущую кремниевую мембрану и опорное кольцо шаблона формируют на одном из последних этапов изготовления шаблона путем плазмохимического травления плоскопараллельной кремниевой подложки с тыльной стороны через трафарет, выполненный из материала, скорость травления которого по сравнению с кремнием незначительна (меньше в 10 и более раз).
2. Способ изготовления рентгенолитографического шаблона по п. 1, отличающийся тем, что для формирования несущей мембраны шаблона и его опорного кольца плазмохимическим травлением создают непосредственно на тыльной стороне кремниевой пластины (подложки) любым известным литографическим способом защитную маску из алюминия, выполняющую роль трафарета.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019112195A RU2716858C1 (ru) | 2019-04-22 | 2019-04-22 | Способ изготовления кремниевого рентгеношаблона |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019112195A RU2716858C1 (ru) | 2019-04-22 | 2019-04-22 | Способ изготовления кремниевого рентгеношаблона |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2716858C1 true RU2716858C1 (ru) | 2020-03-17 |
Family
ID=69898318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019112195A RU2716858C1 (ru) | 2019-04-22 | 2019-04-22 | Способ изготовления кремниевого рентгеношаблона |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2716858C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2759387C1 (ru) * | 2020-11-11 | 2021-11-12 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения Российской академии наук (ИЯФ СО РАН) | Способ изготовления самонесущего рентгеношаблона |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6379871B1 (en) * | 1998-06-10 | 2002-04-30 | Nec Corporation | Method for fabricating a mask for a LIGA process |
JP2005175406A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Unitika Ltd | X線リソグラフィマスク |
US7608367B1 (en) * | 2005-04-22 | 2009-10-27 | Sandia Corporation | Vitreous carbon mask substrate for X-ray lithography |
RU2469369C2 (ru) * | 2010-07-28 | 2012-12-10 | Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) | Рентгенолитографический шаблон и способ его изготовления |
US20130148788A1 (en) * | 2010-06-17 | 2013-06-13 | Juergen Mohr | Gratings for x-ray imaging, consisting of at least two materials |
RU2488910C1 (ru) * | 2012-02-03 | 2013-07-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) | Рентгеношаблон и способ его изготовления |
-
2019
- 2019-04-22 RU RU2019112195A patent/RU2716858C1/ru active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6379871B1 (en) * | 1998-06-10 | 2002-04-30 | Nec Corporation | Method for fabricating a mask for a LIGA process |
JP2005175406A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Unitika Ltd | X線リソグラフィマスク |
US7608367B1 (en) * | 2005-04-22 | 2009-10-27 | Sandia Corporation | Vitreous carbon mask substrate for X-ray lithography |
US20130148788A1 (en) * | 2010-06-17 | 2013-06-13 | Juergen Mohr | Gratings for x-ray imaging, consisting of at least two materials |
RU2469369C2 (ru) * | 2010-07-28 | 2012-12-10 | Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) | Рентгенолитографический шаблон и способ его изготовления |
RU2488910C1 (ru) * | 2012-02-03 | 2013-07-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) | Рентгеношаблон и способ его изготовления |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2759387C1 (ru) * | 2020-11-11 | 2021-11-12 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения Российской академии наук (ИЯФ СО РАН) | Способ изготовления самонесущего рентгеношаблона |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6482608B2 (ja) | マスクブランクおよび転写用マスク | |
RU2704673C1 (ru) | Способ изготовления рентгенолитографического шаблона | |
JPH08190190A (ja) | 低ストレスの多層フィルムを備えたマスクおよび多層フィルムのストレスを制御するためのプロセス | |
RU2716858C1 (ru) | Способ изготовления кремниевого рентгеношаблона | |
JP6371221B2 (ja) | マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法 | |
JP4930964B2 (ja) | 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法 | |
JPS5842003A (ja) | 偏光板 | |
TWI604281B (zh) | Liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
RU2488910C1 (ru) | Рентгеношаблон и способ его изготовления | |
RU2469369C2 (ru) | Рентгенолитографический шаблон и способ его изготовления | |
JP2001109129A (ja) | CrAlONを位相シフト物質として使用した位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
JP3806711B2 (ja) | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
US5698113A (en) | Recovery of Mo/Si multilayer coated optical substrates | |
WO1997031132A9 (en) | RECOVERY OF Mo/Si MULTILAYER COATED OPTICAL SUBSTRATES | |
KR101563874B1 (ko) | 블랭크 스탬프 및 나노 임프린트 리소그래피용 스탬프 | |
JP2014209200A (ja) | マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法 | |
RU2350996C1 (ru) | Способ изготовления литографической маски для liga-технологии | |
JP3833274B2 (ja) | X線マスクの製造方法 | |
RU2546989C2 (ru) | Рентгеношаблон и способ его изготовления | |
US5733688A (en) | Lithographic mask structure and method of producing the same comprising W and molybdenum alloy absorber | |
JP2021135370A (ja) | マスクブランク、モールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 | |
Visser et al. | A new silicon nitride mask technology for synchrotron radiation X-ray lithography: First results | |
JP6323071B2 (ja) | 表面状態検査方法、インプリントモールドの製造方法及びインプリント方法 | |
RU2339067C1 (ru) | Рентгенолитографический шаблон и способ его изготовления | |
JP3627486B2 (ja) | 微小構造体の製造方法 |