RU2601732C2 - Кремниевый двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления - Google Patents
Кремниевый двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2601732C2 RU2601732C2 RU2015104577/28A RU2015104577A RU2601732C2 RU 2601732 C2 RU2601732 C2 RU 2601732C2 RU 2015104577/28 A RU2015104577/28 A RU 2015104577/28A RU 2015104577 A RU2015104577 A RU 2015104577A RU 2601732 C2 RU2601732 C2 RU 2601732C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solar cell
- working surfaces
- charge
- built
- silicon
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 238000010410 dusting Methods 0.000 claims 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 1
- 239000002103 nanocoating Substances 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 3
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной технике, а именно к приборам, преобразующим энергию электромагнитного излучения в электрическую, в частности к кремниевым солнечным элементам и технологии их изготовления. В кремниевом двухстороннем солнечном элементе, выполненном в виде матрицы из последовательно скоммутированных микрофотопреобразователей с n+-p-p+ (p+-n-n+) структурой, у которых ширина базы соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей заряда базовой области, а плоскости p-n переходов перпендикулярны рабочим поверхностям, на рабочих поверхностях солнечного элемента размещены пассивирующие покрытия из изолирующего материала со встроенным электрическим зарядом, противоположным по знаку типу проводимости низлежащих слоев кремния, рабочие поверхности ориентируются в кристаллографической плоскости (111). Для пассивации p-областей фотопреобразователя используется покрытие из оксида алюминия, для n-областей - покрытие из нитрида кремния. Наноструктурированное покрытие из оксида алюминия получают методом атомно-слоевого осаждения. Изобретение обеспечивает получение больших значений встроенного заряда и тем самым уменьшение скорости поверхностной рекомбинации и увеличение кпд кремниевого двухстороннего солнечного элемента. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Кремниевый двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления
Изобретение относится к электронной технике, а именно к приборам, преобразующим энергию электромагнитного излучения в электрическую, в частности к кремниевым солнечным элементам и технологии их изготовления.
Известен кремниевый фотопреобразователь с двухсторонней фоточувствительностью? толщина которого соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области (Патент RU 2432639 от 27.10.2011). Фотопреобразователь содержит n+-p (p+-n) переход на лицевой стороне, изотипный p-p+(n-n+) переход в базовой области на тыльной стороне, просветляющую пленку и металлическую контактную сетку на лицевой и тыльной сторонах. Просветляющая пленка выполнена так, что плотность встроенного электрического заряда не менее 1·1011 см-2, знак этого заряда совпадает со знаком заряда основных носителей тока в базовой области, причем n+-p (p+-n) переход и изотипный p-p+ (n-n+) переход под контактной сеткой выполнены на большей глубине, чем в промежутках контактной сетки. Встроенный электрический заряд создают путем атомно-слоевого осаждения на поверхность кремния пленки оксида алюминия, получаемого посредством магнетронного или атомно-слоевого осаждения либо нитрида кремния. Изобретение обеспечивает повышение КПД и снижение стоимости изготовления фотопреобразователей.
Известен полупроводниковый фотопреобразователь, содержащий матрицу из скоммутированных параллельно с помощью контактов микроэлементов с базовой областью и легированными областями п+-р-п+ (р+-n-р+) структур (Патент RU 2417482 от 27.04.2011). Плоскости р-n переходов и контактов к легированным n+ (р+) областям перпендикулярны к рабочей стороне, на которую падает излучение, один или два линейных размера каждого микроэлемента соизмеримы с удвоенной диффузионной длиной неосновных носителей заряда в базовой области, и на тыльной стороне каждого микроэлемента расположены контакты к базовой области, каждый микроэлемент содержит вдоль рабочей и тыльной сторон области с дополнительными изотипными р-р+ (n-n+) переходами, отделенными от р-n переходов промежутком, ширина которого по меньшей мере в 10 раз меньше размера микроэлемента, а участки базовой и легированной областей, свободные от контактов, содержат пассивирующую и просветляющую пленки. Использование нанокластеров и электростатических полей в пассивирующей пленке над изотипными р-n переходами обеспечивает повышение КПД и повышение эффективности фотопреобразования за счет снижения потерь на поверхностную рекомбинацию.
Известен полупроводниковый фотоэлектрический генератор, выполненный в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости n-p переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора (Патент RU 2336596). Такая конструкция получила название матричный солнечный элемент (МСЭ), а в зарубежной классификации vertical multi-junction solar cell (VMJ). На поверхности МСЭ, свободной от р-n переходов, имеется изолирующая пленка толщиной 10-30 нм, в которой размещены нанокластеры металлов размером 10-40 нм, а над пленкой расположен слой пассивирующего антиотражающего покрытия из диэлектрика. Нанокластеры металлов размером 10-40 нм размещены либо непосредственно на поверхности МСЭ, либо между пассивирующим и антиотражающим покрытием, либо внутри изолирующей пленки, совмещающей функции пассивирующего и антиотражающего покрытий.
