RU2674405C1 - Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом - Google Patents
Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2674405C1 RU2674405C1 RU2018100497A RU2018100497A RU2674405C1 RU 2674405 C1 RU2674405 C1 RU 2674405C1 RU 2018100497 A RU2018100497 A RU 2018100497A RU 2018100497 A RU2018100497 A RU 2018100497A RU 2674405 C1 RU2674405 C1 RU 2674405C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- photomask
- level
- photolithography
- mounting elements
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Использование: для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом содержит столик с посадочным гнездом для размещения полупроводниковой пластины, осветитель, микроскоп для визуального контроля совмещения, фотошаблон и трубопровод, связанный со средством откачки воздуха, дополнительно введены фотошаблоны верхнего и нижнего уровней, а столик выполнен в виде опорной плиты, в которой расположено отверстие для засветки тыльной стороны полупроводниковой пластины, при этом посадочное гнездо состоит из фотошаблона нижнего уровня с уплотнительной рамкой, снабженного отверстиями для вакуумного присоса, а также тремя установочными элементами для фиксации расположения полупроводниковой пластины, которые расположены в углублениях фотошаблона верхнего уровня, кроме того, введены три пары механически и электрически контактируемых установочных элементов, закрепленных на фотошаблоне верхнего уровня и на опорной плите, служащих для фиксации расположения фотошаблона верхнего уровня, а фотошаблон нижнего уровня, боковые стенки отверстия в опорной плите, разделительная перегородка и прозрачная для экспонирующего излучения нижняя стенка образуют полости для вакуумного присоса полупроводниковой пластины и фотошаблона верхнего уровня. Технический результат: обеспечение возможности повышения производительности операций фотолитографии, а также возможности выполнять совмещенную фотолитографию лицевой и тыльной сторон полупроводниковой пластины. 1 ил.
Description
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для совмещения рисунков на фотошаблоне и полупроводниковой пластине в процессе ее фотолитографической обработки и может быть применено при изготовлении фотопреобразователей.
Известно устройство для совмещения фотошаблона и полупроводниковой пластины (см. а.с. РФ №344779, опубл. 20.12.1972 г.), содержащее: подвешенное на упругом элементе гнездо; установленный в гнезде шаровой сегмент с выводными каналами; координатный стол; фотошаблон, закрепленный с помощью вакуумного присоса, на координатном столе; подъемный шток с мембранным приводом и фиксатором; вакуумную линию; промежуточную опору, расположенную между фотошаблоном и шаровым сегментом и выполненную в виде плоской эластичной подвески, причем плоскость промежуточной опоры, обращенная к шаровому сегменту, контактирует с ним при подключении выводных каналов сегмента к вакуумной линии. Выравнивание полупроводниковой пластины относительно фотошаблона осуществляют при подъеме посадочного гнезда с помощью штока с мембранным приводом. После совмещения рисунков в зазоре осуществляют контакт пластины и фотошаблона и экспонируют светочувствительный слой, нанесенный на пластину.
Недостаток вышеизложенного устройства, применительно к изготовлению фотопреобразователей, заключается в том, что механический прижим фотошаблона к полупроводниковой пластине не обеспечивает равномерного и плотного контакта, в результате, при использовании высококонтрастного негативного фоторезиста Aznlof 2070, искажается рисунок маски, необходимой для «взрывного» метода формирования металлизации.
Признаки, общие с предлагаемым устройством для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом, следующие: посадочное гнездо с установочными элементами; отверстия для вакуумного присоса полупроводниковой пластины и фотошаблона; выводные каналы вакуумной линии.
Известно устройство для совмещения и экспонирования (см. а.с. РФ №1817659, опубл. 27.03.1996 г.), принятое за прототип, содержащее: осветитель; микроскоп для визуального контроля совмещения; столик для установки подложки, в котором выполнено углубление; эластичную резиновую или полимерную герметизирующую мембрану, натянутую над углублением столика. В дне полости, образованной между мембраной и дном углубления, выполнено отверстие, соединяющее полость с внешней средой. На эластичную мембрану столика устанавливается подложка так, чтобы ни одна точка подложки не была расположена от точки крепления мембраны ближе, чем на расстояние, равное двум толщинам мембраны. Столик связан с механизмом вертикального перемещения, который позволяет регулировать начальный зазор между подложкой, установленной на мембрану, и фотошаблоном. После совмещения рисунка фотошаблона с подложкой производится откачка воздуха из полости между фотошаблоном и мембраной через трубопровод.
