RU2425433C2 - Оптически активная композиция и светоизлучающее комбинированное устройство на ее основе - Google Patents
Оптически активная композиция и светоизлучающее комбинированное устройство на ее основе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2425433C2 RU2425433C2 RU2008130085/28A RU2008130085A RU2425433C2 RU 2425433 C2 RU2425433 C2 RU 2425433C2 RU 2008130085/28 A RU2008130085/28 A RU 2008130085/28A RU 2008130085 A RU2008130085 A RU 2008130085A RU 2425433 C2 RU2425433 C2 RU 2425433C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- phosphor
- light
- optically active
- langasite
- radiation
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 53
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 56
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 7
- -1 polyethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 4
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 10
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 7
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- FHQMNXWCKXZQEW-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethylphenyl)-2-(methylamino)propan-1-one Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C(=O)C(C)NC FHQMNXWCKXZQEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000219991 Lythraceae Species 0.000 description 1
- 235000014360 Punica granatum Nutrition 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical group [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/77742—Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/77744—Aluminosilicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7775—Germanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/77922—Silicates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к светоизлучающим комбинированным устройствам, содержащим оптически активные композиции на основе Лангасита в сочетании со светодиодами, излучающими в коротковолновой области спектра. Описывается новая компоновка полупроводниковых устройств в сочетании с оптически активными композициями. В частности, светоизлучающие полупроводники, выполненные на основе InGaN структуры, в сочетании с высокоэффективными оптически активными кристаллами Лангасита La3Ga5SiO14. При активировании Лангасита данная композиция взаимодействует с излучением InGaN структуры. Лангасит поглощает фотоны с высокой энергией, излучаемые InGaN структурой, и переизлучает свет с большей длиной волн. Коротковолновое, более высокоэнергетичное излучение InGaN структуры, смешивается с более длинноволновым излучением оптически активной композиции и формирует широкий спектр, который воспринимается наблюдателем как белый свет. Технический результат - создание широкополосного источника света на основе полупроводниковых структур, где фотолюминофор Лангасит с высокой эффективностью возбуждения излучением, характерным для InGaN светодиодов, переизлучает свет в средней области видимого спектра. 4 н. и 15 з.п. ф-лы, 4 табл., 2 ил.
Description
Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится, в общем, к специальным оптически активным композициям и к комбинированным устройствам, сочетающим такие композиции и светоизлучающие элементы, а более конкретно к светоизлучающим комбинированным устройствам, содержащим оптически активные композиции на основе Лангасита в сочетании со светодиодами, излучающими в коротковолновой области спектра.
Описание предшествующего уровня техники
Созданный относительно новый материал, известный как Лангасит или точнее «лантаногалиевый силикат», нашел свое применение в новых изобретениях благодаря своим особым свойствам. Предметом новых изобретений является не только технология получения Лангасита, новые изобретения также создавались за счет использования особых физических свойств, которые продемонстрировал этот класс материалов.
Следующие важные изобретения описывают различные технологии получения Лангасита в виде, пригодном для широкого использования.
На изобретение авторов Kawanaka и др., названное «Кристаллы Лангасита и метод их производства», выдан патент US 6303048. В этом изобретении расплав, содержащий оксид лантана, оксид тантала и оксид галлия, готовится посредством смешивания порошков этих оксидов таким образом, чтобы иметь требуемое стехиометрическое значение композиции для получения требуемого оксида лантана/тантала/галлия. Затравочный кристалл помещается в расплав и большой кристалл вытягивается из расплава в атмосфере, содержащей аргон и кислород, как это описано в методе Чохральского.
Монокристаллическая подложка из Лангасита может быть получена при использовании изобретения Kumatoriya и др., описанного в патенте US 6525447. Монокристаллическая подложка используется в качестве пьезоэлектрического устройства. Более конкретно, в изобретении описаны последовательные шаги по полировке, по меньшей мере, одной из основных поверхностей необработанной подложки и жидкостное травление отполированной основной поверхности подложки растворами, включающими Н3РО4, HNO3 и СН3СООН.
Кристаллические материалы из Лангасита могут использоваться для работы в специальных электронных приборах в качестве генераторов или фильтров, в частности для управления радиочастотами.
В опубликованной заявке на патент US 2002/0015452 изобретатели Chai и др. представили электронное устройство, включающее соединение структуры Лангасита и метод изготовления такого устройства. Пьезоэлектрический слой сформирован из соединения упорядоченной Лангаситной структуры, имеющей формулу A3BC3D2E14, где А - Стронций, В - Ниобий, С - Галлий, D - Кремний и Е - Кислород. Такие устройства могут работать в качестве резонаторов или фильтров поверхностных или объемных акустических волн.
Также устройство на поверхностных акустических волнах, содержащее кристаллическую подложку Лангасита, было представлено изобретателями Takeuchi и др. в патенте US 6285112. Структура подложки и электрода формируется на подложке Лангасита, которая представляет собой срез монокристалла Лангасита в направлении оси X, повернутый срез в направлении оси Y монокристалла Лангасита или срез в направлении оси Y монокристалла Лангасита с двойным поворотом. Электродная структура формируется для создания фильтра поверхностных акустических волн, имеющего малое вносимое затухание и прекрасные фазовые свойства. В таком устройстве достигнут высокоточный уровень частотного управления.
Следующие изобретения также предназначены для частотного регулирования, управления и фильтрации.
Изобретение Gerlach и др. за номером US 6747573 описывает устройство и метод для генерации кодированного высокочастотного сигнала. Устройство имеет конвертор, который конвертирует первичную энергию неэлектрического происхождения из окружающего пространства в электрическую энергию. Это изобретение связано с очень важными принципами, а именно Лангасит используется в процессах конверсии энергии из одного состояния в другое.
Изобретатели Steve Beaudin и Hongwei Xu компании Nortel Networks, Оттава, Канада описали генератор с улучшенной частотной стабильностью. Устройство работает с использованием Лангасита. Два генератора генерируют сигналы на двух различных частотах, каждый их которых зависит от такого параметра, как температура, в соответствии с полиномом, в котором коэффициенты различны для двух генераторов. Микшер формирует выходной сигнал, при суммарной или разностной частоте двух сигналов, для которого соответствующий коэффициент в соответствующем полиноме по существу равен нулю.