Известен солнечный элемент с вертикальными переходами, перпендикулярными рабочей поверхности (Vertical Multijunction Solar Cell with Textured Surface, US Patent No. 12/536987 от 6.08.2009). Увеличение эффективности преобразования солнечного излучения достигается текстурированием светоприемной поверхности с кристаллографической ориентацией (100), выполненной в виде V и U-образных конфигураций, расположенных нормально плоскости р-n переходов микроэлементов. Недостатком аналогов является относительно невысокий КПД фотопреобразователей.
В качестве прототипа предлагаемого изобретения принят полупроводниковый фотоэлектрический генератор с двухсторонней рабочей поверхностью, выполненный в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей с n+-р-р+ (р+-n-n+) диодными структурами, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости диодных структур наклонены под углом от 30° до 150° к рабочей поверхности генератора (Патент RU 2494496 от 27.09.2013). По всей площади рабочей поверхности с двух сторон генератора размещена пассивирующая пленка толщиной 10-60 нм, выполненная на основе одного или двух окислов следующих металлов: тантала, цинка, алюминия, молибдена и вольфрама, а над пассивирующей пленкой расположен слой просветляющего покрытия. В другом варианте по всей площади рабочей поверхности с двух сторон генератора размещены пассивирующая и просветляющая пленки, выполненные на основе одного или двух окислов следующих металлов: тантала, цинка, алюминия, молибдена и вольфрама, а также нитрида или карбида кремния.
Недостатком полупроводникового фотоэлектрического генератора является недостаточно высокая эффективность преобразования принимаемого спектра солнечного излучения.
Задачей предлагаемого изобретения является повышение эффективности преобразования электромагнитного излучения и КПД кремниевого двухстороннего солнечного элемента.
Вышеуказанный технический результат достигается тем, что на кремниевом двухстороннем солнечном элементе, содержащем матрицы из последовательно скоммутированных микрофотопреобразователей с n+-р-р+ структурой с базовой областью p-типа, у которых ширина базы соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей заряда, а плоскости p-n переходов перпендикулярны рабочим поверхностям, на рабочих поверхностях, ориентированных в кристаллографической плоскости (111), над областью базы микрофотопреобразователей размещено пассивирующее покрытие наноструктурированного оксида алюминия толщиной 100 нм с отрицательным встроенным зарядом, а сверху над рабочими поверхностями размещено просветляющее покрытие из нитрида кремния толщиной 80 нм.
Технический результат достигается также тем, что в способе изготовления кремниевого двухстороннего солнечного элемента, включающего химическую отмывку пластин, диффузионное легирование, металлизацию, сборку пластин в столбик, сплавлении металлизированных дисков, резку столбиков на элементы, пассивирующее покрытие наноструктурированного оксида алюминия толщиной 100 нм с отрицательным встроенным зарядом наносят методом атомно-слоевого осаждения, а просветляющее покрытие из нитрида кремния толщиной 80 нм с положительным встроенным зарядом методом магнетронного распыления.
Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлена схема кремниевого двухстороннего солнечного элемента с n+-p-p+ - микрофотопреобразователями с базовой областью p-типа.
Устройство содержит: последовательно соединенные n+-p-p+-микрофотопреобразователи 1, базовую областью p-типа 1, n+-p переходы 2, легированный изотипный p+-слой 3, рабочие поверхности 4 и 7, внутренние металлические контакты 5, пассивирующее покрытие 6, просветляющее покрытие 8, внешние металлические контакты 9.
При этом n+-p-переходы и изотипные p-p+-переходы расположены перпендикулярно рабочим поверхностям, а ширина базы микрофотопреобразователей соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области. Пассивирующее покрытие 6 расположено над p и p+ областями базы, а просветляющее покрытие 8 - над областью металлизации, n+-p-переходом и пассивирующим покрытием 6. Толщины пассивирующих и просветляющих покрытий соответствуют первому порядку четвертьволнового просветления на длине волны 600 нм.
