RU2552402C2 - Электронные устройства - Google Patents
Электронные устройства Download PDFInfo
- Publication number
- RU2552402C2 RU2552402C2 RU2011153935/28A RU2011153935A RU2552402C2 RU 2552402 C2 RU2552402 C2 RU 2552402C2 RU 2011153935/28 A RU2011153935/28 A RU 2011153935/28A RU 2011153935 A RU2011153935 A RU 2011153935A RU 2552402 C2 RU2552402 C2 RU 2552402C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- conductive layer
- layer
- carrier substrate
- lower conductive
- electronic device
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 140
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920001944 Plastisol Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- NLCKLZIHJQEMCU-UHFFFAOYSA-N cyano prop-2-enoate Chemical class C=CC(=O)OC#N NLCKLZIHJQEMCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004999 plastisol Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M sodium docusate Chemical group [Na+].CCCCC(CC)COC(=O)CC(S([O-])(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронным устройствам, содержащим один или более органических слоев. Способ формирования электронного устройства включает формирование на несущей подложке множества электронно-функциональных элементов, образованных стопкой слоев, содержащей нижний проводящий слой, причем способ включает этап формирования между несущей подложкой и нижним проводящим слоем непроводящего слоя, который обеспечивает увеличение сцепления нижнего проводящего слоя с несущей подложкой, где непроводящий слой содержит нитридный слой, содержащий на поверхности раздела с нижним проводящим слоем менее 10 атомарных процентов кислорода. Изобретение позволяет повысить надежность электронных устройств. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Настоящее изобретение относится к электронным устройствам, в частности - к устройствам, содержащим один или более органических слоев в качестве электронно-функциональных слоев и/или в качестве несущих слоев.
Производство надежных электронных устройств, содержащих такие органические слои, может быть затруднено по меньшей мере по следующим причинам.
Было обнаружено, что если совокупность электронных элементов установлена на пластиковой подложке с использованием покрывающего ее органического планаризирующего слоя, то электронные элементы и/или поверхности раздела между электронными элементами такого устройства имеют тенденцию испытывать деградацию, обусловленную примесями, такими как влага и/или кислород.
Кроме того, в органическом электронном устройстве проводящие элементы часто имеют форму паттернированных неорганических металлических слоев, и поэтому может возникать проблема обеспечения достаточного сцепления между неорганическим металлическим слоем и подлежащим органическим слоем, таким как органический планаризующий слой.
Целью настоящего изобретения является обеспечение одного или более способов, позволяющих производить более надежные электронные устройства.
Настоящее изобретение обеспечивает способ, включающий: формирование на несущей подложке множества электронно-функциональных элементов, образованных стопкой слоев, содержащей нижний проводящий слой, причем этот способ включает формирование между несущей подложкой и нижним проводящим слоем непроводящего слоя, который обеспечивает увеличение сцепления нижнего проводящего слоя с несущей подложкой.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения непроводящий слой содержит нитридный слой.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения несущая подложка содержит полимерную основу.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения несущая подложка содержит полимерную основу и покрывающий ее планаризирующий (выравнивающий) слой.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения непроводящий слой сформирован непосредственно на планаризирующем слое.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения нижний проводящий слой образует пары электродов «исток-сток» транзисторной матрицы.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения нижний проводящий слой образует затворные шины транзисторной матрицы.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения непроводящий слой формируют с использованием способа конформального осаждения.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения способ дополнительно включает снижение уровня загрязнений в несущей подложке перед формированием непроводящего слоя.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения нитридный слой имеет атомарную чистоту, превышающую 90%, на поверхности раздела с нижним проводящим слоем.
Настоящее изобретение также обеспечивает конструкцию устройства, содержащую: несущую подложку и множество электронно-функциональных элементов, образованных стопкой слоев, содержащей нижний проводящий слой, причем конструкция устройства между несущей подложкой и нижним проводящим слоем содержит непроводящий слой, который обеспечивает увеличение сцепления нижнего проводящего слоя с несущей подложкой.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения непроводящий слой содержит неорганический нитридный материал.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения неорганический нитридный материал имеет атомарную чистоту, превышающую 90%, на поверхности раздела с нижним проводящим слоем.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения несущая подложка содержит полимерную основу.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения несущая подложка содержит полимерную основу и покрывающий ее планаризирующий слой.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения непроводящий слой сформирован непосредственно на планаризирующем слое.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения нижний проводящий слой образует пары электродов «исток-сток» транзисторной матрицы.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения нижний проводящий слой образует затворные шины транзисторной матрицы.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения непроводящий слой является неорганическим непроводящим слоем и обеспечивает увеличение сцепления нижнего проводящего слоя с органической поверхностью несущей подложки.