Из приведенных примеров видно, что Лангасит обеспечивает работу интересных и полезных устройств различной конструкции, предназначенных для частотного управления. Далее будет показано, как Лангасит может использоваться совершенно иным образом для управления частотами при значительно более коротких длинах волн. Тем не менее, перед тем как перейти к деталям, связанным с этим вопросом, важно обратить внимание на описания предшествующего уровня техники, которые демонстрируют некоторые очень важные принципы в области частотного управления, но которые не связаны с материалами типа Лангасит. Эти описания включают:
Различные виды кристаллов Граната (YAG) используются в светодиодных системах, действие которых основано на явлении смещения длины волны излучения. В одной из таких систем светоизлучающее устройство на основании полупроводниковых нитридных соединений рассматривается в сочетании с люминофором на основе гранатового люминесцентного материала. Такое устройство описано в патенте US 6069440 авторов Shimizu и др. Светоизлучающий полупроводниковый диод определенным образом покрыт люминофорным материалом, который содержит флуоресцентные кристаллы Граната. Свет, излучаемый р-n переходом светодиода, выходит из полупроводниковой структуры и взаимодействует с люминофором, представляющим собой кристаллы Граната. В результате взаимодействия излучения с кристаллами Граната длина волны излучения изменяется. Коротковолновое излучение преобразуется в более длинноволновое излучение. Такие процессы находят широкое использование в системах, где необходимо преобразовать синее излучение в длинноволновое излучение. Такие системы находят большой спрос в настоящее время. В патенте US 5998925 вышеуказанных изобретателей описывается похожее изобретение и более детально описаны все моменты.
В патенте US 5962971 автор Chen из Тайваня описывает светодиодную структуру, генерирующую ультрафиолетовое излучение и многослойный полимер, что обеспечивает излучение света различных цветов. В упаковке светодиода смешиваются различные материалы, которые могут способствовать изменению длины волны света в полимере, что создает условия для генерации белого света светодиодом, а также света разных цветов. Эти различные материалы включают в себя флуоресцентные кристаллы, обеспечивающие сдвиг длины волны излучения, которые наносятся на поверхность чипа, излучающего ультрафиолетовое излучение.
Особое внимание уделяется светодиодам, излучающим белый свет. До сих пор большинство общепринятых конструкций светодиодов включает в себя полупроводниковую структуру на основе нитридов металлов III группы, которые генерируют синее или ультрафиолетовое излучение, в сочетании с люминофором на основе алюмоиттриевого граната, активированного церием. В предшествующем уровне техники можно найти много патентов, связанных с подобной конструкцией.
В то время как системы и изобретения, описанные ранее, предназначены для достижения специфических целей, некоторые из которых весьма значительны, одновременно, эти же известные изобретения имеют ограничения, которые препятствуют их использованию в возможных новых направлениях. Ранее известные изобретения не используются и не могут быть использованы для реализации преимуществ и задач, которые решает нижеописанное изобретение.
Сущность изобретения
Абрамов B.C., Шишов А.В., Щербаков Н.В. и Сощин Н.П. представляют изобретение, описывающее оптически активные композиции, а также светоизлучающие комбинированные устройства на их основе, содержащие светоизлучающую полупроводниковую структуру. Основная цель изобретения - создать оптически активные композиции. Главное отличие от устройств и способов, описанных в прототипах, заключается в том, что представленное устройство не содержит дорогостоящий алюмоиттриевый гранат.
Высокоэффективная оптически активная композиция реализована на основе лантаногалиевого силиката La3Ga5SiO14 - Лангасит. При синтезе композиции она активируется определенными элементами для изменения физических и оптических свойств, зависящих от кристаллической структуры. В частности, могут быть добавлены в различных концентрациях лантаниды с целью получения определенных требуемых свойств материала. Возможность влияния на оптические свойства композиций является особенно важным элементом. Активированный лантанидами Лангасит может быть использован в качестве фотолюминофора. В частности, может быть создан специальный фотолюминофор со спектром излучения в видимой области спектра. Кроме того, спектр возбуждения люминофора хорошо подходит для определенной области применения. Люминофор может возбуждаться ультрафиолетовым и синим излучением. Дополнительно следует отметить, что для описанных композиций как спектр излучения, так и спектр возбуждения являются подстраиваемыми. Цель данного изобретения - создать широкополосный источник света на основе полупроводниковых структур, где фотолюминофор Лангасит с высокой эффективностью возбуждения излучением, характерным для InGaN светодиодов, переизлучает свет в средней области видимого спектра. Данный фотолюминофор является объектом этого описания изобретения. Наилучший результат достигается при легировании кристаллов Лангасита атомами Церия, которые внедряются в кристаллическую решетку и формируют оптически активную композицию. Из лантанидов не только Церий может быть хорошим активатором, другие лантаниды позволяют создать другие интересные образцы фотолюминофоров. Комбинация нескольких лантанидов также создает интересные варианты люминофоров.
Вариации элементов из двух групп металлов в люминофоре, а именно металлов из III и IV групп, оказывают определенное влияние на композиции. В некоторых люминофорах часть атомов галлия заменяются атомами индия. В других образцах люминофора часть атомов кремния заменяются атомами германия. Возможны также комбинации указанных вариаций. Композиции, созданные в рамках данного изобретения, характеризуются структурой кристалла, которая описывается как P321(D2 3). Данный люминофорный материал синтезируется таким образом, чтобы средний размер кристаллов в порошке люминофора был в интервале от 8 до 40 длин волн максимума спектра эмиссии или, иными словами, чтобы средний диаметр частиц был в области от 4 до 20 микрон. Как будет показано, данный критерий способствует формированию желаемых характеристик излучения люминофора.
Эти уникальные оптически активные композиции очень хорошо взаимодействуют с определенными длинами волн. Данные люминофоры очень хорошо возбуждаются излучением с длиной волны, лежащей в области от 0,1 до 0,45 микрон. Использование этих люминофорных композиций в сочетании со специальными оптическими системами рассматривается как составная часть данного изобретения. В частности, эти люминофорные материалы в сочетании с InGaN полупроводниковыми структурами, которые излучают свет в синей и ультрафиолетовой области спектра, формируют высокоэффективные оптические системы. Такие системы обеспечивают создание оптических полупроводниковых источников, излучающих белый свет.
Задачи изобретения
Основной задачей данного изобретения является создание новых композиций с кристаллической структурой.
Также задачей этого изобретения является создание новых оптически активных композиций с кристаллической структурой.
Другой задачей данного изобретения является создание оптически активных композиций с кристаллической структурой, подходящих для использования в системах, где используется явление сдвига длины волны излучения.
Задачей данного изобретения является создание оптически активных композиций с кристаллической структурой, которые характеризуются возможностью осуществления оптического возбуждения (накачки).
Еще одной задачей данного изобретения является создание оптически активных композиций с кристаллической структурой, которые обеспечивают не зависящие от температуры выходные оптические цветовые параметры излучения.