В результате действия давления атмосферного воздуха эластичная мембрана равномерно и плотно прижимает подложку к фотошаблону, что улучшает качество экспонирования. Устройство некритично к плоскостности тыльной стороны подложки.
Недостаток устройства прототипа, применительно к изготовлению фотопреобразователей, заключается в низкой производительности, что обусловлено повышенными затратами времени на расположение фотолитографического рисунка по центру пластины и поиск знаков совмещения. Кроме того, устройство не позволяет выполнять фотолитографию лицевой и тыльной сторон полупроводниковой пластины.
Признаки, общие с предлагаемым устройством для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом, следующие: устройство содержит столик с посадочным гнездом для размещения полупроводниковой пластины; осветитель; микроскоп для визуального контроля совмещения; фотошаблон и трубопровод, связанный со средством откачки воздуха.
Технический результат, достигаемый предлагаемым устройством для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом, применительно к изготовлению фотопреобразователей, заключается в повышении производительности операций фотолитографии за счет уменьшения времени на совмещение рисунков на фотошаблоне и полупроводниковой пластине, а также в возможности выполнять совмещенную фотолитографию лицевой и тыльной сторон полупроводниковой пластины.
Отличительные признаки предлагаемого устройства для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом, обуславливающие его соответствие критерию «новизна», следующие: введение в устройство фотошаблонов верхнего и нижнего уровней; выполнение столика в виде опорной плиты с отверстием для засветки тыльной стороны полупроводниковой пластины; наличие посадочного гнезда, состоящего из фотошаблона нижнего уровня с уплотнительной рамкой и отверстиями для вакуумного присоса, а также тремя установочными элементами для фиксации расположения полупроводниковой пластины, кроме того, фотошаблон верхнего уровня снабжен углублениями для трех установочных элементов, фиксирующих расположение полупроводниковой пластины; введены три пары механически и электрически контактируемых установочных элементов, закрепленных на фотошаблоне верхнего уровня и на опорной плите, служащих для фиксации расположения фотошаблона верхнего уровня, а фотошаблон нижнего уровня, боковые стенки отверстия в опорной плите, разделительная перегородка и прозрачная для экспонирующего излучения нижняя стенка, образуют полости для вакуумного присоса полупроводниковой пластины и фотошаблона верхнего уровня.
Для обоснования соответствия предлагаемого устройства для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом критерию «изобретательский уровень» был проведен анализ известных решений по литературным источникам, в результате которого не обнаружено технических решений, содержащих вышеперечисленные отличительные признаки и дающих вышеуказанный технический результат, поэтому, по мнению авторов, предлагаемое устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом соответствует критерию « изобретательский уровень».
Конструкция предлагаемого устройства для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом иллюстрирована на чертежах, где схематично изображены: 1 - опорная плита, в которой выполнено отверстие 2, дающее возможность засветки тыльной стороны полупроводниковой пластины 3, над которым расположен фотошаблон нижнего уровня 4, снабженный отверстиями 5 и 6 для вакуумного присоса, а также тремя установочными элементами 7 в виде металлических дисков, выполненных с возможностью фиксации расположения полупроводниковой пластины 3, для которых выполнены углубления 9 в фотошаблоне верхнего уровня 10 и уплотнительной рамкой 11; при этом на фотошаблоне верхнего уровня 10 и на опорной плите 1 закреплены установочные элементы 12 и 13, выполненные в виде металлических брусков с котировочными винтами 14 с возможностью фиксации расположения фотошаблона верхнего уровня 10; причем механический и электрический контакты между установочными элементами 12, 13 и 14 контролируются с помощью светодиодного индикатора 15 (для последующей фотолитографии на лицевой стороне полупроводниковой пластины используются, аналогичным образом, установочные элементы на фотошаблоне верхнего уровня 10 и установочные элементы 16, 17 на опорной плите 1).
Пример 1. В качестве конкретного применения предлагаемое устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой подложке с базовым срезом используется при изготовлении фотопреобразователей размером 40×80 мм со встроенным диодом на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке диаметром ∅ 100 мм, толщиной 140±160 мкм.
