RU2482216C2 - Плазменное устройство нанесения многослойных пленочных покрытий - Google Patents
Плазменное устройство нанесения многослойных пленочных покрытий Download PDFInfo
- Publication number
- RU2482216C2 RU2482216C2 RU2011113235A RU2011113235A RU2482216C2 RU 2482216 C2 RU2482216 C2 RU 2482216C2 RU 2011113235 A RU2011113235 A RU 2011113235A RU 2011113235 A RU2011113235 A RU 2011113235A RU 2482216 C2 RU2482216 C2 RU 2482216C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- generator
- plasma
- frequency
- Prior art date
Links
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 title claims description 42
- 239000007888 film coating Substances 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 12
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 2
- 206010033101 Otorrhoea Diseases 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000001007 puffing Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective Effects 0.000 description 3
- 210000004544 DC2 Anatomy 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002530 ischemic preconditioning Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 description 2
- 230000001131 transforming Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive Effects 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011089 mechanical engineering Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001264 neutralization Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 230000036470 plasma concentration Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 238000004642 transportation engineering Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
Изобретение относится к плазменному оборудованию для многослойного нанесения пленочных покрытий при изготовлении приборов электронной техники. Устройство содержит технологическую вакуумную камеру (1) со средствами откачки и систему напуска и дозирования технологического газа, два или больше размещенных по периферии камеры дуговых источника (2) наносимого материала с источниками питания, столик (7) с подложкой (8), размещенный горизонтально и осесимметрично в нижней части камеры, и магнитную систему. Технологическая камера дополнительно сверху оснащена диэлектрическим окном (3) с электродом возбуждения разряда (4), который через устройство согласования (5) соединен с ВЧ-генератором (6). Магнитная система выполнена в виде двух соленоидальных элементов (12, 13), один из которых охватывает верх камеры, а второй - нижнюю ее часть. Использование устройства позволяет увеличить площадь обрабатываемых подложек при обеспечении высокой равномерности нанесения покрытия по радиусу подложки и возможности управления свойствами многослойных пленочных систем. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение принадлежит к технологии изделий микро-, наноэлектроники и устройств микромеханики. Заявляемое техническое решение может быть также с успехом использовано в производстве трехмерных фотонных кристаллов с субмикронными размерами. Известно технологическое оборудование для формирования многослойных контактных систем для интегральных схем большой плотности [В.В.Одиноков. Многокамерное оборудование для металлизации СБИС в вакууме. Электронная промышленность, 1991, №5, с.3-4]. Установка дает возможность формировать качественные контактные системы к полупроводниковым приборам с помощью трех магнетронных распылительных устройств. Особенностью этого технического решения является использование вспомогательной магнитной системы, магнитное поле которой - встречное к магнитному полю распылительных устройств, что уменьшает повреждение полупроводниковых структур плазмой разряда.
Для изготовления низкоомных контактных систем к полупроводниковым сильноточным лавинно-пролетным диодам использовано пять источников материалов, которые скомпонованы радиально в одном вакуумном объеме [Болтовец М.С., Веремiйченко Г.М., Коростинськая Т.В. Багатошарова контактна система для кремнi∈воï структури з мiлкозалягаючим р-n-переходом. Декларационный патент Украины №36917А. МПК H01L 29/40. Заявлено 24.02.2000. Опубликовано 16.04.2001]. При формировании всех контактных систем использованы последовательно термические, электронно-лучевые и термоионный источники нанесения пленок. В технологическом процессе были использованы такие материалы, как Ti, Ni, Pd, Pt и Au. Барьерные слои TiN с низкоомным сопротивлением были сформированы в термоионном устройстве в атмосфере азота. Благодаря использованию такого количества источников для нанесения пленок изготовленные приборы имели большую выходную мощность и могли работать при высоких температурах и уровнях радиации. Несмотря на высокие технологические результаты это техническое решение не может быть использовано при формировании многослойных контактов на подложках большой площади из-за небольших линейных размеров используемых источников материалов.