Настоящее изобретение также обеспечивает способ, включающий: формирование одного или более электронных элементов на подложке устройства и обеспечение между подложкой устройства и одним или более электронными элементами барьерного слоя, который служит в качестве основной защиты вышележащих электронных элементов против проникновения влаги и кислорода через подложку устройства.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения способ дополнительно включает: крепление подложки устройства к носителю с использованием одного или более адгезивных слоев и формирование одного или более электронных элементов на подложке устройства, которая закреплена на носителе, причем барьерный слой служит в качестве основной защиты вышележащих электронных элементов против проникновения влаги и кислорода из адгезивных слоев через подложку устройства.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения барьерный слой обеспечивает меньшую скорость пропускания водяного пара, чем любой слой, расположенный между носителем и подложкой устройства.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения барьерный слой обеспечивает скорость пропускания водяного пара менее 1 г/м2/24 часа.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения подложку устройства формируют непосредственно на адгезивном элементе, который обеспечивает крепление подложки устройства к носителю.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения адгезивный элемент содержит адгезивные слои на противоположных сторонах несущего слоя.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения между подложкой устройства и электронными элементами обеспечен планаризирующий слой.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения способ не включает дополнительное обеспечение между подложкой устройства и носителем какого-либо слоя, единственной функцией которого является предотвращение проникновения влаги и кислорода в подложку устройства.
Один из вариантов осуществления настоящего изобретения подробно описан ниже, исключительно в качестве примера, со ссылкой на прилагаемые графические материалы, где:
Фиг.1 иллюстрирует получение множества дисплейных устройств согласно одному из вариантов осуществления настоящего изобретения.
На фиг.1 показан процесс получения двух дисплейных устройств, содержащих тонкопленочные транзисторные матрицы (TFT-матрицы) в качестве соединительных плат, на общем носителе согласно одному из вариантов осуществления настоящего изобретения.
Однако способ, описанный ниже и проиллюстрированный на Фиг.1, можно использовать также для получения большего числа дисплейных устройств на общем носителе.
Лист 2 материала подложки устройства временно прикрепляют к стеклянному носителю 4 (также называемому «материнской платой») с помощью соответствующего адгезивного элемента 1, например - адгезивного элемента, содержащего один или более акриловых адгезивных слоев. Из листа 2 материала подложки устройства получают впоследствии множество подложек устройств путем разрезания листа 2 материала подложки после завершения обработки подложек прямо на носителе 4 in situ. Носитель 4 не является частью изготавливаемых устройств, и адгезивный элемент 1 содержит один или более слоев, состоящих из адгезива, клейкость которого можно снизить под действием тепла или УФ-излучения, чтобы обеспечить отделение подложек устройств от носителя 4 на последующей стадии процесса изготовления.
Лист 2 материала подложки устройства является пленкой, состоящей из полиэтилентерефталата (ПЭТ). Другим примером полимерной подложки для такого рода устройства является пленка, состоящая из полиэтиленнафталина (ПЭН).
Слой 3 планаризирующего материала наносят поверх листа 2 материала подложки устройства. Планаризирующим материалом может быть любой материал, который обеспечивает однородную гладкую поверхность, на которой могут быть сформированы транзисторные элементы. Например, планаризирующий слой может состоять из УФ-отверждаемого акрилового покрытия или термоотверждаемого покрытия на основе нанодиоксида кремния/полисилоксана. Другими примерами подходящих органических планаризирующих материалов являются цианоакрилаты, эпоксидные смолы, фторполимеры пластизоль и акрилаты. Планаризирующий слой 3 может быть нанесен с использованием таких способов, как нанесение покрытия ножевым устройством, трафаретная печать, флексографическая печать, нанесение покрытия распылением, струйная печать, центрифугирование или экструзионное нанесение покрытия из щелевой головки.
