RU2528397C2 - Фотоэлектрический модуль со стабилизированным полимером - Google Patents

Фотоэлектрический модуль со стабилизированным полимером Download PDF

Info

Publication number
RU2528397C2
RU2528397C2 RU2012144439/04A RU2012144439A RU2528397C2 RU 2528397 C2 RU2528397 C2 RU 2528397C2 RU 2012144439/04 A RU2012144439/04 A RU 2012144439/04A RU 2012144439 A RU2012144439 A RU 2012144439A RU 2528397 C2 RU2528397 C2 RU 2528397C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
poly
vinyl butyral
layer
benzotriazole
substrate
Prior art date
Application number
RU2012144439/04A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2012144439A (ru
Inventor
Вэйхун ЦУЙ
Original Assignee
Солютиа, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Солютиа, Инк. filed Critical Солютиа, Инк.
Publication of RU2012144439A publication Critical patent/RU2012144439A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2528397C2 publication Critical patent/RU2528397C2/ru

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10761—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing vinyl acetal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10678—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer comprising UV absorbers or stabilizers, e.g. antioxidants
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3467—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3472—Five-membered rings
    • C08K5/3475—Five-membered rings condensed with carbocyclic rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/12—Photovoltaic modules
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к композиции для уменьшения пожелтения и способу получения такой композиции. Композиция состоит из фотоэлектрического устройства, содержащего металлический компонент, поливинилбутирального слоя, расположенного в контакте с указанным металлическим компонентом, и защитной подложки, являющейся второй подложкой, расположенной в контакте с указанным поливинилбутиральным слоем. Поливинилбутиральный слой содержит 1Н-бензотриазол или соль 1Н-бензотриазола. Технический результат - получение композиции, пригодной для устойчивого, долгосрочного применения в фотоэлектрических модулях с металлическими элементами. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 3 табл., 3 пр., 1 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
Настоящее изобретение относится к области фотоэлектрических модулей и, в частности, настоящее изобретение относится к тонкопленочным фотоэлектрическим модулям, включающим полимерный слой и фотоэлектрическое устройство на соответствующей тонкопленочной фотоэлектрической подложке.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
В настоящее время используется два общих типа фотоэлектрических (солнечных) модулей. В первом типе фотоэлектрических модулей в качестве подложки используется полупроводниковая пластина, а во втором типе фотоэлектрических модулей используется тонкая пленка полупроводника, осажденная на соответствующей подложке.
Фотоэлектрические модули типа полупроводниковой пластины обычно включают кристаллические кремниевые пластины, которые обычно используются в различных твердотельных электронных устройствах, таких как компьютерные микросхемы памяти и компьютерные процессоры.
Тонкопленочные фотоэлектрические устройства могут включать один или более обычных полупроводников, таких как аморфный кремний, на соответствующей подложке. В отличие от устройств с пластинами, в которых пластина вырезается из слитка, тонкопленочные фотоэлектрические устройства создаются с использованием относительно простых способов нанесения, таких как распылительное покрытие, физическое осаждение паров (ФОПФ) или химическое осаждение паров (ХОПФ).
Тонкопленочные фотоэлектрические модули обычно включают слой этиленвинилацетатного сополимера (ЭВА) или слой из поли(винилбутираля) (ПВБ) для герметизации и защиты находящегося под ним фотоэлектрического устройства. Долгосрочная надежная работа фотоэлектрического модуля, конечно, имеет первостепенное значение, и, соответственно, стабильность полимерного слоя является критическим фактором для любых конкретных фотоэлектрических устройств.
Хотя в фотоэлектрических модулях широко используется ЭВА, применение поли(винилбутираля) является очень желательным, поскольку он не имеет таких недостатков, как ЭВА, таких как разрушение под действием уксусной кислоты, как подробно описано в патентной заявке США 2007/0259998.
Несмотря на то, что зачастую предпочтительно использовать поли(винилбутираль), наблюдалось пожелтение поли(винилбутираля) при контакте с элементами, содержащими серебро.
Соответственно, в этой области необходимы композиции поли(винилбутираля), которые являются пригодными для устойчивого, долгосрочного применения в фотоэлектрических модулях с металлическими элементами.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В настоящем изобретении представлено фотоэлектрическое устройство, включающее металл и поли(винилбутиральный) слой, содержащий соответствующее количество 1Н-бензотриазола. При наложении электрического смещения на фотоэлектрическое устройство 1Н-бензотриазол образует барьерный слой на поверхности раздела металл/поли(винилбутираль), который, например, непредвиденно практически исключает пожелтение поли(винилбутираля) в фотоэлектрических устройствах, содержащих серебряные компоненты.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ФИГУРЫ
На Фигуре 1 представлен схематический вид в поперечном разрезе тонкопленочного фотоэлектрического устройства настоящего изобретения.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
Тонкопленочные фотоэлектрические устройства настоящего изобретения включают поли(винилбутиральный) слой, составленный в соответствии с настоящим описанием, который обеспечивает превосходную адгезию, удельное сопротивление, герметизацию, технологичность и износостойкость фотоэлектрического устройства и который включает 1Н-бензотриазол.
Один вариант воплощения тонкопленочного фотоэлектрического модуля настоящего изобретения показан на Фигуре 1, в основном, под индексом 10. Как показано на этой Фигуре, фотоэлектрическое устройство 14 сформировано на основе подложки 12, которая может быть, например, стеклянной или пластмассовой. Защитная подложка 18 связана с фотоэлектрическим устройством 14 поли(винилбутиральным) слоем 16.