Наиболее близким к заявляемому техническому решению является устройство, описанное в патенте [Волков В.В. Способ нанесения покрытий в вакууме и устройство для его осуществления. Патент 2265077 С1, Россия, МПК С23С 14/34. Заявлено 25.02.2004. Опубликовано 27.11.2005.]. Основой этого устройства являются два или несколько дуговых источников плазмы материалов, предназначенных для формирования многослойных покрытий. Каждый полученный поток плазмы материала транспортируется по соответствующему плазмоводу к плоскости подложки. Камера и дуговые источники плазмы оснащены соленоидальной магнитной системой, которая размещена снаружи технологической камеры и обеспечивает поворот плазменного потока на 90° и отделение капельной и нейтральной компонент. Устройство дает возможность получать многослойные пленочные системы из разнообразных материалов, которые могут наноситься в плазме реактивного газа кислорода, азота или их смеси. Несмотря на высокую производительность и эффективность рассмотренного устройства оно не дает возможности получать многослойные покрытия на подложках большой площади. Обычно зона равномерного нанесения пленок ограничена диаметром расходного катода дугового источника. Другим существенным недостатком является отсутствие управления энергией ионов наносимого материала путем подачи отрицательного или ВЧ-потенциала на поверхность подложки в процессе нанесения пленок металлов, диэлектриков и полупроводников.
Основная цель изобретения - усовершенствование плазменного устройства для нанесения многослойных покрытий на большие площади с управлением их свойствами путем оснащения его диэлектрическим окном с электродом возбуждения ВЧ-разряда, подключением столика с подложкой к ВЧ-генератору и источнику постоянного смещения. При этом взаимное расположение дуговых источников, электрода возбуждения, нижнего соленоидального элемента и столика с подложкой должно быть обусловлено определенными соотношениями. Таким образом, выполнение плазменного устройства с известными элементами, которые размещены определенным образом, дает возможность получить технический результат - значительно увеличить площадь подложки с высокой равномерностью нанесения по радиусу подложки и успешно управлять свойствами многослойных пленочных систем.
Указанный результат достигается за счет того, что:
1. Плазменное устройство нанесения многослойных пленочных покрытий содержит технологическую вакуумную камеру со средствами откачки и систему напуска и дозирования технологического газа, два или больше размещенных горизонтально по периферии камеры дуговых источников наносимых материалов с источниками питания, столик с подложкой, который размещен горизонтально и осесимметрично в нижней части камеры, и магнитную систему, а технологическая камера дополнительно сверху оснащена диэлектрическим окном с электродом возбуждения разряда, который через устройство согласования соединен с ВЧ-генератором, магнитная система выполнена в виде двух соленоидальных элементов, один из которых охватывает верх камеры и размещен после диэлектрического окна, а второй охватывает нижнюю часть камеры, при этом расстояние между поверхностью подложки и осями дуговых источников h определяется соотношением:
где Mi - масса иона наносимого материала, кг;
Е - напряженность электрического поля в промежутке анод-катод дугового источника, В/м;
В - индукция магнитного поля, Гс;
Vi - энергия ионов наносимого материала, эВ;
е - заряд электрона, 1,6·10-19 Кл.
2. Устройство по п.1 характеризуется тем, что расстояние между плоскостью подложки и центром нижнего соленоидального элемента Z определяется соотношением
где Br - индукция радиальной составляющей магнитного поля на краю подложки, Гс;
dk - диаметр катода, м;
rп - радиус подложки, м;
rм - радиус соленоида, м;
m - масса электрона, 9,1·10-31 кг;
Ve - скорость электронов, м/с;
i - суммарный ток в обмотке нижнего соленоидального элемента, А;
µa=µoµ;
µ - относительная магнитная проницаемость;
µo - магнитная проницаемость вакуума, 
3. Устройство по п.1 характеризуется тем, что расстояние между поверхностью диэлектрического окна и поверхностью подложки Н определяется выражением:
Н=(1/2+n/2)λ, м
где n=0, 1, 2 … - целые числа;
λ - уменьшенная длина волны ВЧ-колебаний на частоте ВЧ-генератора в плазме устройства, м
λo - длина волны колебаний в вакууме на частоте ВЧ-генератора, м;
ωp - частота ленгмюровских колебаний, рад/с;
ω - частота ВЧ генератора, рад/с;
Ωe - электронная циклотронная частота, рад/с.
