RU2715178C1 - Триггерный логический элемент И на полевых транзисторах - Google Patents

Триггерный логический элемент И на полевых транзисторах Download PDF

Info

Publication number
RU2715178C1
RU2715178C1 RU2019135492A RU2019135492A RU2715178C1 RU 2715178 C1 RU2715178 C1 RU 2715178C1 RU 2019135492 A RU2019135492 A RU 2019135492A RU 2019135492 A RU2019135492 A RU 2019135492A RU 2715178 C1 RU2715178 C1 RU 2715178C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
field
additional
effect transistor
resistor
output
Prior art date
Application number
RU2019135492A
Other languages
English (en)
Inventor
Геннадий Иванович Передельский
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ)
Priority to RU2019135492A priority Critical patent/RU2715178C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2715178C1 publication Critical patent/RU2715178C1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/20Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits characterised by logic function, e.g. AND, OR, NOR, NOT circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относится к цифровой схемотехнике, автоматике и промышленной электронике и может быть использовано в блоках вычислительной техники, построенных на логических элементах. Техническим результатом является повышение нагрузочной способности триггерного логического элемента И на полевых транзисторах. Устройство содержит четыре полевых транзистора, пять резисторов и источник питающего постоянного напряжения. 2 ил.

Description

Изобретение относится к цифровой схемотехнике, автоматике и промышленной электронике. Оно, в частности, может быть применено в блоках вычислительной техники, построенных на логических элементах.
Известна схема, реализирующая логическую операцию И [1 Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника. - М.: Горячая линия - Телеком, 2003, стр. 515, рис. 14.8, а], содержащая три логических элемента и источник питающего постоянного напряжения. При реализации двухвходового варианта логических элементов на полевых транзисторах она состоит из девяти полевых транзисторов и источника питающего постоянного напряжения [2 Гольденберг Л.М. Импульсные и цифровые устройства. - М.: Связь, 1973, стр. 185, рис. 2.61, а].
Недостаток её заключается в том, что у неё малая нагрузочная способность, т.к. сила электрического тока внешней нагрузки определяется силой электрического тока одного полевого транзистора. Если бы удалось получить, что сила тока нагрузки равнялась сумме токов двух и более транзисторов, то это повысило бы нагрузочную способность приведённой схемы.
Наиболее близкой по технической сущности и достигаемому результату является выбранная в качестве прототипа схема, реализующая логическую операцию И [1, стр. 516, рис. 14.9, б], содержащая два логических элемента И-НЕ и источник питающего постоянного напряжения. При реализации двухвходового варианта логических элементов на полевых транзисторах она включает в себя шесть полевых транзисторов и источник питающего постоянного напряжения. [2, стр. 185, рис. 2.61, б].
Недостаток её заключается в том, что у неё малая нагрузочная способность, т.к. сила электрического тока внешней нагрузки определяется силой тока одного полевого транзистора. Если бы удалось получить, что сила тока нагрузки равнялась сумме силы токов двух транзисторов, то это повысило бы нагрузочную способность обсуждаемой схемы.
Задача, на решение которой направлено изобретение, состоит в повышении нагрузочной способности триггерного логического элемента И на полевых транзисторах.
Это достигается тем, что в триггерный логический элемент И на полевых транзисторах, содержащий источник питающего постоянного напряжения, общая шина (минусовой вывод) которого заземлена, последовательно соединённые первый и второй полевые транзисторы с индуцированными каналами n-типа, выводы затворов которых образуют относительно «земли» первый и второй входы логического элемента, подложки обоих полевых транзисторов и истока второго транзистора заземлены, также имеется третий полевой транзистор тоже с индуцированным каналом n-типа, подложка которого соединена с его истоком, введены пять дополнительных резисторов и дополнительный полевой транзистор с индуцированным каналом p-типа, последовательно между собой включены первый дополнительный резистор, третий полевой транзистор и второй дополнительный резистор, свободный вывод первого дополнительного резистора подключен к выходу (плюсовой вывод) источника питающего постоянного напряжения, общий вывод этого резистора и стока третьего полевого транзистора подсоединен к стоку первого полевого транзистора, последовательно между собой включены третий дополнительный резистор, дополнительный полевой транзистор и четвертый дополнительный резистор, свободный вывод третьего дополнительного резистора подключен к общему выводу первого дополнительного резистора и выхода источника питающего постоянного напряжения, затвор дополнительного полевого транзистора подсоединен к общему выводу первого дополнительного резистора, стоков первого и третьего полевых транзисторов, подложка дополнительного полевого транзистора соединена с его истоком, общий вывод стока последнего полевого транзистора и четвертого дополнительного резистора подключен к затвору третьего полевого транзистора, свободный вывод четвертого дополнительного резистора соединен со свободным выводом второго дополнительного резистора и их общий вывод образует относительно «земли» выход логического элемента, пятый дополнительный резистор включен между «землей» и общим выводом третьего дополнительного резистора, истока и подложки дополнительного полевого транзистора.