При использовании в настоящем документе, термин «1Н-бензотриазол» относится к соединению, показанному на следующей формуле:
Figure 00000001
Формула I
1Н-бензотриазол может быть включен в поли(винилбутиральный) слой в любом подходящем количестве, и в различных вариантах воплощения 1Н-бензотриазол включен, в весовых процентах, в количестве от 0,001 до 5%, от 0,01 до 5%, от 0,1 до 5%, от 1 до 5%, от 2 до 5% или от 0,1 до 0,4%.
1Н-бензотриазол предпочтительно вводится в поли(винилбутираль) во время образования полимерного слоя путем компаундирования в расплаве 1Н-бензотриазола с поли(винилбутиральной) смолой и любыми другими добавками. 1Н-бензотриазол также может быть представлен в солевой форме, например соли натрия, калия и аммония.
1Н-бензотриазол является хорошо известным ингибитором коррозии для меди, серебра, кобальта, алюминия и цинка. Он имеется в продаже у компании PMC Specialties Group и продается под торговой маркой Cobratec-99. Другие ингибиторы коррозии, применимые в фотоэлектрических устройствах настоящего изобретения, включают: производные 1Н-бензотриазола, такие как 5-метил-1Н-бензотриазол, 5-карбоксибензотриазол и другие алкиловые производные 1Н-бензотриазола; имидазол и производные имидазола, такие как бензимидазол, 5,6-диметилбензимидазол, 2-меркаптобензоимидазол, и производные жирных кислот 4,5-дигидро-1Н-имидазола; тиадиазол и алкиловые производные тиадиазола, такие как 2-меркаптобензотиазол, 1,2-бис(фенилтио)этан, 2,5-бис(н-октилдитио)-1,3,4-тиадиазол, 2-амино-5-меркапто-1,3,4-тиадиазол, 2-меркаптопиримидин, 2-меркаптобензоксазол, гистамин, гистидин; и 2-аминопиримидин.
Дополнительные добавки
В полимерные слои настоящего изобретения могут быть включены дополнительные добавки для улучшения стабильности и характеристик, включая дезактиваторы металлов, такие как Irganox MD-1024® (CAS 32687-78-8) и Naugard XL-1® (CAS 70331-94-1), светостабилизаторы из пространственно затрудненных аминов, такие как Tinuvin 123® (CAS129757-67-1), и фенольные антиоксиданты, такие как Anox 70® (2,2'-тиодиэтилен бис[3-(3,5-ди-трет-бутил-4-гидроксифенил)пропионат] CAS 41484-35-9).
Комбинированием любых из представленных выше стабилизаторов полимеров с бензотриазолом предположительно можно достичь дополнительной стабильности поли(винилбутираля) как на поверхности раздела поли(винилбутираля)-металла, так и внутри самого полимера. Экспериментальные данные позволяют предположить, что добавление бензотриазола и Anox 70® в композицию поли(винилбутираля) действительно дополнительно уменьшает нарушение цвета полимера и защищает структуру тонкопленочных солнечных панелей. В различных вариантах воплощения настоящего изобретения 1Н-бензотриазол и фенольные антиоксиданты включены в поли(винилбутиральный) слой и в некоторых вариантах 1Н-бензотриазол и 2,2'-тиодиэтилен бис[3-(3,5-ди-трет-бутил-4-гидроксифенил)пропионат включены в поли(винилбутиральный) слой.
Поли(винилбутиральный) слой
В тонкопленочных фотоэлектрических модулях настоящего изобретения используется слой поли(винилбутираля) в качестве ламинирующего адгезива, который используется для склеивания фотоэлектрического устройства с защитной подложкой, образуя, таким образом, фотоэлектрический модуль настоящего изобретения.
Поли(винилбутираль) настоящего изобретения может быть получен ацетилированием, способом, известным специалистам в данной области (см., например, патенты США № 2282057 и № 2282026). В одном варианте воплощения может использоваться растворный метод, описанный в статье «Винилацетатные полимеры» в Энциклопедии науки и технологии полимеров, 3-е издание, том 8, страницы 381-399, автора B.E. Wade (2003). В другом варианте воплощения может использоваться водный способ, описанный там же. Поли(винилбутираль) имеется в продаже в различных формах, например, у компании Solutia Inc., Сент-Луис, Миссури, в виде смолы Butvar™.
В различных вариантах воплощения поли(винилбутираль) включает от 10 до 35 весовых процентов (вес.%) гидроксильных групп в пересчете на поли(виниловый спирт), от 13 до 30 вес.% гидроксильных групп в пересчете на поли(виниловый спирт) или от 15 до 22 вес.% гидроксильных групп в пересчете на поли(виниловый спирт). Смола полимерного слоя может также включать менее чем 15 вес.% остаточных сложноэфирных групп, 13 вес.%, 11 вес.%, 9 вес.%, 7 вес.%, 5 вес.% или менее чем 3 вес.% остаточных сложноэфирных групп в пересчете на поливинилацетат, где оставшаяся часть является ацеталем, предпочтительно бутиральдегидным ацеталем, но необязательно включая другие ацетальные группы в незначительном количестве, например 2-этилгексанальную группу (см., например, патент США № 5137954).
В различных вариантах воплощения поли(винилбутираль) имеет молекулярный вес по меньшей мере 30000, 40000, 50000, 55000, 60000, 65000, 70000, 120000, 250000 или по меньшей мере 350000 грамм на моль (г/моль или дальтон). На этапе ацетилирования также могут быть добавлены небольшие количества диальдегида или триальдегида для увеличения молекулярного веса до значения по меньшей мере 350000 г/моль (см., например, патенты США № 4902464; 4874814; 4814529; и 4654179). При использовании в настоящем документе термин «молекулярный вес» означает средний молекулярный вес.
В полимерных слоях настоящего изобретения могут использоваться различные средства контролирования адгезии, включая ацетат натрия, ацетат калия и соли магния. Соли магния, которые могут использоваться с этими вариантами воплощения настоящего изобретения, включают, не ограничиваясь этим, те, которые описаны в патенте США № 5728472, такие как салицилат магния, никотинат магния, ди-(2-аминобензоат) магния, ди-(3-гидрокси-2-нафтоат) магния и бис(2-этилбутират) магния (номер по каталогу Chemical Abstracts 79992-76-0). В различных вариантах воплощения настоящего изобретения солью магния является бис(2-этилбутират) магния.
В различных вариантах воплощения полимерных слоев настоящего изобретения полимерные слои могут включать от 20 до 60, от 25 до 60, от 20 до 80, от 10 до 70 или от 10 до 100 частей пластификатора на сто частей. Конечно, могут использоваться другие количества, соответствующие конкретному применению. В некоторых вариантах воплощения пластификатор имеет углеводородный сегмент, состоящий из менее 20, менее 15, менее 12 или менее 10 углеродных атомов. Количество пластификатора может быть подобрано для изменения температуры стеклования (Tg) поли(винилбутирального) слоя. Вообще более высокое содержание пластификатора добавляется для снижения Tg.