Кремниевый двухсторонний солнечный элемент работает следующим образом. Падающее на рабочие поверхности 4 и 7 электромагнитное излучение через просветляющее 8 и пассивирующее 7 покрытия поступает в объем фотопреобразователя. В эмиттерной 2 и базовой 1, 3 областях микрофотопреобразователей происходит поглощение фотонов, сопровождающееся образованием электронно-дырочных пар и появлением избыточных носителей заряда. Электронно-дырочные пары разделяются полем n+-р-переходов, что вызывает во внешней цепи солнечного элемента фототок,
Использование в качестве пассивирующих покрытий 6 материалов со встроенным электрическим зарядом, противоположным по знаку типу проводимости низлежащих слоев фотопреобразователя, приводит к созданию электрических полей, индуцирующих образование в приповерхностных слоях изотипных n+-n- и р+-р-переходов, отталкивающих неосновные носители заряда, генерируемые светом, от поверхности и снижающих эффективную скорость поверхностной рекомбинации. Чем больше величина встроенного электрического заряда, тем выше эффективность фотопреобразователя. Использование на рабочих поверхностях двухстороннего солнечного элемента кристаллографической ориентации (111) приводит к возрастанию в пассивирующих покрытиях величины встроенного заряда и увеличению, таким образом, эффективности преобразования электромагнитного излучения.
Применение двухслойных покрытий Al2O3-Si3N4 с толщинами, соответствующими первому порядку четвертьволнового просветления, и с оптимизированными для просветления кремния коэффициентами преломления (1,7 и 2,0 соответственно) приводит к дополнительному снижению потерь на отражение принимаемого солнечным элементом спектра солнечного излучения.
Одновременно с этим размер нанокластеров Al2O3 в пассивирующих покрытиях 6 (фиг. 1), полученных методом атомно-слоевого осаждения, подбирают таким, чтобы частота плазмонного резонанса нанокластеров соответствовала частоте падающего электромагнитного излучения, что позволяет переизлучать падающее излучение. Создается среда, в которой распространяется электромагнитная волна, что приводит к увеличению функции генерации неосновных носителей заряда и росту КПД кремниевого двухстороннего солнечного элемента.
Пример способа изготовления двухстороннего солнечного элемента
Двухсторонние солнечные элементы изготавливают из пластин монокристаллического кремния p-типа. Пластины отмывают, травят до толщины 0,3 мм и легируют фосфором и бором для образования основного n+-р- и изотипного p-p-переходов. Полученные диски с n+-р-р+ структурой металлизируют с двух сторон, собирают в столбики высотой b и сплавляют. Столбики режут на полоски по 0,4 мм, при этом плоскость реза ориентируют перпендикулярно плоскости пластин. Полученные заготовки размером a×b×0,4 мм (a - длина поперечного сечения) разрезают на элементы с нужной длиной 1 и общими габаритами кремниевого двухстороннего солнечного элемента 1×b×0,4 мм (ширина b=n×0,3 мм, n - количество последовательно соединенных микроэлементов фотопреобразователя). Плоскость реза ориентируют нормально плоскости сечения и длине микроэлементов. Первоначальная ориентация пластин и направление реза выбирают из условия получения рабочих поверхностей 1×b 4 и 7 (фиг. 1) с кристаллографической ориентацией плоскости (111). Торцы b×0,4 и рабочие поверхности полученных матричных структур травят. Рабочие поверхности пассивируют.
В качестве пассивирующего покрытий 6 над областью базы 1 используют пленку оксида алюминия толщиной 100 нм, полученную методом атомно-слоевого осаждения. Оксид алюминия Al2O3, нанесенный на рабочие поверхности, имеет плотность отрицательного заряда порядка 1013 см-2, коэффициент преломления n=1,7. Геометрические размеры пассивирующего покрытия 6 выделяют с помощью метода фотолитографии.
В качестве просветляющего покрытия над областью базы и пассивирующего покрытия над n+-областью эмиттера 8 используют пленку нитрида кремния толщиной 80 нм с величиной положительного встроенного заряда 8×10 см-2, полученную методом магнетронного распыления. Сочетание оптических, механических и диффузионных характеристик позволяет совмещать изолирующим пленкам 8 одновременно функции просветляющих и пассивирующих покрытий 9.
Claims (2)
1. Кремниевый двухсторонний солнечный элемент, содержащий матрицы из последовательно скоммутированных микрофотопреобразователей с n+-р-р+ структурой с базовой областью p-типа, у которых ширина базы соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей заряда, а плоскости n+-р переходов перпендикулярны рабочим поверхностям, отличающийся тем, что на рабочих поверхностях, ориентированных в кристаллографической плоскости (111), над областью базы микрофотопреобразователей размещено пассивирующее покрытие наноструктурированного оксида алюминия толщиной 100 нм с отрицательным встроенным зарядом, а сверху над рабочими поверхностями размещено просветляющее покрытие из нитрида кремния толщиной 80 нм.
