RU152692U1 - Высоковольтное силовое полупроводниковое устройство - Google Patents

Высоковольтное силовое полупроводниковое устройство Download PDF

Info

Publication number
RU152692U1
RU152692U1 RU2014147125/08U RU2014147125U RU152692U1 RU 152692 U1 RU152692 U1 RU 152692U1 RU 2014147125/08 U RU2014147125/08 U RU 2014147125/08U RU 2014147125 U RU2014147125 U RU 2014147125U RU 152692 U1 RU152692 U1 RU 152692U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
field
control
rack
voltage
mos transistor
Prior art date
Application number
RU2014147125/08U
Other languages
English (en)
Inventor
Игорь Павлович Воронин
Павел Анатольевич Воронин
Дмитрий Иванович Панфилов
Алла Анатольевна Вербицкая
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Энергетический институт им. Г.М. Кржижановского"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Энергетический институт им. Г.М. Кржижановского" filed Critical Открытое акционерное общество "Энергетический институт им. Г.М. Кржижановского"
Priority to RU2014147125/08U priority Critical patent/RU152692U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU152692U1 publication Critical patent/RU152692U1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Высоковольтное силовое полупроводниковое устройство, включающее стойку из N последовательно соединенных ключей с полевым управлением, стойку из (N-1) последовательно соединенных диодов и управляющий n-канальный МОП-транзистор, соединенных между собой таким образом, что сток первого полевого ключа подключен к первому силовому выводу, исток N-го полевого ключа соединен со стоком управляющего МОП-транзистора, при этом исток управляющего МОП-транзистора подключен ко второму силовому выводу, а затвор управляющего МОП-транзистора подключен к третьему управляющему выводу, катод каждого из (N-1) последовательно соединенных диодов подключен к затвору соответствующего полевого ключа из стойки последовательно соединенных ключей с полевым управлением, при этом анод (N-1)-го диода и затвор N-го полевого ключа соединены с истоком управляющего n-канального МОП-транзистора, отличающееся тем, что в стойке из N последовательно соединенных ключей с полевым управлением полевые ключи выполнены с модулируемой проводимостью, при этом в устройство введена стойка из (N-1) фиксирующих диодов и дополнительные силовые выводы, причем анод каждого из (N-1) фиксирующих диодов присоединен к затвору соответствующего полевого ключа в стойке последовательно соединенных ключей с полевым управлением, а катод каждого из (N-1) фиксирующих диодов подключен к соответствующему дополнительному силовому выводу.

