RU2395159C1 - Силовой ключ на мдп-транзисторе - Google Patents

Силовой ключ на мдп-транзисторе Download PDF

Info

Publication number
RU2395159C1
RU2395159C1 RU2009111835/09A RU2009111835A RU2395159C1 RU 2395159 C1 RU2395159 C1 RU 2395159C1 RU 2009111835/09 A RU2009111835/09 A RU 2009111835/09A RU 2009111835 A RU2009111835 A RU 2009111835A RU 2395159 C1 RU2395159 C1 RU 2395159C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mos transistor
mis transistor
transformer
secondary winding
gate
Prior art date
Application number
RU2009111835/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Павел Васильевич Михеев (RU)
Павел Васильевич Михеев
Анжелика Анатольевна Квакина (RU)
Анжелика Анатольевна Квакина
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" им. академика М.Ф. Решетнева
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" им. академика М.Ф. Решетнева filed Critical Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" им. академика М.Ф. Решетнева
Priority to RU2009111835/09A priority Critical patent/RU2395159C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2395159C1 publication Critical patent/RU2395159C1/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационых устройствах. Целью настоящего изобретения является повышение надежности. Для этого в заявленное устройство, содержащее трансформатор с вторичной обмоткой, конец которой соединен непосредственно с истоком МДП-транзистора введен двуханодный стабилитрон, который включен между началом вторичной обмотки трансформатора и затвором МДП-транзистора. 1 ил.

Description

Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных коммутационных устройствах.
Известен силовой ключ, содержащий разделительный трансформатор, два взаимодополняющих биполярных транзистора, конденсаторы, резисторы и диоды (высокочастотные конверторы на мощных МДП-транзисторах / Б.В.Кабелев - ЭТвА, 1984, вып.15, с.27, рис.5).
Однако этот ключ не позволяет коммутировать длительные импульсы.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор, резистор, диоды и два транзистора, эмиттеры и базы двух взаимодополняющих транзисторов соединены непосредственно, эмиттеры транзисторов подключены к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой подключен к истоку МДП-транзистора и через резистор к базам транзисторов, коллекторы которых через диоды в отпирающем направлении подключены к затвору МДП-транзистора (патент РФ, №2337473), который выбран в качестве прототипа.
Недостатком прототипа является недостаточно высокая надежность.
Целью изобретения является повышение надежности.
Поставленная цель достигается тем, что в силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор с вторичной обмоткой, конец которой непосредственно соединен с истоком МДП-транзистора, введен двуханодный стабилитрон, который включен между началом вторичной обмотки и затвором МДП-транзистора.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема силового ключа на МДП-транзисторе.
Силовой ключ на МДП-транзисторе содержит трансформатор 1 с вторичной обмоткой 3, конец которой непосредственно соединен с истоком МДП-транзистора 4; двуханодный стабилитрон 5, который включен между началом вторичной обмотки 3 и затвором МДП-транзистора 4.
Устройство работает следующим образом.
При подаче на вход устройства на первичную обмотку 2 трансформатора 1 коротких положительных или отрицательных импульсов с большой скважностью на вторичной обмотке 3 также появляются короткие положительные или отрицательные импульсы с большой скважностью, которые через двуханодный стабилитрон 5 поступают на затвор МДП-транзистора 4, противоположный потенциал с конца вторичной обмотки 3 поступает непосредственно на исток МДП-транзистора 4, происходит заряд емкости затвор-исток МДП-транзистора 4 до напряжения амплитуды импульсов минус падение напряжения на двуханодном стабилитроне 5.
В паузе между короткими импульсами двуханодный стабилитрон 5 будет закрыт и емкость затвор-исток МДП-транзистора 4 остается заряженной положительным или отрицательным напряжением, и МДП-транзистор 4 будет открыт или закрыт в зависимости от полярности импульсов подаваемых на вход устройства.
В предлагаемом устройстве элементов меньше, чем в прототипе, следовательно его надежность выше за счет использования меньшего количества элементов.
Опытный образец устройства был собран на двух встречно-последовательно включенных стабилитронах 2С175Ц, трансформаторе ТИЛ2В, МДП - транзисторе IRFP250.
При управлении импульсами амплитудой 15 В, Т=8 мкс, τ=0,4 мкс Q=20 ключ коммутировал 10 А с длительностью фронтов 35 нс при надежном открывании и закрывании МДП-транзистора напряжением затвор-исток ±7 В.
Из известных заявителю патентно-информационных материалов не обнаружены признаки, сходные с совокупностью признаков заявляемого устройства.

Claims (1)

  1. Силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор с вторичной обмоткой, конец которой соединен непосредственно с истоком МДП-транзистора, отличающийся тем, что введен двуханодный стабилитрон, который включен между началом вторичной обмотки трансформатора и затвором МДП-транзистора.
RU2009111835/09A 2009-03-30 2009-03-30 Силовой ключ на мдп-транзисторе RU2395159C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009111835/09A RU2395159C1 (ru) 2009-03-30 2009-03-30 Силовой ключ на мдп-транзисторе

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009111835/09A RU2395159C1 (ru) 2009-03-30 2009-03-30 Силовой ключ на мдп-транзисторе

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2395159C1 true RU2395159C1 (ru) 2010-07-20

Family

ID=42686109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009111835/09A RU2395159C1 (ru) 2009-03-30 2009-03-30 Силовой ключ на мдп-транзисторе

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2395159C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2469473C1 (ru) * 2011-04-08 2012-12-10 Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" Силовой ключ на мдп-транзисторе
RU2469474C1 (ru) * 2011-06-16 2012-12-10 Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" Силовой ключ на мдп-транзисторе

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2469473C1 (ru) * 2011-04-08 2012-12-10 Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" Силовой ключ на мдп-транзисторе
RU2469474C1 (ru) * 2011-06-16 2012-12-10 Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" Силовой ключ на мдп-транзисторе

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9787302B2 (en) Source driver circuit and control method thereof
US20140063593A1 (en) Capacitor discharge pulse drive circuit with fast recovery
EP3157152A3 (en) Power and information signal transfer using micro-transformers
US20110044079A1 (en) Circuit and Method for Controlling the Power Supply of a Consumer with Current Pulses Having Steep Flanks
CN204046448U (zh) 交流-直流转换器中的输出电压动态采样电路
RU2337473C1 (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
RU2395159C1 (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
CN106208631B (zh) 任意脉宽mosfet电子开关驱动电路
CN106209044A (zh) Mosfet电子开关驱动电路
CN102437740A (zh) 带输入电压补偿的原边反馈反激式恒流电源
US8476954B2 (en) Pulse generation circuit
US20110122657A1 (en) Switch with common-mode choke
RU2338316C1 (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
RU2358383C1 (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
RU2390094C2 (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
RU2340084C1 (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
RU2340085C1 (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
RU110884U1 (ru) Генератор импульсов
RU2340086C1 (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
RU2344542C1 (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
Clemente et al. Understanding power MOSFET switching performance
CN106130524B (zh) 自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器
RU2469473C1 (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
TWI446696B (zh) Gate drive
CN202435276U (zh) 补偿型原边反馈反激式恒流电源

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160331