RU2550551C2 - ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ СОЕДИНЕНИЕМ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ р-n ПЕРЕХОДОМ - Google Patents

ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ СОЕДИНЕНИЕМ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ р-n ПЕРЕХОДОМ Download PDF

Info

Publication number
RU2550551C2
RU2550551C2 RU2012146465/08A RU2012146465A RU2550551C2 RU 2550551 C2 RU2550551 C2 RU 2550551C2 RU 2012146465/08 A RU2012146465/08 A RU 2012146465/08A RU 2012146465 A RU2012146465 A RU 2012146465A RU 2550551 C2 RU2550551 C2 RU 2550551C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
circuit
transistors
terminal
transistor
terminals
Prior art date
Application number
RU2012146465/08A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2012146465A (ru
Inventor
Даниэль АГГЕЛЕР
Йюрген БИЛА
Иоганн Вальтер КОЛАР
Original Assignee
Этх Цюрих
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Этх Цюрих filed Critical Этх Цюрих
Publication of RU2012146465A publication Critical patent/RU2012146465A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2550551C2 publication Critical patent/RU2550551C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
    • H03K17/102—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
    • H03K17/107—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in composite switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K2017/6875—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors using self-conductive, depletion FETs

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к переключающим устройствам. Технический результат заключается в повышении надежности работы устройства. Устройство включает последовательное соединение по меньшей мере двух полевых транзисторов с управляющим p-n переходом (ПТУП-транзисторы) (J1-Jn), где следующие ПТУП-транзисторы (J2-Jn) последовательно подключены к самому нижнему ПТУП-транзистору (J-1), причем между вторым выводом (2) и первым выводом (1) включена цепная схема для стабилизации напряжений затворов ПТУП-транзисторов (J1-Jn). В каждом случае между выводами (GJ2, GJ3,…GJn) затворов указанных следующих ПТУП-транзисторов (J2-Jn) и соответствующими выводами катодов диодов (DAV) указанной цепной схемы включена вспомогательная схема (5). За счет указанной вспомогательной схемы при динамическом включении и в стационарном включенном состоянии потенциал на соответствующем выводе затвора выше потенциала связанного с ним вывода истока. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Данное изобретение относится к области электронных переключателей, в частности к переключающему устройству с последовательным соединением полевых транзисторов с управляющим p-n переходом (ПТУП-транзисторы) согласно ограничительной части п.1 формулы изобретения.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Силовые переключатели или переключающие устройства, обеспечивающие переключение при высоких рабочих напряжениях, могут быть реализованы в силовых электронных схемах посредством каскадно или последовательно соединенных транзисторов. К примеру, в патентных документах US 6,822,842 и DE 199 26 109 А1 в качестве таких переключающих устройств описана каскодная схема, при этом устройства основаны на специальной схеме из МОП-транзистора М и по меньшей мере одного ПТУП-транзистора J1 (см. фиг.1). Переключатели расположены между первым выводом 1 и вторым выводом 2 и управляются посредством управляющего вывода 3 МОП-транзистора М. В этом известном переключающем устройстве для работы с высокими напряжениями, основанном на каскодной схеме, предусмотрено последовательное включение группы ПТУП-транзисторов J2…Jn с получением таким образом высокого запирающего напряжения. Для пассивного управления динамическим распределением запирающего напряжения силового переключателя, выполненного на последовательно включенных транзисторах, между первым выводом 1 и вторым выводом 2 подключена коммутационная схема 4, причем лавинные диоды DAV,1-DAV,n коммутационной схемы 4 подключены между выводами затворов ПТУП-транзисторов. Принцип действия указанной схемы 4 по симметричному распределению запирающего напряжения ПТУП-транзисторов описан в публикации ″Balancing Circuit for a 5kV/50ns Pulsed Power Switch Based on SiC-JFET Super Cascode″ (J.Biela, D.Aggeler, J.W.Kolar, материалы 17-й Конференции IEEE Pulsed Power Conference (PPC′09)).