Description

Предложение относится к области конструирования высоковольтных силовых полупроводниковых ключей и модулей и может быть использовано в схемах и устройствах энергетической электроники среднего и высокого уровня напряжения.
Известно силовое полупроводниковое устройство, в котором высоковольтный ключ с полевым управлением коммутируется включенным последовательно с ним низковольтным МОП-транзистором (пат. США 6633195 В2, 14.10.2003).
Недостаток данного устройства заключается в том, что его выходное напряжение ограничено максимальным напряжением единичного высоковольтного ключа, и данные устройства не могут быть непосредственно использованы в преобразователях среднего и высокого уровня напряжения.
Наиболее близким по технической сути к заявляемому решению является силовое полупроводниковое устройство, включающее стойку из N последовательно соединенных ключей с полевым управлением, стойку из (N-1) последовательно соединенных диодов и управляющий n-канальный МОП-транзистор, соединенных между собой таким образом, что сток первого полевого ключа подключен к первому силовому выводу, а исток N-го полевого ключа соединен со стоком управляющего МОП-транзистора, при этом исток управляющего МОП-транзисторов подключен ко второму силовому выводу, а затвор управляющего МОП-транзистора подключен к третьему управляющему выводу, катод каждого из (N-1) последовательно соединенных диодов подключен к затвору соответствующего полевого ключа из стойки последовательно соединенных ключей с полевым управлением, при этом анод (N-1)-го диода и затвор N-го полевого ключа соединены с истоком управляющего n-канального МОП-транзистора (пат. США 6822842 В2, 23.11.2004).
Недостатком данного решения является существенный рост статических потерь мощности в устройстве при увеличении тока нагрузки из-за относительно высокого сопротивления открытого канала униполярных ключей с полевым управлением.
Технический результат предлагаемого устройства заключается в повышении эффективности его работы за счет увеличения выходного тока устройства и снижения мощности статических потерь.
Технический результат достигается тем, что в силовом полупроводниковом устройстве, включающем стойку из N последовательно соединенных ключей с полевым управлением, стойку из (N-1) последовательно соединенных диодов и управляющий n-канальный МОП-транзистор, соединенных между собой таким образом, что сток первого полевого ключа подключен к первому силовому выводу, исток N-го полевого ключа соединен со стоком управляющего МОП-транзистора, при этом исток управляющего МОП-транзистора подключен ко второму силовому выводу, а затвор управляющего МОП-транзистора подключен к третьему управляющему выводу, катод каждого из (N-1) последовательно соединенных диодов подключен к затвору соответствующего полевого ключа из стойки последовательно соединенных ключей с полевым управлением, при этом анод (N-1)-го диода и затвор N-го полевого ключа соединены с истоком управляющего n-канального МОП-транзистора, в стойке из N последовательно соединенных ключей с полевым управлением применены полевые ключи с модулируемой проводимостью, при этом в устройство введена стойка из (N-1) фиксирующих диодов, причем анод каждого из (N-1) фиксирующих диодов присоединен к затвору соответствующего полевого ключа в стойке последовательно соединенных ключей с полевым управлением, а катод каждого из (N-1) фиксирующих диодов подключен к соответствующему дополнительному силовому выводу.
Сущность предложенного решения и его технический результат поясняются соответствующими чертежом, где,
на Фиг. 1. представлено высоковольтное силовое полупроводниковое устройство;
на Фиг. 2. представлена схема подключения высоковольтного силового полупроводникового устройства к цепи источника питания и нагрузки;
на Фиг. 3. представлены осциллограммы переключения высоковольтного силового полупроводникового устройства;
на Фиг. 4. представлены осциллограммы динамического распределения напряжения на ключах с полевым управлением при переключении высоковольтного силового полупроводникового устройства;
на Фиг. 5. представлены осциллограммы выходного напряжения высоковольтного силового полупроводникового устройства и напряжения на управляющем МОП-транзисторе.
Высоковольтное силовое полупроводниковое устройство (Фиг. 1) содержит стойку 1 из N последовательно соединенных ключей с полевым управлением 2, 3, 4, 5. Сток первого полевого ключа 2 присоединен к первому силовому выводу «С» (сток устройства), а исток N-го полевого ключа 5 присоединен к стоку управляющего n-канального МОП-транзистора 6, при этом исток управляющего МОП-транзистора 6 подключен ко второму силовому выводу «И» (исток устройства), а затвор управляющего МОП-транзистора 6 подключен к третьему управляющему выводу «3» (затвор устройства). Устройство содержит стойку 7 из (N-1) последовательно соединенных диодов 8, 9, 10. Катод каждого из (N-1) последовательно соединенных диодов 8, 9, 10 подключены к затвору соответствующего полевого ключа 2, 3, 4 из стойки 1 последовательно соединенных ключей с полевым управлением. Другими словами: катод первого диода 8 подключен к затвору первого полевого ключа 2, катод второго диода 9 подключен к затвору второго полевого ключа 3, а катод (N-1)-го диода 10 подключен к затвору (N-1)-го полевого ключа 4. При этом анод (N-1)-го диода 10 и затвор N-го полевого ключа 5 соединены с истоком управляющего n-канального МОП-транзистора 6.
