RU2570429C1 - Термоэлектрический модуль - Google Patents
Термоэлектрический модуль Download PDFInfo
- Publication number
- RU2570429C1 RU2570429C1 RU2014142116/28A RU2014142116A RU2570429C1 RU 2570429 C1 RU2570429 C1 RU 2570429C1 RU 2014142116/28 A RU2014142116/28 A RU 2014142116/28A RU 2014142116 A RU2014142116 A RU 2014142116A RU 2570429 C1 RU2570429 C1 RU 2570429C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thermal
- heat
- conductors
- switching current
- layers
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 38
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 abstract 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 238000007745 plasma electrolytic oxidation reaction Methods 0.000 description 12
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 7
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical class [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 2
- 101100372800 Caenorhabditis elegans vit-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N tin(4+) Chemical compound [Sn+4] SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области термоэлектрического преобразования энергии. Технический результат: повышение эффективности и надежности термоэлектрического модуля посредством увеличения теплопроводности и электроизоляционных свойств теплоконтактных электроизолирующих средств соединения коммутационных токопроводов с теплопроводами. Сущность: термоэлектрический модуль содержит полупроводниковые элементы p-типа проводимости и полупроводниковые элементы n-типа проводимости, коммутационные токопроводы, контактирующие с торцевыми частями полупроводниковых элементов, металлические теплопроводы, соединенные с коммутационными токопроводами, и теплоконтактные электроизолирующие средства соединения коммутационных токопроводов с теплопроводами. В качестве теплоконтактных электроизолирующих средств соединения коммутационных токопроводов с теплопроводами использованы слои одного или нескольких полупроводниковых материалов с широкой запрещенной зоной. Указанные слои нанесены на поверхность теплопроводов вакуумным электродуговым методом с сепарацией плазменного потока. В качестве полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной могут быть использованы нитрид алюминия AlN, оксид цинка ZnO или оксид олова (IV) SnO2 (примечание: у AlN самая большая ширина запрещенной зоны из полупроводников, обладающих теплопроводностью в диапазоне от 50 до 200 Вт/(м·K) и электроизоляционными свойствами до 500 В. Толщина нанесенных слоев составляет преимущественно от 5 до 40 мкм. В качестве металла теплопровода могут быть использованы медь, алюминий или их сплавы. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Область техники
Изобретение относится к теплоэнергетике и холодильной технике, а более конкретно к области термоэлектрических батарей (или модулей) и предназначено для преобразования тепловой энергии в электрическую, а также для охлаждения или нагрева окружающей среды с использованием электричества.
Уровень техники
Работа термоэлектрических батарей основана на эффектах Пельтье и Зеебека.
Из патентной и технической литературы известно устройство, содержащее полупроводниковые элементы р-типа и n-типа проводимости, каждый из которых выполнен с двумя противолежащими торцевыми поверхностями, расположенными на одинаковом расстоянии, токопроводы, каждый из которых выполнен с двумя сторонами, с одной из которых соединены торцевые поверхности, по меньшей мере, двух полупроводниковых элементов разного типа проводимости, и пластины (теплопроводы) из электроизоляционного материала, например керамики на основе окиси алюминия, соединенные с другими сторонами токопроводов (патент US 5168339, МПК H01L 35/12; H01L 35/14; H01L 35/16; H01L 35/32; H01L 23/56, опубл. 01.12.1992). При подводе к устройству постоянного тока происходит нагрев одной пластины и охлаждение другой пластины, что позволяет использовать термоэлектрическую батарею в качестве холодильного устройства либо устройства нагрева окружающей среды. При подводе тепла к одному теплопроводу и отводе тепла от другого теплопровода на контактах батареи возникает разность потенциалов, что позволяет использовать ее в качестве термоэлектрического генератора. Для эффективной работы батареи ее теплопроводы должны обладать низким тепловым сопротивлением, высокой механической прочностью и высокими электроизоляционными свойствами. Для снижения теплового сопротивления необходимо уменьшать толщину теплопровода либо выбирать материал с более высокой теплопроводностью. При этом уменьшение толщины ведет к снижению механической прочности теплопровода, а материалы с высокой теплопроводностью (металлы) обладают, как правило, высокой электропроводностью.