Вышеизложенные и другие задачи, признаки и преимущества данного изобретения найдут более детальное понимание из нижеследующего подробного описания со ссылкой на прилагаемые чертежи. Представленные варианты реализации изобретения являются только некоторыми частными случаями реализации данного изобретения и не включают все возможные варианты реализации изобретения. Таким образом, могут существовать варианты реализации изобретения, которые соответствуют содержанию описания изобретения и формуле изобретения, но не приведенные в данном описании в качестве конкретных примеров. Подразумевается, что может быть значительное количество дополнительных примеров реализации данного изобретения.
Краткое описание чертежей
Вышеизложенные и другие признаки и преимущества данного изобретения будут более очевидны из нижеследующего подробного описания со ссылкой на прилагаемые чертежи.
Фиг.1 - схема, иллюстрирующая светоизлучающее
полупроводниковое устройство в сочетании с оптически активной композицией;
Фиг.2 - другая конфигурация подобной системы.
Словарь используемых терминов
В данном изложении изобретения делаются ссылки на некоторые термины, которые могут соответствовать (но могут и не соответствовать) терминам, которые приводятся в общедоступных словарях. Для обеспечения более точного изложения изобретения здесь представлены следующие термины, вносящие ясность и полноту понимания. Следует учесть, что хотя и делается попытка дать точное и строгое определение всех терминов, но естественно, что не все значения, которые связаны с этими терминами, найдут здесь свое полное определение. Соответственно, планируется привести общее значение каждого термина, которое следует из общепринятого использования данного термина в рамках соответствующего уровня техники или значения, приводимого в словаре. В случае если приводимое определение находится в конфликте с определением, которое применяется в словаре или в соответствующем уровне техники, то его необходимо использовать в контексте данного описания изобретения, появляется свобода выбора в подразумеваемом значении термина. Можно посоветовать не придавать используемым терминам более широкое значение по сравнению с тем, что используется в описании, с целью глубокого понимания всех подразумеваемых вариаций.
Оптически активная композиция
При использовании данного термина в настоящем изобретении подразумевается, что композиция называется «оптически активной», если данная композиция взаимодействует со светом. В данном процессе рассматриваются механизмы как поглощения, так и излучения.
Фотолюминофор
«Фотолюминофором» является светоизлучающее соединение, которое может быть оптически возбуждено.
Светоизлучающий полупроводник
Светоизлучающий полупроводник - это любое твердотельное полупроводниковое устройство, которое генерирует свет при прохождении через него тока. Светоизлучающие полупроводники включают в себя как светодиоды, так и более сложные структуры, включая лазерные диоды.
Подробное описание предпочтительных вариантов реализации изобретения
В соответствии с каждым предпочтительным вариантом реализации изобретения, здесь описываются композиции и системы из оптически активных композиций, а также комбинации этих композиций с полупроводниковыми структурами InGaN. Подразумевается, что каждый из предпочтительных вариантов реализации изобретения может включать в себя как композицию, так и оптическую систему. Также подразумевается, что композиция и оптическая система одного предпочтительного варианта реализации изобретения могут отличаться от композиции и оптической системы другого предпочтительного варианта реализации изобретения.
Кристаллы «лантаногалиевого силиката» - Лангасита принадлежат к классу пьезоэлектрических материалов со средней величиной коэффициента электромеханической связи (К=16%, для случая оптимального среза). Это значение величины коэффициента электромеханической связи говорит о высокой температурной стабильности характеристик для этих кристаллов, а также об отсутствии фазового перехода при приближении к температуре плавления. Все это представляет большой интерес для специалистов, работающих в областях техники, где требуется температурная стабильность. Основные характеристики Лангасита приведены ниже в сравнении с характеристиками Кварца и Танталата Лития.
| Таблица 1 | |||
| Свойства | Кварц | Лангасит | Танталат Лития |
| Класс симметрии | 32 | 32 | 3m |
| Температура плавления, град. Цельсия | 1610 | 1470 | 1650 |
| Фазовый переход | 573,3 | - | 660 |
| Коэффициент электромеханической связи К2 эмс, % | 7 | 16 | 44 |
| Оптимальное направление резки | AT | Y | X |
| Температурный коэффициент частоты TFC, ×10-6/°С | 0,6 | 1,6 | 4 |
Из предшествующего уровня техники известно, что на основе материала Лангасит изготавливаются исключительные оптические и электронные устройства, например частотный фильтр на ПАВ. Тем не менее, система, предложенная в данном изобретении, описывает Лангасит с несколько иной точки зрения, демонстрируя его свойства как оптически активной композиции. Иными словами, кристаллы Лангасита взаимодействуют с фотонами, что проявляется как в оптическом поглощении, так и в спонтанной эмиссии. Кристаллы Лангасита демонстрируют интересные свойства в отношении поглощения и излучения фотонов. В частности, электроны в кристаллической решетке легко переходят в возбужденное состояние за счет поглощения фотонов соответствующего спектра. Излучение с длиной волны в интервале 0,1-0,45 микрон возбуждает электроны, связанные в кристаллической решетке. В процессе рекомбинации кристалл излучает фотоны с несколько меньшей энергией по сравнению с энергией поглощенного фотона. При этом длина волны излученного фотона больше длины волны поглощенного фотона. Благодаря таким характеристикам кристаллы Лангасита формируют среду, способствующую сдвигу длины волны начального излучения. Кристаллы Лангасита, выращенные надлежащим способом, демонстрируют свойства оптически активных композиций, таких как люминофоры или фотолюминофоры, имеющих определенную утилитарную ценность. Поскольку кристаллы Лангасита высокочувствительны к возбуждению их ультрафиолетовым и синим излучением, то это свидетельствует о том, что кристаллы Лангасита могут быть легко возбуждены этими длинами волн, и указывает на факт, что Лангасит является идеальным высокоэффективным люминофором для использования в светодиодах.
В настоящее время проводятся активные разработки в индустрии, направленные на создание светодиодных систем, излучающих белый свет. Имеется большая потребность создания светодиодных систем, которые могут быть использованы в области общего освещения. Одним из основных подходов в этой области является использование светодиода, который излучает фиолетовое или синее излучение в комбинации с люминофором, который обеспечивает необходимый сдвиг длины волны. Необходимым свойством таких люминофоров является то, что они возбуждаются ультрафиолетовым или синим излучением, которое генерирует полупроводниковая структура, и затем эти люминофоры переизлучают свет с длинами волн, лежащими в зеленой, желтой или красной областях видимого спектра. Свет, который излучается люминофором, смешивается с синим излучением светодиода и формирует широкий спектр, который воспринимается человеческим зрением как белый свет. Соответственно, основная часть этого изобретения описывает светоизлучающее комбинированное устройство, представляющее собой комбинацию ультрафиолетового или синего светодиода в сочетании с люминофором на основе Лангасита.
