RU2652156C2 - Способ измерения толщины тонкопленочных диэлектрических материалов - Google Patents

Способ измерения толщины тонкопленочных диэлектрических материалов Download PDF

Info

Publication number
RU2652156C2
RU2652156C2 RU2016131868A RU2016131868A RU2652156C2 RU 2652156 C2 RU2652156 C2 RU 2652156C2 RU 2016131868 A RU2016131868 A RU 2016131868A RU 2016131868 A RU2016131868 A RU 2016131868A RU 2652156 C2 RU2652156 C2 RU 2652156C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
teeth
comb
flat
thin
sensor
Prior art date
Application number
RU2016131868A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2016131868A (ru
RU2016131868A3 (ru
Inventor
Алексей Владимирович Хорват
Original Assignee
Алексей Владимирович Хорват
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Алексей Владимирович Хорват filed Critical Алексей Владимирович Хорват
Priority to RU2016131868A priority Critical patent/RU2652156C2/ru
Publication of RU2016131868A publication Critical patent/RU2016131868A/ru
Publication of RU2016131868A3 publication Critical patent/RU2016131868A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2652156C2 publication Critical patent/RU2652156C2/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/02Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Abstract

Использование: для контроля толщины тонкопленочных диэлектрических материалов. Сущность изобретения заключается в том, что размещают диэлектрический материал на поверхности предварительно оттарированного датчика контроля толщины тонкопленочных диэлектрических материалов, содержащего электроды, выполненные в виде двух плоских гребенок, имеющих зубья и основание в виде плоских прямоугольников, соединенных между собой и нанесенных на плоское диэлектрическое основание, при этом зубья одной гребенки размещают между зубьями второй гребенки с образованием равномерно чередующихся зубьев и зазоров между ними, причем ширину зазора между зубьями выполняют равной ширине зуба, с последующим определением изменения емкости датчика и толщины тонкопленочного диэлектрического материала по изменению емкости датчика, при этом с двух диаметрально расположенных углов датчика устанавливают дополнительные электроды таким образом, что на каждом упомянутом углу размещается по меньшей мере два плоских Г-образных электрода, причем внутренний Г-образный электрод образуют зубом и основанием соответствующей плоской гребенки, при этом потенциал дополнительных электродов обеспечивают по величине и знаку равным потенциалу вблизи расположенного электрода, образующего гребенку. Технический результат: обеспечение возможности при контроле толщины тонкопленочных диэлектрических материалов исключить краевой эффект и тем самым повысить точность измерений. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Description