Во включенном состоянии, из-за прямых сопротивлений отдельных последовательно включенных полупроводниковых переключателей М, J1…Jn, на каждом элементе возникает падение напряжения. При этом, в результате суммарного падения напряжения, напряжение затвор-исток, в частности самого верхнего ПТУП-транзистора Jn (фиг.1), отличается от напряжения затвор-исток нижних ПТУП-транзисторов. Такая разница напряжений затвор-исток может вызвать отключение самого верхнего транзистора, который придет в высокоимпедансное состояние и, находясь во включенном состоянии под высоким прямым напряжением, будет в наихудшем случае разрушен.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Таким образом, задачей данного изобретения является создание переключающего устройства с последовательным включением ПТУП-транзисторов указанного выше типа, в котором преодолены названные недостатки.
Задача решена переключающим устройством с поcледовательным включением ПТУП-транзисторов, охарактеризованным признаками п.1 формулы изобретения.
Предложенное переключающее устройство для переключения тока между первым выводом и вторым выводом содержит последовательное соединение по меньшей мере двух ПТУП-транзисторов, причем к первому выводу подключен самый нижний ПТУП-транзистор, или указанный самый нижний ПТУП-транзистор подключен к первому выводу через последовательно включенный управляющий переключатель. Имеется по меньшей мере еще один ПТУП-транзистор, последовательно включенный с указанным самым нижним ПТУП-транзистором; при этом ПТУП-транзистор, наиболее удаленный от нижнего ПТУП-транзистора и обозначенный как самый верхний ПТУП-транзистор, подключен своим выводом стока к второму выводу. ПТУП-транзисторы, не являющиеся самым нижним или первым ПТУП-транзистором, названы в целом верхними ПТУП-транзисторами. Между первым выводом и вторым выводом включена цепная схема для динамического распределения запирающего напряжения и стабилизации напряжений затворов ПТУП-транзисторов. Каждая цепная схема содержит, например, диоды, работающие в обратном направлении и размещенные между затворами двух идущих подряд ПТУП-транзисторов. При этом в каждом случае между выводами затворов верхних ПТУП-транзисторов и катодом соответствующего диода включена вспомогательная схема, которая во включенном состоянии схемы обеспечивает высокий потенциал на выводе затвора верхних ПТУП-транзисторов и предотвращает нежелательное выключение верхних ПТУП-транзисторов.
Таким образом, в зависимости от тока нагрузки, при включенных верхних ПТУП-транзисторах напряжения на верхних затворах поддерживаются на уровне, немного превышающем, предпочтительно равном или немного меньшем по сравнению с напряжением на соответствующем выводе истока. В предпочтительном варианте получается напряжение затвор-исток по меньшей мере в два, предпочтительно в пять или в десять раз меньше, чем без указанной вспомогательной схемы. Благодаря этому при включении верхние ПТУП-транзисторы, как правило, остаются включенными дольше, чем без вспомогательной схемы. Таким образом, предотвращен также, в частности, переход самого верхнего ПТУП-транзистора между первым и вторым выводом в высокоимпедансное состояние и принятие им на себя всего напряжения.
Благодаря наличию указанной вспомогательной схемы паразитные емкости цепной схемы в каждом случае при включении могут разряжаться через диод вспомогательной схемы, в то время как за счет емкости, включенной параллельно диоду вспомогательной схемы, поддерживаются высокие напряжения на соответствующих затворах ПТУП-транзисторов.
Таким образом, подключение вспомогательной цепной схемы позволяет сбалансировать и синхронизировать динамическое включение силового переключателя, собранного на последовательно включенных транзисторах.
Сама вспомогательная схема, в общем случае и для каждого ПТУП-транзистора, выполнена с возможностью приложения предварительно заданного напряжения между выводом затвора и выводом истока. Вспомогательная схема обеспечивает симметричную нагрузку по напряжению затвор-исток последовательно включенных ПТУП-транзисторов.
Другими предпочтительными вариантами осуществления изобретения предусмотрено подключение указанной вспомогательной схемы не для каждого верхнего ПТУП-транзистора, а только для одного или нескольких ПТУП-транзисторов, предпочтительно для более верхних ПТУП-транзисторов.
Другим вариантом предусмотрено наличие по меньшей мере в одной из вспомогательных схем дополнительного диода, включенного встречно-параллельно уже имеющемуся диоду и последовательно с конденсатором дополнительной схемы. Благодаря полученной схеме управления конденсаторы вспомогательной схемы не разряжаются при динамическом включении и в статическом включенном состоянии, за счет чего на затворах верхних ПТУП-транзисторов сохраняется определенный потенциал.