Полупроводниковую пластину 3 с нанесенным фоторезистивным слоем 20 Aznlof 2070 укладывают на фотошаблон (127×127 мм) нижнего уровня 4 базовым срезом 8 (протяженность среза 30 мм) в стык на два установочных элемента 7, расположенных по горизонтали, и смещают до упора с установочным элементом 7, расположенным по вертикали. Три точки касания обеспечивают воспроизводимое позиционирование полупроводниковой пластины 3 с базовым срезом 8. Установочные элементы 7 выполнены в виде дисков прямоугольного сечения с диаметром ∅ 3 мм, толщиной 200 мкм из нержавеющей стали. После расположения полупроводниковой пластины 3 посредством упора к установочным элементам 7, осуществляют ее вакуумное присасывание через отверстия 5 в фотошаблоне нижнего уровня 4.
На полупроводниковую пластину 3 накладывают фотошаблон верхнего уровня 10, в котором для установочных элементов 7 выполнены углубления 9. Расположение фотошаблона верхнего уровня 10 относительно полупроводниковой пластины 3 задается путем упора его установочных элементов 12, выполненных в виде металлических брусков с плоской полированной гранью, к стержням котировочных винтов 14 опорной плиты 1, изготовленной из листа оргстекла толщиной 10 мм. Три точки касания установочных элементов 12 к стержням котировочных винтов 14 обеспечивают воспроизводимое позиционирование фотошаблона верхнего уровня 10. Фотолитографический рисунок лицевых контактов двух фотопреобразователей располагают при этом по центру полупроводниковой пластины 3, что необходимо, так как краевые участки нетехнологичны.
Механический и электрический контакты между установочными элементами 12 и 14 контролируют посредством светодиодного индикатора 15. Вакуумное присасывание фотошаблона верхнего уровня 10 к полупроводниковой пластине 3 осуществляется посредством откачки воздуха через отверстия 6, при этом уплотнительная рамка 11 (из листа «изофлекса» толщиной 150 мкм) используется для уменьшения вакуумного зазора между фотошаблонами верхнего 10 и нижнего 4 уровней. Отверстия 5, 6 (по 4 шт. ) в фотошаблоне нижнего уровня 4 соединены с соответствующими вакуумными полостями, образованными фотошаблоном нижнего уровня 4, боковыми стенками отверстия в опорной плите 1, разделительной перегородкой 22, прозрачной для экспонирующего излучения нижней стенкой 21 и выводными трубопроводами 23.
Экспонируют фоторезистивный слой 20 полупроводниковой пластины 3 с помощью лампы ДРТ-1000, затем создают фоторезистивную маску с последующим напылением и «взрывом» лицевых контактов фотопреобразователя и встроенного диода.
Далее на полупроводниковую пластину 3 наносят слой 20 фоторезиста ФП-9120-2 и, аналогичным образом, выполняют экспонирова-вание через фотошаблон верхнего уровня 10 с рисунком «мезы», при этом для задания начального расположения полупроводниковой пластины 3 и фотошаблона верхнего уровня 10, используют установочные элементы 7 и 12, 14, резиновые тяги 18 и 19.
Величина начального рассовмещения рисунков лицевых контактов и «мезы» на полупроводниковой пластине 3 определяется погрешностью ее позиционирования на установочных элементах 7 и составляет ±20 мкм, что обеспечивает сокращение времени на последующее прецизионное досовмещение рисунков под микроскопом с необходимой точностью ±5 мкм.
После формирования фоторезистивной маски вытравливают «меза»-изолирующие канавки.
Пример 2. На лицевую сторону полупроводниковой пластины 3 наносят защитный слой фоторезиста ФП 2550. Травлением на глубину ~5 мкм очищают тыльную сторону Ge- подложки от эпитаксиальных наростов и дефектов поверхностной обработки. Удаляют фоторезист. Наносят негативный фоторезист Aznlof 2070 последовательно на тыльную и лицевую стороны полупроводниковой пластины 3. Совмещают рисунки фотошаблонов верхнего 10 и нижнего 4 уровней с помощью микроскопа, используя установочные элементы 12 и 13 с котировочными винтами 14. Укладывают полупроводниковую подложку 3 на фотошаблон нижнего уровня 4 с упором к установочным элементам 7. Фиксируют положение полупроводниковой пластины 3 посредством вакуумного присоса через отверстия 5. На полупроводниковую пластину 3 укладывают фотошаблон верхнего уровня 10 с упором установочных элементов 12 к котировочным винтам 14, при этом обеспечивается совмещение рисунков фотошаблона верхнего уровня 10 и фотошаблона нижнего уровня 4 с точностью±1 мкм.