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при создании способов и датчиков контроля толщины осадка в осадкообразующих жидкостях.
Известен способ контроля толщины осадка и датчик для его реализации, содержащий электроды, погружаемые в сосуд с жидкостью, включенные в схему измерения емкости между этими электродами, при этом электроды выполнены в виде плоских гребенок, нанесенных на плоское диэлектрическое основание, устанавливаемое на дне сосуда (А.с. СССР №309229, заявка №1409792/25-28 от 27.11.1970, МПК G01В 7/34 - прототип).
Способ реализуется следующим образом. Осадок в виде тонкого слоя, покрывающий основание датчика, приводит к изменению емкости между электродами, нанесенными на это основание. Баланс схемы измерения емкости нарушается и на выходе ее появляется электрический сигнал, соответствующий контролируемой толщине осадка.
Основным недостатком указанного способа является недостаточно высокая точность измерения, связанная с наличием краевого эффекта при изменении емкости датчика.
Задачей изобретения является устранение указанных недостатков и создание способа контроля толщины тонкопленочных диэлектрических материалов, позволяющего исключить краевой эффект и тем самым повысить точность измерений.
Решение указанной задачи достигается тем, что в предлагаемом способе измерения толщины тонкопленочных диэлектрических материалов, заключающемся в размещении диэлектрического материала на поверхности предварительно оттарированного датчика контроля толщины тонкопленочных диэлектрических материалов, содержащего электроды, выполненные в виде двух плоских гребенок, имеющих зубья и основание в виде плоских прямоугольников, соединенных между собой и нанесенных на плоское диэлектрическое основание, при этом зубья одной гребенки размещают между зубьями второй гребенки с образованием равномерно чередующихся зубьев и зазоров между ними, причем ширину зазора между зубьями выполняют равной ширине зуба, с последующим определением изменения емкости датчика и толщины тонкопленочного диэлектрического материала по изменению емкости датчика, согласно изобретению с двух диаметрально расположенных углов датчика устанавливают дополнительные электроды таким образом, что на каждом упомянутом углу размещается по меньшей мере два плоских Г-образных электрода, причем внутренний Г-образный электрод образуют зубом и основанием соответствующей плоской гребенки, при этом потенциал дополнительных электродов обеспечивают по величине и знаку равным потенциалу вблизи расположенного электрода, образующего гребенку.
В варианте применения способа зазоры между дополнительными электродами выполняют равными зазорам между зубьями гребенки.
В варианте применения способа зазоры между дополнительными электродами и дополнительными электродами и зубьями гребенки выполняют равными зазорам между зубьями гребенки.
Сущность технического решения иллюстрируется чертежами, где на фиг. 1 показан общий вид предложенного датчика, на фиг. 2 - поперечное сечение датчика с тонким диэлектрическим материалом, на фиг. 3 - распределение линий поля при наличии краевого эффекта без дополнительных электродов, на фиг. 4 - распределение линий поля без краевого эффекта с дополнительными электродами.
Предлагаемый способ может быть реализован при помощи датчика контроля толщины тонкопленочных диэлектрических материалов (далее - датчик), имеющего следующую конструкцию.
Датчик контроля толщины тонкопленочных диэлектрических материалов (далее - датчик) содержит электроды, выполненные в виде двух плоских гребенок 1 и 2, имеющих зубья 3 и 4 соответственно и основание в виде плоских прямоугольников 5 и 6, соединенных между собой и нанесенных на плоское диэлектрическое основание 7 датчика. Зубья 3 одной гребенки входят в зазоры между зубьями 4 второй гребенки с образованием равномерно чередующихся зубьев и зазоров 8 между ними. Ширина зазора 8 между зубьями равна ширине зуба 3 или 4. С двух диаметрально расположенных углов датчика установлены дополнительные электроды 9 и 10 таким образом, что на каждом упомянутом углу располагается по меньшей мере два плоских Г-образных электрода, при этом внутренний Г-образный электрод образован зубом и основанием соответствующей плоской гребенки. Силовые линии электрического поля дополнительных электродов направлены от рабочего электрода в бесконечность ко второму Г-образному электроду, расположенному рядом. Таким образом, дополнительные электроды, не взаимодействуя с основными электродами, блокируют воздействие внешних электрических полей.
На датчик укладывается тонкопленочный диэлектрический материал 11.
Датчик включается в схему измерения емкости между электродами (не обозначена и не показана).
Предложенный способ может быть реализован при помощи указанного датчика следующим образом.
Предварительно датчик включается в схему измерения емкости между электродами и на датчик укладывается тонкопленочный диэлектрический материал 11.
Тонкопленочный диэлектрический материал 11, в виде тонкого слоя покрывающий плоское диэлектрическое основание 7 датчика, приводит к изменению емкости между электродами, выполненными в виде двух плоских гребенок 1 и 2, имеющих зубья 3 и 4 соответственно и основание в виде плоских прямоугольников 5 и 6, соединенных между собой и нанесенных на плоское диэлектрическое основание 7 датчика, при этом наличие дополнительных электродов 9 и 10 позволяет устранить краевой эффект за счет того, что силовые линии электрического поля дополнительных электродов направлены от рабочего электрода в бесконечность и ко второму Г-образному электроду, расположенному рядом. Таким образом, дополнительные электроды, не взаимодействуя с основными электродами, блокируют воздействие внешних электрических полей.
Баланс схемы измерения емкости после установки тонкопленочного диэлектрического материала нарушается и на выходе ее появляется электрический сигнал, соответствующий контролируемой толщине тонкопленочного диэлектрического материала 11.
Использование предлагаемого технического решения позволит создать датчик контроля толщины тонкопленочного диэлектрического материала, позволяющий исключить краевой эффект и тем самым повысить точность измерений.

Claims (3)

1. Способ измерения толщины тонкопленочных диэлектрических материалов, заключающийся в размещении диэлектрического материала на поверхности предварительно оттарированного датчика контроля толщины тонкопленочных диэлектрических материалов, содержащего электроды, выполненные в виде двух плоских гребенок, имеющих зубья и основание в виде плоских прямоугольников, соединенных между собой и нанесенных на плоское диэлектрическое основание, при этом зубья одной гребенки размещают между зубьями второй гребенки с образованием равномерно чередующихся зубьев и зазоров между ними, причем ширину зазора между зубьями выполняют равной ширине зуба, с последующим определением изменения емкости датчика и толщины тонкопленочного диэлектрического материала по изменению емкости датчика, отличающийся тем, что с двух диаметрально расположенных углов датчика устанавливают дополнительные электроды таким образом, что на каждом упомянутом углу размещается по меньшей мере два плоских Г-образных электрода, причем внутренний Г-образный электрод образуют зубом и основанием соответствующей плоской гребенки, при этом потенциал дополнительных электродов обеспечивают по величине и знаку равным потенциалу вблизи расположенного электрода, образующего гребенку.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что зазоры между дополнительными электродами выполняют равными зазорам между зубьями гребенки.
3. Датчик контроля по п. 1, отличающийся тем, что зазоры между дополнительными электродами и дополнительными электродами и зубьями гребенки выполняют равными зазорам между зубьями гребенки.
RU2016131868A 2016-08-03 2016-08-03 Способ измерения толщины тонкопленочных диэлектрических материалов RU2652156C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016131868A RU2652156C2 (ru) 2016-08-03 2016-08-03 Способ измерения толщины тонкопленочных диэлектрических материалов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016131868A RU2652156C2 (ru) 2016-08-03 2016-08-03 Способ измерения толщины тонкопленочных диэлектрических материалов

