RU2634534C2 - Устройство для нанесения покрытий в вакууме - Google Patents

Устройство для нанесения покрытий в вакууме Download PDF

Info

Publication number
RU2634534C2
RU2634534C2 RU2016116051A RU2016116051A RU2634534C2 RU 2634534 C2 RU2634534 C2 RU 2634534C2 RU 2016116051 A RU2016116051 A RU 2016116051A RU 2016116051 A RU2016116051 A RU 2016116051A RU 2634534 C2 RU2634534 C2 RU 2634534C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
wall
housing
water cooling
cooling channel
magnetic system
Prior art date
Application number
RU2016116051A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2016116051A (ru
Inventor
Вадим Васильевич Одиноков
Георгий Яковлевич Павлов
Александр Валерьевич Шубников
Виталий Вячеславович Панин
Евгения Григорьевна Гусева
Наталья Борисовна Гусева
Ирина Дмитриевна Федорова
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" filed Critical Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения"
Priority to RU2016116051A priority Critical patent/RU2634534C2/ru
Publication of RU2016116051A publication Critical patent/RU2016116051A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2634534C2 publication Critical patent/RU2634534C2/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий в вакууме. Устройство содержит плоскую мишень, установленную на основании, первую магнитную систему, расположенную внутри корпуса с первым каналом водяного охлаждения, источник питания электрического разряда и источник ионов газа. Основание установлено на корпусе. Источник ионов газа содержит внутренний полюсный наконечник с первой стенкой, внешний полюсный наконечник со второй стенкой, кольцевой анод со вторым каналом водяного охлаждения, плиту с третьим каналом водяного охлаждения, вторую магнитную систему и высоковольтный источник питания. Первая стенка и вторая стенка расположены напротив друг друга и образуют выходную апертуру, расположенную со стороны плоской мишени, а внутренний полюсный наконечник и внешний полюсный наконечник охватывают корпус с внешней стороны и отделены от него изолятором. В результате снижается рабочее давление и повышается качество наносимых покрытий. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Description

