RU2671549C1 - Фотоэлектрический преобразователь с просветляющим нанопокрытием - Google Patents
Фотоэлектрический преобразователь с просветляющим нанопокрытием Download PDFInfo
- Publication number
- RU2671549C1 RU2671549C1 RU2018104996A RU2018104996A RU2671549C1 RU 2671549 C1 RU2671549 C1 RU 2671549C1 RU 2018104996 A RU2018104996 A RU 2018104996A RU 2018104996 A RU2018104996 A RU 2018104996A RU 2671549 C1 RU2671549 C1 RU 2671549C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- coating
- antireflection
- ohmic contact
- face
- Prior art date
Links
- 239000002103 nanocoating Substances 0.000 title claims abstract description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000028016 temperature homeostasis Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно к конструкции фотоэлектрических преобразователей. Технический результат изобретения заключается в снижении поверхностного удельного сопротивления и уменьшении площади металлической контактной сетки (увеличение незатененной площади ФЭП не менее чем на 3%), что приводит к повышению КПД преобразования солнечной энергии в электрическую не менее чем на один абсолютный процент. Указанный технический результат достигается тем, что фотоэлектрический преобразователь с просветляющим нанопокрытием включает в себя полупроводниковую структуру AlGaInP/GaInP/Ga(In)As/Ge с фронтальным слоем AlGaInP, лицевой омический контакт, тыльный омический контакт и просветляющее покрытие. Между фронтальным слоем и просветляющим покрытием нанесен туннельный барьер, представляющий собой слой TaOтолщиной 1÷2 нм. Просветляющее покрытие выполнено двухслойным и содержит последовательно нанесенный токопроводящий слой оксида цинка, допированного алюминием ZnO:Al толщиной 50÷60 нм, на который непосредственно нанесен лицевой омический контакт, и слой оксида кремния SiOтолщиной 70÷90 нм. 1 ил.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно к конструкции фотоэлектрических преобразователей.
Наиболее эффективными с энергетической точки зрения устройствами для превращения солнечной энергии в электрическую (т.к. это прямое, одноступенчатое преобразование энергии) являются полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи (ФЭП).
Основные необратимые потери энергии в ФЭП связаны с:
- отражением солнечного излучения от поверхности преобразователя;
- прохождением части излучения через ФЭП без поглощения в нем;
- рассеянием на тепловых колебаниях решетки избыточной энергии образовавшихся фотопар;
- рекомбинацией образовавшихся фотопар на поверхностях и в объеме ФЭП;
- внутренним сопротивлением преобразователя и некоторыми другими физическими процессами.
Для уменьшения всех видов потерь энергии в ФЭП разрабатываются и успешно применяются различные мероприятия. К их числу относятся:
- использование полупроводников с оптимальной для солнечного излучения шириной запрещенной зоны;
- направленное улучшение свойств полупроводниковой структуры путем ее оптимального легирования и создания встроенных электрических полей;
- оптимизация конструктивных параметров ФЭП (глубины залегания p-n-перехода, толщины базового слоя, частоты контактной сетки и др.);
- применение многофункциональных оптических покрытий, обеспечивающих просветление, терморегулирование и защиту ФЭП от космической радиации;
- разработка ФЭП, прозрачных в длинноволновой области солнечного спектра за краем основной полосы поглощения;
- переход от гомогенных к гетерогенным и варизонным полупроводниковым структурам. Создание каскадных ФЭП из специально подобранных по ширине запрещенной зоны полупроводников, позволяющих преобразовывать в каждом каскаде излучение, прошедшее через предыдущий каскад, и пр.
Главной задачей усовершенствований ФЭП является увеличение КПД преобразования солнечной энергии в электрическую.
Известен патент, принятый нами за прототип, RU №2436191 (опубликованный 10.12.2011 г.) «Каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием», в котором предложен ФЭП на основе многослойной полупроводниковой структуры AlGaInP/GaInP/Ga(In)As/Ge, где фронтальный слой AlxGayIn1-x-yP, где х=0,53, y=0,47, толщиной 30÷40 нм. Просветляющее покрытие выполнено трехслойным и включает последовательно нанесенные слои Si02 толщиной 70÷80 нм, Si3N4 толщиной 25÷35 нм и TiOx, где х=1,8÷2,2, толщиной 20÷30 нм. Технический эффект в прототипе обеспечивается применением оптических покрытий, обеспечивающих просветление в ФЭП.