Сущность изобретения поясняется схемой триггерного логического элемента И на полевых транзисторах (фиг.1) и его таблицей истинности (фиг.2).
В триггерном логическом элементе И на полевых транзисторах (фиг.1) общая шина (минусовой вывод) источника 1 питающею постоянного напряжения заземлена. Последовательно между собой включены полевые транзисторы 2 и 3 с индуцированными каналами n-типа. Подложки обоих полевых транзисторов заземлены, а выводы затворов образуют относительно «земли» первый х1 и второй х2 входы логического элемента И исток полевого транзистора 3 заземлен.
Последовательно между собой включены резистор 4, полевой транзистор 5 с индуцированным каналом n-типа и резистор 6. Свободный вывод резистора 4 подключен к выходу (плюсовой вывод) источника 1 питающего постоянного напряжения. Общий вывод этого резистора и стока полевого транзистора 5 подсоединён к стоку полевого транзистора 2. Подложка полевого транзистора 5 соединена с его истоком.
Последовательно включены резистор 7, полевой транзистор 8 с индуцированным каналом р-типа и резистор 9. Свободный вывод резистора 7 подключен к общему вывод резистора 4 и выхода источника 1 питающего постоянного напряжения. Затвор полевого транзистора 8 подсоединен к общему выводу резистора 4, стоков полевых транзисторов 2 и 5. Подложка полевого 8 соединена с общим выводом истока этого транзистора и резистора 7. Общий вывод стока транзистора 8 и резистора 9 соединен с затвором полевого транзистора 5. Свободный вывод резистора 9 подключен к свободному выводу резистора 6 и их общий вывод образует относительно «земли» выход у логического элемента. Резистор 10 включен между землей и общим выводом резистора 7, истока и подложки полевого транзистора 8. Для наглядности на фиг.1 пунктирными линиями приведен резистор Rн, который условно отображает внешнюю нагрузку логического элемента. Часть схемы на фиг.1 на полевых транзисторах 5, 8 и резисторах 4, 6, 7 и 9 является триггером на полевых транзисторах противоположного типа проводимости.
Триггерный логический элемент и на полевых транзисторах работает следующим образом. В цифровой электронике используются входные и выходные электрические сигналы с низким и высоким уровнем напряжения. Низкий уровень – уровень логического нуля соответствует значениям напряжения в районе нуля (ближе к нулю), высокий уровень – уровень логической единицы соответствует значениям напряжения в районе единиц вольт (нередко в районе четырех вольт). Работа двухвходового логического элемента И отображается известной таблицей истинности (фиг.2), где N – номер строки по порядку, х1 и х2 – условное отображение входных сигналов и у – условное отображение выходного сигнала.
Первая строка таблицы истинности (фиг.2) соответствует тому, что на двух входах х1, х2 имеется уровень логической единицы (высокий уровень напряжения). Тогда полевые транзисторы 2, 3 находятся в проводящем электрический ток состоянии. Напряжение на резисторе 4 от этого тока тоже поддерживает транзистор 8 с индуцированным р-каналом в проводящем электрический ток состоянии с учетом напряжения на резисторе 7 от электрического тока, замыкающегося через резисторы 7 и 10. Ток стока транзистора 8 создает на резисторе 9 падение напряжения, превышающее значение порогового напряжения полевого транзистора 5 и он проводит электрический ток. Электрические токи двух полевых транзисторов 5 и 8 создают на внешней нагрузке логического элемента высокий уровень напряжения – уровень логической единицы.
В соответствии со 2, 3 и 4 строками таблицы истинности (фиг.2) на один из входов или на оба входа х1, х2 подается низкий уровень напряжения – уровень логического нуля. Тогда составляющая электрического тока от цепи из полевых транзисторов 2, 3 через резистор 4 отсутствует. Можно обеспечить значение силы электрического тока через резисторы 7 и 10 и соответственно значение напряжения на резисторе 7 достаточное для перевода полевого транзистора в непроводящий электрический ток состояние. Тогда отсутствуют ток стока транзистора 8 и соответственно напряжение на резисторе 9. Это напряжение теперь имеется на затворе транзистора 5 и обеспечивает его непроводящий электрический ток состояние. В результате на внешней нагрузке логического элемента имеется уровень логического нуля.
Таким образом, в триггерном логическом элементе И на полевых транзисторах сила электрического тока внешней нагрузки равна сумме силы токов двух транзисторов 5 и 8, что повышает его нагрузочную способность.

