RU2691159C1 - Установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом - Google Patents
Установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2691159C1 RU2691159C1 RU2018130027A RU2018130027A RU2691159C1 RU 2691159 C1 RU2691159 C1 RU 2691159C1 RU 2018130027 A RU2018130027 A RU 2018130027A RU 2018130027 A RU2018130027 A RU 2018130027A RU 2691159 C1 RU2691159 C1 RU 2691159C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor
- photomask
- elements
- semiconductor plates
- carriage
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 28
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 101100008047 Caenorhabditis elegans cut-3 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 101100388295 Arabidopsis thaliana DTX50 gene Proteins 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000011022 operating instruction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для совмещения рисунков на фотошаблоне и полупроводниковой пластине в процессе ее фотолитографической обработки и может быть применено при изготовлении фотопреобразователей. Заявленная установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом включает столик для совмещения, держатель полупроводниковых пластин, фотошаблон для лицевой стороны полупроводниковых пластин, источник освещения и микроскопы с двойным монитором. При этом столик для совмещения и держатель выполнены в виде фотошаблона для тыльной стороны полупроводниковых пластин, который снабжен вакуумными отверстиями, уплотнительной рамкой, установочными элементами в виде дисков и расположен на каретке в виде опорной плиты со встроенными вакуумными камерами. Фотошаблон для лицевой стороны полупроводниковых пластин выполнен с углублениями для вышеупомянутых дисков, а источник освещения выполнен в виде металлического короба, в крышке и дне которого расположены две лампы с эллиптическими отражателями, между которыми находятся элементы ограничения светового потока в виде полых цилиндров со светопоглощающей внутренней поверхностью. Причем между верхним и нижним элементами ограничения светового потока в передней стенке короба имеется отверстие для размещения вышеупомянутой каретки, а микроскопы выполнены пространственно зафиксированными на арочной панели, закрепленной на столешнице. Технический результат - повышение производительности за счет сокращения времени на подстройку оптического устройства при совмещении и расширение функциональных возможностей за счет двухсторонней фотолитографии. 3 ил.
Description
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для совмещения рисунков на фотошаблоне и полупроводниковой пластине в процессе ее фотолитографической обработки и может быть применено при изготовлении фотопреобразователей.
Известна установка фотолитографии ЭМ-576АМ (см. Техническое описание и инструкция по эксплуатации на сайте docplayer.ru), принятая за аналог и предназначенная для совмещения изображений на фотошаблоне и полупроводниковой пластине, переноса изображения с фотошаблона на пластину экспонированием фоторезистивного слоя пластины при фотолитографических процессах изготовления интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.
Вышеуказанная установка включает блоки: совмещения, экспонирования и контроля совмещения, подготовки воздуха, питания лампы.
Фотошаблон устанавливается на плиту шаблонодержателя, фиксируется вакуумом. Совмещение рисунков фотошаблона и полупроводниковой пластины производится манипулятором совмещения при определенном зазоре, наблюдение за процессом совмещения осуществляется посредством микроскопа. По окончании совмещения производится механическое прижатие полупроводниковой пластины к фотошаблону, отвод микроскопов и экспонирование полупроводниковой пластины от осветителя с лампой ДРШ-350.
Недостаток данной фотолитографической установки применительно к производству фотопреобразователей заключается в том, что механическое прижатие полупроводниковой пластины к фотошаблону не обеспечивает качественного фотолитографического рисунка на высококонтрастном негативном фоторезисте Aznlof 2070, используемого для взрывных « Lift off» процессов при формировании лицевых контактов.
Признаки, общие с предлагаемой установкой контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом, следующие: применение контактного устройства, осветительного устройства, устройства оптического контроля.
Известна установка совмещения и экспонирования MDA-400LJ с ручным управлением MIDAS SYSTEM, Корея, (см. Описание и характеристики установки на сайте: МИНАТЕХ (микро и нано технологии), E-mail info@minatech.ru), принятая за прототип и представляющая экономичный вариант для использования в лаборатории, для проведения НИОКР и для малых объемов производства, включающая: 1)столик для совмещения, 2)многофункциональный держатель для полупроводниковых пластин и их фрагментов, 3)фотошаблон для лицевой стороны полупроводниковых пластин, 4)микроскоп двойного поля с двойным монитором, 5)источник ультрафиолетового излучения. Максимальное разрешение установки 1 микрон при использовании тонкого фоторезистивного слоя на Si пластине с вакуумным контактом, диаметр обрабатываемых пластин до 100 мм.