К полимерным смолам настоящего изобретения могут добавляться любые подходящие пластификаторы для образования полимерных слоев. Пластификаторы, используемые в полимерных слоях настоящего изобретения, могут включать, среди прочего, сложные эфиры многоосновной кислоты или многоатомного спирта. Пригодные пластификаторы включают, например, триэтиленгликольди-(2-этилбутират), триэтиленгликольди-(2-этилгексаноат), триэтиленгликольдигептаноат, тетраэтиленгликольдигептаноат, дигексиладипинат, диоктиладипинат, гексилциклогексиладипинат, смеси гептил и нониладипинатов, диизонониладипинат, гептилнониладипинат, дибутилсебацинат, полимерные пластификаторы, такие как модифицированные маслом себациновые алкиды, смеси фосфатов и адипинатов, такие как описаны в патенте США № 3841890, адипинаты, такие как описаны в патенте США № 4144217, и смеси и комбинации вышеизложенного. Другими пластификаторами, которые могут использоваться, являются смешанные адипинаты, полученные из C4-C9 алкиловых спиртов и циклоC4-C10 спиртов, как описано в патенте США № 5013779, а также C6-C8 адипинатных эфиров, таких как гексиладипинат. В различных вариантах воплощения используемым пластификатором является дигексиладипинат и/или триэтиленгликольди-2-этилгексаноат.
Поли(винилбутиральный) полимер, пластификатор и любые добавки могут быть термически переработаны и сформированы в листовую форму по способам, известным специалистам в данной области. Один типичный способ формования поли(винилбутирального) листа включает экструдирование расплавленной смолы, включающей поли(винилбутираль), пластификатора и добавок продавливанием расплава через фильеру (например, фильеру, имеющую отверстие, размер которого в одном направлении гораздо больше, чем в перпендикулярном направлении). Другой типичный способ формования поли(винилбутирального) листа включает литье расплава из фильеры на ролик, затвердевание смолы и последующее снятие затвердевшей смолы в виде листа. В различных вариантах воплощения полимерные слои могут быть толщиной, например, от 0,1 до 2,5 миллиметров, от 0,2 до 2,0 миллиметров, от 0,25 до 1,75 миллиметров и от 0,3 до 1,5 миллиметров.
Поли(винилбутиральные) слои настоящего изобретения могут включать низкомолекулярные эпоксидные добавки. С настоящим изобретением может использоваться любой подходящий эпоксидный агент, известный в данной области (см., например, патенты США 5529848 и 5529849).
Другие добавки могут быть введены в полимерный лист для улучшения его характеристик в конечном продукте. Такие добавки включают, не ограничиваясь этим, красители, пигменты, стабилизаторы (например, ультрафиолетовые стабилизаторы), антиоксиданты, антиадгезивные агенты, дополнительные ИК-абсорберы, огнезащитные добавки, комбинации вышеперечисленных добавок и тому подобное, что известно в данной области.
Типичные ультрафиолетовые стабилизаторы включают замещенные 2Н-бензотриазолы, такие как стабилизаторы, продаваемые компанией Ciba Specialty под торговой маркой Tinuvin®, например, Tinuvin 328®, как показано на Формуле II:
Figure 00000002
Формула II
Базовая подложка
Базовые подложки настоящего изобретения, которые показаны как элемент 12 на Фигуре 1, могут быть любой подходящей подложкой, на которой можно создать фотоэлектрические устройства настоящего изобретения. Примеры включают, не ограничиваясь этим, стекло и жесткие пластмассовые глазурованные материалы, которые дают «жесткие» тонкопленочные модули, а также тонкие пластмассовые пленки, такие как поли(этилентерефталат), полиимиды, фторполимеры и тому подобное, которые дают «гибкие» тонкопленочные модули. В общем предпочтительно, чтобы базовая подложка обеспечивала пропускание большей части падающего излучения в диапазоне от 350 до 1200 нанометров, но специалистам в данной области понятно, что возможны различные варианты, включая варианты, в которых свет попадает в фотоэлектрическое устройство через защитную подложку.
Тонкопленочное фотоэлектрическое устройство
Тонкопленочные фотоэлектрические устройства настоящего изобретения, показанные как элемент 14 на Фигуре 1, создаются непосредственно на базовой подложке. Типичное производство устройства включает осаждение первого проводящего слоя, травление первого проводящего слоя, осаждение и травление полупроводящих слоев, осаждение второго проводящего слоя, травление второго проводящего слоя и нанесение шинных проводников и защитных слоев в зависимости от применения. Необязательно может быть сформирован электроизоляционный слой на базовой положке, между первым проводящим слоем и базовой подложкой. Этот необязательный слой может быть, например, кремниевым слоем.
Хотя 1Н-бензотриазоловый агент настоящего изобретения может быть добавлен в полимерные слои для применения на фотоэлектрических устройствах, не содержащих серебра, в предпочтительных вариантах воплощения 1Н-бензотриазол используется в поли(винилбутиральном) слое, который используется в фотоэлектрическом модуле, имеющем фотоэлектрическое устройство, содержащее серебро. Примеры серебряных компонентов включают, не ограничиваясь этим, проводящие слои или элементы (такие как проволочная сетка) или отражающие слои (см., например, US2006/0213548).
В других вариантах воплощения 1Н-бензотриазоловый агент настоящего изобретения может добавляться в полимерные слои для применения на фотоэлектрических устройствах, содержащих другие металлы, подверженные разрушению, например висмут, медь, кадмий, свинец, олово, цинк, золото, индий, палладий, платину, алюминий, сурьму, хром, железо, никель, родий, тантал, титан или ванадий.
Специалисту в данной области понятно, что вышеизложенное описание производства устройства является лишь одним из известных способов и лишь одним из вариантов воплощения настоящего изобретения. В рамки настоящего изобретения входят многие другие типы тонкопленочных фотоэлектрических устройств. Примеры способов производства и устройств включают способы, описанные в патентных документах США 2003/0180983, 7074641, 6455347, 6500690, 2006/0005874, 2007/0235073, 7271333 и 2002/0034645.