Claims (1)

  1. Триггерный логический элемент И на полевых транзисторах, содержащий источник питающего постоянного напряжения, общая шина (минусовой вывод) которого заземлена, последовательно соединённые первый и второй полевые транзисторы с индуцированными каналами n-типа, выводы затворов которых образуют относительно «земли» первый и второй входы логического элемента, подложки обоих полевых транзисторов и истока второго транзистора заземлены, также имеется третий полевой транзистор тоже с индуцированным каналом n-типа, подложка которого соединена с его истоком, отличающийся тем, что в него введены пять дополнительных резисторов и дополнительный полевой транзистор с индуцированным каналом p-типа, последовательно между собой включены первый дополнительный резистор, третий полевой транзистор и второй дополнительный резистор, свободный вывод первого дополнительного резистора подключен к выходу (плюсовой вывод) источника питающего постоянного напряжения, общий вывод этого резистора и стока третьего полевого транзистора подсоединен к стоку первого полевого транзистора, последовательно между собой включены третий дополнительный резистор, дополнительный полевой транзистор и четвертый дополнительный резистор, свободный вывод третьего дополнительного резистора подключен к общему выводу первого дополнительного резистора и выхода источника питающего постоянного напряжения, затвор дополнительного полевого транзистора подсоединен к общему выводу первого дополнительного резистора, стоков первого и третьего полевых транзисторов, подложка дополнительного полевого транзистора соединена с его истоком, общий вывод стока последнего полевого транзистора и четвертого дополнительного резистора подключен к затвору третьего полевого транзистора, свободный вывод четвертого дополнительного резистора соединен со свободным выводом второго дополнительного резистора и их общий вывод образует относительно «земли» выход логического элемента, пятый дополнительный резистор включен между «землей» и общим выводом третьего дополнительного резистора, истока и подложки дополнительного полевого транзистора.
RU2019135492A 2019-11-06 2019-11-06 Триггерный логический элемент И на полевых транзисторах RU2715178C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019135492A RU2715178C1 (ru) 2019-11-06 2019-11-06 Триггерный логический элемент И на полевых транзисторах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019135492A RU2715178C1 (ru) 2019-11-06 2019-11-06 Триггерный логический элемент И на полевых транзисторах

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2715178C1 true RU2715178C1 (ru) 2020-02-25

Family

ID=69630880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019135492A RU2715178C1 (ru) 2019-11-06 2019-11-06 Триггерный логический элемент И на полевых транзисторах

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2715178C1 (ru)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2756096C1 (ru) * 2020-12-16 2021-09-28 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ) Триггерный логический элемент и-не/или-не на полевых транзисторах
RU2759863C1 (ru) * 2021-04-28 2021-11-18 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» Триггерный логический элемент И/ИЛИ на полевых транзисторах
RU2763152C1 (ru) * 2021-05-27 2021-12-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» Триггерный логический элемент НЕ/ИЛИ/И/ИЛИ-НЕ/И-НЕ на полевых транзисторах
RU2763585C1 (ru) * 2021-05-27 2021-12-30 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ) (RU) Триггерный логический элемент И/И-НЕ на полевых транзисторах
RU2779928C2 (ru) * 2020-10-27 2022-09-15 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Триггерный логический элемент ИЛИ/ИЛИ-НЕ на полевых транзисторах