При изготовлении композиции на основе Лангасита для подобных оптических систем имеется значительный простор для манипуляций с компонентами соединения с целью достижения желаемых эффектов. В частности, при синтезе кристаллов возможно введение различных элементов (активаторов), которые внедряются в кристаллическую решетку надлежащим образом. Можно также воздействовать на кристаллы посредством изменения средних геометрических размеров кристаллов, например кристаллы могут быть размолоты и просеяны через сито для получения порошка, содержащего много маленьких кристаллов заданного размера. Существуют дополнительные возможности воздействия на формирующие процессы для получения желаемых выходных свойств люминофора, например процесс отжига может быть рекомендован для получения порошка люминофора с определенными требуемыми характеристиками.
Особо интересен момент, что кристалл Лангасита может быть легирован лантанидами, которые служат оптическими активаторами. Такие элементы включают в себя: Церий, Скандий, Иттрий, Гадолиний, Иттербий, Лютеций, Самарий, Европий, Тербий, Эрбий, Диспрозий, Празеодим, Холемий, Тулий, которые обозначаются как Се, Sc, Y, Gd, Yb, Lu, Sm, Eu, Tb, Er, Dy, Pr, Но и Tm.
Чистое соединение Лангасит описывается формулой La3Ga5SiO14. В процессе формирования кристалла можно заменить некоторые атомы Лантана на атомы других лантанидов, например на атомы Церия. Обычно количество легирующей примеси очень мало по сравнению с количеством лантана. Например, в композиции на каждые 100 или даже 1000 атомов Лантана может быть только один атом Церия.
Введение легирующих примесей (активаторов) обеспечивает изменение оптических свойств материала. Выбирая легирующую примесь и ее концентрацию, можно вызвать сдвиг области оптической чувствительности кристалла. Например, спектральный пик возбуждающего излучения может быть сдвинут в область более длинных волн или более коротких волн за счет легирования различными элементами. Длина волны излучаемого кристаллом света может быть сдвинута в обе стороны спектра посредством введения специальных примесей в кристалл Лангасита. Также имеется возможность влиять на интенсивность выходящего излучения и на эффективность возбуждения посредством введения различных примесей. Каждая легирующая примесь может иметь свой особый эффект влияния. Из экспериментов было выявлено, что введение перечисленных ниже примесей способствовало регистрации определенного воздействия на выходные оптические параметры кристаллов. Эти результаты приведены ниже в Таблице 2.
| Таблица 2 | ||
| Редкоземельные элементы | Долевое соотношение атомов | Влияние на выходные параметры |
| Y | 0,01-0,3 | Увеличение интенсивности, сдвиг спектрального максимума |
| Gd | 0,01-0,3 | Увеличение интенсивности, сдвиг спектрального максимума |
| Sc | 0,001-0,1 | Увеличение интенсивности, сдвиг спектрального максимума |
| Lu | 0,001-0,1 | Увеличение интенсивности, сдвиг спектрального максимума |
| Yb | 0,001-0,1 | Изменение времени послесвечения |
| Pr | 0,001-0,05 | Появление дополнительного пика А=615-640 нм |
| Sm | 0,001-0,1 | Изменение интенсивности люминесценции |
| Eu | 0,001-0,1 | Изменение интенсивности люминесценции |
| Tb | 0,001-0,1 | Изменение интенсивности люминесценции |
| Er | 0,001-0,05 | Изменение интенсивности люминесценции |
| Dy | 0,001-0,05 | Изменение интенсивности люминесценции |
| Ho | 0,001-0,05 | Изменение интенсивности люминесценции |
| Tm | 0,001-0,05 | Изменение интенсивности люминесценции |
| Yb | 0,001-0,05 | Изменение интенсивности люминесценции |
В соответствии с данным изобретением люминофор, активированный ионом Церия, составляет один из примеров реализации изобретения. Данный вариант люминофора может быть представлен стехиометрической формулой La3-xCexGa5SiO14. Этот люминофор имеет кристаллическую структуру Лангасита, относящуюся к структурной группе P321(D2 3), где величина стехиометрического индекса находится в интервале х=0,001-0,15. Неорганические люминофоры, имеющие такую формулу, обычно излучают свет с пиком в области λ=0,480-0,580 микрон.
При возбуждении такого люминофора излучением от InGaN светодиода определенная доля света, излученного светодиодом, взаимодействует с люминофором и вынуждает его излучать свет с указанной выше длиной волны. Это излучение смешивается с излучением светодиода, которое не провзаимодействовало с люминофором и сохранило первоначальную длину волны. Вместе эти два излучения формируют широкий спектр, который воспринимается как белый свет. В таком светоизлучающем комбинированном устройстве можно получать свет с цветовой температурой от Т=3000 К до Т=12000 К.
Не существует ограничений на процесс активирования кристаллов Лангасита, они могут быть активированы не только Церием, но и некоторыми другими элементами и комбинацией элементов из группы лантанидов. Например, возможно легирование Лангасита Празеодимом для получения спектра эмиссии с максимумами в области λ=0,580-0,620 микрон; Европием - λ=0,590-0,625 микрон; Диспрозием - λ=0,570 микрон; Тербием - λ=0,480-0,545 микрон и Эрбием - λ=0,530 микрон.
Такие возможности в выборе активатора позволяют иметь определенную свободу в конструкции светодиода по отношению к длине волны возбуждающего излучения. Этот момент особенно важен при использовании люминофора в комбинации со светодиодом на основе нитридов, для которых имеется возможность подстраивать длину волны излучения. При такой хорошей возможности выбора параметров, связанных с длиной волны излучения, можно добиться очень точного соответствия эффективности люминофора и выбранного излучателя для получения требуемой величины цветовой температуры.