Недостаток данной установки фотолитографии применительно к технологии изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных структурах GaInP/GaInAs/Ge в необходимости поиска знаков совмещения и подстройки микроскопов для выполнения операций совмещения на каждой пластине, что непроизводительно. Кроме того, отсутствует возможность двухсторонней фотолитографии на лицевой и тыльной сторонах.
Признаки, общие с предлагаемой установкой контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым резом, следующие: применение столика для совмещения и держателя полупроводниковых пластин, фотошаблона для лицевой стороны полупроводниковых пластин, источника освещения, микроскопа с двойным монитором.
Технический результат, достигаемый предлагаемой установкой контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом заключается в повышении производительности за счет сокращения времени на подстройку оптического устройства при совмещении, расширении функциональных возможностей за счет двухсторонней фотолитографии.
Отличительные признаки предлагаемой установки контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом, следующие: 1) столик для совмещения и держатель выполнены в виде фотошаблона для тыльной стороны полупроводниковых пластин, снабженного вакуумными отверстиями, уплотнительной рамкой, установочными элементами в виде дисков и расположенного на каретке в виде опорной плиты со встроенными вакуумными камерами; 2) фотошаблон для лицевой стороны полупроводниковой пластины выполнен с углублениями для вышеупомянутых дисков; 3) источник освещения выполнен в виде металлического короба, в крышке и дне которого расположены две лампы с эллиптическими отражателями, между которыми находятся элементы ограничения светового потока в виде полых цилиндров со светопоглощающей внутренней поверхностью; 4) между верхним и нижним элементами ограничения светового потока в передней стенке короба имеется отверстие для размещения вышеупомянутой каретки; 5)микроскопы выполнены пространственно зафиксированными на арочной панели, закрепленной на столешнице.
Предлагаемая установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом иллюстрирована на фиг. 1а, б, в; 2; 3а, б, в. На фиг. 1а, б схематично изображены: фиг. 1а) б) - фрагменты установки с видом фотошаблона 1 для тыльной стороны полупроводниковой пластины 2 с базовым срезом 3, расположенной в стык на трех установочных элементах 4 в виде плоских металлических дисков, закрепленных на фотошаблоне 1, в котором выполнены отверстия 5, 6 соответственно для вакуумной фиксации полупроводниковой пластины 2 и фотошаблона 7 для лицевой стороны полупроводниковой пластины 2 (см. фиг. 1б); на фотошаблоне 1 расположена уплотнительная рамка 8 для обеспечения вакуумного зазора; фотошаблон 1 размещен на каретке 9 в виде опорной плиты с отверстием 10, в котором расположены вакуумные камеры 11, 12, снабженные разделительной перегородкой 13, а также нижней стенкой, прозрачной для экспонирующего излучения (на фиг. не показано) и выводными трубками 14; на каретке 9 закреплены прижимные планки 15 и установочные элементы 16 в виде металлических брусков с микровинтами 17; фотошаблон 7 для лицевой стороны полупроводниковой пластины 2 снабжен углублениями 18 для установочных элементов 4 в виде дисков (см. фиг. 1б); на фотошаблоне 7 закреплены опорные элементы 19 в виде металлических брусков с полированными гранями; каретка 9 расположена на столешнице 20; на фиг. 1в представлен общий вид установки контактной фотолитографии с фотошаблонами 1, 7 соответственно для тыльной и лицевой сторон полупроводниковой пластины 2 с базовым срезом 3, расположенной в стык на установочных элементах 4 в виде дисков; на фотошаблоне 7 для лицевой стороны полупроводниковой пластины 2 закреплены опорные элементы 19 в виде брусков, которые прижаты к микровинтам 17 посредством раскладывающихся прижимных планок 15; фотошаблон 1 для тыльной стороны полупроводниковой пластины 2 расположен на каретке 9 в виде опорной плиты с отверстием, в котором встроены вакуумные камеры (см. фиг. 1а) с выводными трубками 14; на каретке 9 закреплены установочные элементы 16 с ввернутыми микровинтами 17; источник освещения выполнен в металлическом коробе 21, в крышке и дне которого расположены две лампы 22 с эллиптическими отражателями 23, между которыми находятся элементы 24 ограничения светового потока в виде цилиндров со светопоглощающей внутренней поверхностью; между верхним и нижним элементами 24 ограничения светового потока в передней части короба 21 имеется отверстие 25 для размещения каретки 9 с фотошаблонами 1, 7 и полупроводниковой пластиной 2; перемещение каретки 9 осуществляется по направляющим уголкам 26; цифровые микроскопы 27 пространственно зафиксированы на арочной панели 28, которая закреплена на столешнице 29; для контроля совмещения используются два монитора 30.