Различные компоненты тонкопленочного фотоэлектрического устройства могут быть получены любым подходящим способом. В различных вариантах воплощения могут использоваться химическое осаждение паров (ХОПФ), физическое осаждение паров (ФОПФ) и/или распыление.
Два проводящих слоя, описанных выше, служат в качестве электродов для переноса тока, выработанного промежуточным полупроводниковым материалом. Один из электродов обычно является прозрачным для обеспечения попадания солнечного излучения на полупроводниковый материал. Конечно, оба проводника могут быть прозрачными, или один из проводников может быть отражающим, что приведет к отражению света, прошедшего через полупроводниковый материал, обратно в полупроводниковый материал. Проводящие слои могут включать любой подходящий проводящий оксидный материал, такой как оксид олова или оксид цинка, или, если прозрачность не является критичной, как для «неподвижных» электродов, могут использоваться слои из металлов или металлических сплавов, такие как сплавы, включающие алюминий или серебро. В других вариантах воплощения для формирования электрода слой из оксида металла может комбинироваться с металлическим слоем, и слой из оксида металла может быть легирован бором или алюминием и осажден с использованием химического осаждения паров под низким давлением. Проводящие слои могут быть толщиной, например, от 0,1 до 10 микрометров.
Фотоэлектрическая область тонкопленочного фотоэлектрического устройства может включать, например, гидрированный аморфный кремний в обычной структуре PIN или PN. Кремний обычно может быть толщиной до 500 нанометров, обычно включая р-слой толщиной от 3 до 25 нанометров, i-слой толщиной от 20 до 450 нанометров, и n-слой толщиной от 20 до 40 нанометров. Осаждение может быть осуществлено тлеющим разрядом в силане или в смеси силана и водорода, как описано, например, в патенте США № 4064521.
Альтернативно, полупроводниковый материал может быть микроморфным кремнием, теллуридом кадмия (CdTe или CdS/CdTe), диселенидом меди-индия (CuInSe2 или “CIS”, или CdS/CuInSe2), селенидом меди-индия-галлия (CuInGaSe2 или “CIGS”) или другим фотоэлектрически активным материалом. Фотоэлектрические устройства настоящего изобретения могут иметь дополнительные полупроводниковые слои или комбинации вышеописанных типов полупроводников и могут быть последовательным соединением, тройным соединением или гетеропереходной структурой.
Травление слоев для получения отдельных компонентов устройства может быть выполнено с использованием любого обычного способа изготовления полупроводников, включая, но не ограничиваясь этим, шелкографию с резистными масками, травление с положительными или отрицательными фоторезистами, механическое гравирование, гравирование электрическим разрядом, химическое травление или лазерное травление. Травление различных слоев приводит обычно к образованию отдельных фотоэлементов в устройстве. Эти устройства могут быть электрически подключены к другим устройствам с использованием собирательных шин, которые вставлены или сформированы на любом соответствующем этапе процесса изготовления.
Необязательно может быть сформирован защитный слой над фотоэлементами перед сборкой с поли(винилбутиральным) слоем и защитной подложкой. Защитный слой может быть, например, напыленным алюминием.
Электрически взаимосвязанные фотоэлементы, образованные из необязательно изолирующего слоя, проводящие слои, полупроводниковые слои и необязательный защитный слой образуют фотоэлектрическое устройство настоящего изобретения.
Защитная подложка
Защитные подложки настоящего изобретения, показанные как элемент 18 на Фигуре 1, могут быть любой подходящей подложкой, которая может использоваться для связывания с полимерным слоем и достаточной защиты находящегося под ней устройства. Примеры включают, не ограничиваясь этим, стекло, жесткий пластик, тонкие пластмассовые пленки, такие как поли(этилентерефталатные), полиимидные, фторполимерные и тому подобные. В общем предпочтительно, чтобы защитная подложка обеспечивала пропускание большей части падающего излучения в диапазоне от 350 до 1200 нанометров, но специалистам в данной области понятно, что возможны различные варианты, включая варианты, в которых весь свет, входящий в фотоэлектрическое устройство, поступает через базовую подложку. В этих вариантах воплощения не нужна прозрачная или почти прозрачная защитная подложка, и она может быть, например, отражающей пленкой, предотвращающей выход света из фотоэлектрического модуля через защитную подложку.
Сборка
Конечная сборка тонкопленочных фотоэлектрических модулей настоящего изобретения включает размещение поли(винилбутирального) слоя в контакте с тонкопленочным фотоэлектрическим устройством, с собирательными шинами, если это применимо, которые были сформированы на базовой подложке, размещение защитной подложки в контакте с поли(винилбутиральным) слоем и ламинирование сборки для получения модуля.
Хотя основная часть настоящей заявки была связана с представлением предпочтительного варианта воплощения, в рамки настоящего изобретения входят все фотоэлектрические устройства, содержащие серебряный компонент и поли(винилбутираль), включая стандартные (не тонкопленочные) фотоэлектрические устройства, а также другие многослойные ламинаты, включающие поливинилбутиральный лист в контакте с разлагаемым металлическим компонентом (например, солнечное остекление и зеркала), которые хорошо известны в данной области.
Настоящее изобретение включает поли(винилбутиральные) слои, содержащие любой из компонентов, описанных в настоящем документе, включающие 1Н-бензотриазол и, необязательно, любые дополнительные добавки, описанные в настоящем документе.
Настоящее изобретение включает способ получения фотоэлектрического модуля, включающий этапы создания базовой подложки, формирования на ней фотоэлектрического устройства настоящего изобретения и ламинирования фотоэлектрического устройства с защитной подложкой с использованием поли(винилбутирального) слоя настоящего изобретения.
Настоящее изобретение включает фотоэлектрические модули, включающие полимерные слои настоящего изобретения.
ПРИМЕРЫ
Пример 1