Выполняют вакуумное прижатие фотошаблона верхнего уровня 10 к полупроводниковой пластине 3 путем откачки воздуха через отверстия 6 фотошаблона нижнего уровня 4. Экспонируют лицевую и тыльную стороны полупроводниковой пластины 3 с помощью верхней и нижней ламп ДРТ-1000. Проявляют рисунки лицевой и тыльной металлизации фотопреобразователя, напыляют последовательно контактную металлизацию на лицо и тыл полупроводниковой пластины 3, «взрывом» удаляют пленку металла. Участки тыльной стороны полупроводниковой пластины 3, свободные от металлизации, используют в дальнейшем для дискового реза. Затем на полупроводниковую пластину 3 наносят слой 20 фоторезиста ФП-9120-2. Для задания начального расположения полупроводниковой пластины 3 и фотошаблона верхнего уровня 10 используют установочные элементы 7 и 12, 14, резиновые тяги 18 и 19. Окончательное совмещение рисунков выполняют под микроскопом. Выполняют экспонирование через фотошаблон верхнего уровня 10 с рисунком «мезы». После формирования фоторезистивной маски выполняют локальное «меза»-травление на лицевой стороне полупроводниковой пластины 3. Фоторезист удаляют. Разделяют полупроводниковую пластину 3 на чипы, используя дисковый рез по тыльной стороне. Далее вскрывают оптическое окно, наносят просветляющее покрытие фотопреобразователя. В процессе дискового реза водный поток раскрошенного полупроводникового материала не воздействует на лицевую сторону полупроводниковой пластины, в результате чего обеспечиваются чистота и целостность эпитаксиальных слоев, выходящих на торцевую поверхность фотопреобразователя, повышаются электрические параметры.
Применение установочных элементов для фиксации расположения полупроводниковой пластины с базовым срезом и фотошаблона позволяет сократить время на позиционирование рисунка по центру пластины для первой фотолитографии «лицевых контактов» и поиск знаков совмещения для второй фотолитографии «мезы».
Равномерное по площади полупроводниковой пластины вакуумное прижатие фотошаблона позволяет получить качественную маску с отрицательным профилем на негативном фоторезисте Aznl0f 2070.
Одновременное экспонирование лицевой и тыльной сторон полупроводниковой пластины упрощает создание совмещенных рисунков лицевой и тыльной металлизации.
Предлагаемое устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом позволяет использовать полупроводниковые пластины со сколами, что дает экономию дорогостоящих материалов.
Предлагаемое устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом, применительно к производству фотопреобразователей, обеспечивает высокую производительность фотолитографии ~20 шт./час, имеет простое конструктивное исполнение, компактно и экономично в эксплуатации.
Claims (1)
- Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом, содержащее столик с посадочным гнездом для размещения полупроводниковой пластины, осветитель, микроскоп для визуального контроля совмещения, фотошаблон и трубопровод, связанный со средством откачки воздуха, отличающееся тем, что дополнительно введены фотошаблоны верхнего и нижнего уровней, а столик выполнен в виде опорной плиты, в которой расположено отверстие для засветки тыльной стороны полупроводниковой пластины, при этом посадочное гнездо состоит из фотошаблона нижнего уровня с уплотнительной рамкой, снабженного отверстиями для вакуумного присоса, а также тремя установочными элементами для фиксации расположения полупроводниковой пластины, которые расположены в углублениях фотошаблона верхнего уровня, кроме того, дополнительно введены три пары механически и электрически контактируемых установочных элементов, закрепленных на фотошаблоне верхнего уровня и на опорной плите, служащих для фиксации расположения фотошаблона верхнего уровня, а фотошаблон нижнего уровня, боковые стенки отверстия в опорной плите, разделительная перегородка и прозрачная для экспонирующего излучения нижняя стенка образуют полости для вакуумного присоса полупроводниковой пластины и фотошаблона верхнего уровня.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018100497A RU2674405C1 (ru) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018100497A RU2674405C1 (ru) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2674405C1 true RU2674405C1 (ru) | 2018-12-07 |