Еще одним вариантом осуществления изобретения предусмотрен обратный порядок последовательного включения диода и вспомогательной схемы: вспомогательная схема включена не между выводом затвора и выводом катода, а между выводом затвора соответствующего нижнего ПТУП-гранзистора и выводом анода соответствующего диода.
В общем случае такая схема, модифицированная соответствующим образом, применима также для p-канальных ПТУП-транзисторов, вместо усматриваемых здесь n-канальных ПТУП-транзисторов. При этом вывод стока будет соответствовать выводу истока, а вывод истока - выводу стока.
Другие предпочтительные варианты осуществления изобретения охарактеризованы зависимыми пунктами формулы изобретения.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Далее предмет изобретения подробно поясняется на примере предпочтительных вариантов его осуществления, схематично показанных на сопроводительных чертежах, где:
фиг.1 - известное из уровня техники последовательное соединение ПТУП-транзисторов;
фиг.2 - первый вариант осуществления изобретения;
фиг.3 - второй вариант осуществления изобретения.
В общем случае одинаковые детали обозначены на чертежах одинаковыми номерами позиций.
ВАРИАНТЫ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Изобретение относится к переключающему устройству высокого рабочего напряжения с фиг.1. Переключатель содержит каскодное включение МОП-транзистора М с первым или с самым нижним ПТУП-транзистором J1 и по меньшей мере с одним следующим или верхним ПТУП-транзистором J2-Jn, включенным последовательно с указанным первым ПТУП-транзистором J1. Таким образом в указанной каскодной схеме самым нижним или первым ПТУП-транзистором управляет МОП-транзистор, выполняющий функцию управляющего переключателя. Последний из последовательно включенных ПТУП-транзисторов, наиболее удаленный от первого ПТУП-транзистора, обозначен как самый верхний ПТУП-транзистор Jn. Для стабилизации напряжений затворов ПТУП-транзисторов и выравнивания нагрузки ПТУП-транзисторов по напряжению предусмотрена цепная схема 4. В указанной цепной схеме в каждом случае между затворами двух идущих подряд ПТУП-транзисторов имеется параллельное включение диодов DAV,1, DAV,2,…DAV,n , работающих обратном направлении, и RC-цепь RD,1, CT,1, RD,2, CT,2,.. RD,n, CT,n.
В каждом случае между затвором и истоком верхних ПТУП-транзисторов J2-Jn (то есть не первого ПТУП-транзистора) включены резисторы (на фиг.1: RGS,2 - RGS,n). Вместо резисторов можно использовать также и диоды Зенера.
Для динамического и статического управления напряжениями затворов в каждом случае между затвором (GJ2, GJ3…GJn) и выводом катода (K1, K2…Kn-1) диода цепной схемы включена вспомогательная схема 5. Как показано на фиг.2, каждая вспомогательная схема 5 содержит параллельное включение диода Зенера DZ,1, DZ,2,…DZ,n-1 и конденсатора CCL,1. CC,L2,…CCL,n-1. Такое решение обеспечивает поддержание высокого потенциала на выводе затвора верхних ПТУП-транзисторов, что компенсирует с одной стороны прямое напряжение диодов, а с другой стороны - падение напряжения вследствие прямого сопротивления, при этом в предпочтительном варианте между выводом затвора и выводом истока поддерживается в основном нулевое напряжение или напряжение с небольшим положительным значением.
Емкость конденсатора вспомогательной схемы многократно превышает эмкость перехода диодов, работающих в обратном направлении, и емкость сток-исток соответствующих ПТУП-транзисторов, вследствие чего при зключении невозможно полностью отобрать накопленную энергию, и в эезультате на конденсаторе вспомогательной схемы остается напряжение, но поддерживает напряжение соответствующего затвора на высоком уровне.
Цепная схема проводит зарядный ток от выводов затвора ПТУП-ранзисторов (J1-Jn) в соответствующий предназначенный для этого шкопительный элемент (емкость перехода диода, работающего в обратном вправлении, и емкость RC-элемента цепной схемы с вспомогательной схемой), что обеспечивает динамическую стабилизацию последовательно ислюченных ПТУП-транзисторов.