4. Устройство по п.1 характеризуется тем, что к столику с подложкой подключены ВЧ-генератор и источник постоянного напряжения.
Новыми признаками, которые имеет данное техническое решение по сравнению с прототипом, являются оснащение плазменного устройства диэлектрическим окном с электродом возбуждения разряда, подключение столика с подложкой к ВЧ устройству и источнику постоянного смещения и взаимные расположения дуговых источников, электрода возбуждения, столика с подложкой и нижнего соленоидального элемента, которые определяются определенными соотношениями, что обеспечивает соответствие заявляемого технического решения критерию изобретения «новизна».
Эти признаки дают возможность достичь заявляемого технического результата - увеличить площадь равномерного нанесения многослойных пленочных систем и управлять физико-химическими и электрическими свойствами каждого слоя и пленочной системы в целом.
Возможность осуществления изобретения и доказательство заявляемых соотношений подтверждается следующими чертежами:
Фиг.1 - Схематическое изображение плазменного устройства нанесения многослойных пленочных покрытий.
Фиг.2 - Радиальное распределение интенсивности плазменного потока в плоскости подложки.
Фиг.3 - Наноразмерная структура, полученная в заявляемом плазменном устройстве.
Для эффективной транспортировки к плоскости подложки плазменных потоков материалов, наносимых из дуговых источников, необходимо равенство компонент магнитного поля (Bz=By) в точке О пересечения осей дуговых источников и плазменного реактора (плазменного устройства), как это показано на фиг.1. Воспользуемся выражением для нахождения ионного циклотронного радиуса в подобной разрядной системе, опубликованным в работе [J.Uramoto Bending Method of Discharge Plasma Flow for Ion Plating. J. of the Vacuum Society of Japan. 1984, vol.27, №2, pp.64-77]. Отсюда значение ионного циклотронного радиуса:
где Vi - энергия ионов наносимого материала, эВ;
В - индукция магнитного поля, Гс;
L - длина пути транспортировки плазменного потока от поверхности катода дугового источника к плоскости подложки, м.
С другой стороны:
где Mi - масса иона наносимого материала, кг;
Vi - энергия ионов наносимого материала, эВ.
Согласно источнику информации [С.Д.Гришин, Л.В.Лесков, Н.П.Козлов. Плазменные ускорители. М., «Машиностроение», 1983. С.26] параметры бездиссипативного дугового источника материала подобрали таким образом, что
где Е - напряженность электрического поля в промежутке «анод-катод».
Принимая во внимание, что 
, выражение (2) будет иметь вид:
Отсюда расстояние между поверхностью подложки и горизонтальной осью дугового источника
Для нахождения расстояния Z между поверхностью подложки и серединой нижнего соленоидального элемента магнитной системы найдем значение радиальной компоненты магнитного поля на периферии подложки, обеспечивающее высокую равномерность плазменного потока по всей площади. При транспортировке плазменного потока от плоскости катода ионного источника к плоскости подложки равномерность интенсивности уменьшается в кольцевой периферийной зоне подложки шириной:
где 2rп - диаметр подложки, м;
dk - диаметр катода дугового источника, м.
Для повышения равномерности толщины наносимых пленок в указанной кольцевой зоне необходимо поднять концентрацию плазмы за счет вращения электронов, что обеспечивается только при наличии радиальной компоненты неоднородного магнитного поля нижнего соленоидального элемента. При этом выражение для циклотронного радиуса в дрейфовом приближении будет иметь вид:
где Br - радиальная компонента магнитного поля в плоскости подложки в периферийной кольцевой зоне, а 
Радиальную компоненту магнитного поля Br нижнего соленоидального элемента в плоскости подложки находим из известного выражения [Л.А.Бессонов. Теоретические основы электротехники. М, «Высшая школа», 1973 г., С.613].
где i - суммарный постоянный ток через нижний соленоидальный элемент, А;
µa - абсолютная магнитная проницаемость;
rм - средний радиус нижнего соленоидального элемента;
N и K - полные эллиптические интегралы первого и второго рода - функции табулированы.