Люминофор на основе Лангасита может быть изготовлен в соответствии с известной технологией, используемой для керамики. Например, оксиды смешиваются в следующих количествах: La2O3 1,49 М; Ga2O3 2,5 М; SiO2 1 М и СеО2 0,02 М, в соответствии с заданной стехиометрической формулой. Указанные оксиды добавляются к 0,05 М борной кислоты, которая используется в данном случае в качестве жидкофазного минерализатора. Смешивание оксидов проводится в специальном устройстве (атриторе, мельнице), использующем циркониевые шары в качестве размельчающих элементов. Эти размельчающие элементы при соотношении шихты 1:10 работают в течение 2 часов. Далее шихта помещается в алундовые тигли объемом 0,5 литра, которые устанавливаются в электрическую печь с контролируемой температурой и с атмосферой H2:N2=2:98. Нагрев тиглей проводится пошагово с выдержкой при Т=500°С в течение 1 часа; 900°С в течение 1 часа; 1100°С в течение 1 часа и 1300°С в течение 2 часов. Затем содержимое тиглей охлаждается в печке до 100°С. Полученное соединение промывается в горячей подкисленной (рН=5) воде, просеивается через сито в 400 микрон и высушивается при температуре 120°С в течение 2 часов.
При использовании Лангасита в качестве фотолюминофора его изготавливают в виде порошка. После синтеза люминофора в виде кристаллитов далее его можно измельчить в мелкодисперсный порошок посредством различных процессов измельчения и фильтрации. Таким способом можно получить люминофор с заданной дисперсностью, где размеры кристаллов люминофора будут иметь размеры, необходимые для достижения наилучшей эффективности системы.
В ходе экспериментов было выявлено, что люминофор следует приготавливать в виде полидисперсной системы, где геометрические размеры зерен люминофора превышают длину волны пика люминесценции в 8-40 раз. Предпочтительный наименьший размер зерен люминофора около d=4 микрон, что, как это будет показано, обусловлено отсутствием значительного светового рассеяния, уменьшающего полную эффективность системы. Верхний предел размеров зерен люминофора составляет около d=20 микрон и обусловлен возможностью получения нерасслаивающейся люминофорной суспензии в полимере, который используется для формирования светопрозрачного слоя, хорошо прикрепленного к поверхности полупроводникового кристалла.
Поскольку основная задача люминофора на основе Лангасита - это получение широкополосного или «белого» излучения при использовании этого люминофора совместно с синим или ультрафиолетовым светодиодом, важно упомянуть возможные способы нанесения люминофора на светодиодные чипы. Для хорошего взаимодействия фотоны, которые излучаются полупроводниковым чипом, должны попасть на активированные кристаллы Лангасита. В некоторых общих подходах к процессу нанесения люминофора суспензия люминофора может покрывать полупроводниковый чип. Излучение, выходящее из полупроводникового чипа, проходит через суспензию и взаимодействует с кристаллами Лангасита. Первый предпочтительный вариант реализации данного изобретения показан на Фиг.1, где, в частности, светодиодная упаковка формируется за счет присоединения линзы 2 к подложке 1. Полупроводниковый чип, например диод InGaN 3, крепится на подложку. Далее полупроводниковый чип покрывается люминофорной суспензией, которая формирует определенную конфигурацию слоя покрытия 4, в котором находится люминофор. Чип электрически соединяется посредством проводов 5. В некоторых вариантах исполнения люминофор смешивается с относительно прозрачным связующим материалом и наносится непосредственно на полупроводниковый чип, как это обычно делалось в уровне техники.
В современных вариантах упаковки светодиодов применяется коллоидная взвесь люминофора в каком-либо связующем материале. В качестве связующего материала может использоваться полимер, в который добавлены и размешаны кристаллы Лангасита. Полимерный материал, имеющий необходимую плотность и вязкость, способствует удержанию кристаллов Лангасита в суспензии. Данный факт позволяет легко помещать гелеобразную суспензию люминофора Лангасита в полимерном материале в полость, в которой могут размещаться светодиодные чипы.
Предпочтительные полимеры принадлежат группе полиэтилсилоксанов или полиэпоксидных соединений, имеющих молекулярный вес от М=2000 до М=20000 углеродных единиц. Такие полимеры имеют достаточно высокую вязкость и необходимую текучесть, обеспечивая формирование слоя, содержащего зерна люминофора, распределенные в полимере. Предпочтительное минимальное количество зерен люминофора в полимере составляет от 10% в массовых единицах, в то время как максимальное значение составляет около 75%. Средняя оптимальная величина количества люминофора в суспензии составляет от 45% до 65%. Такие концентрации позволяют формировать однородные слои толщиной от 20 до 100 микрон, хорошо закрепленные на поверхности светодиодных чипов и покрывающие всю излучающую поверхность светодиодного чипа, в том числе и его боковые грани.
Фиг.2 демонстрирует другой предпочтительный вариант реализации светоизлучающего комбинированнго устройста, в котором коллоидная система на основе полимерного геля имеет определенную конфигурацию и содержит в себе кристаллы люминофора на основе Лангасита. Подложка 21 при соединении с линзой 22 формирует упаковку. Полупроводниковый чип 23 прикреплен к подложке внутри полости линзового элемента. Все пространство полости может быть заполнено вязким гелем 24. Посредством проводов 25 формируется электрическая цепь с полупроводниковым чипом.
Как отмечалось в вышеприведенном разделе, связанном с описанием предшествующего уровня техники, стандартная и хорошо известная система белого светодиода обычно состоит из InGaN диода с YAG люминофором. Будет полезным провести сравнение между Люминофором Лангасит и YAG люминофором для более полного понимания физических различий между этими двумя типами композиций.
Таблица 3, приведенная ниже, демонстрирует сравнение таких параметров как: симметрия, параметры решетки, структура, молекулярная масса, плотность, тепловое расширение, теплопроводность, температура плавления, коэффициент преломления и др. Таблица показывает, что данные материалы существенно отличаются. Каждая композиция имеет свои отличительные физические характеристики, которые могут использоваться для получения преимущества в различных оптических системах.
| Таблица 3 | ||
| Свойства | Y3Al5O12: Се | La3Ga5SiO14: Се |
| Симметрия | Ia3d | P321(D2 3) |
| Параметры решетки | а=1,205 | а=0,810 |
| Структура | Кубическая | Тригональная |
| Молекулярная масса | 593,61 | 1017,32 |
| Плотность, г/см3 | 4,65-5,0 | 5,75 |
| Тепловое расширение, 1-6 град. | 8,2 | 3,1-5,1 |
| Теплопроводность, Ватт/см град | 0,13 | 0,35 |
| Температура плавления, Т°С | 1950 | 1480 |
| Коэффициент преломления | 1,85-1,95 | 1,92 |
| Концентрация активатора, % атомов Се | 1,0 | до 10 |
| Спектральная область прозрачности, микрон | 0,24-6 | 0,35-4,0 |
| Положение максимума спектра люминесценции, λmax, нм | 540-580 | 480-600 |
Из таблицы 3 видно, что вместо кубической структуры, которая ассоциируется с гранатовым люминофором, люминофор Лангасит обладает тригональной структурой с двумя параметрами кристаллической решетки. Длины связи решетки похожи по размерам и зависят от атомов лантанидов. Благодаря природе кристалла и атомов Церия (одного из лантанидов) наблюдается очень хорошее взаимодействие. Яркость люминофора тем легче управляется, чем легче Церий входит в существенных количествах в структуру кристалла.