Известно техническое решение термоэлектрического модуля (патент RU 2158988, МПК H01L 35/30, опубл. 10.11.2000), в котором использованы металлические теплопроводы с электроизоляционным теплоконтактным средством, применяемым для соединения коммутационных токопроводов с теплопроводами. Такое средство выполняется в виде слоя теплопроводного электроизоляционного полимерного материала, например, из полиимида.
Недостатком данной конструкции является ограничение по ресурсу модуля из-за температурной деструкции полимерного материала. На границах между металлическим теплопроводом и изолирующим теплоконтактным средством и изолирующим слоем и коммутационными теплопроводами неизбежно возникают контактные термические сопротивления, которые снижают эффективность работы термоэлектрического модуля. Кроме того, изоляционный слой сам по себе обладает невысокой (по сравнению с металлами) теплопроводностью.
Ближайшим аналогом (прототипом) предлагаемого изобретения является термоэлектрический модуль (патент RU 33462, МПК H01L 35/02, H01L 35/32, опубл. 20.10.2003), содержащий полупроводниковые элементы p-типа проводимости и полупроводниковые элементы n-типа проводимости, коммутационные токопроводы, контактирующие с торцевыми частями полупроводниковых элементов, металлические теплопроводы, соединенные с коммутационными токопроводами, и теплоконтактные электроизолирующие средства соединения коммутационных токопроводов с теплопроводами. Причем в качестве, по меньшей мере, одного из теплоконтактных электроизолирующих средств соединения коммутационных токопроводов с теплопроводами использован слой окиси металла, из которого изготовлен теплопровод, при этом слой окиси металла образован в поверхностном слое теплопровода методом микродугового оксидирования (МДО) поверхности теплопровода. В качестве металла, из которого выполнен теплопровод, использован алюминий.
Недостатком такого решения является то, что слой окиси металла, получаемый на поверхности теплопровода методом МДО, обладает высокой пористостью, которая обусловлена физикой процесса МДО. Кроме того, технология МДО применяется для обработки вентильных металлов (Al, Nb, Та, Ti, Zr, Hf, W, Bi, Sb, Be, Mg, U) и их сплавов, среди которых только алюминиевые сплавы применяют для теплопроводов ТМ. Технология получения МДО слоя на алюминиевых сплавах обуславливает создание высокопористого слоя окиси алюминия, которая состоит из α- и γ- форм Αl2Ο3 с разной кристаллической решеткой, что дополнительно увеличивает дефектность покрытия. При этом γ-форма является гигроскопичной, что существенно снижает его электроизоляционные свойства. Так как функционирование материалов с МДО обработкой в подавляющем большинстве случаев происходит в атмосферном воздухе, который «по определению» влажный, то становится необходимой гидрофобная обработка слоя МДО (например, дополнительная пропитка полимером). Кроме того, процесс образования МДО-слоя сопровождается синтезом гидроокисных соединений алюминия, в которых вода химически соединена с алюминием. Удалить воду из таких соединений весьма проблематично. Остаточная влага будет препятствовать как распространению полимера в порах МДО покрытия, так и образованию прочных связей полимера с подложкой, что в конечном итоге отразится на качестве электроизоляционного покрытия. Таким образом, теплопроводы с изоляционными слоями, полученными методом МДО, содержат пористый изоляционный слой с гидрофильной составляющей, а следовательно, уже заранее в изделие закладывается дефект, который существенно сокращает сроки эксплуатации изделия.
Раскрытие изобретения
Задачей предлагаемого изобретения является устранение недостатков прототипа, а также повышение надежности и срока службы (ресурса) термоэлектрических модулей.
Технический результат изобретения заключается в повышении эффективности и надежности термоэлектрического модуля посредством одновременного увеличения теплопроводности и электроизоляционных свойств теплоконтактных электроизолирующих средств соединения коммутационных токопроводов с теплопроводами.