В устройство введена стойка 11 из (N-1) фиксирующих диодов 12, 13, 14. Анод каждого из (N-1) фиксирующих диодов 12, 13, 14 присоединен к затвору соответствующего полевого ключа 2, 3, 4 в стойке 1 последовательно соединенных ключей с полевым управлением. Другими словами: анод первого фиксирующего диода 12 подключен к затвору первого полевого ключа 2, анод второго фиксирующего диода 13 подключен к затвору второго полевого ключа 3, а анод (N-1)-го фиксирующего диода 14 подключен к затвору (N-1)-го полевого ключа 4. При этом катоды фиксирующих диодов 12, 13, 14 подключены к (N-1) дополнительным силовым выводам 15, 16, 17, соответственно.
На Фиг. 2 представлена схема подключения высоковольтного силового полупроводникового устройства к последовательной цепи источника питания Ε и нагрузки Н. Параллельно источнику питания Ε подключена стойка из N последовательно соединенных фильтровых конденсаторов С1, С2, С3, CN.
Точки соединения фильтровых конденсаторов C1, С2, С3, CN подключены к (N-1) дополнительным силовым выводам 15, 16, 17 устройства.
Заявляемое устройство работает следующим образом.
Устройство является асимметричным ключом и обеспечивает пропускание тока и регулирование мощности в нагрузке Η при положительном потенциале на первом силовом выводе "С" относительно второго силового вывода "И", т.е. при условии
Figure 00000002
где UСИ - выходное напряжение устройства между выводами "С" и "И".
Блокированное состояние устройства реализуется при нулевом управляющем сигнале на третьем управляющем выводе "З", соединенном с затвором управляющего МОП-транзистора 6.
Обозначим внешнее напряжение, приложенное к заявляемому устройству и включенной последовательно с ним нагрузке Н, символом Е. При закрытом устройстве:
Figure 00000003
где UDS2, UDS3, UDS4, UDS5 - напряжение сток - исток на соответствующих полевых ключах 2, 3, 4, 5 в стойке 1.
Uds6 - напряжение сток - исток на управляющем МОП-транзисторе 6.
Значения напряжений UDS2, UDS3, UDS4, UDS5, UDS6 на ключевых элементах закрытого устройства будут определены ниже.
Включение устройства производится подачей положительного импульса напряжения на третий управляющий вывод "З". При этом происходит заряд входной емкости управляющего МОП-транзистора 6, что обеспечивает его включение.
Через канал открытого управляющего МОП-транзистора 6 происходит разряд входной емкости полевого ключа 5. При уменьшении напряжения на входной емкости полевого ключа 5 до напряжения отсечки V0, происходит его отпирание.
Далее, через канал открытого управляющего МОП-транзистора 6, канал открытого полевого ключа 5 и диод 10 происходит разряд входной емкости полевого ключа 4. При уменьшении напряжения на входной емкости полевого ключа 4 до напряжения отсечки V0, происходит его отпирание. И так далее для всех остальных полевых ключей 3 и 2 в стойке 1.
По окончании переходного процесса включения на устройстве установится прямое напряжение:
Figure 00000004
где U(on)2, U(on)3, U(on)4, U(on)5 - падение напряжения на открытых полевых ключах 2, 3, 4, 5.
RDS(on)6 - сопротивление открытого канала сток-исток управляющего МОП-транзистора 6.
IC - ток стока силового устройства в открытом состоянии, равный току нагрузки.
В прототипе рассматриваемого устройства (пат. США 6822842 В2, 23.11.2004) в стойке 1 используются униполярные ключи с полевым управлением 2, 3, 4, 5, для выравнивания динамических напряжений на которых в стойке 7 применены диоды 8, 9, 10 с лавинным ограничением обратного напряжения.
Недостатком униполярных приборов 2, 3, 4, 5 прототипа является повышенное сопротивление открытого канала, составляющее величину десятых долей и даже единиц Ом.
С увеличением тока нагрузки статические потери мощности в униполярных ключах 2, 3, 4, 5 прототипа становятся недопустимо большими. Поэтому с целью снижения статических потерь мощности и расширения верхнего диапазона тока нагрузки до сотен и тысяч ампер в стойке 1 предлагаемого устройства применены полевые ключи с модулируемой проводимостью 2, 3, 4, 5, называемые также индукционными тиристорами. По сравнению с униполярными ключами прототипа сопротивление открытого канала ключей с модулируемой проводимостью 2, 3, 4, 5, имеющих тот же класс напряжения, составляет величину в несколько раз меньшую.
Однако в цепи затвора полевых ключей с модулируемой проводимостью 2, 3, 4, 5 в процессе выключении формируются большие импульсные токи, по амплитуде соизмеримые с током нагрузки. При этом применение диодов 8, 9, 10 в стойке 7 в качестве лавинных ограничителей с целью выравнивания динамических напряжений на полевых ключах 2, 3, 4, 5 стойки 1 становится невозможным. В предложенном устройстве в стойке 7 используются высокочастотные импульсные диоды 8, 9, 10, главным образом предназначенные для разряда входных емкостей полевых ключей 2, 3, 4 стойки 1 в переходном процессе включения устройства.
Для выравнивания динамических напряжений на полевых ключах 2, 3, 4, 5 стойки 1 в устройство введена стойка 11 из (N-1) фиксирующих диодов 12, 13, 14.
Рассмотрим процесс выключения устройства и выравнивание динамических напряжений на полевых ключах с модулируемой проводимостью 2, 3, 4, 5 в стойке 1 при его подключении к цепи источника питания Ε и нагрузки Η в соответствие со схемой, показанной на Фиг. 2.