Затем посредством напыления в вакууме на планаризирующий слой 3 осаждают нитрид алюминия в форме непрерывной пленки 5. Осаждение посредством напыления в вакууме обеспечивает пленку нитрида алюминия, соответствующую подлежащему планаризирующему слою, и поэтому обеспечивает такую же плоскую поверхность, пригодную для формирования на ней последующих элементов.
Затем непосредственно на нитридный слой 5 наносят паттернированный нижний слой 6 из металлического золота в каждой из зон А и В устройства с получением пар электродов «исток-сток» и сигнальных шин транзисторных матриц. Паттернированный слой 7 золота получают посредством напыления соответствующих непрерывных слоев золота на нитридный слой 5 в зонах А и В устройства и последующего паттернирования непрерывных слоев золота с использованием способа оптической литографии или способа лазерной абляции. Расстояние между электродами пары «исток-сток» определяет ширину полупроводникового канала соответствующего транзистора.
Примерами альтернативных материалов для нижнего проводящего слоя, который обеспечивает пары 6 электродов «исток-сток» и т.п., в такого рода устройстве являются материалы, обладающие удельным сопротивлением менее 5 Ом/100 кв. футов и высокой работой выхода, равной по меньшей мере 5 эВ. Альтернативно, для обеспечения высокой электропроводности и высокой работы выхода можно использовать бислои, состоящие из двух металлических материалов. Примерами комбинаций проводящих материалов являются серебро (Ag) и медь (Cu), а также оксид никеля (NiO) и палладий (Pd).
Следующая стадия включает формирование остальных элементов на соединительной плате дисплея. Совокупность остальных элементов обозначена на Фиг.1 цифрой 7. Остальными элементами являются полупроводниковые каналы между парами электродов «исток-сток», затворные диэлектрические элементы, отделяющие каждый полупроводниковый канал от затворного электрода того же транзистора, затворные шины, которые соединяют затворные электроды и средства для адресации каждого транзистора, и другие элементы, такие как пиксельные электроды, электрически соединенные с соответствующими стоковыми электродами. После завершения изготовления соединительной платы на соединительную плату ламинируют переднюю панель 20, содержащую средства отображения информации.
Полупроводниковые каналы представляют собой слой поли(9,9'-диоктилфлуорен-со-бис-N,N')-(4-бутилфенил)дифениламина (TFB), который наносят посредством флексографической печати в каждой из зон А и В устройства поверх паттернированного металлического слоя 6 в качестве полупроводникового слоя, покрывающего пары электродов «исток-сток» и имеющиеся между ними зазоры. Концентрацию раствора и условия нанесения выбирают такими, чтобы получить сухую твердую пленку полупроводника с толщиной, предпочтительно равной примерно 50 нм.
Другими примерами подходящих полупроводниковых материалов являются: другие полифлуорены, например - поли(диоктилфлуорен-со-битиофен) (F8T2); политиофены, пентацен или производные пентацена (например, триизопропилсилилэтинил(TIPS)пентацен). Другими примерами способов нанесения покрытия для формирования полупроводникового слоя являются центрифугирование, погружение, нанесение покрытия с помощью ножевого устройства, нанесение покрытия с помощью планки, нанесение покрытия посредством плоскощелевой экструзии, нанесение распылением, струйная печать, глубокая печать, офсетная печать, трафаретная печать, напыление и осаждение из паровой фазы.
После этого для получения затворных диэлектрических элементов посредством флексографической печати в зонах А и В устройства наносят один или более слоев 10 затворного диэлектрического материала на подлежащий активный полупроводниковый слой. Материалы и растворители для нанесения этих полупроводниковых и затворных диэлектрических слоев тщательно выбирают в соответствии со способом, описанным в публикации WO 01/47043, с целью минимизации деградации полупроводникового слоя в процессе нанесения затворного диэлектрического слоя.
Другими примерами способов нанесения покрытия для формирования затворного диэлектрического слоя являются центрифугирование, погружение, нанесение покрытия с помощью ножевого устройства, нанесение покрытия с помощью планки, нанесение покрытия посредством плоскощелевой экструзии, нанесение распылением, струйная печать, глубокая печать, офсетная печать, трафаретная печать, напыление и осаждение из паровой фазы.