Изобретение относится к области вакуумно-плазменной техники, а более конкретно к устройствам, предназначенным, прежде всего, для нанесения на изделия функциональных покрытий, применяемых в микро- и наноэлектронике.
Известно устройство для нанесения покрытий в вакууме, содержащее плоскую мишень, выполненную из металла, установленную на основании и закрепленную на нем с помощью прижима, содержащее также первую магнитную систему, расположенную внутри корпуса с первым каналом водяного охлаждения, при этом основание установлено на корпусе, содержащее также источник питания электрического разряда, отрицательным полюсом соединенный с корпусом, а положительным полюсом соединенный с заземляющим проводником, при этом мишень, основание, первая магнитная система и корпус расположены коаксиально вертикальной оси [RU 2401882].
Технический результат изобретения заключается в снижении рабочего давления и повышении качества наносимых покрытий.
Указанный технический результат достигается тем, что в устройство для нанесения покрытий в вакууме, содержащее плоскую мишень, выполненную из металла, установленную на основании и закрепленную на нем с помощью прижима, содержащее также первую магнитную систему, расположенную внутри корпуса с первым каналом водяного охлаждения, при этом основание установлено на корпусе, содержащее также источник питания электрического разряда, отрицательным полюсом соединенный с корпусом, а положительным полюсом соединенный с заземляющим проводником, при этом мишень, основание, первая магнитная система и корпус расположены коаксиально вертикальной оси, введен источник ионов газа, расположенный коаксиально вертикальной оси, содержащий внутренний полюсный наконечник, включающий первую стенку, содержащий также внешний полюсный наконечник, включающий вторую стенку, при этом первая стенка и вторая стенка расположены напротив друг друга и образуют выходную апертуру, расположенную со стороны плоской мишени, при этом внутренний полюсный наконечник и внешний полюсный наконечник охватывают корпус с внешней стороны и отделены от него изолятором, содержащий также кольцевой анод со вторым каналом водяного охлаждения, плиту с третьим каналом водяного охлаждения, вторую магнитную систему, коаксиально расположенные вокруг корпуса, содержащий также высоковольтный источник питания, положительным полюсом соединенный с кольцевым анодом, а отрицательным полюсом соединенный с заземляющим проводником, причем первый канал водяного охлаждения расположен в первой магнитной системе.
Существует вариант, в котором первая стенка и вторая стенка выходной апертуры расположены параллельно вертикальной оси.
Существует также вариант, в котором первая стенка и вторая стенка выходной апертуры наклонены в сторону мишени и образуют с вертикальной осью угол.
На фиг. 1 изображено устройство для нанесения покрытий в вакууме, разрез.
На фиг. 2 изображено устройство для нанесения покрытий в вакууме, вид сверху.
На фиг. 3 изображено устройство для нанесения покрытий в вакууме с апертурой, расположенной под углом 8 к вертикальной оси, разрез. Угол 5 показан условно по отношению к оси, параллельной вертикальной оси.
На фиг. 4 изображено устройство для нанесения покрытий в вакууме с апертурой, расположенной под углом 5 к вертикальной оси, вид сверху.
Устройство для нанесения покрытий в вакууме содержит плоскую мишень 1, выполненную из металла, например из титана. Мишень 1 установлена на основании 2, выполненном из материала с высокой теплопроводностью, например из меди. Мишень 1 закреплена на основании 2 с помощью прижима 3, изготовленного из немагнитной стали, например из аустенитной коррозионно-стойкой стали. Устройство для нанесения покрытий в вакууме содержит также первую магнитную систему 4. Первая магнитная система 4 расположена внутри корпуса 5, изготовленного из немагнитной стали, например, из аустенитной коррозионно-стойкой стали и снабженного первым каналом водяного охлаждения 6. Этот канал подключен к источнику воды (не показан), в качестве которого можно использовать, например, охладитель с двойным контуром охлаждения. Основание 2 закреплено на корпусе 5. Устройство для нанесения покрытий в вакууме содержит также источник питания электрического разряда 7, отрицательным полюсом соединенный с корпусом 5, а положительным полюсом соединенный с заземляющим проводником 8. В качестве источника питания 7 можно использовать блок питания стабилизированного напряжения или тока с отрицательной полярностью выходного напряжения. В этом блоке имеется гальванически изолированный от корпуса выходной силовой разъем. Мишень 1, основание 2, первая магнитная система 4 и корпус 5 расположены коаксиально вертикальной оси 9. В качестве отличительных признаков в устройство для нанесения покрытий в вакууме введен источник ионов газа 10, расположенный коаксиально вертикальной оси 9. Этот источник, содержащий внутренний полюсный наконечник 11, включающий первую стенку 12, содержит также внешний полюсный наконечник 13, включающий вторую стенку 14. При этом первая стенка 12 и вторая стенка 14 расположены напротив друг друга и образуют выходную апертуру 15, расположенную со стороны плоской мишени 1. Внутренний полюсный наконечник 11 и внешний полюсный наконечник 13 могут быть изготовлены из немагнитной стали, например из аустенитной коррозионно-стойкой стали. Внутренний полюсный наконечник 11 и внешний полюсный наконечник 13 охватывают корпус 5 с внешней стороны и отделены