С использованием небольшого лабораторного экструдера 750 грамм поли(винилбутиральной) смолы с содержанием винилового спирта около 18,7 вес.% и винилацетатного остатка 0,5-4 вес.% смешали с 285 грамм триэтиленгликоль ди-(2-этилгексаноатом) в качестве пластификатора, 2,63 грамм УФ-абсорбера Tinuvin 328®, 0,19 грамм магния (2-этилбутирата) в качестве соли для контролирования адгезии и различными добавками, показанными в Таблице 1, и экструдировали в листы толщиной 0,76 миллиметров.
Эти листы использовали для ламинации тонкопленочных солнечных элементов (15×15 сантиметров). Ламинаты экспонировали при 85°C и относительной влажности 85% под смещением 1000 вольт в течение 1000 часов. Индексы желтизны ламинатов измерили через 1000 часов экспозиции. Типичный индекс желтизны ламинатов до экспозиции составляет около 12 (между 11 и 13).
Таблица 1
№ образца Добавка Вес добавки Индекс желтизны через 1000 часов
Контрольный образец №1 нет нет 122,2
1 1Н-Бензотриазол 1,875 грамм 27,1
2 Anox 70® (2,2'-тиодиэтилен бис[3-(3,5-ди-трет-бутил-4-гидроксифенил)пропионат]) 1,875 грамм 93,4
3 Naugard XL-1® (CAS 70331-94-1) бензолпропановая кислота, 3,5-бис(1,1-диметилэтил)-4-гидрокси-, 1,1'-[(1,2-диоксо-1,2-этандиил)бис(имино-2,1-этандииловый)] эфир 1,875 грамм 118,4
Контрольный образец №2 нет нет 110,8
4 Irganox MD1024® бензолпропановая кислота, 3,5-бис(1,1-диметилэтил)-4-гидрокси-, 2-[3-[3,5-бис(1,1-диметилэтил)-4-гидроксифенил]-1-оксопропил]гидразид (CAS 32687-78-8) 0,75 грамм 61,6
  Tinuvin 123® декандионовая кислота, 1,10-бис[2,2,6,6-тетраметил-1-(октилокси)-4-пиперидиниловый] эфир (CAS 122586-52-1) 0,75 грамм  
Пример 2
Листы (толщиной 1,14 мм) получили на лабораторном экструдере следующим образом: на каждые 100 грамм поли(винилбутиральной) смолы добавили 38 грамм триэтиленгликоль ди-(2-этилгексаноата) в качестве пластификатора, 0,35 грамм Tinuvin 328®, 0,025 грамм магния (2-этилбутирата) и различных добавок, как показано в Таблице 2. Стекло, покрытое серебром, и другие слои использовали для получения поли(винилбутарильных) ламинатов. Размер стекла с покрытием равен 7×9 сантиметров. Ламинаты испытывали в течение 670 часов при 85°C, относительной влажности (ОВ) 85% и 1000 вольт электрического смещения.
Таблица 2
№ образца Поли(винилбутиральная) композиция (на 100 грамм поли(винилбутиральной) смолы) Индекс желтизны
t=0 t=670 часов
Контрольный образец 3 Контрольный образец (без дополнительных добавок) 12,8 95,6
5 0,125 г 1Н-бензотриазола 12,5 38,6
6 0,35 г 1Н-бензотриазола 12,6 36,8
7 0,35 г 1Н-бензотриазола и 0,15 г Anox 70® 12,6 35,7
8 0,35 г Irganox MD 1024® и 0,15 г Tinuvin 123® 11,2 79,1
Пример 3
Концентрацию серебра в контрольном образце 2 и образце 4 из Примера 1 определили через 1000 часов экспозиции. Образцы расслоили. Пластификатор экстрагировали из слоев вымачиванием и перемешиванием в смеси 75:25 гексан/этилацетат. Восстановленная поли(винилбутиральная) смола сохранила цвет, затем ее растворили в кислоте и анализировали на содержание серебра с использованием прибора Perkin Elmer Optima 3300 DV. Стандартный лист поли(винилбутираля) также анализировали на содержание серебра.
Таблица 3
  Контрольный образец 2 Образец 4 Стандартный поли(винилбутираль)
Ag (м.д.) 316 150 <5
«Индекс желтизны» измерили на неповрежденных стеклянных ламинатах. Образец измерили по полусферическому отражению с зеркальным компонентом, исключенным в соответствии со способом испытания ASTM E 1331, где прозрачная поверхность стекла направлена к источнику света. С использованием значений отражения по всему видимому спектру значение индекса желтизны рассчитали с использованием колонки «С, 1931» «Коэффициентов равенств индекса желтизны», представленной в таблице 1 способа ASTM E 313 «Стандартный способ испытания пластмасс на индекс желтизны».
Испытание под смещением выполнили, создав сначала следующую конструкцию: электрод/стеклянный слой/фотоэлектрическая пленка/электрод/поли(винилбутираль)/стеклянный слой. Затем наложили прямой ток напряжением 1000 вольт, в результате чего появился ток примерно 0,1 миллиампер.
Как показано в примерах, добавление Tinuvin 328®, замещенного производного 2Н-безотриазола, показанного на Формуле II, не предотвращает пожелтение, что подчеркивает существенный успех 1Н-бензотриазола.
Благодаря преимуществу настоящего изобретения теперь возможно создавать тонкопленочные фотоэлектрические модули, обладающие превосходной устойчивостью поли(винилбутираля) и устойчивостью к пожелтению при эксплуатации с фотоэлектрическими устройствами, содержащими серебро.
Хотя настоящее изобретение было описано со ссылкой на иллюстративные варианты воплощения, специалисту в данной области понятно, что могут быть сделаны различные изменения, и эквиваленты могут быть заменены на их элементы без отклонения от общей идеи настоящего изобретения. Кроме того, могут быть сделаны многие модификации для приспособления конкретной ситуации или материала к руководствам настоящего изобретения без отклонения от его основной идеи. Таким образом, предполагается, что настоящее изобретение не ограничивается конкретными вариантами воплощения, описанными как наилучший из рассмотренных способов осуществления настоящего изобретения, но что настоящее изобретение включает все варианты воплощения, входящие в рамки приложенной формулы изобретения.
Следует дополнительно понимать, что любые диапазоны, значения или характеристики, данные для любого отдельного компонента настоящего изобретения, могут использоваться взаимозаменяемо с любыми диапазонами, значениями или характеристиками любого другого компонента настоящего изобретения, при их совместимости, для получения варианта воплощения, имеющего определенные значения для каждого компонента, как представлено в тексте настоящего документа. Например, тонкопленочные модули могут включать комбинации поли(винилбутираля) и фотоэлектрических элементов для образования многих перестановок, находящихся в рамках настоящего изобретения, но которые чрезвычайно долго перечислять.
Любые кодовые числа Фигуры, данные в реферате или любом пункте формулы изобретения, предназначены лишь для иллюстративных целей и их не следует толковать как ограничивающие заявленное изобретение до какого-либо одного конкретного варианта воплощения, показанного на фигуре.
Изображенную фигуру не следует масштабировать, если не указано иное.
Все ссылки, включая журнальные статьи, патенты, заявки и книги, упомянутые в настоящем документе, включены в настоящий документ путем ссылки в полном объеме.