Другими примерами подходящих затворных диэлектрических материалов, которые можно наносить в форме раствора, являются:
полиметилметакрилат (ПММА), который растворим, например, в этилацетате; Cytop®, представляющий собой аморфный фторполимер, который можно приобрести в компании ФПС Chemicals Europe, Ltd., и который растворим, например, в перфторидном растворителе, таком как перфтортрибутиламин (FC43); и полиизобутилен (PIB). Каждый затворный диэлектрический элемент может иметь многослойную конструкцию, содержащую стопку из двух или более слоев различных диэлектрических материалов между полупроводниковым слоем и затворным электродом.
Затворные шины получают посредством осаждения способом распыления и паттернирования верхнего слоя золота. Паттернирование осуществляют посредством фотолитографии или лазерной абляции. Примерами других подходящих для затворных электродов материалов являются другие хорошо проводящие металлы, такие как медь (Cu), материал, с которым можно работать в форме раствора, содержащий неорганические наночастицы серебра или других металлов, и проводящие полимеры, такие как PEDOT/PSS. Проводящий слой для формирования затворных шин можно получить с использованием других способов осаждения из паровой фазы, например - посредством испарения. Альтернативно, проводящий слой для формирования затворных шин можно получить посредством нанесения покрытия из проводящего материала, с которым можно работать в форме раствора (или его предшественника) на подлежащий затворный диэлектрический слой (или слои). Примерами подходящих способов нанесения являются центрифугирование, погружение, нанесение покрытия с помощью ножевого устройства, нанесение покрытия с помощью планки, нанесение покрытия посредством плоскощелевой экструзии, глубокая печать, офсетная печать, трафаретная печать или струйная печать.
Изолирующий нитридный слой 5 выполняет две функции: (i) увеличения сцепления между планаризирующим слоем 3 и нижним слоем 6 золота; и (ii) барьера, защищающего вышележащие электронные элементы (и любые другие вышележащие чувствительные элементы) от проникновения влаги и кислорода через полимерную подложку.
Что касается функции (i), то было обнаружено, что уровень сцепления между изолирующим нитридным слоем 5 и слоем 6 металлического золота достаточно высок для того, чтобы не нужно было использовать промежуточный слой металла в качестве слоя, способствующего сцеплению, непосредственно под слоем 7 золота. Увеличение сцепления, обеспечиваемое изолирующим нитридным слоем, можно подтвердить с использованием способа испытания согласно стандарту ASTM D3359-09, в котором сцепление металла с подложкой измеряют с использованием способа с клейкой лентой. Более конкретно, используют лезвие для того, чтобы прорезать параллельные линии в слое, подвергающемся испытанию (то есть в слое металла, сцепление которого с подлежащей подложкой необходимо измерить), с получением сетчатой картины прорезанных линий. На сетку помещают клейкую ленту и разглаживают ее, чтобы обеспечить хороший контакт с испытываемым слоем с сетчатым рисунком. Затем клейкую ленту тянут за свободный конец под углом 180º и обнажившийся при этом испытываемый слой с сетчатым рисунком исследуют на предмет наличия дефектов сцепления. С помощью этого испытания было продемонстрировано, что изолирующий нитридный слой 5 увеличивает сцепление нижнего металлического слоя 6 с подлежащим планаризирующим слоем 3. Хорошее сцепление характеризуется отсутствием отсоединения испытываемого слоя в квадратах сетки.
Авторы настоящего изобретения обнаружили, что степень чистоты нитрида на поверхности нитридного слоя, на которую осаждают золото, может влиять на способность нитридного слоя к увеличению сцепления. В этом варианте осуществления настоящего изобретения были осуществлены операции с целью снижения атомарного процента кислорода на поверхности нитридного слоя. Во-первых, напыление нитридного слоя осуществляют после откачивания воздуха из распылительной камеры до базового давления ниже примерно 10-4 Па и выдерживания подложки под таким низким давлением в течение длительного времени. Это снижает концентрацию кислорода в распылительной камере, а также концентрацию кислорода, содержащегося в полимерной подложке в форме влаги. Нагревание подложки при таком низком давлении также способствует дегазации полимерной подложки и снижению содержания кислорода в распылительной камере. Кроме того, после осаждения посредством распыления нитридного слоя 5 нитридный слой подвергают плазменной обработке, например - обработке аргоновой (Ar) или азотной (N2) плазмой. Авторы настоящего изобретения обнаружили, что хороший уровень сцепления между слоем золота и нитридным слоем удается получить при атомарной чистоте, превышающей 90% (то есть, если поверхность нитрида содержит менее 10 атомарных процентов кислорода).