Недостатком указанного технического решения является то, что сохраняются значительные потери на контактной металлической сетке и не достигается максимально возможный КПД преобразования солнечного излучения.
Задачей заявляемого изобретения является разработка конструкции фотоэлектрического преобразователя с токопроводящим просветляющим нанопокрытием, обладающего повышенным КПД и низким коэффициентом отражения в коротковолновой и длинноволновой области солнечного спектра.
Технический результат изобретения заключается в снижении поверхностного удельного сопротивления и уменьшения площади металлической контактной сетки лицевого контакта (увеличение незатененной площади ФЭП не менее чем на 3%), что приводит к повышению КПД преобразования солнечной энергии в электрическую не менее чем на один абсолютный процент.
Указанный технический результат достигается тем, что в фотоэлектрическом преобразователе, включающем в себя полупроводниковую структуру AlGaInP/GaInP/Ga(In)As/Ge с фронтальным слоем AlGaInP, лицевой омический контакт, тыльный омический контакт и просветляющее покрытие. Между фронтальным слоем и просветляющим покрытием нанесен туннельный барьер, представляющий собой слой Ta2O5 толщиной 1÷2 нм. Просветляющее покрытие выполнено двухслойным и содержит последовательно нанесенный токопроводящий слой оксида цинка, допированного алюминием ZnO:Al, толщиной 50÷60 нм, на который непосредственно нанесен лицевой омический контакт, и слой оксида кремния SiO2 толщиной 70÷90 нм.
Само просветляющее покрытие выполняет двойную функцию: оно снижает отражение в широком спектре падающего солнечного излучения и снижает внутреннее сопротивление и площадь лицевой металлической контактной сетки.
Технический результат изобретения достигается за счет использования проводящего слоя ZnO:Al в составе просветляющего токопроводящего нанопокрытия и, дополнительно, туннельного слоя Та2О5 толщиной 1÷2 нм, необходимого для выполнения функции диффузионного барьера между материалами проводящего слоя ZnO:Al и фронтального слоя AlxGayIn1-x-yP.
Формирование просветляющего покрытия на фронтальной поверхности фотоэлектрического преобразователя необходимо для уменьшения потерь на отражение солнечного излучения. Включение в состав просветляющего нанопокрытия фотоэлектрического преобразователя токопроводящего слоя ZnO:Al, выполняющего совместно с металлической контактной сеткой функцию токосъема лицевого контакта, позволяет снизить сопротивление лицевого поверхностного электрода и одновременно, за счет этого, снизить площадь металлической контактной сетки. Наличие у просветляющего покрытия функции токосъема позволяет уменьшить общее сопротивление лицевого электрода и снизить омические потери. Выбор материалов для создания просветляющего покрытия общего состава Ta2O5/ZnO:Al/SiO2 обусловлен тем, что помимо низкого коэффициента отражения такая структура включает в себя токопроводящий слой, что в итоге приводит к увеличению КПД из-за уменьшения удельного поверхностного сопротивления и уменьшения площади металлической контактной сетки. Толщины слоев ZnO:Al в 50÷60 нм и SiO2 в 70÷90 нм обусловлены минимальными значениями отражения просветляющей системы в видимой и ближней инфракрасной области спектра. Также слой SiO2 выполняет функцию защитного слоя для всей конструкции. Если толщины слоев ZnO:Al и SiO2 будут больше и или меньше указанных значений, то это приведет к возрастанию коэффициента отражения в видимой и длинноволновой области солнечного спектра. Расчет минимального коэффициента отражения двухслойной, четвертьволновой просветляющей системы (n2h2=n3h3=λ0/4) при контроле на длине волны λ0 производится по формуле 
, где n2, n3, n4 - показатели преломления для SiO2, ZnO и фронтального слоя соответственно, h2 и h3 толщины SiO2 и ZnO соответственно.