Claims (15)

1. Композиция для уменьшения пожелтения, по существу состоящая из:
основы, представляющей собой первую подложку;
фотоэлектрического устройства, содержащего металлический компонент;
поли(винилбутирального) слоя, расположенного в контакте с указанным металлическим компонентом, где указанный поливинилбутиральный слой содержит 1H-бензотриазол или соль 1H-бензотриазола; и
защитной подложки, являющейся второй подложкой, расположенной в контакте с указанным поли(винилбутиральным) слоем.
2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что указанное фотоэлектрический компонент является тонкопленочным фотоэлектрическим устройством.
3. Композиция по п.2, отличающаяся тем, что указанный поли(винилбутиральный) слой включает от 0,001 до 5 весовых процентов 1H-бензотриазола.
4. Композиция по п.2, отличающаяся тем, что указанный поли(винилбутиральный) слой включает от 0,1 до 0,4 весовых процентов 1H-бензотриазола.
5. Композиция по п.2, отличающаяся тем, что указанный поли(винилбутиральный) слой включает от 1 до 5 весовых процентов 1H-бензотриазола.
6. Композиция по п.2, отличающаяся тем, что указанный поли(винилбутиральный) слой дополнительно включает фенольный антиоксидант.
7. Композиция по п.2, отличающаяся тем, что указанным металлическим компонентом является висмут, медь, кадмий, свинец, олово, цинк, серебро, золото, индий, палладий, платина, алюминий, сурьма, хром, железо, никель, родий, тантал, титан или ванадий.
8. Композиция по п.2, отличающаяся тем, что указанным металлическим компонентом является серебро.
9. Композиция по п.2, отличающаяся тем, что указанный металлический компонент используется в качестве проводящего слоя.
10. Композиция по п.1, содержащая:
первую подложку;
металлический компонент, расположенный в контакте с указанной первой подложкой;
поли(винилбутиральный) слой, расположенный в контакте с указанным металлическим компонентом и включающий 1H-бензотриазол или соль 1H-бензотриазола; и
вторую подложку, расположенную в контакте с указанным поли(винилбутиральным) слоем.
11. Композиция по п.10, отличающаяся тем, что указанный поли(винилбутиральный) лист включает от 0,1 до 0,4 весовых процентов 1H-бензотриазола.
12. Композиция по п.10, отличающаяся тем, что указанный поли(винилбутиральный) лист включает от 1 до 5 весовых процентов 1H-бензотриазола.
13. Композиция по п.10, отличающаяся тем, что указанный поли(винилбутиральный) лист включает от 0,001 до 5 весовых процентов 1H-бензотриазола.
14. Композиция по п.10, отличающаяся тем, что указанный поли(винилбутиральный) лист дополнительно включает фенольный антиоксидант.
15. Способ получения композиции по п.1, включающий:
создание основы подложки;
формование фотоэлектрического устройства на указанной основе, содержащего металлический компонент;
размещение поли(винилбутирального) слоя в контакте с указанным фотоэлектрическим устройством, при этом указанный поли(винилбутиральный) слой включает 1H-бензотриазол или соль 1H-бензотриазола;
размещение защитной подложки в контакте с указанным поли(винилбутиральным) слоем; и
ламинирование указанной основы подложки, указанного фотоэлектрического устройства, указанного поли(винилбутирального) слоя и указанной защитной подложки для получения указанного модуля.
RU2012144439/04A 2010-03-19 2010-03-19 Фотоэлектрический модуль со стабилизированным полимером RU2528397C2 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2010/027976 WO2011115628A1 (en) 2010-03-19 2010-03-19 Photovoltaic module with stabilized polymer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012144439A RU2012144439A (ru) 2014-04-27
RU2528397C2 true RU2528397C2 (ru) 2014-09-20