Что касается функции (ii), то считается, что важный путь, по которому загрязняющие вещества, такие как влага и кислород, достигают электронных элементов в такого рода производственном процессе, - это путь через адгезивный слой (или слои) адгезивного элемента 1 и лист 2 материала подложки устройства, включая поверхность раздела между адгезивным слоем и листом 2 материала подложки устройства. В частности, полагают, что адгезивный слой (или слои) обеспечивает путь для проникновения таких загрязняющих веществ через его поверхности раздела с другими слоями, такими как вышележащий лист 2 материала подложки устройства, изображенный на Фиг.1. Нитридный слой 5 обеспечивает барьер против проникновения таких веществ. Нитридный слой 5 формируют таким образом, чтобы обеспечить скорость проникновения водяного пара (WVTR) не более примерно 1-10-7 г/м2/д (например, 0,5 г/м2/д) при измерении в следующих условиях: атмосферное давление, 100%-ная относительная влажность воздуха и температура, равная 38ºС. Для измерения скорости проникновения водяного пара можно использовать прибор для измерения проницаемости для водяного пара производства компании Mocon, Inc.
Нитридный слой 5 обнаруживает меньшую WVTR по сравнению с любыми другими слоями, расположенными между нижним проводящим слоем 6 и нижней поверхностью адгезивного элемента 1, и поэтому он обеспечивает основную защиту электронных элементов против проникновения влаги и кислорода через любые адгезивные слои, образующие адгезивный элемент 1.
Нитридный слой 5 можно заменить другим промежуточным слоем, который выполняет по меньшей мере одну из функций (i) и (ii), указанных выше. Например, если нет проблемы с хорошим сцеплением между нижним металлическим слоем 6 и подлежащим слоем (то есть планаризирующим слоем в примере, изображенном на Фиг.1), то слой должен служить лишь в качестве барьерного слоя для защиты вышележащих электронных элементов против проникновения влаги и кислорода через лист 2 материала подложки устройства.
С другой стороны, если лист материала подложки устройства сам служит барьером против проникновения влаги и кислорода (это возможно в том случае, если в качестве листа материала подложки устройства используют неорганическое стекло), то промежуточный слой 5 должен выполнять лишь функцию увеличения сцепления между нижним металлическим слоем 6 и подлежащим планаризирующим слоем 3.
Примерами других материалов, пригодных для промежуточного слоя 5, являются другие неорганические нитриды и неорганические оксиды, являющиеся электроизоляторами, в частности, те из них, которые можно осаждать посредством распыления или с использованием других способов осаждения из паровой фазы.
Одним из преимуществ использования изолирующего материала для промежуточного слоя 5 является то, что в этом случае нет необходимости паттернировать промежуточный слой 5 для предотвращения коротких замыканий между элементами вышележащего нижнего металлического слоя 6, что выгодно с точки зрения уменьшения числа стадий процесса и снижения риска искривления и/или другого искажения многослойной стопки во время обработки. Было показано, что удельное сопротивление промежуточного слоя, равное по меньшей мере 5·1012 Ом/100 кв. футов, является достаточным для предотвращения возникновения значительных токов утечки между истоковым и стоковым электродами через промежуточный слой 5. Кроме того, отсутствие паттернирования промежуточного слоя 5 фотолитографическим способом, в котором используется растворитель/травитель, обеспечивает преимущество, состоящее в снижении риска образования остаточных количеств растворителя под нижним металлическим слоем 6. Присутствие остатков растворителя обычно нежелательно, так как растворитель может диффундировать через устройство и оказывать неблагоприятное влияние на общие эксплуатационные характеристики и стабильность устройства.
Для обеспечения дополнительной защиты против проникновения влаги и кислорода в электронные элементы через подложку устройства одним из вариантов является добавление дополнительного барьерного слоя между одним или несколькими адгезивными слоями адгезивного элемента 1 и листом 2 материала подложки устройства, но такой дополнительный слой не использован в примере, изображенном на Фиг.1. Нитридный слой 5 обеспечивает основную защиту тонкопленочной транзисторной матрицы (TFT-матрицы) против проникновения кислорода и влаги через лист 2 материала подложки устройства.