На фиг. 2 представлены спектры отражения: 1-от металлической поверхности защитного короба и 2-от светопоглощающей поверхности элемента ограничения светового потока осветительного устройства.
На фиг. 3а, б, в представлен вид знаков совмещения, наблюдаемых в используемых цифровых микроскопах: а) - до; б) - после совмещения; в) - знаки совмещения предпочтительной конфигурации.
В качестве конкретного примера установку контактной фотолитографии для полупроводниковой пластины с базовым срезом применяют при изготовлении фотопреобразователей со встроенным диодом на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/GaInAs/Ge, выращенных на германиевой подложке диаметром ∅ 100 мм, толщиной 145÷160 мкм, с базовым срезом протяженностью ~ 30 мм. Габаритные размеры фотопреобразователей 40×80 мм.
На фотошаблон 1 (размером 127×127 мм) для тыльной стороны полупроводниковой пластины 2 укладывают полупроводниковую пластину 2 с нанесенным на ее лицевую сторону слоем негативного фоторезиста Aznlof 2070 толщиной ~ 8 мкм. Полупроводниковую пластину 2 с базовым срезом 3 располагают в стык (в том числе базовым срезом 3) на три установочных элемента 4 в виде плоских металлических дисков толщиной ~ 0,2 мм, закрепленных на фотошаблоне 1 и присасывают вакуумом через отверстия 5, выполненные в фотошаблоне 1(см. фиг. 1а).
Фотошаблон 1 с уплотнительной рамкой 8 размещен на каретке 9 в виде опорной плиты с отверстием 10, в котором расположены вакуумные камеры 11, 12, снабженные разделительной перегородкой 13, нижней стенкой, прозрачной для экспонирующего излучения и выводными трубками 14. Опорная плита каретки 9 выполнена из листа оргстекла толщиной 10 мм.
Затем на полупроводниковую пластину 2 укладывают фотошаблон 7 с рисунком лицевых контактов фотопреобразователей и диодов, располагаемым по центру полупроводниковой пластины 2 посредством опорных 19 и установочных 16 элементов с микровинтами 17, закрепленных соответственно на фотошаблоне 7 и каретке 9(см. фиг. 1б).
В фотошаблоне 7 выполнены углубления 18 для размещения установочных элементов 4 в виде плоских металлических дисков. Осуществляется вакуумное присасывание фотошаблона 7 к полупроводниковой пластине 2 через отверстия 6 в фотошаблоне 1 и через соответствующие секцию 12 вакуумной камеры с выводной трубкой 14. Уплотнительная рамка 8, выполненная из листа «Изофлекса», обеспечивает вакуумный зазор между фотошаблонами 1 и 7. При использовании фотошаблона 1 в качестве держателя полупроводниковых пластин 2, имеющих сколы, незадействованные вакуумные отверстия 5 перекрывают.
Каретку с фотошаблонами 1, 7 и полупроводниковой пластиной 2 перемещают в осветительное устройство через отверстие 25 в защитном металлическом коробе 21 (см. фиг. 1в). Источник освещения содержит ртутную дуговую лампу ДРТ-1000 с трубчатой колбой 22 (линейным размером ~18 см), эллиптический отражатель 23 и элементы 24 ограничения светового потока в виде полых цилиндров диаметром ~12 см, длиной ~30 см с внутренней светопоглощающей поверхностью (из черной наждачной бумаги), что обеспечивает формирование светового потока с параллельным ходом световых лучей и минимальным светорассеянием (см. фиг. 2).
