RU2624600C1 - Способ изготовления Т-образного затвора - Google Patents
Способ изготовления Т-образного затвора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2624600C1 RU2624600C1 RU2016139393A RU2016139393A RU2624600C1 RU 2624600 C1 RU2624600 C1 RU 2624600C1 RU 2016139393 A RU2016139393 A RU 2016139393A RU 2016139393 A RU2016139393 A RU 2016139393A RU 2624600 C1 RU2624600 C1 RU 2624600C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gate
- layer
- dielectric
- etching
- sio
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 24
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии формирования Т-образных металлических затворов транзисторов различного типа, предназначенных для работы в диапазонах СВЧ и выше, а также при создании монолитных интегральных схем. Суть изготовления коротких Т-образных затворов с высоким аспектным соотношением и пологим наклоном стенок ножки с помощью диэлектрической маски заключается в последовательном нанесении двухслойного диэлектрика SiO2/SiNx, травлении щели в верхнем диэлектрике SiNx с контролем по времени или до стоп-слоя, конформном осаждении тонкого слоя диэлектрика Al2О3, его травлении с размерами щелей, соответствующих длине затвора, и дальнейшем травлении нижнего слоя SiO2 сквозь полученную маску Al2O3. После этого остатки Al2O3, нависающие над щелью в нижнем слое SiO2, удаляются сухим травлением в хлорсодержащем газе (BCl3). Последняя операция, в зависимости от времени воздействия плазмы, может создать при необходимости подзатворное углубление для приближения затвора к области канала транзистора. Изобретение обеспечивает улучшение характеристик транзистора, в частности увеличение пробивного напряжения, снижение влияния ловушек в призатворной области, уменьшение коллапса тока, а также уменьшение емкости затвор-сток. 4 з.п. ф-лы, 10 ил.
Description
Изобретение относится к технологии формирования Т-образных металлических затворов транзисторов различного типа (например, полевых с затвором Шоттки или МДП-затвором), предназначенных для работы в диапазонах СВЧ и выше, а также при создании монолитных интегральных схем (МИС), включающих подобные элементы.
Известен способ [US 5766967; H01L 21/8232] изготовления затвора к гетероструктуре с помощью трех слоев фоторезиста, которые позволяют сформировать Т-образный затвор. В данном способе трехслойный резист, в котором верхний и нижний слои менее чувствительны, а средний слой имеет наибольшую толщину и чувствительность, засвечивается электронным лучом в соответствии с рисунком затворов. После проявления всех слоев формируется грибообразный профиль. Недостатками этого и других подобных способов формирования профиля затвора в резисте являются плохая воспроизводимость размеров при увеличении аспектного соотношения размеров профиля (высоты к ширине), неустойчивость резиста к возможным необходимым воздействиям при обработке пластины перед напылением металлизации, а также возможная деградация профиля в процессе напыления в результате перегрева образца или воздействия дозы отраженных электронов при электронно-лучевом напылении.
Известен способ [US 7897446; H01L 21/338] изготовления затвора к гетероструктуре на основе нитрида галлия, заключающийся в нанесении слоя диэлектрика нитрида кремния SiN и/или нитрида алюминия AlN, нанесении слоя резиста, литографии окон в резисте, травлении диэлектрика сквозь окна в резисте, уширении окон в оставшемся резисте так, чтобы был сформирован обратный профиль, сужающийся кверху, осаждении металлов в образованные профили и последующем снятии резиста. Другой вариант, описанный там же, предполагает использование двух слоев диэлектрика с промежуточным стоп-слоем, обрабатывающихся аналогично первому варианту, но оставляя в итоге нижний слой диэлектрика в целости с осаждением металла на него. Среди недостатков этого способа можно отметить следующее: края ступеньки диэлектрик-резист, работающие как полевая пластина, недостаточно плавные, в целом профиль запыления неоптимален как с точки зрения распределения поля, так и с механической точки зрения. Кроме того, высокое аспектное соотношение, необходимое для создания эффективных транзисторов, работающих на частотах 100 ГГц и выше, в данном способе может быть достигнуто только с помощью недостаточно надежной резистивной маски.
Известен способ [ЕР 2479790; H01L 29/778] изготовления затвора к нитридной гетероструктуре, на которую нанесен слой, прекращающий травление (стоп-слой), и диэлектрический слой. Слой, прекращающий травление, может включать материалы A1N, GaN, AlGaN и/или SiO2. Диэлектрический слой может включать материалы SiN, SiO2 или SiON. Через литографическую маску различными методами селективно травят диэлектрический слой и затем, при необходимости, сквозь полученную щель травят стоп-слой. После осаждения металлов формируется Т-образный затвор с диэлектрическим подслоем или непосредственным контактом к гетероструктуре или ее кап-слою. Толщина диэлектрического слоя и, следовательно, высота ножки затвора типично выбирается 50-200 нм. Основными недостатками данного способа являются недостаточная надежность воспроизведения размеров, а также необходимость уменьшения высоты ножки при уменьшении длины затвора за счет использования резистивной литографической маски для травления. Все это позиционирует способ как прежде всего подходящий для изготовления мощных транзисторов с большой длиной затвора.