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4680484A (en) * 1984-10-19 1987-07-14 Trw Inc. Wired-AND FET logic gate
RU2613853C2 (ru) * 2015-03-04 2017-03-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук Многовходовый логический элемент И
RU2693306C1 (ru) * 2018-10-16 2019-07-02 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Триггерный логический элемент И-НЕ на полевых транзисторах
RU2694151C1 (ru) * 2018-05-22 2019-07-09 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Триггерный логический элемент И-НЕ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4680484A (en) * 1984-10-19 1987-07-14 Trw Inc. Wired-AND FET logic gate
RU2613853C2 (ru) * 2015-03-04 2017-03-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук Многовходовый логический элемент И
RU2694151C1 (ru) * 2018-05-22 2019-07-09 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Триггерный логический элемент И-НЕ
RU2693306C1 (ru) * 2018-10-16 2019-07-02 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Триггерный логический элемент И-НЕ на полевых транзисторах

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2779928C2 (ru) * 2020-10-27 2022-09-15 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Триггерный логический элемент ИЛИ/ИЛИ-НЕ на полевых транзисторах
RU2756096C1 (ru) * 2020-12-16 2021-09-28 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ) Триггерный логический элемент и-не/или-не на полевых транзисторах
RU2759863C1 (ru) * 2021-04-28 2021-11-18 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» Триггерный логический элемент И/ИЛИ на полевых транзисторах
RU2763152C1 (ru) * 2021-05-27 2021-12-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» Триггерный логический элемент НЕ/ИЛИ/И/ИЛИ-НЕ/И-НЕ на полевых транзисторах
RU2763585C1 (ru) * 2021-05-27 2021-12-30 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ) (RU) Триггерный логический элемент И/И-НЕ на полевых транзисторах
RU2795046C1 (ru) * 2022-03-17 2023-04-28 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Триггерный логический элемент ИЛИ-НЕ на полевых транзисторах
RU2807036C1 (ru) * 2023-04-18 2023-11-09 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗ ГУ) Триггерный логический элемент И на полевых транзисторах
RU2813862C1 (ru) * 2023-11-23 2024-02-19 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" Триггерный логический элемент И/ИЛИ на полевых транзисторах

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2715178C1 (ru) Триггерный логический элемент И на полевых транзисторах
US3949242A (en) Logical circuit for generating an output having three voltage levels
RU2693298C1 (ru) Триггерный логический элемент ИЛИ-НЕ на полевых транзисторах
RU2710950C1 (ru) Триггерный логический элемент ИЛИ на полевых транзисторах
US3260863A (en) Threshold circuit utilizing field effect transistors
US3937982A (en) Gate circuit
RU2693306C1 (ru) Триггерный логический элемент И-НЕ на полевых транзисторах
KR880006848A (ko) 집적회로 및 이 회로에 사용하기 적합한 제어수단
RU2704748C1 (ru) Триггерный логический элемент НЕ на полевых транзисторах
US7482860B2 (en) MOS switching circuit
KR880001109A (ko) 집적논리회로
JPH0693615B2 (ja) ドライバ回路
RU2710937C1 (ru) Триггерный логический элемент ИЛИ-НЕ
US3988616A (en) Driver circuit for liquid crystal display using insulated gate FETs
US10447268B2 (en) Level shifter circuit, corresponding device and method
RU2759863C1 (ru) Триггерный логический элемент И/ИЛИ на полевых транзисторах
RU2702051C1 (ru) Триггерный синхронный R-S триггер на полевых транзисторах
RU2710845C1 (ru) Триггерный логический элемент НЕ
RU2763585C1 (ru) Триггерный логический элемент И/И-НЕ на полевых транзисторах
RU2714105C1 (ru) Триггерный сумматор по модулю два на полевых транзисторах
RU2795046C1 (ru) Триггерный логический элемент ИЛИ-НЕ на полевых транзисторах
RU2689197C1 (ru) Триггерный асинхронный D триггер на полевых транзисторах
RU2789081C1 (ru) Триггерный асинхронный D триггер на полевых транзисторах
RU2756096C1 (ru) Триггерный логический элемент и-не/или-не на полевых транзисторах
RU2693299C1 (ru) Триггерный асинхронный R-S триггер на полевых транзисторах