Используя методологию, приведенную в источнике [Л. А. Саркисян. Аналитические методы расчета стационарных магнитных полей. Справочное пособие. М., «Энергоатомиздат» 1993], находим значения полных интегралов:
N=1,9; K=1,2.
Для упрощения выражения (8) применяем следующее преобразование. Поскольку (rМ+rП)>>Z, то второй множитель в выражении (8) будет иметь вид:
Множитель в квадратных скобках упрощаем, подставляя значения N, K, rм и rп. После необходимых преобразований выражение (8) будет иметь вид:
Откуда:
где Br находится из выражения (7).
Для нахождения расстояния Н между нижней плоскостью диэлектрического окна и поверхностью подложки рассмотрим объем устройства как заполненный магнитоактивной плазмой волновод или резонатор, в котором существуют различные моды высокочастотных колебаний [G.K.Vinogradov. Transmission line balanced inductive plasma sources. Plasma Sources Sci. Technol. 9 (2000) pp.400-412]. Исходя из того, что электрод возбуждения ВЧ-разряда размещен почти симметрично относительно оси плазменного устройства, уменьшение длины волн будет зависеть от радиальной и осевой компонент тензора диэлектрической проницаемости плазмы εп. Компоненты тензора диэлектрической проницаемости плазмы определены в работе [М.В.Кузелов, А.А.Рухадзе, Л.С.Стрелков. Плазменная релятивистская СВЧ электроника. М, Издательство МГТУ им. Н.Э.Баумана. 2002].
Радиальная компонента тензора диэлектрической проницаемости
Продольная компонента тензора диэлектрической проницаемости
где
ne - концентрация электронов, м-3;
Уменьшение длины волны, возбуждающейся в плазменном устройстве, зависит от радиальной и осевой компонент тензора диэлектрической проницаемости. Полный тензор диэлектрической проницаемости плазмы будет иметь вид:
Тогда уменьшение длины волн в плазме будет иметь вид:
λ0 - длина волны в вакууме.
Таким образом, в заявляемом плазменном устройстве между поверхностью диэлектрического окна и поверхностью подложки могут существовать волны, кратные λ/2, то есть
где n=0, 1, 2, … - целые числа.
Вариант исполнения плазменного устройства для нанесения многослойных покрытий изображен на фиг.1. К технологической камере 1 со средствами откачки, системой напуска и дозировки газов (на фиг.1 не показано) по периферии пристроено два или несколько дуговых источников 2 наносимых материалов. Сверху осесимметрично над диэлектрическим окном 3 размещен спиральный электрод 4 для возбуждения индукционно связанного разряда. Через согласующий блок 5 электрод 4 соединен с ВЧ-генератором 6. Снизу технологической камеры осесимметрично размещен столик 7 с подложкой 8, на которой формируется многослойное пленочное покрытие. Столик 7 фиксируется с помощью вакуумного изолятора 9. Для управления свойствами пленок или их систем столик может быть соединен с источником постоянного напряжения 10 или с ВЧ-генератором 11. Магнитная система плазменного устройства состоит из двух соленоидальных элементов 12, 13, размещенных снаружи камеры, соответственно, в верхней и нижней частях указаной камеры.
Оптимальное расстояние Н между нижней плоскостью диэлектрического окна 3 и верхней плоскостью подложки 8 выбрано в соответствии с соотношением, заявляемым в формуле изобретения. Расстояние h между горизонтальной осью каждого из дуговых источников 2 и плоскостью подложки также обусловлено заявляемым выражением. Размещение нижнего соленоидального элемента 13 относительно подложки для достижения на плоскости максимальной равномерности плазменного потока фиксируется расстоянием Z, которое обусловлено заявляемым соотношением.
На фиг.2 (кривая 1) показано радиальное распределение ионного тока на подложке. Кривая 2 характеризует распределение ионного тока при расстояниях Z, значительно больших оптимального. Зона равномерного нанесения многослойных покрытий достигает 300 мм.