Высокая концентрация ионов Церия вносит вклад в значение квантового выхода (квантовой эффективности) люминесценции люминофора, которое может достигать до η=90-92% для Лангасита, в то время как наилучшее значение для YAG люминофора составляет η=82-88%. В то же время, немного меньший коэффициент преломления Лангасита обеспечивает большую величину угла выхода излучения из зерен люминофора, что определяется согласно формуле φ=arctan(n2/n1), где n1 и n2 коэффициенты преломления зерен люминофора и связующего полимера, соответственно.
Если коэффициент отражения слоя гранатового люминофора при λ=470 нм равен R=18-25%, то для люминофора Лангасит эта величина равна R=12-18%. Уменьшение коэффициента отражения позволяет уменьшить значение оптического рассеяния в полимерлюминофорных слоях. Одновременно, это позволяет создать большую однородность в слое, что в свою очередь способствует постоянности и стабильности цветовых координат излучаемого белого света.
Термические напряжения, характерные для устройств с гранатовым люминофором, не наблюдаются в люминофорах на основе Лангасита и, следовательно, такие люминофоры лучше работают при высоких температурах. Данный факт имеет место благодаря меньшей величине коэффициента теплового расширения зерен Лангасита. Высокая теплопроводность этих материалов также вносит вклад в эффект малой величины теплового напряжения в полимерных слоях или органическом связующем материале.
Интересны преимущества, которые вытекают из рассмотрения характеристик некоторых примеров оптически активных композиций на основе Лангасита. Таблица 4 представляет 15 примеров люминофоных композиций. Для каждой композиции указана сила света выходного излучения (в канделах, cd). Также представлены цветовые координаты с описанием наблюдаемых цветовых характеристик. Дополнительно в Таблице 4 указана величина, равная величине половине угла эмиссии θ.
| Таблица 4 | |||||
| No | Люминофорная композиция | Сила света (cd) | Цветовые координаты | Цвет | 2θ |
| 1 | La2,99Се0,01Ga5SiO14 | 2,0 | 0,29 0,30 | Сине-белый | 15 |
| 2 | La2,89Y0,1Ce0,01Ga5SiO14 | 2,2 | 0,31 0,33 | Солнечно-белый | 16 |
| 3 | La2,94SC0.05Ce0,01Ga5SiO14 | 2,3 | 0,32 0,32 | Белый | 16 |
| 4 | La2,98Lu0.01Ce0,01Ga5SiO14 | 2,05 | 0,34 0,33 | Белый | 15 |
| 5 | La2,298Се0,01Yb0,01Ga5SiO14 | 2,02 | 0,32 0,36 | Бело-желтый | 16 |
| 6 | La2,298Се0,01Yb0,01Ga5SiO14 | 2,3 | 0,36 0,38 | Бело-желтый | 16 |
| 7 | La2,998Се0,01Sm0,001Eu0,001Ga5SiO14 | 2,00 | 0,32 0,33 | Белый | 15 |
| 8 | La2,998Се0,01Er0,001Ho0,001Ga5SiO14 | 2,00 | 0,32 0,34 | Белый | 15 |
| 9 | La2,989Y0,09Се0,2Tb0,001Ga5SiO14 | 2,8 | 0,38 0,40 | Теплый белый | 18 |
| 10 | La2,999Се0,001Ga4In0,1O14 | 2,0 | 0,33 0,33 | Белый | 16 |
| 11 | La2,99Се0,01Ga4In1,0O14 | 2,75 | 0,39 0,42 | Теплый белый | 16 |
| 12 | La2,99Се0,01Ga4,999In0,001Si0,99Ge0,01O14 | 2,4 | 0,36 0,40 | Теплый белый | 16 |
| 13 | La2,99Се0,01Ga4,7In0,3Si0,9Ge0,1O14 | 2,2 | 0,38 0,38 | Теплый белый | 15 |
| 14 | La2,99Се0,01Ga4,7In0,3Si0,7Ge0,3O14 | 2,4 | 0,38 0,36 | Теплый белый | 15 |
| 15 | Y3Al5O12:Ce | 1,8-2,2 | 0,31 0,32 | Солнечно-белый | 12 |
Примеры, указанные выше, направлены на конкретные варианты реализации, которые иллюстрируют предпочтительные варианты устройств и способов, описанных в этом изобретении.
Из приведенного описания понятно, как высокоэффективные, недорогие, оптически активные композиции могут быть использованы в сочетании с оптическими системами для обеспечения сдвига длины волны излучения.
Хотя в иллюстративных целях были раскрыты предпочтительные варианты реализации настоящего изобретения, специалисты в данной области должны понимать, что возможны разнообразные изменения, дополнения и замены, что не выходит за рамки объема и сущности настоящего изобретения, как раскрыто в прилагаемой формуле изобретения.
Claims (19)
1. Светоизлучающее комбинированное устройство, отличающееся тем, что оно содержит светоизлучающую полупроводниковую структуру и фотолюминофор на основе Лангасита, где светоизлучающая полупроводниковая структура расположена по отношению к фотолюминофору Лангасит таким образом, что некоторое количество света, излучаемого полупроводниковой структурой, взаимодействует с фотолюминофором и за счет переизлучения люминофором изменяет длину волны.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что светоизлучающей полупроводниковой структурой является светодиодная структура InGaN.
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что фотолюминофор изготовлен посредством активирования Лангасита Церием.
4. Оптически активная композиция, отличающаяся тем, что она имеет формулу:
La3-x[Me1]5[Me2]1O14:[At]x,
где Me является, по меньшей мере, одним из двух металлов III группы: Ga и In;
Me2 является, по меньшей мере, одним из двух элементов IV группы: Si и Ge;
Atx является, по меньшей мере, одним лантанидом из группы: Се, Sc, Y, Gd, Yb, Lu, Sm, Eu, Tb, Er, Dy, Pr, Но и Tm,
где 1≤N≤14 и х≤3.
La3-x[Me1]5[Me2]1O14:[At]x,
где Me является, по меньшей мере, одним из двух металлов III группы: Ga и In;
Me2 является, по меньшей мере, одним из двух элементов IV группы: Si и Ge;
Atx является, по меньшей мере, одним лантанидом из группы: Се, Sc, Y, Gd, Yb, Lu, Sm, Eu, Tb, Er, Dy, Pr, Но и Tm,
где 1≤N≤14 и х≤3.