Температурный режим лампы 22 регулируется вытяжной вентиляцией. Управление вакуумными клапанами раздельных каналов на полупроводниковую пластину 2 и фотошаблон 7 осуществляется посредством педальных электропереключателей (на фиг. не показано).
После формирования фоторезистивной маски с отрицательным клином выполняют напыление и «взрыв» лицевой металлизации фотопреобразователя и диода. Далее наносят слой позитивного фоторезиста ФП-9120-2 толщиной ~2 мкм. Полупроводниковую пластину 2 с базовым срезом 3 укладывают на установочные элементы 4, что обеспечивает воспроизводимое позиционирование с точностью ±20 мкм, выполняют вакуумное присасывание. Укладывают на полупроводниковую пластину 2 фотошаблон 7 с рисунком «мезы». Предварительное позиционирование фотошаблона 7 относительно полупроводниковой пластины 2 осуществляется за счет опорных и установочных элементов, аналогичных 19, 16, 17 с последующим их взаимным прижатием раскладывающимися прижимными планками 15. Далее выполняют прецизионное совмещение рисунков на фотошаблоне 7 и полупроводниковой пластине 2 с помощью цифровых микроскопов 27 Levenhuk DTX50 с оптическим увеличением х20 крат. Изображения знаков совмещения выводятся на экраны двух мониторов (см. фиг. 3а, б). В силу особенностей видеосигнала используемых цифровых микроскопов 27 более узкий рисунок знака совмещения в виде креста на фотошаблоне 7 предпочтительно должен иметь больший линейный размер (см. фиг. 3в) для обеспечения четкой видимости за пределами более широкого знака креста на полупроводниковой пластине 2, что позволяет реализовать совмещение с точностью ±2 мкм. Выполняют вакуумное присасывание фотошаблона 7 к полупроводниковой пластине 2.
Перемещают каретку с фотошаблонами 1, 7 и полупроводниковой пластиной 2 по направляющим уголкам 26 в осветительное устройство, при этом нет необходимости в отводе цифровых микроскопов 27, пространственно зафиксированных на арочной панели 28, что позволяет сохранять однократно выполненную оптическую настройку для совмещения последующих полупроводниковых пластин 2 и способствует повышению производительности выполнения операции. После формирования фоторезистивной маски осуществляют меза-травление для электроизоляции фотопреобразователя и диода.
Возможность совмещенной фотолитографии на лицевой и тыльной сторонах полупроводниковой пластины 2 обеспечивается предварительной юстировкой опорных и установочных элементов 19, 16, 17 с совмещением рисунков на фотошаблонах 1, 7.
Предлагаемая установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом обеспечивает необходимое для производства фотопреобразователей со встроенным диодом качество фотолитографического рисунка, проста и экономична в эксплуатации.
Claims (1)
- Установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом, включающая столик для совмещения, держатель полупроводниковых пластин, фотошаблон для лицевой стороны полупроводниковых пластин, источник освещения и микроскопы с двойным монитором, отличающаяся тем, что столик для совмещения и держатель выполнены в виде фотошаблона для тыльной стороны полупроводниковых пластин, который снабжен вакуумными отверстиями, уплотнительной рамкой, установочными элементами в виде дисков и расположен на каретке в виде опорной плиты со встроенными вакуумными камерами, при этом фотошаблон для лицевой стороны полупроводниковых пластин выполнен с углублениями для вышеупомянутых дисков, кроме того, источник освещения выполнен в виде металлического короба, в крышке и дне которого расположены две лампы с эллиптическими отражателями, между которыми находятся элементы ограничения светового потока в виде полых цилиндров со светопоглощающей внутренней поверхностью, причем между верхним и нижним элементами ограничения светового потока в передней стенке короба имеется отверстие для размещения вышеупомянутой каретки, а микроскопы выполнены пространственно зафиксированными на арочной панели, закрепленной на столешнице.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018130027A RU2691159C1 (ru) | 2018-08-17 | 2018-08-17 | Установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018130027A RU2691159C1 (ru) | 2018-08-17 | 2018-08-17 | Установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2691159C1 true RU2691159C1 (ru) | 2019-06-11 |