Известен способ изготовления Т-образного затвора [US 6087256 A; H01L 21/44], где для травления окон в диэлектрическом слое используется маска из слоя тугоплавкого металла (W), сформированная, например, электронно-лучевой литографией и плазмохимическим травлением. По этой маске плазмохимически травится узкое окно в диэлектрике на определенную неполную глубину, затем в том же месте после литографии более широких окон снова травится металлическая маска и сквозь нее опять травится слой диэлектрика до вскрытия дна таким образом, чтобы сформировать Т-образный профиль. Далее производится осаждение затворного металла и его обтрав по фотолитографической маске методом ионного физического травления. Данный метод позволяет получить высокое аспектное соотношение ножки затвора, но он является достаточно сложным, требующим множество газовых смесей для травления маски и диэлектрика, характеризуется вертикальными стенками профиля, что требует использования псевдоизотропного напыления металла для устранения эффектов затенения и приводит к слабому сглаживанию поля в призатворной области.
Известен способ [CN 102437182 А; H01L 29/778], принятый за прототип, изготовления затвора к нитридной гетероструктуре, в котором ножка затвора формируется путем медленного анизотропного плазмохимического травления двухслойного диэлектрика SiNx/SiO2 с суммарной толщиной до 130 нм сквозь маску электронного резиста с последующим формированием верхней области затвора в двухслойном резисте и запылением металлом получившейся полости. Недостатками этого метода являются небольшая высота ножки и отсутствие наклона стенок, облегчающего запыление металлом и улучшающего полевые характеристики затвора.
Техническим результатом изобретения является воспроизводимая и легкоконтролируемая на каждом этапе технология формирования оптимального Т-образного профиля сечения затвора, благодаря чему обеспечивается качественное заполнение металлизацией и улучшаются характеристики транзистора, в частности увеличивается пробивное напряжение Uпр, снижается влияние ловушек в призатворной области, уменьшается эффект коллапса тока, а также уменьшается емкость затвор-сток Сзс.
Технический результат достигается за счет формирования щели в двухслойном диэлектрике путем последовательного травления диэлектриков через конформные диэлектрические маски А12O3. Необходимо, чтобы тонкая диэлектрическая маска имела высокую селективность к плазмохимическому травлению в смеси газов для травления основных слоев диэлектрика. Диэлектриками, формирующими Т-образный профиль, являются последовательно осажденные SiO2 и SiNx, разделенные, при необходимости, тонкой прослойкой (5 нм) Al2O3 в качестве стоп-слоя. Диэлектрической маской служит слой Al2O3, конформно осажденный, например, методом атомно-слоевого осаждения. Для травления SiO2 и SiNx используется газовая смесь на основе фторсодержащих газов, например SF6, который не воздействует на маску. Маска Al2O3 травится в хлорсодержащей смеси, например с BCl3, в которой основные слои практически не травятся. Малая толщина слоя Al2O3 обеспечивает повышенную точность переноса размеров рисунка, сформированных в электронном резисте.
Метод позволяет формировать затвор с увеличенной высотой ножки, тем самым уменьшая емкость затвор-сток. При этом длина затвора может быть существенно меньше его высоты, тем самым обеспечивая реализацию высоких аспектных соотношений, т.е. создание сверхкоротких затворов с большой высотой ножки. Наклонные стенки ножки затвора позволяют качественно заполнить металлом профиль сечения, уменьшая сопротивление затвора и увеличивая его механическую прочность, а также работают как полевая пластина - электрод, сглаживающий распределение поля в призатворной области, что ослабляет эффект поверхностных ловушек и увеличивает пробивное напряжение.
Суть изготовления коротких Т-образных затворов с высоким аспектным соотношением и пологим наклоном стенок ножки с помощью диэлектрической маски заключается в последовательном нанесении двухслойного диэлектрика SiO2/SiNx, травлении щели в верхнем диэлектрике SiNx с контролем по времени или до стоп-слоя, конформном осаждении тонкого слоя диэлектрика Al2O3, его травлении с размерами щелей, соответствующих длине затвора, и дальнейшем травлении нижнего слоя SiO2 сквозь полученную маску Al2O3. После этого остатки Al2O3, нависающие над щелью в нижнем слое SiO2, удаляются сухим травлением в хлорсодержащем газе (BCl3). Последняя операция, в зависимости от времени воздействия плазмы, может создать при необходимости подзатворное углубление (рецесс) для приближения затвора к области канала транзистора.