Вместо диода Зенера и конденсатора в указанной вспомогательной схеме могут иметься другие схемные элементы, обеспечивающие тот же результат, например только один или два или более последовательно включенных диодов Зенера, или же только один или два или более параллельно включенных конденсаторов.
Одним из предпочтительных вариантов осуществления изобретения предусмотрено подключение вспомогательной схемы не для каждого верхнего ПТУП-транзистора, а только для одного или нескольких ПТУП-транзисторов, предпочтительно для более верхних ПТУП-транзисторов.
Фиг. 3 иллюстрирует альтернативный предпочтительный вариант осуществления изобретения, предусматривающий также наличие дополнительных диодов DZR,1, DZR,2,…DZR,n-1, каждый из которых включен последовательно с конденсатором и встречно-параллельно диоду вспомогательной схемы.
В соответствии с общим принципом изобретения указанная схема, модифицированная соответствующим образом, применима также для p-канальных ПТУП-транзисторов, вместо рассматриваемых здесь n-канальных ПТУП-транзисторов.

Claims (4)

1. Переключающее устройство для переключения тока между первым выводом (1) и вторым выводом (2), содержащее последовательное соединение по меньшей мере двух полевых транзисторов с управляющим р-n переходом (ПТУП-транзисторы) (J1-Jn),
причем к первому выводу (1) подключен самый нижний ПТУП-транзистор (J1), или указанный самый нижний ПТУП-транзистор (J1) подключен к первому выводу (1) по каскодной схеме через управляющий переключатель (М),
причем к указанному самому нижнему ПТУП-транзистору (J1) последовательно подключен один или более следующих, верхних ПТУП-транзисторов (J2-Jn), при этом ПТУП-транзистор (Jn), наиболее удаленный от указанного самого нижнего ПТУП-транзистора (J1) и обозначенный как самый верхний ПТУП-транзистор (Jn), подключен своим выводом стока к второму выводу (2),
причем между выводами затворов ПТУП-транзисторов (J1-Jn) и первым выводом (1) включена пассивная цепная схема (4) для динамического управления напряжениями указанных затворов ПТУП-транзисторов (J1-Jn),
причем в каждом случае между затворами двух идущих подряд ПТУП-транзисторов цепная схема (4) содержит диоды (DAV,1, DAV,2, …DAV,n), работающие в обратном направлении,
отличающееся тем, что в каждом случае между выводами (GJ2, GJ3, …GJn) затворов верхних ПТУП-транзисторов (J2, J3, …,Jn) и выводами (KDAV,2, KDAV,3, …KDAV, n-1) катодов диодов цепной схемы (4), или между выводами анодов диодов цепной схемы (4) и выводами (GJ2, GJ3, …GJn) затворов соответствующих ПТУП-транзисторов (J1, J3, …,Jn-1) включена вспомогательная схема (5), причем указанная вспомогательная схема поддерживает высокий потенциал вывода затвора относительно соответствующего вывода (SJ2, SJ3, …, SJn) истока как при динамическом включении, так и в стационарном включенном состоянии, причем вспомогательная схема (5) содержит между выводами (GJ2, GJ3, …GJn) затворов и выводами (K1, К2, …,Kn-1) катодов один или более последовательно включенных диодов (Dz,1, Dz,2, …Dz,n-1), работающих в обратном направлении,
причем вспомогательная схема (5) содержит один или более конденсаторов (CCL,1, CCL,2 …CCL,n-1), которые в каждом случае параллельны указанным диодам (Dz,1, Dz,2, ...DZ,n-1), работающим в обратном направлении.
2. Переключающее устройство по п.1, отличающееся наличием по меньшей мере одной схемы (6) управления, содержащей вспомогательную схему и дополнительный диод (DZR,1, DZR,2, …-DZR,n-1).
3. Переключающее устройство по п.2, отличающееся тем, что по меньшей мере в одной из вспомогательных схем (6) предусмотрен дополнительный диод (DZR,1, DZR,2, …DZR,n-1), включенный последовательно с конденсатором указанной вспомогательной схемы и встречно-параллельно диоду (DZ,1, DZ,2, …DZ,n-1) указанной вспомогательной схемы.