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2016131868A RU2016131868A (ru) 2018-02-08
RU2016131868A3 RU2016131868A3 (ru) 2018-04-03
RU2652156C2 true RU2652156C2 (ru) 2018-04-25

Family

ID=61174199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016131868A RU2652156C2 (ru) 2016-08-03 2016-08-03 Способ измерения толщины тонкопленочных диэлектрических материалов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2652156C2 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114354976B (zh) * 2022-03-21 2022-05-20 成都华托微纳智能传感科技有限公司 一种降低边缘效应的mems加速度计

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU309229A1 (ru) * Датчик толщины осадка
JPS57106803A (en) * 1980-12-25 1982-07-02 Fuji Electric Co Ltd Measuring device for thickness of film
SU1158857A1 (ru) * 1982-10-18 1985-05-30 Киевский технологический институт легкой промышленности Измеритель толщины полимерных пленок
SU1186935A1 (ru) * 1984-05-16 1985-10-23 Киевский технологический институт легкой промышленности Устройство дл контрол толщины диэлектрического покрыти на диэлектрической основе
SU1456765A1 (ru) * 1987-06-11 1989-02-07 Львовский Государственный Университет Им.И.Франко Емкостный датчик-свидетель дл контрол толщины напыл емой диэлектрической пленки
US20110107833A1 (en) * 2008-04-04 2011-05-12 Pierre Thibault Capacitive detector, method for manufacturing same, and device for measuring the integral

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU309229A1 (ru) * Датчик толщины осадка
JPS57106803A (en) * 1980-12-25 1982-07-02 Fuji Electric Co Ltd Measuring device for thickness of film
SU1158857A1 (ru) * 1982-10-18 1985-05-30 Киевский технологический институт легкой промышленности Измеритель толщины полимерных пленок
SU1186935A1 (ru) * 1984-05-16 1985-10-23 Киевский технологический институт легкой промышленности Устройство дл контрол толщины диэлектрического покрыти на диэлектрической основе
SU1456765A1 (ru) * 1987-06-11 1989-02-07 Львовский Государственный Университет Им.И.Франко Емкостный датчик-свидетель дл контрол толщины напыл емой диэлектрической пленки
US20110107833A1 (en) * 2008-04-04 2011-05-12 Pierre Thibault Capacitive detector, method for manufacturing same, and device for measuring the integral

Also Published As

Publication number Publication date
RU2016131868A (ru) 2018-02-08
RU2016131868A3 (ru) 2018-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20130276533A1 (en) Device for measuring fluid level in a container
RU2652156C2 (ru) Способ измерения толщины тонкопленочных диэлектрических материалов
EP2868623A1 (en) All-silicon electrode capacitive transducer on a glass substrate
US10697818B2 (en) Capacitive detection device and measuring device including same
JP7071723B2 (ja) 複素誘電率測定用回路、複素誘電率測定装置及び複素誘電率の測定方法
RU2624660C1 (ru) Датчик контроля толщины тонкопленочных диэлектрических материалов
US20150346132A1 (en) Apparatus for identifying a value of a property of a fluid which is to be measured, method for operating an apparatus for identifying a value of a property of a fluid which is to be measured, and method for manufacturing an apparatus for identifying a value of a property of a fluid which is to be measured
RU2624589C1 (ru) Способ контроля толщины осадка
RU2624657C1 (ru) Датчик контроля толщины осадка
RU168950U1 (ru) Датчик контроля толщины тонкопленочных диэлектрических материалов
RU167121U1 (ru) Датчик контроля толщины осадка
GB2542354A (en) Wind sensor housing
BR112016017998B1 (pt) Componente micro mecânico e método para a operação de um componente micro mecânico
CN105758902A (zh) 基于pcb和电场边缘效应的水含量测量探头及制作方法
RU104727U1 (ru) Первичный преобразователь для измерения электрической емкости (диэлектрической проницаемости) и электрического сопротивления (удельной электропроводности) жидкости или газа
Babu et al. Design of a low cost signal conditioning circuit for self-compensated non contact capacitive type multi threshold liquid level sensor
EA026858B1 (ru) Способ измерения контактной разности потенциалов
JP2018532991A (ja) 容量性構造体及び容量性構造体を用いて電荷量を特定する方法
RU2439504C2 (ru) Устройство для измерения положения границы раздела фаз в расслоенном водонефтяном потоке
KR100968896B1 (ko) 복소 전기용량 측정 장치
JPS61233323A (ja) 溶液レベルの測定方法
KR101324430B1 (ko) 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 장치 및 방법
RU2005999C1 (ru) Устройство для измерения уровня жидкости
SU82237A1 (ru) Емкостный датчик напр жений
SU737784A1 (ru) Шкала дл измерительных систем