Family

ID=42470691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012144439/04A RU2528397C2 (ru) 2010-03-19 2010-03-19 Фотоэлектрический модуль со стабилизированным полимером

Country Status (12)

Country Link
EP (1) EP2547516A1 (ru)
JP (1) JP2013522904A (ru)
KR (1) KR20130010889A (ru)
CN (1) CN102811854A (ru)
AU (1) AU2010348376A1 (ru)
BR (1) BR112012022911A2 (ru)
CA (1) CA2791015A1 (ru)
MX (1) MX2012010354A (ru)
RU (1) RU2528397C2 (ru)
SG (1) SG183430A1 (ru)
WO (1) WO2011115628A1 (ru)
ZA (1) ZA201206288B (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU168774U1 (ru) * 2016-03-04 2017-02-17 Валентин Петрович Пивнов Отражающая пленка
RU2725676C2 (ru) * 2015-12-23 2020-07-03 Амкор Флексиблес Транспак Теплоотражающий фотоэлектрический модуль

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8338699B2 (en) 2009-01-22 2012-12-25 E I Du Pont De Nemours And Company Poly(vinyl butyral) encapsulant comprising chelating agents for solar cell modules
WO2016007889A1 (en) * 2014-07-10 2016-01-14 Georgia Tech Research Corporation Carbon nanotube compositions
US9822236B2 (en) * 2014-08-21 2017-11-21 Solutia Inc. Polymer interlayers comprising special effect metal pigments
WO2016032837A1 (en) * 2014-08-25 2016-03-03 Solutia Inc. Thin film photovoltaic module with stabilized polymer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2030025C1 (ru) * 1989-04-04 1995-02-27 Научно-производственное предприятие "Сатурн" Фотоэлектрический модуль
RU94027688A (ru) * 1993-07-19 1996-08-10 Хехст АГ (DE) Пластифицированная поливинилбутиральная пленка, способ ее изготовления
EP1783159A1 (en) * 2004-06-08 2007-05-09 Bridgestone Corporation Resin film
RU2006127042A (ru) * 2003-12-26 2008-02-10 Секисуй Кемикал Ко., Лтд. (Jp) Промежуточная пленка для ламинированного стекла и ламинированное стекло