4. Переключающее устройство для переключения тока между первым выводом и вторым выводом, содержащее последовательное соединение по меньшей мере двух р-канальных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом (ПТУП-транзисторы),
причем к первому выводу подключен самый нижний ПТУП-транзистор, или указанный самый нижний ПТУП-транзистор подключен к первому выводу по каскодной схеме через управляющий переключатель,
причем к указанному самому нижнему ПТУП-транзистору последовательно подключен один или более следующих, верхних ПТУП-транзисторов, причем ПТУП-транзистор, наиболее удаленный от указанного самого нижнего ПТУП-транзистора и обозначенный как самый верхний ПТУП-транзистор, подключен своим выводом истока ко второму выводу, причем между выводами затворов ПТУП-транзисторов и первым выводом включена пассивная цепная схема для динамического управления напряжениями затворов ПТУП-транзисторов,
причем в каждом случае между затворами двух идущих подряд ПТУП-транзисторов указанная цепная схема содержит диоды, работающие в обратном направлении,
отличающееся тем, что в каждом случае между выводами затворов верхних ПТУП-транзисторов и выводами катодов диодов указанной цепной схемы, или между выводами анодов диодов указанной цепной схемы и выводами затворов соответствующих ПТУП-транзисторов включена вспомогательная схема, причем указанная вспомогательная схема поддерживает высокий потенциал вывода затвора относительно соответствующего вывода стока как при динамическом включении, так и в стационарном включенном состоянии, причем вспомогательная схема содержит между выводами затворов и выводами катодов один или более последовательно включенных диодов, работающих в обратном направлении,
причем вспомогательная схема содержит один или более конденсаторов, которые в каждом случае параллельны указанным диодам, работающим в обратном направлении.
RU2012146465/08A 2010-04-07 2011-04-06 ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ СОЕДИНЕНИЕМ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ р-n ПЕРЕХОДОМ RU2550551C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH5002010A CH702971A2 (de) 2010-04-07 2010-04-07 Schalteinrichtung mit jfet-serieschaltung.
CH500/10 2010-04-07
PCT/CH2011/000072 WO2011123962A1 (de) 2010-04-07 2011-04-06 Schalteinrichtung mit jfet-serieschaltung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012146465A RU2012146465A (ru) 2014-05-20
RU2550551C2 true RU2550551C2 (ru) 2015-05-10

Family

ID=44227928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012146465/08A RU2550551C2 (ru) 2010-04-07 2011-04-06 ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ СОЕДИНЕНИЕМ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ р-n ПЕРЕХОДОМ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8912840B2 (ru)
EP (1) EP2556590B1 (ru)
JP (1) JP5728076B2 (ru)
CN (1) CN102948076B (ru)
CH (1) CH702971A2 (ru)
RU (1) RU2550551C2 (ru)
WO (1) WO2011123962A1 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2913925B1 (en) * 2014-02-26 2021-03-31 General Electric Technology GmbH Balancing and/or discharge resistor arrangements
US9621110B1 (en) * 2014-11-03 2017-04-11 Acco Capacitive cross-coupling and harmonic rejection
US9190993B1 (en) * 2015-01-08 2015-11-17 United Silicon Carbide, Inc. High voltage switch
US9866213B1 (en) * 2016-09-08 2018-01-09 United Silicon Carbide, Inc. High voltage switch module
CN106712749B (zh) * 2016-11-14 2021-09-21 南京工程学院 基于碳化硅mosfet和jfet的混合高压器件
CN106787632B (zh) * 2016-11-14 2021-05-25 南京工程学院 一种SiC JFET串的多阶段驱动电路
CN110546870B (zh) 2017-04-28 2021-06-08 Abb瑞士股份有限公司 功率模块、其控制方法及使用、以及功率模块栈
US11258439B2 (en) 2017-09-07 2022-02-22 Visic Technologies Ltd. High-voltage fast switching devices
US10756726B2 (en) 2018-10-01 2020-08-25 Texas Instruments Incorporated Systems with power transistors, transistors coupled to the gates of the power transistors, and capacitive dividers coupled to the power transistors