Фиг. 1-8. Схематическое изображение, иллюстрирующее способ изготовления Т-образного затвора согласно примеру 1.
Фиг. 9 и фиг. 10. Схематическое изображение, иллюстрирующее способ изготовления Т-образного затвора согласно примеру 2.
ПРИМЕР 1
Предлагаемый способ позволяет надежно сформировать профиль затвора с повышенным аспектным соотношением и включает в себя следующую последовательность операций.
1. На подложку 1, на которой требуется сформировать затворную металлизацию, наносят слои диэлектрика SiO2 2 и SiNx 3 толщиной 120 и 200 нм соответственно. Затем в качестве маски наносят тонкий слой диэлектрика Al2O3 4 (5 нм). С помощью электронно-лучевой литографии с использованием резиста 6 ПММА (100 нм) в слое диэлектрика Al2O3 селективно по отношению к остальным слоям травятся окна 5 в газовой смеси BCl3:Ar (фиг. 1).
2. Далее через маску Al2O3 с окнами методом плазмохимического травления формируют щель 7 в слое диэлектрика SiNx, имеющую стенки с положительным наклоном благодаря использованию изотропного режима травления (фиг. 2).
3. Затем верхний слой Al2O3, в том числе нависающие над стенками щели участки, селективно удаляют и конформно осаждают тонкую пленку Al2O3 8 так, чтобы полностью покрыть боковые стенки верхней щели, защищая слой SiNx 3 от дальнейшего травления (фиг. 3).
4. С помощью электронно-лучевой литографии с использованием резиста ПММА в пленке Al2O3 травится щель 9 в газовой смеси BCl3:Ar (фиг. 4).
5. Сквозь щель 9 в пленке Al2O3 8 травится слой SiO2 2. Так как скорость травления SiO2 существенно ниже, чем SiNx, и при этом достигается оптимальная степень анизотропии, то при используемых толщинах SiO2 (100 нм) длительное время процесса позволяет улучшить качество травления щели и повысить воспроизводимость результатов, формируя щель 10 с положительным наклоном стенок и шириной внизу, соответствующей размеру окон в диэлектрической маске 8 (фиг. 5).
6. Завершающим этапом в формировании профиля затвора является травление Al2O3, при котором удаляется верхний слой, в том числе и нависающие участки над стенками нижней щели. При этом формируется углубление в подзатворной области 11 (рецесс), глубину которого можно задавать временем травления (фиг. 6).
7. Далее наносят систему резистов 14 для литографического формирования маски верхней области затвора - «шляпы» с шириной 0,6 мкм и высотой, достаточной для «взрыва» металлизации с толщиной, превышающей высоту ножки (>0,4 мкм). Металлизация 15 наносится методом резистивного напыления (фиг. 7).
8. После «взрыва» металлизации все слои диэлектриков последовательно удаляются плазмохимическим методом (фиг. 8).
ПРИМЕР 2
Отличается от примера 1 тем, что перед операцией 1 на подложку осаждается тонкий (5-15 нм) слой Al2O3 12, а на шаге 6 в процессе травления дна щели, в зависимости от соотношения толщин слоев 12 и 8 (фиг. 9), задавая время травления, достаточное для полного удаления верхнего слоя, можно оставить тонкий слой Al2O3 (2 нм) 13 под затвором для создания МДП-затвора вместо затвора Шоттки (фиг. 10). Слой Al2O3 около затвора будет являться пассивирующим.