На Фиг. 2 параллельно источнику питания Ε подключена стойка из N последовательно соединенных фильтровых конденсаторов C1, С2, С3, CN. При этом падение напряжения на каждом из фильтровых конденсаторов C1, С2, С3, CN составляет величину E/N.
Точки соединения фильтровых конденсаторов C1, С2, С3, CN подключены к (N-1) дополнительным силовым выводам 15, 16, 17 устройства.
Выключение устройства производится переключением напряжения на управляющем выводе "З" до нулевого значения. При этом происходит разряд входной емкости управляющего МОП-транзистора 6, после чего данный транзистор 6 запирается. Потенциал стока управляющего МОП-транзистора 6 начинает увеличиваться, при этом в цепи затвора полевого ключа 5 возникает отрицательное напряжение. При увеличении данного напряжения до уровня напряжения отсечки V0 происходит запирание полевого ключа 5. При этом на закрытом управляющем МОП-транзисторе 6 фиксируется напряжение на уровне:
Figure 00000005
а в цепи затвора полевого ключа 5 образуется мощный импульс обратного тока, практически равный по величине току нагрузки, который через второй силовой вывод «И» устройства замыкается на общую шину.
Потенциал стока закрытого полевого ключа 5 начинает расти, при этом пропорционально растет потенциал затвора полевого ключа 4. Когда потенциал затвора полевого ключа 4 возрастает до значения E/N, отпирается фиксирующий диод 17. Потенциал затвора полевого ключа 4 с помощью конденсатора CT фиксируется на уровне E/N. Дальнейший рост потенциал стока полевого ключа 5 приводит к возникновению отрицательного напряжения в цепи затвор-исток полевого ключа 4. При увеличении данного напряжения до уровня напряжения отсечки V0 происходит запирание полевого ключа 4. При этом на закрытом ключе 5 реализуется напряжение:
Figure 00000006
При запирании полевого ключа 4 в цепи его затвора образуется мощный импульс обратного тока, по амплитуде соизмеримый с током нагрузки. С помощью фильтрового конденсатора CN, обладающего относительно большой емкостью, через открытый фиксирующий диод 14 и цепь дополнительного силового вывода 17 обеспечивается поглощение энергии импульса обратного тока практически без изменения напряжения на фильтровом конденсаторе CN.
По аналогичному механизму происходит последовательное во времени запирание всех других ключей 3 и 2 с полевым управлением в стойке 1. После запирания последнего полевого ключа 2 устройство переходит в блокированное состояние. При этом к выходной цепи сток «С» - исток «И» устройства прикладывается полное напряжение внешнего источника Е, равномерно распределенное между N полевыми ключами 2, 3, 4, 5 в стойке 1.
Конкретное исполнение устройства при N=2 выполнено в виде силовой сборки в соответствии с Фиг. 2, в которой в качестве ключей 2 и 3 с полевым управлением в стойке 1 применены высоковольтные индукционные тиристоры с модулируемой проводимостью на максимальное напряжением 1200 В и средний ток 100 А, напряжение насыщения которых составляет не более 1,5 В. В качестве управляющего МОП-транзистора 6 применен низковольтный n-канальный транзистор с максимальным напряжением 55 В, пороговым напряжением 3,0 В и средним током 100 А, имеющий сопротивление канала в открытом состоянии не более 3,0 мОм и входную емкость затвор-исток 20 нФ. В диодной стойке 7 и стойке фиксирующих диодов 11 применены высокочастотные импульсные диоды с максимальным обратным напряжением 1200 В и импульсным током 100А.
Параметры электрического режима работы устройства:
- напряжение внешнего источника питания Ε=1500 В;
- ток нагрузки 100 А.
На Фиг. 3, Фиг. 4 и Фиг. 5 представлены осциллограммы работы заявляемого устройства, снятые с использованием цифрового осциллографа Tektronix серии TDS 3054, которые демонстрируют его технический результат, в котором при относительно большом токе нагрузки величиной 100А обеспечивается динамическое выравнивание напряжения по 750 В на каждый полевой ключ 2 и 3 с моделируемой проводимостью в стойке 1. При этом падение напряжения на управляющем МОП-транзисторе 6 не превышает 20 В.
Параметры электрического режима работы устройства:
- напряжение внешнего источника питания Ε=1500 В;
- ток нагрузки 100 А.
На Фиг. 3 представлены осциллограммы переключения высоковольтного силового полупроводникового устройства.
Канал 1 - напряжение затвор-исток устройства (масштаб 10 В/дел).
Канал 3 - ток стока устройства (масштаб 50 А/дел).
Канал 4 - напряжение сток-исток устройства (масштаб 500 В/дел).
Масштаб временной развертки - 100 нс/дел.
На Фиг. 4 представлены осциллограммы динамического распределения напряжения на ключах с полевым управлением 2 и 3 в стойке 1 при переключении высоковольтного силового полупроводникового устройства.
Канал 1 - напряжение затвор-исток устройства (масштаб 10 В/дел).
Канал 2 - напряжение сток-исток полевого ключа 3 (масштаб 500 В/дел).
Канал Μ - напряжение сток-исток полевого ключа 2 (масштаб 500 В/дел).
Масштаб временной развертки - 100 нс/дел.
На Фиг. 5 представлены осциллограммы напряжение в выходной цепи сток-исток высоковольтного силового полупроводникового устройства и напряжение на низковольтном управляющем МОП-транзисторе 6.
Канал 2 - напряжение сток-исток управляющего МОП - транзистора 6 (масштаб 10 В/дел).
Канал 4 - напряжение сток-исток устройства (масштаб 500 В/дел).