от него изолятором 16, выполненного, например, из фторопласта. Источник ионов газа 10 содержит также кольцевой анод 17 со вторым каналом водяного охлаждения 18. Этот канал подключен к источнику воды (не показан), в качестве которого можно использовать, например, охладитель с двойным контуром охлаждения. В качестве материала кольцевого анода 17 можно использовать аустенитную коррозионно-стойкую сталь. Источник ионов газа 10 содержит также плиту 19 с третьим каналом водяного охлаждения 20. Этот канал подключен к источнику воды (не показан), в качестве которого можно использовать, например, охладитель с двойным контуром охлаждения. Источник ионов газа 10 содержит также вторую магнитную систему 21, коаксиально расположенную вокруг корпуса 5. В качестве второй магнитной системы можно использовать кольцевой постоянный магнит, изготовленный, например, из сплава на основе системы неодим-железо-бор. Источник ионов газа 10 содержит также высоковольтный источник питания 22, положительным полюсом соединенный с кольцевым анодом 17, а отрицательным полюсом соединенный с заземляющим проводником 8. В качестве источника питания 22 можно использовать блок питания стабилизированного напряжения или тока с положительной полярностью выходного напряжения. В блоке имеется гальванически изолированный от корпуса выходной высоковольтный разъем. В одном из вариантов первая магнитная система 4 состоит из постоянного центрального магнита 24, периферийного постоянного магнита 25, изготовленных, например, из сплава на основе системы неодим-железо-бор и установленных на магнитопроводе 23, изготовленном из электротехнической стали.
В одном из вариантов первая стенка 12 и вторая стенка 14 выходной апертуры 15 расположены параллельно вертикальной оси 9.
В другом варианте стенка 12 и вторая стенка 14 выходной апертуры 15 наклонены в сторону мишени 1 и образуют с вертикальной осью 9 угол 5. Угол 8 может быть в диапазоне от 0 до 15 градусов.
Устройство для нанесения покрытий в вакууме работает следующим образом.
В вакуумной камере (не показана), в которой установлено устройство для нанесения покрытий в вакууме, создается остаточное давление с помощью средств откачки (не показаны). Затем в вакуумную камеру подается рабочий газ, например аргон, до рабочего давления порядка 0,1 Па. При подаче на кольцевой анод 17 положительного потенциала от высоковольтного источника питания 22 между кольцевым анодом 17 и внутренним 11 и внешним 13 полюсными наконечниками зажигается электрический разряд при вакууметрическом давлении рабочего газа, например, аргона. В области горения разряда, образованной при пересечении силовых линий магнитного и электрического полей (не показана), происходят генерация ионов рабочего газа и их ускорение через выходную апертуру 15 по направлению к поверхности обрабатываемого изделия (установлено в вакуумной камере, не показано). Происходит обработка поверхности изделия потоком ускоренных ионов газа, результатом которой является ее нагрев и очистка от загрязнений. Далее, при подаче на корпус 5 отрицательного потенциала от источника питания 7 между корпусом 5 и внутренним 11 и внешним 13 полюсными наконечниками зажигается электрический разряд при вакууметрическом давлении рабочего газа, например аргона. В области горения разряда, образованной при пересечении силовых линий магнитного и электрического полей (не показана), происходит генерация ионов, которые, двигаясь по направлению к мишени 1, распыляют атомы материала на ее поверхности. Полученные атомы материала мишени 1 вылетают через прижим 3 по направлению к поверхности обрабатываемого изделия (установлено в вакуумной камере, не показана). Происходит одновременная обработка поверхности изделия потоками ускоренных ионов рабочего газа и атомов материала мишени.
То, что в устройство для нанесения покрытий в вакууме введен источник ионов газа 10, расположенный коаксиально вертикальной оси 9, содержащий внутренний полюсный наконечник 11, включающий первую стенку 12, содержащий также внешний полюсный наконечник 13, включающий вторую стенку 14, при этом первая стенка 12 и вторая стенка 14 расположены напротив друг друга и образуют выходную апертуру 15, расположенную со стороны плоской мишени 1, при этом внутренний полюсный наконечник 11 и внешний полюсный наконечник 13 охватывают корпус 5 с внешней стороны и отделены от него изолятором 16, содержащим также кольцевой анод 17 со вторым каналом водяного охлаждения 18, плиту 19 с третьим каналом водяного охлаждения 20, вторую магнитную систему 21, коаксиально расположенные вокруг корпуса 5, содержащий также высоковольтный источник питания 22, положительным полюсом соединенный с кольцевым анодом 17, а отрицательным полюсом соединенный с заземляющим проводником 8, позволяет сохранять работоспособность устройства при рабочих давлениях ниже 0,1 Па. При этом на поверхности обрабатываемого изделия синтезируются высококачественные плотные (без пор) покрытия с мелкозернистой структурой.
То, что первая стенка 12 и вторая стенка 14 выходной апертуры 15 расположены параллельно вертикальной оси 9, позволяет обрабатывать поверхность изделия потоком ионов рабочего газа с повышенными параметрами качества.
То, что первая стенка 12 и вторая стенка 14 выходной апертуры 15 наклонены в сторону мишени 1 и образуют с вертикальной осью 9 угол 8, позволяет обрабатывать поверхность изделия сходящимся потоком ионов рабочего газа с повышенными параметрами качества.