Способ, описанный выше, применим также к альтернативным конфигурациям устройств, например - к конфигурации TFT-матрицы с нижними затворами, в которой нижний металлический слой 6 образует затворные шины, а верхний металлический слой 6 образует пары электродов «исток-сток» и соединительные/сигнальные шины транзисторной матрицы.
Мы выбрали в качестве примера соединительную плату дисплея, содержащую активную TFT-матрицу, чтобы описать один из вариантов осуществления настоящего изобретения. Однако способы, описанные в данной работе, могут быть применены к другим TFT-устройствам, содержащим или не содержащим другие компоненты, такие как внутренние соединения, сопротивления и конденсаторы. Примерами других применений являются логические схемы, активные матричные схемы для запоминающих устройств и программируемые пользователем матрицы вентильных элементов. Описанные выше способы также применимы к другим видам электронных устройств, таких как светоизлучающие диоды (LED) или фотогальванические устройства.
Кроме того, для приведенного выше описания способов согласно вариантам осуществления настоящего изобретения мы выбрали пример с использованием нитридного слоя 5 для обеспечения основной защиты против проникновения разрушающих веществ из адгезивных слоев, используемых для крепления подложки устройства к плоскому носителю. Однако такие же способы применимы для предотвращения проникновения разрушающих веществ в том случае, если подложка устройства закреплена на других технологических инструментах, таких как несущие ролики в рулонной технологии.
Кроме того, для приведенного выше описания способов согласно вариантам осуществления настоящего изобретения мы выбрали пример с формированием множества TFT-матриц на листе материала подложки устройства и последующим разделением листа материала подложки устройства на отдельные подложки устройств. Однако такие же способы применимы и в случае, если одну или более подложек устройств по отдельности прикрепляют к носителю перед формированием одного или более электронных элементов на одной или более подложках устройств.
В данном описании раскрыты по отдельности все конкретные признаки изобретения, и любые комбинации из двух или более таких признаков в объеме, в котором эти признаки или комбинации могут быть осуществлены на основании настоящего описания как целого с использованием общих знаний специалистов в данной области техники, независимо от того, решают ли эти признаки или комбинации признаков какие-либо проблемы, описанные в данной заявке, и без ограничения в отношении объема формулы изобретения. Заявитель указывает, что аспекты настоящего изобретения могут представлять собой любой конкретный признак или комбинацию признаков. На основании приведенного выше описания специалисту в данной области техники будет очевидно, что в пределах объема настоящего изобретения могут быть выполнены различные модификации.
Claims (17)
1. Способ формирования электронного устройства, включающий формирование на несущей подложке множества электронно-функциональных элементов, образованных стопкой слоев, содержащей нижний проводящий слой, причем способ включает этап формирования между несущей подложкой и нижним проводящим слоем непроводящего слоя, который обеспечивает увеличение сцепления нижнего проводящего слоя с несущей подложкой, где непроводящий слой содержит нитридный слой, содержащий на поверхности раздела с нижним проводящим слоем менее 10 атомарных процентов кислорода.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что электронное устройство содержит транзисторную матрицу, нижний проводящий слой образует проводящие элементы транзисторной матрицы, несущая подложка содержит полимерную пленку, и способ включает формирование непроводящего слоя поверх несущей подложки и последующее формирование нижнего проводящего слоя поверх непроводящего слоя и несущей подложки.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что несущая подложка содержит планаризирующий слой поверх полимерной пленки.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что непроводящий слой сформирован непосредственно на планаризирующем слое.
5. Способ по любому из пп. 2-4, отличающийся тем, что нижний проводящий слой образует пары электродов «исток-сток» транзисторной матрицы.
6. Способ по любому из пп. 2-4, отличающийся тем, что нижний проводящий слой образует затворные шины транзисторной матрицы.
7. Способ по любому из пп. 1-4, отличающийся тем, что непроводящий слой формируют с использованием способа конформного осаждения.
8. Способ по любому из пп. 1-4, отличающийся тем, что формирование нитридного слоя осуществляют посредством напыления, причем перед формированием указанного нитридного слоя осуществляют нагревание несущей подложки в распылительной камере при давлении ниже 10-4 Па.