При расположении металлической контактной сетки лицевого электрода на слое ZnO:Al, а не на контактном промежуточном слое, можно избежать повреждений полупроводниковой структуры ФЭП, присущих обычному ее формированию. В прототипе в местах вжигания металлической контактной сетки в контактный промежуточный слой GaAs в локальных местах происходит слишком глубокое проникновение металла контактной сетки в полупроводниковую структуру с затрагиванием активной части p-n-перехода, что приводит к формированию центров рекомбинации на продиффундировавших вглубь атомах металла и к увеличению рекомбинации образовавшихся фотопар в результате возникающих дефектов, что приводит к снижению КПД, возможно также локальное короткое замыкание p-n-перехода. Размещение же металлической контактной сетки на поверхности слоя оксида цинка устраняет проникновение металла вглубь полупроводниковой структуры AlGaInP/GaInP/Ga(In)As/Ge ФЭП.
Заявляемый фотоэлектрический преобразователь с просветляющим нанопокрытием поясняется чертежом, где схематически показано сечение фотопреобразователя.
Фотоэлектрический преобразователь с нанотолщинным просветляющим покрытием содержит:
- полупроводниковую структуру AlGaInP/GaInP/Ga(In)As/Ge с фронтальным слоем AlGaInP - 1;
- просветляющее и одновременно токопроводящее покрытие 2 на поверхности фронтального слоя состоит из слоя оксида цинка 6, допированного алюминием ZnO:Al толщиной 50÷60 нм с показателем преломления n=2,2, и слоя 7 из оксида кремния SiO2 толщиной 70÷90 нм с показателем преломления n=1,45;
- тыльный омический контакт - 3;
- тонкий промежуточный туннельный барьерный слой 4 из Та2О5 толщиной до 2 нм;
- лицевой омический контакт 5 в виде металлических дорожек.
Пример конкретного выполнения
Изготовлен лицевой электрод фотоэлектрического преобразователя с просветляющим нанопокрытием, состоящим из слоя Ta2O5 толщиной 1 нм и слоя ZnO:Al толщиной 55 нм, нанесенных методом атомно-слоевого осаждения, металлических дорожек толщиной 0,3 мкм и шириной 20 мкм, и финального защитного слоя из SiO2 толщиной 85 нм, закрывающего слой ZnO:Al с металлическими дорожками.
Изготовленный таким образом на поверхности полупроводниковой структуры лицевой электрод обладает повышенной проводимостью и прозрачностью, что привело к повышению КПД фотоэлектрического преобразователя не менее чем на один абсолютный процент.
Заявляемый фотоэлектрический преобразователь с просветляющим токопроводящим нанопокрытием помимо низкого коэффициента отражения во всем спектре преобразования солнечного излучения дополнительно обладает низким поверхностным удельным сопротивлением и уменьшенной площадью металлической контактной сетки (увеличение незатененной площади ФЭП не менее чем на 3%), что приводит к получению максимального КПД (не менее чем на один абсолютный процент) преобразования солнечной энергии в электрическую.
Claims (1)
- Фотоэлектрический преобразователь с просветляющим нанопокрытием, включающий полупроводниковую структуру AlGaInP/GaInP/Ga(In)As/Ge с фронтальным слоем AlGaInP, лицевой омический контакт, тыльный омический контакт и просветляющее покрытие, отличающийся тем, что между фронтальным слоем и просветляющим покрытием нанесен туннельный барьер, представляющий собой слой Та2О5 толщиной 1÷2 нм, просветляющее покрытие выполнено двухслойным и содержит последовательно нанесенный токопроводящий слой оксида цинка, допированного алюминием ZnO:Al, толщиной 50÷60 нм, на который непосредственно нанесен металлический лицевой омический контакт, и слой оксида кремния SiO2 толщиной 70÷90 нм.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018104996A RU2671549C1 (ru) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | Фотоэлектрический преобразователь с просветляющим нанопокрытием |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018104996A RU2671549C1 (ru) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | Фотоэлектрический преобразователь с просветляющим нанопокрытием |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2671549C1 true RU2671549C1 (ru) | 2018-11-01 |
Family
ID=64103205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018104996A RU2671549C1 (ru) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | Фотоэлектрический преобразователь с просветляющим нанопокрытием |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2671549C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109539604A (zh) * | 2019-01-17 | 2019-03-29 | 河北道荣新能源科技有限公司 | 薄膜光伏发电耦合选择性吸收涂层结构 |