Технический результат достигается тем, что термоэлектрический модуль содержит полупроводниковые элементы p-типа проводимости и полупроводниковые элементы n-типа проводимости, коммутационные токопроводы, контактирующие с торцевыми частями полупроводниковых элементов, металлические теплопроводы, соединенные с коммутационными токопроводами, и теплоконтактные электроизолирующие средства соединения коммутационных токопроводов с теплопроводами. При этом в качестве теплоконтактных электроизолирующих средств соединения коммутационных токопроводов с теплопроводами использованы слои одного или нескольких полупроводниковых материалов с широкой запрещенной зоной, причем указанные слои нанесены на поверхность теплопроводов вакуумным электродуговым методом с сепарацией плазменного потока.
В качестве полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной могут быть использованы нитрид алюминия AlN, оксид цинка ZnO или оксид олова (IV) SnO2 (примечание: у AlN самая большая ширина запрещенной зоны из полупроводников), обладающих одновременно теплопроводностью в диапазоне от 50 до 200 Вт/(м·K) и электроизоляционными свойствами до 500 В, а толщина нанесенных слоев составляет преимущественно от 5 до 40 мкм. В качестве металла теплопровода могут быть использованы медь, алюминий или их сплавы.
На фиг. 1 приведена типичная структура покрытия AlN, полученная на микрошлифе методом электронной микроскопии.
Осуществление изобретения
В термоэлектрическом модуле с металлическими теплопроводами в качестве материала, изолирующего друг от друга токопроводы, использован полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, который обладает одновременно и хорошей теплопроводностью и достаточными электроизоляционными свойствами. При этом их теплопроводность лежит в диапазоне от 50 до 200 Вт/(м·к), что в несколько раз выше по сравнению с изоляционными слоями на основе оксидов металлов из прототипа.
Данные слои наносят на поверхность теплопроводов методом вакуумного электродугового напыления с сепарацией плазменного потока. Технология нанесения изоляционных слоев из сепарированной плазмы дугового разряда позволяет наносить покрытия на различные материалы теплопроводов (алюминий, медь и их сплавы), а не только на вентильные металлы, из которых только алюминий и его сплавы применяют для изготовления теплопроводов прототипного термоэлектрического модуля.
В технологии нанесения изоляционных слоев из сепарированной плазмы дугового разряда осуществлен способ получения покрытия на подложке, проводимый посредством криволинейного плазмовода с помощью плазмы электродугового разряда, заключающийся в ионной очистке поверхности подложки, насыщении этой поверхности реакционным газом (например, азота с инертным газом при нанесении слоев нитрида алюминия AlN) и нанесении покрытия на основе материала катода. Источник, формирующий поток сепарированной плазмы, в которой сильно (до 100%) ионизованы как газовая компоненты плазмы, так и компонента, образованная материалом катода, имеет более широкие возможности, чем используемые в настоящее время магнетронные и электродуговые источники. Это позволяет получать плотные электроизоляционные покрытия без микродефектов (пор, капель, доменных включений), которые могли бы значительно снизить электроизоляционные свойства наносимых слоев покрытия.
Данная технология также обеспечивает следующие преимущества формируемых ею покрытий:
- высокую чистоту поверхности покрытий, практически соответствующую чистоте исходной поверхности подложки (теплопровода), что исключает дополнительную (для прототипа) операцию шлифовки поверхности после нанесения покрытий методом МДО;
- отсутствие пор и микровключений, что обуславливает высокую коррозионную стойкость, в том числе при высоких температурах, высокую надежность и увеличение ресурса термоэлектрического модуля в несколько раз;
- высокую адгезию между покрытием и материалов теплопровода, которая обеспечена ионным травлением поверхности теплопровода;
- отсутствие в покрытии гидроокисных соединений алюминия, в которых вода химически соединена с алюминием (при нанесении покрытия на теплопроводы из алюминия).
Пример изготовления предлагаемого термоэлектрического модуля
Термоэлектрический модуль с металлическими теплопроводами, изготовленными из алюминиевого сплава D16T. На шлифованную поверхность теплопровода, примыкающую к термоэлементам, наносилось изоляционное высокотеплопроводное покрытие на основе AlN. Покрытие наносилось на установке марки ВИТ-2 (ЗАО «Вакуумные ионные технологии», Россия). Выборочные рабочие характеристики установки: Скорость осаждения покрытий - до 40 мкм/ч, Рабочее давление: 6,6·10-3…6,6 Па, Температура обработки изделий: 200…900°C, Количество рабочих газов (регулируемых каналов) - 2.
