RU2395159C1 - Силовой ключ на мдп-транзисторе - Google Patents
Силовой ключ на мдп-транзисторе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2395159C1 RU2395159C1 RU2009111835/09A RU2009111835A RU2395159C1 RU 2395159 C1 RU2395159 C1 RU 2395159C1 RU 2009111835/09 A RU2009111835/09 A RU 2009111835/09A RU 2009111835 A RU2009111835 A RU 2009111835A RU 2395159 C1 RU2395159 C1 RU 2395159C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- mos transistor
- mis transistor
- transformer
- secondary winding
- gate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационых устройствах. Целью настоящего изобретения является повышение надежности. Для этого в заявленное устройство, содержащее трансформатор с вторичной обмоткой, конец которой соединен непосредственно с истоком МДП-транзистора введен двуханодный стабилитрон, который включен между началом вторичной обмотки трансформатора и затвором МДП-транзистора. 1 ил.
Description
Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных коммутационных устройствах.
Известен силовой ключ, содержащий разделительный трансформатор, два взаимодополняющих биполярных транзистора, конденсаторы, резисторы и диоды (высокочастотные конверторы на мощных МДП-транзисторах / Б.В.Кабелев - ЭТвА, 1984, вып.15, с.27, рис.5).
Однако этот ключ не позволяет коммутировать длительные импульсы.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор, резистор, диоды и два транзистора, эмиттеры и базы двух взаимодополняющих транзисторов соединены непосредственно, эмиттеры транзисторов подключены к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой подключен к истоку МДП-транзистора и через резистор к базам транзисторов, коллекторы которых через диоды в отпирающем направлении подключены к затвору МДП-транзистора (патент РФ, №2337473), который выбран в качестве прототипа.
Недостатком прототипа является недостаточно высокая надежность.
Целью изобретения является повышение надежности.
Поставленная цель достигается тем, что в силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор с вторичной обмоткой, конец которой непосредственно соединен с истоком МДП-транзистора, введен двуханодный стабилитрон, который включен между началом вторичной обмотки и затвором МДП-транзистора.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема силового ключа на МДП-транзисторе.
Силовой ключ на МДП-транзисторе содержит трансформатор 1 с вторичной обмоткой 3, конец которой непосредственно соединен с истоком МДП-транзистора 4; двуханодный стабилитрон 5, который включен между началом вторичной обмотки 3 и затвором МДП-транзистора 4.
Устройство работает следующим образом.
При подаче на вход устройства на первичную обмотку 2 трансформатора 1 коротких положительных или отрицательных импульсов с большой скважностью на вторичной обмотке 3 также появляются короткие положительные или отрицательные импульсы с большой скважностью, которые через двуханодный стабилитрон 5 поступают на затвор МДП-транзистора 4, противоположный потенциал с конца вторичной обмотки 3 поступает непосредственно на исток МДП-транзистора 4, происходит заряд емкости затвор-исток МДП-транзистора 4 до напряжения амплитуды импульсов минус падение напряжения на двуханодном стабилитроне 5.
В паузе между короткими импульсами двуханодный стабилитрон 5 будет закрыт и емкость затвор-исток МДП-транзистора 4 остается заряженной положительным или отрицательным напряжением, и МДП-транзистор 4 будет открыт или закрыт в зависимости от полярности импульсов подаваемых на вход устройства.
В предлагаемом устройстве элементов меньше, чем в прототипе, следовательно его надежность выше за счет использования меньшего количества элементов.
Опытный образец устройства был собран на двух встречно-последовательно включенных стабилитронах 2С175Ц, трансформаторе ТИЛ2В, МДП - транзисторе IRFP250.
При управлении импульсами амплитудой 15 В, Т=8 мкс, τ=0,4 мкс Q=20 ключ коммутировал 10 А с длительностью фронтов 35 нс при надежном открывании и закрывании МДП-транзистора напряжением затвор-исток ±7 В.
Из известных заявителю патентно-информационных материалов не обнаружены признаки, сходные с совокупностью признаков заявляемого устройства.
Claims (1)
- Силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор с вторичной обмоткой, конец которой соединен непосредственно с истоком МДП-транзистора, отличающийся тем, что введен двуханодный стабилитрон, который включен между началом вторичной обмотки трансформатора и затвором МДП-транзистора.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009111835/09A RU2395159C1 (ru) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009111835/09A RU2395159C1 (ru) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2395159C1 true RU2395159C1 (ru) | 2010-07-20 |
Family
ID=42686109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009111835/09A RU2395159C1 (ru) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2395159C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2469473C1 (ru) * | 2011-04-08 | 2012-12-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
RU2469474C1 (ru) * | 2011-06-16 | 2012-12-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
-
2009
- 2009-03-30 RU RU2009111835/09A patent/RU2395159C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2469473C1 (ru) * | 2011-04-08 | 2012-12-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
RU2469474C1 (ru) * | 2011-06-16 | 2012-12-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9787302B2 (en) | Source driver circuit and control method thereof | |
US20140063593A1 (en) | Capacitor discharge pulse drive circuit with fast recovery | |
EP3157152A3 (en) | Power and information signal transfer using micro-transformers | |
US20110044079A1 (en) | Circuit and Method for Controlling the Power Supply of a Consumer with Current Pulses Having Steep Flanks | |
CN204046448U (zh) | 交流-直流转换器中的输出电压动态采样电路 | |
RU2337473C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2395159C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
CN106208631B (zh) | 任意脉宽mosfet电子开关驱动电路 | |
CN106209044A (zh) | Mosfet电子开关驱动电路 | |
CN102437740A (zh) | 带输入电压补偿的原边反馈反激式恒流电源 | |
US8476954B2 (en) | Pulse generation circuit | |
US20110122657A1 (en) | Switch with common-mode choke | |
RU2338316C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2358383C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2390094C2 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2340084C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2340085C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU110884U1 (ru) | Генератор импульсов | |
RU2340086C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2344542C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
Clemente et al. | Understanding power MOSFET switching performance | |
CN106130524B (zh) | 自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器 | |
RU2469473C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
TWI446696B (zh) | Gate drive | |
CN202435276U (zh) | 补偿型原边反馈反激式恒流电源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160331 |