2. Способ изготовления кремниевого двухстороннего солнечного элемента, включающий химическую отмывку пластин, диффузионное легирование, металлизацию, сборку пластин в столбик, сплавление металлизированных дисков, резку столбиков на элементы, отличающийся тем, что пассивирующее покрытие наноструктурированного оксида алюминия толщиной 100 нм с отрицательным встроенным зарядом наносят методом атомно-слоевого осаждения, а просветляющее покрытие из нитрида кремния толщиной 80 нм с положительным встроенным зарядом - методом магнетронного распыления.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015104577/28A RU2601732C2 (ru) | 2015-02-11 | 2015-02-11 | Кремниевый двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015104577/28A RU2601732C2 (ru) | 2015-02-11 | 2015-02-11 | Кремниевый двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015104577A RU2015104577A (ru) | 2016-08-27 |
| RU2601732C2 true RU2601732C2 (ru) | 2016-11-10 |
Family
ID=56851854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015104577/28A RU2601732C2 (ru) | 2015-02-11 | 2015-02-11 | Кремниевый двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2601732C2 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2331139C1 (ru) * | 2007-02-28 | 2008-08-10 | Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) | Фотоэлектрический преобразователь и способ его изготовления (варианты) |
| RU2408111C2 (ru) * | 2009-02-20 | 2010-12-27 | Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) | Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления |
| CN201796924U (zh) * | 2010-04-30 | 2011-04-13 | 宁波百事德太阳能科技有限公司 | 双面镀膜钝化电池 |
| RU2469439C1 (ru) * | 2011-06-23 | 2012-12-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Солнечный ветер" | Способ изготовления солнечного элемента с двухсторонней чувствительностью |
| RU2494496C2 (ru) * | 2011-12-28 | 2013-09-27 | Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) | Полупроводниковый фотоэлектрический генератор (варианты) |
-
2015
- 2015-02-11 RU RU2015104577/28A patent/RU2601732C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2331139C1 (ru) * | 2007-02-28 | 2008-08-10 | Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) | Фотоэлектрический преобразователь и способ его изготовления (варианты) |
| RU2408111C2 (ru) * | 2009-02-20 | 2010-12-27 | Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) | Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления |
| CN201796924U (zh) * | 2010-04-30 | 2011-04-13 | 宁波百事德太阳能科技有限公司 | 双面镀膜钝化电池 |
| RU2469439C1 (ru) * | 2011-06-23 | 2012-12-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Солнечный ветер" | Способ изготовления солнечного элемента с двухсторонней чувствительностью |
| RU2494496C2 (ru) * | 2011-12-28 | 2013-09-27 | Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) | Полупроводниковый фотоэлектрический генератор (варианты) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2015104577A (ru) | 2016-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101142861B1 (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| US20080236661A1 (en) | Solar cell | |
| KR20110122704A (ko) | 반도체 다층 스택을 구비한 광전지 모듈 및 광전지 모듈의 제작 방법 | |
| KR101738000B1 (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| JP5646586B2 (ja) | 太陽電池 | |
| KR101223033B1 (ko) | 태양 전지 | |
| WO2009142529A1 (ru) | Преобразователь электромагнитного излучения и батарея | |
| KR101729745B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조 방법 | |
| US20100024876A1 (en) | Photon trapping solar cell | |
| KR101252171B1 (ko) | 태양 전지 및 그 제조방법 | |
| KR101622088B1 (ko) | 태양전지 | |
| KR101155890B1 (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| RU2601732C2 (ru) | Кремниевый двухсторонний солнечный элемент и способ его изготовления | |
| JP6820435B2 (ja) | 太陽光の吸収に有効なｐ型ｐｅｒｃ両面太陽電池及びその製造方法 | |
| TW201324812A (zh) | 太陽能電池組 | |
| KR101198438B1 (ko) | 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법 | |
| KR101275583B1 (ko) | 태양 전지 | |
| JP2013115434A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| RU2642935C2 (ru) | Фотовольтаическая ячейка и способ её изготовления | |
| RU2494496C2 (ru) | Полупроводниковый фотоэлектрический генератор (варианты) | |
| Bittkau et al. | Geometrical light trapping in thin c-Si solar cells beyond lambertian limit | |
| KR101281538B1 (ko) | 바이패스 소자가 포함된 태양전지모듈 | |
| KR101089645B1 (ko) | 공동 공진 구조를 갖는 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| JP2010219089A (ja) | 光発電素子 | |
| RU2444088C2 (ru) | Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь и способ его изготовления (варианты) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170212 |