Изделия помещают в вакуумную камеру установки, которая откачивается до глубокого вакуума. Изделия размещают на планетарном механизме вращения, который обеспечивает вращение изделий как вокруг оси камеры, так и вокруг своей оси. Источники плазмы размещены на боковой стенке камеры. В источнике плазмы с помощью источника поджига дугового разряда зажигают дуговой разряд между катодом и стенкой вакуумной камеры. Источники питания катушки и питания корпуса плазмовода обеспечивают сепарацию и транспортировку потока плазмы вдоль плазмовода и направляют его в вакуумную камеру. К изделиям прикладывают напряжение относительно стенок вакуумной камеры. Плазменный поток ускоряется приложенным напряжением и направляется на изделия. Для получения покрытий на основе соединений материала катода в вакуумную камеру подают реакционный газ. Для нанесения изоляционных покрытий из AlN использовался катод из технического алюминия марки АД0, а в процессе нанесения в реакционную камеру должен подаваться реакционный газ, содержащий азот. Перед нанесением покрытия производилась очистка теплопроводов.
Параметры режима нанесения покрытия из AlN приведены в таблице 1.
На фиг. 1 приведена типичная структура покрытия AlN, полученная на микрошлифе методом электронной микроскопии. Позициями 1, 2 обозначены следующие слои: 1 - теплопровод (подложка), 2 - изоляционное покрытие.
Структура покрытия плотная, без пор, малодефектная. Рентгеноструктурный анализ нанесенного покрытия показал, что в покрытии присутствует единственная фаза AlN, которая имеет четко выраженную гексагональную структуру.
По результатам оценки адгезии методом сетчатых надрезов можно сделать вывод, что покрытия AlN, нанесенные на теплопроводы термоэлектрических модулей, обладают высокой величиной адгезии к подложке (1 балл в соответствии ГОСТ 15140-78). Поверхность практически не нарушалась даже в местах надрезов ввиду высокой твердости материала покрытия.
Измерение напряжения пробоя на теплопроводе с изоляционным покрытием из AlN показало, что данное покрытие толщиной около 40 мкм выдерживает напряжение пробоя 500 В даже при наличии влаги на поверхности теплопровода. При уменьшении толщины покрытия величина напряжения пробоя закономерно снижалась, оставаясь достаточно значительной.
В целом, собранный термоэлектрический модуль с металлическими теплопроводами, на поверхность которых наносилось изоляционное покрытие из AlN, показал на 13% большую холодопроизводительность (36 Вт) по сравнению с традиционным модулем с теплопроводами на основе корундовой керамики (32 Вт) с аналогичными параметрами и количеством ветвей термоэлементов (127 термоэлементов с сечением ветвей 10×15 мм).
Аналогичную картину наблюдали и при использовании в качестве полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной оксида цинка ZnO или оксида олова (IV) SnO2.
Анализ, проведенный заявителем по известному ему уровню техники, показал, что предлагаемое изобретение обладает новизной и отвечает в отношении совокупности его существенных признаков требованию условия «изобретательский уровень».
Claims (2)
1.Термоэлектрический модуль, содержащий полупроводниковые элементы p-типа проводимости и полупроводниковые элементы n-типа проводимости, коммутационные токопроводы, контактирующие с торцевыми частями полупроводниковых элементов, металлические теплопроводы, соединенные с коммутационными токопроводами, и теплоконтактные электроизолирующие средства соединения коммутационных токопроводов с теплопроводами, отличающийся тем, что в качестве теплоконтактных электроизолирующих средств соединения коммутационных токопроводов с теплопроводами использованы слои одного или нескольких полупроводниковых материалов с широкой запрещенной зоной, причем указанные слои нанесены на поверхность теплопроводов вакуумным электродуговым методом с сепарацией плазменного потока.