Claims (1)

  1. Высоковольтное силовое полупроводниковое устройство, включающее стойку из N последовательно соединенных ключей с полевым управлением, стойку из (N-1) последовательно соединенных диодов и управляющий n-канальный МОП-транзистор, соединенных между собой таким образом, что сток первого полевого ключа подключен к первому силовому выводу, исток N-го полевого ключа соединен со стоком управляющего МОП-транзистора, при этом исток управляющего МОП-транзистора подключен ко второму силовому выводу, а затвор управляющего МОП-транзистора подключен к третьему управляющему выводу, катод каждого из (N-1) последовательно соединенных диодов подключен к затвору соответствующего полевого ключа из стойки последовательно соединенных ключей с полевым управлением, при этом анод (N-1)-го диода и затвор N-го полевого ключа соединены с истоком управляющего n-канального МОП-транзистора, отличающееся тем, что в стойке из N последовательно соединенных ключей с полевым управлением полевые ключи выполнены с модулируемой проводимостью, при этом в устройство введена стойка из (N-1) фиксирующих диодов и дополнительные силовые выводы, причем анод каждого из (N-1) фиксирующих диодов присоединен к затвору соответствующего полевого ключа в стойке последовательно соединенных ключей с полевым управлением, а катод каждого из (N-1) фиксирующих диодов подключен к соответствующему дополнительному силовому выводу.
    Figure 00000001
RU2014147125/08U 2014-11-25 2014-11-25 Высоковольтное силовое полупроводниковое устройство RU152692U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014147125/08U RU152692U1 (ru) 2014-11-25 2014-11-25 Высоковольтное силовое полупроводниковое устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014147125/08U RU152692U1 (ru) 2014-11-25 2014-11-25 Высоковольтное силовое полупроводниковое устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU152692U1 true RU152692U1 (ru) 2015-06-10