9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что дополнительно нитридный слой подвергают плазменной обработке.
10. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что несущую подложку подвергают дегазации до осаждения непроводящего слоя.
11. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что нижний проводящий слой представляет собой слой металла, образованный непосредственно на непроводящем слое, и указанный непроводящий слой представляет собой неорганический непроводящий слой, образованный непосредственно на органической поверхности несущей подложки, который обеспечивает увеличение сцепления нижнего проводящего слоя с органической поверхностью несущей подложки.
12. Конструкция электронного устройства, содержащая несущую подложку и множество электронно-функциональных элементов, образованных стопкой слоев, содержащей нижний проводящий слой, причем конструкция устройства между несущей подложкой и нижним проводящим слоем содержит непроводящий слой, который обеспечивает увеличение сцепления нижнего проводящего слоя с несущей подложкой, при этом непроводящий слой содержит нитридный слой, содержащий на поверхности раздела с нижним проводящим слоем менее 10 атомарных процентов кислорода.
13. Конструкция электронного устройства по п. 12, отличающаяся тем, что электронное устройство содержит транзисторную матрицу, нижний проводящий слой образует проводящие элементы транзисторной матрицы, несущая подложка содержит полимерную пленку, и непроводящий слой сформирован поверх несущей подложки до того, как нижний проводящий слой сформирован поверх непроводящего слоя и несущей подложки.
14. Конструкция электронного устройства по п. 13, отличающаяся тем, что несущая подложка содержит планаризирующий слой поверх полимерной пленки.
15. Конструкция электронного устройства по п. 14, отличающаяся тем, что непроводящий слой сформирован непосредственно на планаризирующем слое.
16. Конструкция электронного устройства по любому из пп.13-15, отличающаяся тем, что нижний проводящий слой образует пары электродов «исток-сток» транзисторной матрицы.
17. Конструкция электронного устройства по любому из пп.13-15, отличающаяся тем, что нижний проводящий слой образует затворные шины транзисторной матрицы.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB0909721.3 | 2009-06-05 | ||
| GBGB0909721.3A GB0909721D0 (en) | 2009-06-05 | 2009-06-05 | Dielectric seed layer |
| PCT/EP2010/057863 WO2010139802A1 (en) | 2009-06-05 | 2010-06-04 | Electronic devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011153935A RU2011153935A (ru) | 2013-07-20 |
| RU2552402C2 true RU2552402C2 (ru) | 2015-06-10 |
Family
ID=40936981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011153935/28A RU2552402C2 (ru) | 2009-06-05 | 2010-06-04 | Электронные устройства |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120193721A1 (ru) |
| EP (1) | EP2433320B1 (ru) |
| GB (2) | GB0909721D0 (ru) |
| RU (1) | RU2552402C2 (ru) |
| WO (1) | WO2010139802A1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2481367B (en) * | 2010-06-04 | 2015-01-14 | Plastic Logic Ltd | Moisture Barrier for Electronic Devices |
| GB2485828B (en) | 2010-11-26 | 2015-05-13 | Plastic Logic Ltd | Electronic devices |
| JP7038652B2 (ja) | 2015-07-29 | 2022-03-18 | ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | バリアフィルム含有フォーマット、及び３ｄ ｔｓｖパッケージのためのプレアプライアンダーフィルフィルムのためのその使用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5623161A (en) * | 1994-05-20 | 1997-04-22 | Frontec, Incorporated | Electronic element and method of producing same |
| EP1734794A1 (en) * | 2004-04-06 | 2006-12-20 | Idemitsu Kosan Company Limited | Electrode substrate and its manufacturing method |
| EP1760798A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| RU2006137039A (ru) * | 2004-03-26 | 2008-05-10 | Тин Филм Электроникс Аса (No) | Органическое электронное устройство и способ его изготовления (варианты) |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5907792A (en) * | 1997-08-25 | 1999-05-25 | Motorola,Inc. | Method of forming a silicon nitride layer |
| JP2002063985A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US6953735B2 (en) * | 2001-12-28 | 2005-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature |
| US6891330B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-05-10 | General Electric Company | Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission |
| EP1434282A3 (en) * | 2002-12-26 | 2007-06-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Protective layer for an organic thin-film transistor |
| WO2004077519A2 (en) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Mukundan Narasimhan | Dielectric barrier layer films |
| TWI380080B (en) * | 2003-03-07 | 2012-12-21 | Semiconductor Energy Lab | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| JP4325479B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2009-09-02 | セイコーエプソン株式会社 | 有機トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、表示装置の製造方法および電子機器の製造方法 |
| US7462514B2 (en) * | 2004-03-03 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television |
| JP4935138B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2012-05-23 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板、回路基板の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
| US7678701B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-03-16 | Eastman Kodak Company | Flexible substrate with electronic devices formed thereon |
-
2009
- 2009-06-05 GB GBGB0909721.3A patent/GB0909721D0/en not_active Ceased
-
2010
- 2010-06-04 RU RU2011153935/28A patent/RU2552402C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-06-04 WO PCT/EP2010/057863 patent/WO2010139802A1/en active Application Filing
- 2010-06-04 EP EP10726036.6A patent/EP2433320B1/en active Active
- 2010-06-04 US US13/376,319 patent/US20120193721A1/en not_active Abandoned
- 2010-06-04 GB GB1121897.1A patent/GB2483820B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5623161A (en) * | 1994-05-20 | 1997-04-22 | Frontec, Incorporated | Electronic element and method of producing same |
| RU2006137039A (ru) * | 2004-03-26 | 2008-05-10 | Тин Филм Электроникс Аса (No) | Органическое электронное устройство и способ его изготовления (варианты) |
| EP1734794A1 (en) * | 2004-04-06 | 2006-12-20 | Idemitsu Kosan Company Limited | Electrode substrate and its manufacturing method |
| EP1760798A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB201121897D0 (en) | 2012-02-01 |
| EP2433320A1 (en) | 2012-03-28 |
| WO2010139802A1 (en) | 2010-12-09 |
| GB2483820B (en) | 2014-01-08 |
| RU2011153935A (ru) | 2013-07-20 |
| GB0909721D0 (en) | 2009-07-22 |
| GB2483820A (en) | 2012-03-21 |
| US20120193721A1 (en) | 2012-08-02 |
| EP2433320B1 (en) | 2020-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6661024B1 (en) | Integrated circuit including field effect transistor and method of manufacture | |
| TWI500719B (zh) | 用於導電部件之網印的方法及組合物 | |
| US20120276734A1 (en) | Method of manufacturing an opto-electric device | |
| US20070200489A1 (en) | Large area organic electronic devices and methods of fabricating the same | |
| KR20060098522A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| EP2908227B1 (en) | Conductive film, manufacturing method thereof, and display device including same | |
| KR20170055361A (ko) | 투명 전극 및 이를 포함하는 소자 | |
| KR20080073331A (ko) | 전도성 층의 패턴화 방법 및 장치, 및 이에 의해 제조된장치 | |
| US20170222168A1 (en) | Thin-film transistor and method of fabricating the same | |
| US9130179B2 (en) | Electronic devices | |
| KR20170075507A (ko) | 전도성 소자 및 이를 포함하는 전자 소자 | |
| RU2552402C2 (ru) | Электронные устройства | |
| JP5386852B2 (ja) | 積層構造体、半導体装置、積層構造体の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| US8896071B2 (en) | Reducing defects in electronic switching devices | |
| US7632705B2 (en) | Method of high precision printing for manufacturing organic thin film transistor | |
| KR20190140405A (ko) | 광전지 모듈 제조 방법 및 이렇게 얻어진 광전지 모듈 | |
| CN101656294A (zh) | 包括针孔底切区域的器件和工艺 | |
| NL2006756C2 (en) | Method for forming an electrode layer with a low work function, and electrode layer. | |
| JP2005529474A (ja) | 導電性有機機能層を製造するための材料および該材料の使用 | |
| CN101926015A (zh) | 用于光电子器件的横跨丝网形成的方法、设备和辊轴 | |
| EP3282488A1 (en) | Thin-film transistor array formation substrate, image display device substrate, and thin-film transistor array formation substrate manufacturing method | |
| JP2014067981A (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよび画像表示装置 | |
| JP6620556B2 (ja) | 機能材料の積層方法及び機能材料積層体 | |
| JP2020031100A (ja) | 有機薄膜トランジスタとその製造方法および電子装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160605 |