US11784641B2 (en) 2021-01-15 2023-10-10 North Carolina State University High voltage cascaded supercascode power switch
US11728804B1 (en) * 2022-05-05 2023-08-15 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc High voltage switch with cascaded transistor topology

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2106673C1 (ru) * 1992-02-27 1998-03-10 Адольф Иванович Генин Многофункциональное устройство генина а.и. (варианты)
US6917234B2 (en) * 2002-12-23 2005-07-12 Infineon Technologies Ag Power switch arrangement and turn-off method therefor
US7148736B1 (en) * 1999-06-08 2006-12-12 Infineon Technologies Ag Power switch

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6135444U (ja) * 1984-08-06 1986-03-04 オリジン電気株式会社 制御極付半導体デバイスの縦続回路
JPS61285770A (ja) * 1985-06-12 1986-12-16 Toshiba Corp 拡散型半導体素子
DE10101744C1 (de) * 2001-01-16 2002-08-08 Siemens Ag Elektronische Schalteinrichtung und Betriebsverfahren
DE10135835C1 (de) * 2001-07-23 2002-08-22 Siced Elect Dev Gmbh & Co Kg Schalteinrichtung zum Schalten bei einer hohen Betriebsspannung
JP3761163B2 (ja) * 2002-03-28 2006-03-29 オリジン電気株式会社 制御極付半導体スイッチの直列回路
DE102008035075A1 (de) * 2008-07-28 2010-02-04 Siemens Aktiengesellschaft Schalteinrichtung und Schaltungsanordnungen zum Schalten bei einer hohen Betriebsspannung
CH700419A2 (de) * 2009-02-05 2010-08-13 Eth Zuerich Jfet-serieschaltung.
CH700697A2 (de) * 2009-03-27 2010-09-30 Eth Zuerich Schalteinrichtung mit einer kaskodeschaltung.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2106673C1 (ru) * 1992-02-27 1998-03-10 Адольф Иванович Генин Многофункциональное устройство генина а.и. (варианты)
US7148736B1 (en) * 1999-06-08 2006-12-12 Infineon Technologies Ag Power switch
US6917234B2 (en) * 2002-12-23 2005-07-12 Infineon Technologies Ag Power switch arrangement and turn-off method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
EP2556590B1 (de) 2015-08-19
JP2013526129A (ja) 2013-06-20
CN102948076B (zh) 2016-04-20
JP5728076B2 (ja) 2015-06-03
CH702971A2 (de) 2011-10-14
EP2556590A1 (de) 2013-02-13
CN102948076A (zh) 2013-02-27
US8912840B2 (en) 2014-12-16
US20130057332A1 (en) 2013-03-07
WO2011123962A1 (de) 2011-10-13
RU2012146465A (ru) 2014-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2550551C2 (ru) ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ СОЕДИНЕНИЕМ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ р-n ПЕРЕХОДОМ
RU2549021C2 (ru) Схема последовательного соединения птуп-транзисторов
JP6845138B2 (ja) 高電圧スイッチ
US10110142B2 (en) Balancing and/or discharge resistor arrangements
US9385659B2 (en) Device and method for controlling power amplifier
US10122274B2 (en) Multi-function power control circuit using enhancement mode gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs)
US10651839B2 (en) Power switching apparatus
US9806706B2 (en) Switching unit and power supply circuit
US20090023415A1 (en) Semiconductor switching device
US8710541B2 (en) Bi-directional switch using series connected N-type MOS devices in parallel with series connected P-type MOS devices
US9231578B2 (en) Apparatus and method for obtaining auxiliary voltage from control signals
JP2015511112A (ja) ＧａＮＦＥＴのゲートの保護のためのドライバ回路のためのシステム及び装置
JP2014187479A (ja) 駆動回路
US9755548B2 (en) Bootstrap compensation circuit and power module
US10243549B2 (en) Drive circuit for power element
US9543929B2 (en) Apparatus and method for obtaining power voltage from control signals
KR101992030B1 (ko) Rfid 회로에 대한 전압 조절 회로
US9219412B2 (en) Buck converter with reverse current protection, and a photovoltaic system
US8487549B2 (en) Light-emitting diode control circuit
US8258764B2 (en) Driving device
RU152692U1 (ru) Высоковольтное силовое полупроводниковое устройство
US20130249607A1 (en) Bootstrapped switch circuit and driving method thereof
EP3477837A1 (en) Charge pump structure with regulated output voltage
KR20170055394A (ko) 캐스코드 스위치
WO2023067024A1 (en) High voltage series mosfet switching circuit