Family
ID=64603853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018100497A RU2674405C1 (ru) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2674405C1 (ru) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU344779A1 (ru) * | 1970-04-01 | 1972-12-30 | Папйтко Хннче | УСТРОЙСТВО дл СОВМЕЩЕНИЯ РИСУНКОВ ФОТОШАБЛОНА и ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ |
| SU1817659A1 (ru) * | 1991-02-28 | 1996-03-27 | Центральный научно-исследовательский институт "Гранит" | Устройство для совмещения и экспонирования |
| US6653024B1 (en) * | 1997-11-11 | 2003-11-25 | Nikon Corporation | Photomask, aberration correction plate, exposure apparatus, and process of production of microdevice |
| US20100209826A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Sung-Hyuck Kim | Apparatus for processing photomask, methods of using the same, and methods of processing photomask |
| RU163768U1 (ru) * | 2015-09-09 | 2016-08-10 | Алексей Викторович Сорокин | Устройство фотолитографии |
| RU166307U1 (ru) * | 2016-02-08 | 2016-11-20 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Геофизика-Космос" (АО "НПП "Геофизика-Космос") | Устройство для контактного экспонирования фоторезиста |
-
2018
- 2018-01-09 RU RU2018100497A patent/RU2674405C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU344779A1 (ru) * | 1970-04-01 | 1972-12-30 | Папйтко Хннче | УСТРОЙСТВО дл СОВМЕЩЕНИЯ РИСУНКОВ ФОТОШАБЛОНА и ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ |
| SU1817659A1 (ru) * | 1991-02-28 | 1996-03-27 | Центральный научно-исследовательский институт "Гранит" | Устройство для совмещения и экспонирования |
| US6653024B1 (en) * | 1997-11-11 | 2003-11-25 | Nikon Corporation | Photomask, aberration correction plate, exposure apparatus, and process of production of microdevice |
| US20100209826A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Sung-Hyuck Kim | Apparatus for processing photomask, methods of using the same, and methods of processing photomask |
| RU163768U1 (ru) * | 2015-09-09 | 2016-08-10 | Алексей Викторович Сорокин | Устройство фотолитографии |
| RU166307U1 (ru) * | 2016-02-08 | 2016-11-20 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Геофизика-Космос" (АО "НПП "Геофизика-Космос") | Устройство для контактного экспонирования фоторезиста |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0851143A (ja) | 基板保持装置 | |
| TWI454835B (zh) | 遮罩坯料用透明基板的製造方法、遮罩坯料的製造方法及曝光遮罩製造方法 | |
| JP6708455B2 (ja) | 保持装置、保持方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 | |
| US20060275711A1 (en) | Method of manufacturing a LIGA mold by backside exposure | |
| JP3894550B2 (ja) | 近接場露光マスクの製造方法 | |
| US20100285412A1 (en) | Method for fabricating 3d microstructure | |
| JP2004103702A (ja) | 近接場マスク露光方法及び、近接場マスク露光装置 | |
| JPH1167882A (ja) | 基板吸着装置及び基板吸着方法 | |
| JP2011114238A (ja) | 基板保持装置、それを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
| RU2674405C1 (ru) | Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом | |
| TWI506355B (zh) | 光罩基板、光罩基板之製造方法、光罩基底、光罩、圖案轉印方法、液晶顯示裝置之製造方法及近接空隙評估方法 | |
| JP2004111500A (ja) | マスク、露光装置及び方法 | |
| CN201060371Y (zh) | 简易掩模版翻版夹具 | |
| JP4027263B2 (ja) | 近接場露光方法及び装置 | |
| CN111710617B (zh) | 半导体结构的检测方法及半导体结构 | |
| JPS6156868B2 (ru) | ||
| JPS6330781B2 (ru) | ||
| TWI285300B (en) | A method for making a light guide plate mold | |
| JPS58100852A (ja) | フオトマスク | |
| RU2691159C1 (ru) | Установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом | |
| JPS62277726A (ja) | 平行出し装置 | |
| JP3903032B2 (ja) | 近接場露光方法 | |
| JPS59208835A (ja) | 密着露光方法 | |
| JP3225722B2 (ja) | パターン露光用感光層形成方法及びパターン形成方法 | |
| TWI559074B (zh) | 光罩 |