Плазменное устройство нанесения многослойных пленочных покрытий работает следующим образом. На первом этапе осуществляется очистка поверхностей катодов дуговых источников. Очистка катодов выполняется при включенных источниках питания и закрытых защитных экранах, отделяющих дуговые источники от объема технологической камеры. Защитные экраны на фиг.1 не показаны. Финишная очистка поверхности подложки выполняется ионами инертного газа из объема индукционно-связанной плазмы при включенных ВЧ-генераторе 6 и соленоидальных элементах 12, 13. При этом на столик с подложкой может подаваться мощность от включенного ВЧ-генератора 11 или с источника постоянного напряжения 10. После этого открываются защитные экраны и свободный от микрокапель ионный поток наносимого материала транспортируется к поверхности подложки, где формируется пленочная структура. Благодаря последовательной или параллельной работе отдельных дуговых источников можно формировать на подложке многокомпонентные и многослойные пленочные системы. Диэлектрические пленки получают путем подачи реактивных газов (O2N2) в технологическую камеру при одновременной работе дуговых источников. Углеродные, карбидные и алмазоподобные наноструктуры и пленки можно получать путем эрозии углеродных катодов дуговых источников или плазмоактивированным пиролизом углеродсодержащих газов, например таких, как метан, бензол, ацетон и тому подобных.
На фиг.3 приведена микрофотография наноструктурированной поверхности металла-катализатора (Fe), полученная с помощью заявляемого устройства.
Claims (4)
1. Плазменное устройство нанесения многослойных пленочных покрытий, включающее технологическую вакуумную камеру со средствами откачки и систему напуска и дозирования технологического газа, два или больше размещенных по периферии камеры дуговых источника наносимого материала с источниками питания, столик с подложкой, размещенный горизонтально и осесимметрично в нижней части камеры, и магнитную систему, отличающееся тем, что технологическая камера дополнительно сверху оснащена диэлектрическим окном с электродом возбуждения разряда, который через устройство согласования соединен с ВЧ генератором, магнитная система выполнена в виде двух соленоидальных элементов, один из которых охватывает верх камеры, а второй - нижнюю ее часть, при этом расстояние между поверхностью подложки и горизонтальными осями дуговых источников h определяется соотношением:
где Mi - масса иона наносимого материала, кг;
Е - напряженность электрического поля в промежутке анод-катод дугового источника, В/м;
В - индукция магнитного поля, Гс;
Vi - энергия ионов наносимого материала, эВ;
е - заряд электрона, 1,6·10-19 Кл.
где Mi - масса иона наносимого материала, кг;
Е - напряженность электрического поля в промежутке анод-катод дугового источника, В/м;
В - индукция магнитного поля, Гс;
Vi - энергия ионов наносимого материала, эВ;
е - заряд электрона, 1,6·10-19 Кл.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что расстояние между плоскостью подложки и центром нижнего соленоидального элемента Z определяется соотношением:
где Br - индукция радиальной составляющей магнитного поля на краю подложки, Гс;
dk - диаметр катода, м;
rп - радиус подложки, м;
rм - радиус соленоида, м;
m - масса электрона, 9,1·10-31 кг;
Ve - скорость электронов, м/с;
i - суммарный ток в обмотке нижнего соленоида, А;
µa=µ0µ;
µ - относительная магнитная проницаемость;
µ0 - магнитная проницаемость вакуума,
где Br - индукция радиальной составляющей магнитного поля на краю подложки, Гс;
dk - диаметр катода, м;
rп - радиус подложки, м;
rм - радиус соленоида, м;
m - масса электрона, 9,1·10-31 кг;
Ve - скорость электронов, м/с;
i - суммарный ток в обмотке нижнего соленоида, А;
µa=µ0µ;
µ - относительная магнитная проницаемость;
µ0 - магнитная проницаемость вакуума,
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что расстояние между поверхностью диэлектрического окна и поверхностью подложки Н определяется выражением:
Н=(1/2+n/2)λ, м,
где n=0, 1, 2 … - целые числа;
λ - укороченная длина волны ВЧ колебаний на частоте ВЧ генератора в плазме устройства, м,
λ0 - длина волны колебаний в вакууме на частоте ВЧ генератора, м;
ω - частота ВЧ генератора, рад/с;
ωр - частота ленгмюровских колебаний, рад/с;
Ωe - электронная циклотронная частота, рад/с.