| CN109631353A (zh) * | 2019-01-17 | 2019-04-16 | 河北道荣新能源科技有限公司 | 薄膜光伏发电耦合选择性吸收涂层制法及其集热管制法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6316715B1 (en) * | 2000-03-15 | 2001-11-13 | The Boeing Company | Multijunction photovoltaic cell with thin 1st (top) subcell and thick 2nd subcell of same or similar semiconductor material |
| RU2436191C1 (ru) * | 2010-06-28 | 2011-12-10 | Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации | Каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием |
| RU2442242C1 (ru) * | 2010-10-20 | 2012-02-10 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Многопереходный преобразователь |
| US20130092218A1 (en) * | 2011-10-17 | 2013-04-18 | International Business Machines Corporation | Back-surface field structures for multi-junction iii-v photovoltaic devices |
| US20130104970A1 (en) * | 2011-10-14 | 2013-05-02 | Florida State University Research Foundation, Inc. | Four junction solar cell |
| RU2605839C2 (ru) * | 2015-03-03 | 2016-12-27 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС" (Госкорпорация "РОСКОСМОС") | Фотоэлектрический преобразователь |
-
2018
- 2018-02-09 RU RU2018104996A patent/RU2671549C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6316715B1 (en) * | 2000-03-15 | 2001-11-13 | The Boeing Company | Multijunction photovoltaic cell with thin 1st (top) subcell and thick 2nd subcell of same or similar semiconductor material |
| RU2436191C1 (ru) * | 2010-06-28 | 2011-12-10 | Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации | Каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием |
| RU2442242C1 (ru) * | 2010-10-20 | 2012-02-10 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Многопереходный преобразователь |
| US20130104970A1 (en) * | 2011-10-14 | 2013-05-02 | Florida State University Research Foundation, Inc. | Four junction solar cell |
| US20130092218A1 (en) * | 2011-10-17 | 2013-04-18 | International Business Machines Corporation | Back-surface field structures for multi-junction iii-v photovoltaic devices |
| RU2605839C2 (ru) * | 2015-03-03 | 2016-12-27 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС" (Госкорпорация "РОСКОСМОС") | Фотоэлектрический преобразователь |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109539604A (zh) * | 2019-01-17 | 2019-03-29 | 河北道荣新能源科技有限公司 | 薄膜光伏发电耦合选择性吸收涂层结构 |
| CN109631353A (zh) * | 2019-01-17 | 2019-04-16 | 河北道荣新能源科技有限公司 | 薄膜光伏发电耦合选择性吸收涂层制法及其集热管制法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI513014B (zh) | 高性能光電元件 | |
| KR100974226B1 (ko) | 유전체를 이용한 태양전지의 후면 반사막 및 패시베이션층형성 | |
| RU2423755C2 (ru) | Лицевой контакт с промежуточным слоем (слоями), смежным(и) с ним для использования в фотоэлектрических устройствах, и способ его производства | |
| KR101098152B1 (ko) | 태양 전지 | |
| SA109300244B1 (ar) | الكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه | |
| JP2013508998A (ja) | 酸素富化界面を有する分極抵抗型太陽電池 | |
| JP2009231505A (ja) | 太陽電池 | |
| RU2671549C1 (ru) | Фотоэлектрический преобразователь с просветляющим нанопокрытием | |
| JP5123830B2 (ja) | 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、及び反射防止膜を用いた半導体装置 | |
| Sarker et al. | Optimization of multilayer antireflection coatings for improving performance of silicon solar cells | |
| RU2455730C2 (ru) | Солнечный элемент | |
| CN103563094A (zh) | 光电转换元件 | |
| RU2436191C1 (ru) | Каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием | |
| CN103715276A (zh) | 太阳能电池及其模组 | |
| KR101814821B1 (ko) | 태양전지 모듈 | |
| Dobrozhan et al. | Optical and recombination losses in thin film solar cells based on heterojunctions n-ZnS (n-CdS)/p-CdTe with current collecting contacts ITO and ZnO | |
| JP2008159799A (ja) | 光起電力装置 | |
| JP5542038B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法、薄膜太陽電池モジュール | |
| CN103165686B (zh) | 一种具有减反射膜的五结太阳能电池 | |
| JPH05145096A (ja) | 透過型太陽電池 | |
| JP5542025B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2015141941A (ja) | 太陽電池および太陽電池モジュール | |
| JP6456585B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| TWI464889B (zh) | 具異質介面之太陽能電池及其製造方法 | |
| JPS59152675A (ja) | アモルフアスシリコン光起電力素子 |