5. Оптически активная композиция по п.4, отличающаяся тем, что она имеет кристаллическую структуру, характеризующуюся:
P321(D2 3).
P321(D2 3).
6. Оптически активная композиция по п.4, отличающаяся тем, что Me1 является комбинацией двух металлов Ga и In.
7. Оптически активная композиция по п.4, отличающаяся тем, что Me2 является комбинацией двух металлов Si и Ge.
8. Оптически активная композиция по п.4, отличающаяся тем, что композиция состоит из кристаллов, где средний размер кристаллов составляет величину от 8 до 40 раз большую по сравнению с длиной волны максимума спектра излучения.
9. Оптически активная композиция, отличающаяся тем, что она имеет формулу:
La3-x[Ln]xGa5SiO14,
где 0≤х≤0,3, a [Ln] - лантанид.
La3-x[Ln]xGa5SiO14,
где 0≤х≤0,3, a [Ln] - лантанид.
10. Устройство по п.2, отличающееся тем, что люминофор изготовлен в соответствии с формулой:
La3-x[Me1]5[Me2]1O14:[At]x,
где Me1 является, по меньшей мере, одним из двух металлов III группы:Ga и In;
Me2 является, по меньшей мере, одним из двух элементов IV группы: Si и Ge;
Atx является, по меньшей мере, одним лантанидом из группы: Се, Sc, Y, Gd, Yb, Lu, Sm, Eu, Tb, Er, Dy, Pr, Но и Tm,
где 1≤N≤14 и х≤3.
La3-x[Me1]5[Me2]1O14:[At]x,
где Me1 является, по меньшей мере, одним из двух металлов III группы:Ga и In;
Me2 является, по меньшей мере, одним из двух элементов IV группы: Si и Ge;
Atx является, по меньшей мере, одним лантанидом из группы: Се, Sc, Y, Gd, Yb, Lu, Sm, Eu, Tb, Er, Dy, Pr, Но и Tm,
где 1≤N≤14 и х≤3.
11. Устройство по п.1, отличающееся тем, что полупроводниковая светоизлучающая структура покрыта коллоидной люминофор-полимерной суспензией.
12. Устройство по п.11, отличающееся тем, что полимерным материалом являются полиэтилсилоксан или полиэпоксидные соединения, имеющие молекулярный вес от 2000 до 20000 углеродных единиц.
13. Устройство по п.11, отличающееся тем, что соотношения масс люминофорной и полимерной составляющей лежат в области от 0,1 до 0,75.
14. Устройство по п.13, отличающееся тем, что толщина люминофор-полимерного слоя составляет от 20 до 100 микрон.
15. Светоизлучающее комбинированное устройство, отличающееся тем, что полупроводниковый диод частично покрыт люминофором Лангасит, активированным лантанидом.
16. Устройство по п.15, отличающееся тем, что полупроводниковый диод является InGaN структурой.
17. Устройство по п.15, отличающееся тем, что люминофор изготовлен в соответствии с формулой:
La3-x[Me1]5[Me2]1O14:[At]x,
где Me1 является, по меньшей мере, одним из двух металлов III группы: Ga и In;
Me2 является, по меньшей мере, одним двух элементов IV группы: Si и Ge;
Atx является, по меньшей мере, одним лантанидом из группы: Се, Sc, Y, Gd, Yb, Lu, Sm, Eu, Tb, Er, Dy, Pr, Но и Tm,
где 1≤N≤14 и х≤3.
La3-x[Me1]5[Me2]1O14:[At]x,
где Me1 является, по меньшей мере, одним из двух металлов III группы: Ga и In;
Me2 является, по меньшей мере, одним двух элементов IV группы: Si и Ge;
Atx является, по меньшей мере, одним лантанидом из группы: Се, Sc, Y, Gd, Yb, Lu, Sm, Eu, Tb, Er, Dy, Pr, Но и Tm,
где 1≤N≤14 и х≤3.
18. Устройство по п.15, отличающееся тем, что частичное покрытие полупроводникового диода представляет собой коллоидную систему, включающую распределенные кристаллы люминофора Лангасита.
19. Устройство по п.18, отличающееся тем, что коллоидная система содержит полимерный связующий материал.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/315,787 US20070158660A1 (en) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | Optically active compositions and combinations of same with InGaN semiconductors |
| US11/315,787 | 2005-12-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008130085A RU2008130085A (ru) | 2010-02-10 |
| RU2425433C2 true RU2425433C2 (ru) | 2011-07-27 |
Family
ID=37636767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008130085/28A RU2425433C2 (ru) | 2005-12-22 | 2006-11-07 | Оптически активная композиция и светоизлучающее комбинированное устройство на ее основе |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20070158660A1 (ru) |
| EP (2) | EP2386619A1 (ru) |
| RU (1) | RU2425433C2 (ru) |
| WO (1) | WO2007072129A1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2537603C2 (ru) * | 2012-08-08 | 2015-01-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук | Полимер-неорганические нанокомпозиционные материалы на основе полиметилметакрилата с настраиваемым спектром фотолюминесценции |
| RU2728830C2 (ru) * | 2016-05-31 | 2020-07-31 | Нития Корпорейшн | Светоизлучающее устройство |
| RU2801074C1 (ru) * | 2023-04-18 | 2023-08-01 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук | Светоизлучающее устройство |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070158660A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-07-12 | Acol Technologies S.A. | Optically active compositions and combinations of same with InGaN semiconductors |
| RU2315135C2 (ru) * | 2006-02-06 | 2008-01-20 | Владимир Семенович Абрамов | Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов iii группы |
| JP5842963B2 (ja) * | 2010-02-09 | 2016-01-13 | ソニー株式会社 | 発光装置 |
| CN104300355B (zh) * | 2014-11-06 | 2017-08-08 | 山东大学 | 一种基于硅酸镓镧晶体的光参量振荡激光器 |
| RU2714693C2 (ru) * | 2015-08-18 | 2020-02-19 | ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи | Модуль формирования двунаправленного света |
| GB2565189A (en) * | 2017-06-01 | 2019-02-06 | Merck Patent Gmbh | Tin-based langasites activated with europium |
| CN109777420B (zh) * | 2019-01-21 | 2021-12-24 | 五邑大学 | 一种AlGaN芯片用铋掺杂锡镓酸镧黄色荧光粉的制备方法 |
| CN112133810B (zh) * | 2020-10-29 | 2022-06-07 | 深圳市广社照明科技有限公司 | 远程荧光粉大角度散射贴片led |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