Claims (3)

1. Устройство для нанесения покрытий в вакууме, содержащее плоскую мишень (1), выполненную из металла, установленную на основании (2) и закрепленную на нем с помощью прижима (3), первую магнитную систему (4), расположенную внутри корпуса (5) с первым каналом водяного охлаждения (6), и источник питания электрического разряда (7), отрицательным полюсом соединенный с корпусом (5), а положительным полюсом соединенный с заземляющим проводником (8), при этом основание (2) установлено на корпусе (5), а мишень (1), основание (2), первая магнитная система (4) и корпус (5) расположены коаксиально вертикальной оси (9) устройства, отличающееся тем, что оно снабжено источником ионов газа (10), расположенным коаксиально вертикальной оси (9) устройства и содержащим внутренний полюсный наконечник (11) с первой стенкой (12), внешний полюсный наконечник (13) со второй стенкой (14), кольцевой анод (17) со вторым каналом водяного охлаждения (18), плиту (19) с третьим каналом водяного охлаждения (20), вторую магнитную систему (21), коаксиально расположенную вокруг корпуса (5), высоковольтный источник питания (22), положительным полюсом соединенный с кольцевым анодом (17), а отрицательным полюсом соединенный с заземляющим проводником (8), при этом первая стенка (12) и вторая стенка (14) расположены напротив друг друга и образуют выходную апертуру (15), расположенную со стороны плоской мишени (1), а внутренний полюсный наконечник (11) и внешний полюсный наконечник (13) охватывают корпус (5) с внешней стороны и отделены от него изолятором (16), причем первый канал водяного охлаждения (6) расположен в первой магнитной системе (4).
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что первая стенка (12) и вторая стенка (14) выходной апертуры (15) расположены параллельно вертикальной оси (9) устройства.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что первая стенка (12) и вторая стенка (14) выходной апертуры (15) наклонены в сторону мишени (1) и расположены под углом к вертикальной оси (9) устройства.
RU2016116051A 2016-04-25 2016-04-25 Устройство для нанесения покрытий в вакууме RU2634534C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016116051A RU2634534C2 (ru) 2016-04-25 2016-04-25 Устройство для нанесения покрытий в вакууме

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016116051A RU2634534C2 (ru) 2016-04-25 2016-04-25 Устройство для нанесения покрытий в вакууме

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2016116051A RU2016116051A (ru) 2017-10-30
RU2634534C2 true RU2634534C2 (ru) 2017-10-31

Family

ID=60263662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016116051A RU2634534C2 (ru) 2016-04-25 2016-04-25 Устройство для нанесения покрытий в вакууме

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2634534C2 (ru)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000026430A1 (fr) * 1998-10-30 2000-05-11 Applied Materials Inc. Appareil de pulverisation
RU2311492C1 (ru) * 2006-04-28 2007-11-27 Виктор Иванович Чайрев Устройство для высокоскоростного магнетронного распыления
RU2401882C1 (ru) * 2009-02-27 2010-10-20 ОАО "Кварц" Узел катода магнетронного распылителя

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000026430A1 (fr) * 1998-10-30 2000-05-11 Applied Materials Inc. Appareil de pulverisation
RU2311492C1 (ru) * 2006-04-28 2007-11-27 Виктор Иванович Чайрев Устройство для высокоскоростного магнетронного распыления
RU2401882C1 (ru) * 2009-02-27 2010-10-20 ОАО "Кварц" Узел катода магнетронного распылителя

Also Published As

Publication number Publication date
RU2016116051A (ru) 2017-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3956093A (en) Planar magnetron sputtering method and apparatus
US20040251410A1 (en) Ion source
JP2012124168A (ja) ビーム状プラズマ源
CN103781271A (zh) 一种可用于伤口愈合的常压冷等离子体发生装置
US4622122A (en) Planar magnetron cathode target assembly
JP2016511911A (ja) プラズマ化学気相成長法(pecvd)源
CN104595139A (zh) 一种圆柱型会切磁场推力器
US10272454B2 (en) Compressed air treatment chamber
EP2739764A2 (en) Ion source
RU2634534C2 (ru) Устройство для нанесения покрытий в вакууме
KR20120041475A (ko) 노즐 구조에 의한 상압 플라즈마 토치 발생장치
RU143138U1 (ru) Управляемый вакуумный разрядник
JP2009081015A (ja) 負イオン生成装置
JP2014051699A (ja) 合金薄膜生成装置
JP2002241928A (ja) 放電型プラズマ成膜装置とその方法
RU2402637C2 (ru) Устройство для нанесения покрытия на внутреннюю поверхность трубы
RU2019124162A (ru) Электродуговой плазмотрон
RU2390579C2 (ru) Способ нанесения покрытия на внутреннюю поверхность трубы
CN108231529A (zh) 低压磁控阴极离子源
RU127753U1 (ru) Магнетрон
RU2003116203A (ru) Ионный источник с холодным катодом
RU2650650C1 (ru) Способ циркуляционного ионного азотирования изделий из металла и устройство для его осуществления
JP2019508852A (ja) プラズマ処理装置用カソード
UA87745U (ru) Плазменный реактор с магнитной системой
RU2630426C2 (ru) Ионный источник