Claims (5)
1. Способ изготовления Т-образного затвора, включающий формирование щели в двухслойном диэлектрике, нанесение слоев резиста и последующую металлизацию, отличающийся тем, что формирование щели производится путем последовательного травления диэлектриков через конформные диэлектрические маски Al2O3.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве двухслойного диэлектрика используются слои SiO2 и SiNx.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что между слоями SiO2 и SiNx вводится тонкая прослойка Al2O3.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между подложкой и слоями SiO2 и SiNx вводится тонкая прослойка Al2O3.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что между слоями SiO2 и SiNx вводится тонкая прослойка Al2O3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016139393A RU2624600C1 (ru) | 2016-10-07 | 2016-10-07 | Способ изготовления Т-образного затвора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016139393A RU2624600C1 (ru) | 2016-10-07 | 2016-10-07 | Способ изготовления Т-образного затвора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2624600C1 true RU2624600C1 (ru) | 2017-07-04 |
Family
ID=59312734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016139393A RU2624600C1 (ru) | 2016-10-07 | 2016-10-07 | Способ изготовления Т-образного затвора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2624600C1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2686863C1 (ru) * | 2017-12-27 | 2019-05-06 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ формирования Т-образного затвора |
| RU2724354C1 (ru) * | 2019-11-27 | 2020-06-23 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ формирования субмикронного Т-образного затвора |
| CN117038461A (zh) * | 2023-08-15 | 2023-11-10 | 上海新微半导体有限公司 | GaN射频器件及其制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087256A (en) * | 1996-12-18 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Method for manufacturing modified T-shaped gate electrode |
| US6355556B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-03-12 | Vanguard International Semiconductor Corp. | Method for fabricating transistor |
| RU2192069C2 (ru) * | 2000-07-10 | 2002-10-27 | Физико-технологический институт РАН | Способ изготовления полупроводникового прибора с т-образным управляющим электродом субмикронной длины |
| US6740535B2 (en) * | 2002-07-29 | 2004-05-25 | International Business Machines Corporation | Enhanced T-gate structure for modulation doped field effect transistors |
| US20080124852A1 (en) * | 2005-11-29 | 2008-05-29 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of forming T- or gamma-shaped electrode |
| CN102437182A (zh) * | 2011-12-01 | 2012-05-02 | 中国科学院半导体研究所 | SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 |
| EP2479790A2 (en) * | 2005-07-20 | 2012-07-25 | Cree, Inc. | Nitride-based transistors and fabrication methods with an etch stop layer |
-
2016
- 2016-10-07 RU RU2016139393A patent/RU2624600C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087256A (en) * | 1996-12-18 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Method for manufacturing modified T-shaped gate electrode |
| RU2192069C2 (ru) * | 2000-07-10 | 2002-10-27 | Физико-технологический институт РАН | Способ изготовления полупроводникового прибора с т-образным управляющим электродом субмикронной длины |
| US6355556B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-03-12 | Vanguard International Semiconductor Corp. | Method for fabricating transistor |
| US6740535B2 (en) * | 2002-07-29 | 2004-05-25 | International Business Machines Corporation | Enhanced T-gate structure for modulation doped field effect transistors |
| EP2479790A2 (en) * | 2005-07-20 | 2012-07-25 | Cree, Inc. | Nitride-based transistors and fabrication methods with an etch stop layer |
| US20080124852A1 (en) * | 2005-11-29 | 2008-05-29 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of forming T- or gamma-shaped electrode |
| CN102437182A (zh) * | 2011-12-01 | 2012-05-02 | 中国科学院半导体研究所 | SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2686863C1 (ru) * | 2017-12-27 | 2019-05-06 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ формирования Т-образного затвора |
| RU2724354C1 (ru) * | 2019-11-27 | 2020-06-23 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ формирования субмикронного Т-образного затвора |
| CN117038461A (zh) * | 2023-08-15 | 2023-11-10 | 上海新微半导体有限公司 | GaN射频器件及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6726710B2 (ja) | 斜めフィールドプレートパワーデバイス及び斜めフィールドプレートパワーデバイスの製造方法 | |
| US7183149B2 (en) | Method of manufacturing field effect transistor | |
| KR100647459B1 (ko) | 티형 또는 감마형 게이트 전극의 제조방법 | |
| KR100620393B1 (ko) | 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
| US5220186A (en) | Semiconductor device with a mushroom-shaped gate electrode | |
| US6403456B1 (en) | T or T/Y gate formation using trim etch processing | |
| US8586462B2 (en) | Method of manufacturing a field-effect transistor | |
| RU2624600C1 (ru) | Способ изготовления Т-образного затвора | |
| KR102154336B1 (ko) | 고전압 구동용 전계효과 트랜지스터 및 제조 방법 | |
| US11538908B2 (en) | Semiconductor device | |
| US6153499A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| US7915106B2 (en) | Method of fabricating T-gate | |
| KR101596079B1 (ko) | 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| US9419083B2 (en) | Semiconductor structures having a gate field plate and methods for forming such structure | |
| US5436205A (en) | Method of forming electrode in semiconductor device | |
| Kim et al. | Study of the fabrication of PHEMTs for a 0.1 μm scale Γ-gate using electron beam lithography: structure, fabrication, and characteristics | |
| KR100521700B1 (ko) | 반도체소자의 티형 게이트 형성방법 | |
| KR101875513B1 (ko) | 이중 ｔ 게이트 구조의 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR100262941B1 (ko) | 화합물 반도체 소자의 미세 티형 게이트 형성방법 | |
| KR20110052336A (ko) | 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR100582586B1 (ko) | 반도체 소자의 티형 게이트 제조방법 | |
| JP2008021766A (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
| CN115241285A (zh) | 一种浮空t型栅及其制备方法 | |
| KR102123845B1 (ko) | 게이트 전극 형성 방법 및 이를 통해 얻은 게이트 전극을 포함한 반도체 소자 | |
| KR20110087476A (ko) | 희생층을 이용한 나노 스케일의 티형 게이트 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191008 |