Family

ID=53298019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014147125/08U RU152692U1 (ru) 2014-11-25 2014-11-25 Высоковольтное силовое полупроводниковое устройство

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU152692U1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU168443U1 (ru) * 2016-10-27 2017-02-02 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ") Высоковольтное ключевое устройство
RU177625U1 (ru) * 2017-09-11 2018-03-02 Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации Публичное акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" Базовый элемент высоковольтного ключевого устройства

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU168443U1 (ru) * 2016-10-27 2017-02-02 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ") Высоковольтное ключевое устройство
RU177625U1 (ru) * 2017-09-11 2018-03-02 Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации Публичное акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" Базовый элемент высоковольтного ключевого устройства

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3243276B1 (en) High voltage switch
Wang et al. An integrated gate driver with active delay control method for series connected SiC MOSFETs
US9385659B2 (en) Device and method for controlling power amplifier
JP6402591B2 (ja) 半導体装置
CN105939151B (zh) 电子电路
US8513983B2 (en) Gate drive circuit with overdrive protection
TW201301758A (zh) 包含常關型及常開型裝置的疊接開關以及包括該等開關的電路
EP2871765A1 (en) NPC converter for use in power module, and power module incorporating same
RU2580787C1 (ru) Генератор мощных наносекундных импульсов (варианты)
US20140097887A1 (en) Reduction or elimination of irregular voltage distribution in a ladder of voltage elevators
Palmer et al. SiC MOSFETs connected in series with active voltage control
EP3382881A1 (en) Equivalent transistor and three-level inverter
Kanale et al. Comparison of current suppression methods to enhance short circuit capability of 1.2 kV SiC power MOSFETs: A new approach using a series-connected, gate-source-shorted Si depletion-mode MOSFET vs reduced gate bias operation
RU152692U1 (ru) Высоковольтное силовое полупроводниковое устройство
CN106712749B (zh) 基于碳化硅mosfet和jfet的混合高压器件
Zhang et al. A Novel Active Voltage Clamping Circuit Topology for Series-Connection of SiC-MOSFET s
Li et al. Series-connection of SiC normally-on JFETs
US8476954B2 (en) Pulse generation circuit
US9143115B2 (en) Delay compensation circuit
JP2014150654A (ja) ゲート駆動回路
Kampitsis et al. Performance consideration of an AC coupled gate drive circuit with forward bias for normally-on SiC JFETs
JP6185032B2 (ja) 半導体装置と、それを用いたインバータ、コンバータおよび電力変換装置
US11962240B2 (en) Auto calibration dead-time control circuit
CN104332976A (zh) 集成电路高压兼容静电放电的电源钳制电路
RU74533U1 (ru) Полупроводниковое устройство ключевого типа

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20201126