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2282057A (en) 1939-04-29 1942-05-05 Du Pont Purification and stabilization of polyvinyl acetal resins
US2282026A (en) 1939-04-29 1942-05-05 Du Pont Treatment of polyvinyl acetal resins
US3841890A (en) 1972-12-07 1974-10-15 Monsanto Co Plasticizer systems for polyvinyl butyral interlayers
US4064521A (en) 1975-07-28 1977-12-20 Rca Corporation Semiconductor device having a body of amorphous silicon
US4144217A (en) 1978-01-30 1979-03-13 Monsanto Company Plasticizer blends for polyvinyl butyral interlayers
US4874814A (en) 1985-07-02 1989-10-17 Monsanto Company Cross-linked polyvinyl butyral
US4814529A (en) 1985-07-02 1989-03-21 Cartier George E Cross-linked polyvinyl butyral
US4654179A (en) 1985-07-02 1987-03-31 Monsanto Company Polyvinyl butyral sheet roughness control
US4902464A (en) 1985-07-02 1990-02-20 Monsanto Company Cross-linked polyvinyl butyral
US5013779A (en) 1989-12-08 1991-05-07 Monsanto Company Plasticized polyvinyl butyral and interlayer thereof
US5137954A (en) 1991-09-30 1992-08-11 Monsanto Company Polyvinyl butyral sheet
DE4215141C1 (de) * 1992-05-08 1993-12-09 Hoechst Ag Polyvinylbutyrale mit verbesserter Thermostabilität und Lichtbeständigkeit
US5631315A (en) 1993-07-01 1997-05-20 Monsanto Company Plasticized polyvinyl butyral sheet containing epoxy resin
JPH07302926A (ja) * 1994-04-30 1995-11-14 Canon Inc 太陽電池モジュール
US5728472A (en) 1996-11-14 1998-03-17 Monsanto Company Control of adhesion of polyvinyl butyral sheet to glass
AU766727B2 (en) 1999-06-14 2003-10-23 Kaneka Corporation Method of fabricating thin-film photovoltaic module
US6500690B1 (en) 1999-10-27 2002-12-31 Kaneka Corporation Method of producing a thin-film photovoltaic device
JP2001345273A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Canon Inc シリコン系薄膜の形成方法、シリコン系薄膜及び光起電力素子
JP4433131B2 (ja) 2001-03-22 2010-03-17 キヤノン株式会社 シリコン系薄膜の形成方法
US7271333B2 (en) 2001-07-20 2007-09-18 Ascent Solar Technologies, Inc. Apparatus and method of production of thin film photovoltaic modules
US7259321B2 (en) 2002-01-07 2007-08-21 Bp Corporation North America Inc. Method of manufacturing thin film photovoltaic modules
AU2003267186A1 (en) * 2002-05-08 2003-11-11 Target Technology Company, Llc. Silver alloy thin film reflector and transparent electrical conductor
US8716592B2 (en) 2004-07-12 2014-05-06 Quanex Ig Systems, Inc. Thin film photovoltaic assembly method
US7521006B2 (en) * 2004-09-06 2009-04-21 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Diimmonium compound and use thereof
US7759158B2 (en) 2005-03-22 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Scalable photovoltaic cell and solar panel manufacturing with improved wiring
US20070235073A1 (en) 2006-04-10 2007-10-11 Mario Napolitano Method of fabricating a thin film photovoltaic cell on a transparent substrate
US20080128018A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-05 Richard Allen Hayes Solar cells which include the use of certain poly(vinyl butyral)/film bilayer encapsulant layers with a low blocking tendency and a simplified process to produce thereof
CN102832281A (zh) * 2008-04-04 2012-12-19 纳幕尔杜邦公司 包含高熔体流动速率的聚(乙烯醇缩丁醛)包封材料的太阳能电池模块
US20100180940A1 (en) * 2009-01-20 2010-07-22 Weihong Cui Photovoltaic Module With Stabilized Polymer
US8330039B2 (en) * 2009-01-22 2012-12-11 E I Du Pont De Nemours And Company Solar cell modules with poly(vinyl butyral) encapsulant comprising unsaturated heterocyclic compound

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2030025C1 (ru) * 1989-04-04 1995-02-27 Научно-производственное предприятие "Сатурн" Фотоэлектрический модуль
RU94027688A (ru) * 1993-07-19 1996-08-10 Хехст АГ (DE) Пластифицированная поливинилбутиральная пленка, способ ее изготовления
RU2006127042A (ru) * 2003-12-26 2008-02-10 Секисуй Кемикал Ко., Лтд. (Jp) Промежуточная пленка для ламинированного стекла и ламинированное стекло
EP1783159A1 (en) * 2004-06-08 2007-05-09 Bridgestone Corporation Resin film

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Q.KIM AND A.SHUMKA: "Discoloration of poly(vinil butyral) in cells exposed to real and simulated solar environments", SOLAR CELLS, vol.12, 1984, p.345-352. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2725676C2 (ru) * 2015-12-23 2020-07-03 Амкор Флексиблес Транспак Теплоотражающий фотоэлектрический модуль
RU168774U1 (ru) * 2016-03-04 2017-02-17 Валентин Петрович Пивнов Отражающая пленка

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130010889A (ko) 2013-01-29
SG183430A1 (en) 2012-09-27
CN102811854A (zh) 2012-12-05
JP2013522904A (ja) 2013-06-13
CA2791015A1 (en) 2011-09-22
MX2012010354A (es) 2012-11-16
ZA201206288B (en) 2013-05-29
WO2011115628A1 (en) 2011-09-22
BR112012022911A2 (pt) 2019-09-24
RU2012144439A (ru) 2014-04-27
AU2010348376A1 (en) 2012-09-27
EP2547516A1 (en) 2013-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20140360582A1 (en) Thin film photovoltaic module with stabilized polymer
US20140360574A1 (en) Thin film photovoltaic module with stabilized polymer
RU2528397C2 (ru) Фотоэлектрический модуль со стабилизированным полимером
JP5231686B2 (ja) 太陽電池用封止材および合わせガラス用中間膜
US20090293952A1 (en) Thin Film Photovoltaic Module
EP0998524B1 (en) Uv light stabilization additive package for solar cell module and laminated glass applications
JP2013511156A (ja) 還元剤を含んでなるポリマー封入材による太陽電池モジュール
JP2012516060A5 (ru)
JP2012516061A5 (ru)
JP2012516061A (ja) 太陽電池モジュール用のキレート剤を含むポリ（ビニルブチラール）封止材
JP2012516060A (ja) 太陽電池モジュール用のヒンダードアミン類を含むポリ（ビニルブチラール）封止材
JP6324813B2 (ja) 太陽電池モジュールおよびその製造方法
WO2016032837A1 (en) Thin film photovoltaic module with stabilized polymer
TWI498213B (zh) 具有穩定化聚合物之光伏打模組
AU2015261642A1 (en) Photovoltaic module with stabilized polymer
TW201009003A (en) Photovoltaic modules comprising plasticized intermediate layer films having a high alkali titer
US8124868B2 (en) Thin film photovoltaic module with contoured deairing substrate
KR101220224B1 (ko) 반사율이 우수한 폴리비닐아세탈 필름 및 이의 제조방법
JP2011061057A (ja) 封止材シート
WO2011115629A1 (en) Thin film photovoltaic module with contoured deairing substrate

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170320