Н=(1/2+n/2)λ, м,
где n=0, 1, 2 … - целые числа;
λ - укороченная длина волны ВЧ колебаний на частоте ВЧ генератора в плазме устройства, м,
λ0 - длина волны колебаний в вакууме на частоте ВЧ генератора, м;
ω - частота ВЧ генератора, рад/с;
ωр - частота ленгмюровских колебаний, рад/с;
Ωe - электронная циклотронная частота, рад/с.
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что к столику с подложкой подключены ВЧ генератор и источник постоянного напряжения.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAA201015237 | 2010-12-17 | ||
| UAA201015237U UA87747U (ru) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | ПЛАЗМЕННое УСТРОЙСТВО НАНЕСЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ пленочных покрытий |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011113235A RU2011113235A (ru) | 2012-10-20 |
| RU2482216C2 true RU2482216C2 (ru) | 2013-05-20 |
Family
ID=
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2601725C1 (ru) * | 2015-06-01 | 2016-11-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Источник металлической плазмы (варианты) |
| RU180427U1 (ru) * | 2018-01-10 | 2018-06-13 | Николай Владиславович Аржанов | Крышка резонатора установки для радиационной обработки изделий и материалов |
| RU2814689C1 (ru) * | 2023-10-06 | 2024-03-04 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" (СФУ) | Плазменная камера для активации поверхности микрофлюидных чипов и их последующей герметизации |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2601725C1 (ru) * | 2015-06-01 | 2016-11-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Источник металлической плазмы (варианты) |
| RU180427U1 (ru) * | 2018-01-10 | 2018-06-13 | Николай Владиславович Аржанов | Крышка резонатора установки для радиационной обработки изделий и материалов |
| RU2814689C1 (ru) * | 2023-10-06 | 2024-03-04 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" (СФУ) | Плазменная камера для активации поверхности микрофлюидных чипов и их последующей герметизации |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Baranov et al. | Plasma under control: Advanced solutions and perspectives for plasma flux management in material treatment and nanosynthesis | |
| TWI427172B (zh) | 微波輔助旋轉物理氣相沉積 | |
| TWI485279B (zh) | 同軸型微波輔助之沉積與蝕刻系統 | |
| US6422172B1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| US9273393B2 (en) | Torch system for depositing protective coatings on interior walls and recesses present on the flat surface of an object | |
| EP0379828A2 (en) | Radio frequency induction/multipole plasma processing tool | |
| WO1990013909A1 (en) | Reactive ion etching apparatus | |
| US20140076715A1 (en) | Low Pressure Arc Plasma Immersion Coating Vapor Deposition and Ion Treatment | |
| JP2021502688A (ja) | 線形化されたエネルギーの無線周波数プラズマイオン供給源 | |
| JP2002530531A (ja) | イオン化物理蒸着のための方法および装置 | |
| EP2695969B1 (en) | Thin film deposition apparatus and method of depositing thin film using the same | |
| CN101802259B (zh) | 用于大气压力下的甚高频等离子体辅助cvd的设备和方法及其应用 | |
| JPH10259477A (ja) | 電子ビーム及び磁界を用いてイオン化金属プラズマを生成する方法 | |
| JP3561080B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| Anders et al. | Focused injection of vacuum arc plasmas into curved magnetic filters | |
| Shustin | Plasma technologies for material processing in nanoelectronics: Problems and solutions | |
| Bárdoš et al. | Thin film processing by radio frequency hollow cathodes | |
| JP4776959B2 (ja) | 撥水処理方法 | |
| US20200040444A1 (en) | Plasma spray systems and methods | |
| US20030010453A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP2774367B2 (ja) | プラズマプロセス用装置および方法 | |
| RU2482216C2 (ru) | Плазменное устройство нанесения многослойных пленочных покрытий | |
| JP3973283B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| Sugawara et al. | Numerical simulation of electron transport in electric and magnetic fields for analysis of electron temperature and number density profiles measured in argon magnetic neutral loop discharge plasma | |
| Le Coeur et al. | Distributed electron cyclotron resonance plasma immersion for large area ion implantation |