Family
ID=66947416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018130027A RU2691159C1 (ru) | 2018-08-17 | 2018-08-17 | Установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2691159C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2794611C1 (ru) * | 2022-12-13 | 2023-04-24 | Акционерное общество "Сатурн" (АО "Сатурн") | Установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU414142A1 (ru) * | 1971-11-01 | 1974-02-05 | Г. О. Захар Н. П. Замбровский, И. М. Семенов , М. М. Борецкий | Устройство для двустороннего совмещения рисунков подложки с рисунками фотошаблонов |
| SU1050140A1 (ru) * | 1982-07-28 | 1983-10-23 | Предприятие П/Я В-8941 | Устройство дл контактной фотолитографии |
| US6653024B1 (en) * | 1997-11-11 | 2003-11-25 | Nikon Corporation | Photomask, aberration correction plate, exposure apparatus, and process of production of microdevice |
| US20100209826A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Sung-Hyuck Kim | Apparatus for processing photomask, methods of using the same, and methods of processing photomask |
| RU163768U1 (ru) * | 2015-09-09 | 2016-08-10 | Алексей Викторович Сорокин | Устройство фотолитографии |
-
2018
- 2018-08-17 RU RU2018130027A patent/RU2691159C1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU414142A1 (ru) * | 1971-11-01 | 1974-02-05 | Г. О. Захар Н. П. Замбровский, И. М. Семенов , М. М. Борецкий | Устройство для двустороннего совмещения рисунков подложки с рисунками фотошаблонов |
| SU1050140A1 (ru) * | 1982-07-28 | 1983-10-23 | Предприятие П/Я В-8941 | Устройство дл контактной фотолитографии |
| US6653024B1 (en) * | 1997-11-11 | 2003-11-25 | Nikon Corporation | Photomask, aberration correction plate, exposure apparatus, and process of production of microdevice |
| US20100209826A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Sung-Hyuck Kim | Apparatus for processing photomask, methods of using the same, and methods of processing photomask |
| RU163768U1 (ru) * | 2015-09-09 | 2016-08-10 | Алексей Викторович Сорокин | Устройство фотолитографии |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2794611C1 (ru) * | 2022-12-13 | 2023-04-24 | Акционерное общество "Сатурн" (АО "Сатурн") | Установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI608309B (zh) | 曝光用光源模組單元及具備該光源模組單元的曝光裝置 | |
| CN1247387C (zh) | 在宝石或工业钻石上形成标记 | |
| TWI595309B (zh) | 薄膜的製作方法 | |
| JP2009239018A (ja) | 投影露光装置 | |
| KR20180079270A (ko) | 홀더, 리소그래피 장치, 물품의 제조 방법 및 스테이지 장치 | |
| JP2011039172A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| RU2691159C1 (ru) | Установка контактной фотолитографии для полупроводниковых пластин с базовым срезом | |
| TW201235798A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| US8045138B2 (en) | Support plate, exposure apparatus having the support plate, and a device manufacturing method using the exposure apparatus | |
| CN103257530A (zh) | 接近式曝光装置、曝光光形成方法、面板基板的制造方法 | |
| TWI716478B (zh) | 用於製造膜總成之方法 | |
| CN110058493B (zh) | 放电灯及其更换方法、点亮方法及制造方法 | |
| KR102502727B1 (ko) | 레티클 및 그를 포함하는 노광 장치 | |
| JP5355261B2 (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光形成方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
| JP2010015028A (ja) | 露光装置及び露光装置のランプ交換方法 | |
| TWI579658B (zh) | 曝光用光源模組單元及具備該光源模組單元的曝光裝置 | |
| KR101607578B1 (ko) | 노광 장치 및 마스크 얼라이너 | |
| TW202101641A (zh) | 分割雙面晶圓及光罩夾具 | |
| JP2011242563A (ja) | 露光装置、露光装置のランプ位置調整方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
| TW201734654A (zh) | 放電燈及其交換方法、以及曝光方法及裝置 | |
| RU2674405C1 (ru) | Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом | |
| JP5394320B2 (ja) | 光源ユニット、光源ユニットの光軸調整方法、プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光照射方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
| WO2005055313A1 (ja) | 静電チャックおよび露光装置ならびに被吸着物の吸着方法 | |
| TW200916970A (en) | An exposing equipment | |
| JP2009105183A (ja) | 投影露光装置 |