2. Модуль по п. 1, отличающийся тем, что в качестве полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной использованы нитрид алюминия AlN, оксид цинка ZnO или оксид олова (IV) SnO2, обладающие одновременно теплопроводностью в диапазоне от 50 до 200 Вт/(м·K) и электроизоляционными свойствами до 500 В, а толщина нанесенных слоев составляет преимущественно от 5 до 40 мкм; а в качестве металла теплопровода использованы медь, алюминий или их сплавы.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014142116/28A RU2570429C1 (ru) | 2014-10-20 | 2014-10-20 | Термоэлектрический модуль |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014142116/28A RU2570429C1 (ru) | 2014-10-20 | 2014-10-20 | Термоэлектрический модуль |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2570429C1 true RU2570429C1 (ru) | 2015-12-10 |
Family
ID=54846596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014142116/28A RU2570429C1 (ru) | 2014-10-20 | 2014-10-20 | Термоэлектрический модуль |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2570429C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2740589C1 (ru) * | 2020-06-25 | 2021-01-15 | Общество с ограниченной ответственностью "Термоэлектрические инновационные технологии" | Термоэлектрический модуль. |
RU2764185C1 (ru) * | 2021-06-10 | 2022-01-14 | Анатолий Яковлевич Тереков | Термоэлектрический генератор |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2142177C1 (ru) * | 1997-06-04 | 1999-11-27 | Ооо Мак-Бэт | Термоэлектрическая батарея |
RU33462U1 (ru) * | 2003-06-27 | 2003-10-20 | Алексеев Валерий Венедиктович | Термоэлектрический модуль |
RU54464U1 (ru) * | 2006-02-20 | 2006-06-27 | Всеволод Викторович Зеленков | Термоэлектрический модуль |
-
2014
- 2014-10-20 RU RU2014142116/28A patent/RU2570429C1/ru active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2142177C1 (ru) * | 1997-06-04 | 1999-11-27 | Ооо Мак-Бэт | Термоэлектрическая батарея |
RU33462U1 (ru) * | 2003-06-27 | 2003-10-20 | Алексеев Валерий Венедиктович | Термоэлектрический модуль |
RU54464U1 (ru) * | 2006-02-20 | 2006-06-27 | Всеволод Викторович Зеленков | Термоэлектрический модуль |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2740589C1 (ru) * | 2020-06-25 | 2021-01-15 | Общество с ограниченной ответственностью "Термоэлектрические инновационные технологии" | Термоэлектрический модуль. |
RU2764185C1 (ru) * | 2021-06-10 | 2022-01-14 | Анатолий Яковлевич Тереков | Термоэлектрический генератор |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6771483B2 (en) | Electrostatic chuck member and method of producing the same | |
JP6013347B2 (ja) | 熱電モジュールとその製造方法 | |
TWI573489B (zh) | 陶瓷加熱器 | |
JP2015517225A5 (ru) | ||
US20130341204A1 (en) | Carbon Electrode Devices for Use with Liquids and Associated Methods | |
TW200935555A (en) | Electrostatic chuck and method of forming | |
JP2009111005A (ja) | 耐腐食性積層セラミックス部材 | |
SG174559A1 (en) | Thermoelectric module with insulated substrate | |
RU2570429C1 (ru) | Термоэлектрический модуль | |
JP4811790B2 (ja) | 静電チャック | |
CN102208377B (zh) | 具抗氧化纳米薄膜的散热单元及抗氧化纳米薄膜沉积方法 | |
JP2006080389A (ja) | ウェハ支持部材 | |
CN105931932B (zh) | 一种氮化铝绝缘层阴极热丝的制备方法 | |
TW201632643A (zh) | 使熱電活性材料以電漿塗覆鎳與錫的方法 | |
JP4712836B2 (ja) | 耐腐食性積層セラミックス部材 | |
JP5549834B2 (ja) | 溶射膜及びその製造方法 | |
US10269544B2 (en) | Gas ring for plasma system and method of manufacturing the same | |
JP5302814B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
CN104241181A (zh) | 静电吸盘的制造方法,静电吸盘及等离子体处理装置 | |
KR101529233B1 (ko) | 캐필러리부가 구비된 하나의 회전전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템 | |
JP2023160287A (ja) | 静電チャック装置 | |
JP2007250403A (ja) | セラミックスヒーターおよびヒーター給電部品 | |
CN103354699A (zh) | 多陶瓷层印刷线路板 | |
RU2379857C1 (ru) | Тонкопленочный гибкий электронагреватель | |
CN102460788B (zh) | 金属体表面的接触电阻的降低 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HE4A | Change of address of a patent owner |
Effective date: 20200313 |