| DK0960410T3 (da) * | 1997-02-12 | 2002-02-18 | Siemens Ag | Indretning og fremgangsmåde til frembringelse af kodede højfrekvenssignaler |
| JPH10256870A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Ngk Insulators Ltd | 弾性表面波デバイス |
| US5962971A (en) * | 1997-08-29 | 1999-10-05 | Chen; Hsing | LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights |
| DE69832041T2 (de) * | 1997-09-02 | 2006-07-13 | Tdk Corp. | Akustische oberflächenwellenvorrichtung |
| JP3994361B2 (ja) * | 1998-03-17 | 2007-10-17 | 日本ビクター株式会社 | ランガサイト型結晶の作製方法 |
| JP3714082B2 (ja) * | 2000-01-13 | 2005-11-09 | 株式会社村田製作所 | ランガサイト系単結晶基板の製造方法、ランガサイト系単結晶基板および圧電デバイス |
| US6455986B2 (en) * | 2000-05-03 | 2002-09-24 | Crystal Photonics, Incorporated | Electronic device including langasite structure compound and method for making such devices |
| US6424081B1 (en) * | 2000-05-03 | 2002-07-23 | Crystal Photonics, Incorporated | Electronic device including langasite structure compounds and method for making same |
| US6514336B1 (en) * | 2000-10-12 | 2003-02-04 | Utar Scientific, Inc. | Method of growing piezoelectric lanthanide gallium crystals |
| JP2004075890A (ja) * | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Konica Minolta Holdings Inc | 無機蛍光体固体微粒子分散物の製造方法 |
| JP2004074049A (ja) * | 2002-08-20 | 2004-03-11 | Konica Minolta Holdings Inc | フリートマーキング方法 |
| US6831525B1 (en) * | 2002-12-17 | 2004-12-14 | Nortel Networks Limited | Oscillator arrangements with improved frequency stability |
| TWI413274B (zh) * | 2005-03-18 | 2013-10-21 | Mitsubishi Chem Corp | 發光裝置，白色發光裝置，照明裝置及影像顯示裝置 |
| US20070158660A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-07-12 | Acol Technologies S.A. | Optically active compositions and combinations of same with InGaN semiconductors |
| RU2315135C2 (ru) * | 2006-02-06 | 2008-01-20 | Владимир Семенович Абрамов | Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов iii группы |
-
2005
- 2005-12-22 US US11/315,787 patent/US20070158660A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-11-07 WO PCT/IB2006/003129 patent/WO2007072129A1/en active Application Filing
- 2006-11-07 EP EP11170909A patent/EP2386619A1/en not_active Withdrawn
- 2006-11-07 EP EP06809192A patent/EP1969086A1/en not_active Withdrawn
- 2006-11-07 RU RU2008130085/28A patent/RU2425433C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2006-11-07 US US12/158,865 patent/US20080315234A1/en not_active Abandoned
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| NIKOLAJSEN T. et al. Photorefractive two-step recording in a piezoelectric La[3]Ga[5]SiO[14] crystal doped with praseodymium. Opt. Lett, vol:23, num: 15, p.1164-1166, 01.08.1998. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2537603C2 (ru) * | 2012-08-08 | 2015-01-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук | Полимер-неорганические нанокомпозиционные материалы на основе полиметилметакрилата с настраиваемым спектром фотолюминесценции |
| RU2728830C2 (ru) * | 2016-05-31 | 2020-07-31 | Нития Корпорейшн | Светоизлучающее устройство |
| RU2801074C1 (ru) * | 2023-04-18 | 2023-08-01 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук | Светоизлучающее устройство |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1969086A1 (en) | 2008-09-17 |
| US20080315234A1 (en) | 2008-12-25 |
| EP2386619A1 (en) | 2011-11-16 |
| US20070158660A1 (en) | 2007-07-12 |
| WO2007072129A1 (en) | 2007-06-28 |
| RU2008130085A (ru) | 2010-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2425433C2 (ru) | Оптически активная композиция и светоизлучающее комбинированное устройство на ее основе | |
| RU2459855C2 (ru) | Люминесцентные материалы красного свечения | |
| JP5503288B2 (ja) | 二価および三価カチオンを混合したアルミニウムシリケート系橙色−赤色蛍光体 | |
| JP5643424B2 (ja) | 炭窒化物系蛍光体およびこれを使用する発光素子 | |
| RU2422945C2 (ru) | Флуоресцентное освещение, создающее белый свет | |
| EP1979438B1 (en) | Phosphor converted light emitting device | |
| AU2004322659B2 (en) | Novel silicate-based yellow-green phosphors | |
| TWI407474B (zh) | 陶瓷冷光轉換器及包含該轉換器之照明系統 | |
| US20080093979A1 (en) | Illumination System Comprising a Radiation Source and a Luminescent Material | |
| WO2006108013A2 (en) | Novel silicate-based yellow-green phosphors | |
| JP2008537002A (ja) | 赤色光を放射するセラミック・ルミネッセンス・コンバータから成る照明システム | |
| WO2009082714A1 (en) | Novel silicate-based yellow-green phosphors | |
| WO2006022793A2 (en) | Novel phosphor systems for a white light emitting diode (led) | |
| Jiao et al. | Efficient green phosphor realized by Ce 3+→ Tb 3+ energy transfer in Li 3 Sc 2 (PO 4) 3 for ultraviolet white light-emitting diodes | |
| US20130113011A1 (en) | Full spectrum solid state white light source, method for manufacturing and applications | |
| Zhou et al. | Lithium ion doping triggered splendid quantum efficiency and thermal stability in Li 2 SrSiO 4: x Eu 2+ phosphors for optical thermometry and high luminous efficiency white-LED | |
| Kuznetsova et al. | Design and technological aspects of novel CdS quantum dots doped glass–ceramics | |
| Zhang et al. | Layered array Al2O3-LuAG: Ce composite ceramic phosphors for high-brightness display | |
| JP2024532237A (ja) | ＬＥＤ－基盤固体光源用変換発光材料としての色安定Ｍｎ－活性化オキシドフルオリド | |
| CN111925791B (zh) | 一种氮化物橙红色荧光材料和发光装置及其制备方法和应用 | |
| Shi et al. | Color tunable emission via Ce 3+–Tb 3+ energy transfer in CaHfO 3 phosphor | |
| Mayavan et al. | Ba2sio4: Eu2+-a Bluish-Green Emitting Remote Phosphor for White Led Application Aided by Silica Nanoparticles | |
| JP2009505329A (ja) | モノリシックなセラミックカラーコンバーターを有する放電ランプ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20131108 |