RU2340086C1 - Силовой ключ на мдп-транзисторе - Google Patents
Силовой ключ на мдп-транзисторе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2340086C1 RU2340086C1 RU2007123094/09A RU2007123094A RU2340086C1 RU 2340086 C1 RU2340086 C1 RU 2340086C1 RU 2007123094/09 A RU2007123094/09 A RU 2007123094/09A RU 2007123094 A RU2007123094 A RU 2007123094A RU 2340086 C1 RU2340086 C1 RU 2340086C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transformer
- mos transistor
- triac
- secondary winding
- power
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
Предлагаемое изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение надежности. Поставленная цель достигается тем, что в силовой ключ введен симистор (предназначенный для работы в I и III квадрантах), первый силовой электрод которого (со стороны управляющего электрода) подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, управляющий электрод симистора подключен через резистор к концу вторичной обмотки трансформатора, а второй силовой электрод симистора подключен к затвору МДП-транзистора. 1 ил.
Description
Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах.
Известен силовой ключ, содержащий разделительный трансформатор, два взаимодополняющих биполярных транзистора, конденсаторы, резисторы и диоды (Высокочастотные конверторы на мощных МДП-транзисторах / Б.В.Кабелев - ЭТвА, 1984, вып.15, с.27, рис.5).
Однако этот ключ не позволяет коммутировать длительные импульсы.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий транзисторы одинаковой проводимости, коллекторно-эмиттерные переходы которых зашунтированы диодами в запирающем направлении. Коллектор одного из транзисторов подключен к затвору МДП-транзистора, трансформатор, эмиттеры транзисторов соединены непосредственно, а коллектор другого транзистора подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой подключен непосредственно к истоку МДП-транзистора, а дополнительная вторичная обмотка подключена к базам транзисторов, причем начало дополнительной обмотки подключено к базе того транзистора, коллектор которого подключен к началу вторичной обмотки трансформатора (патент РФ, №2263393), который выбран в качестве прототипа.
Недостатком прототипа является недостаточно высокая надежность.
Целью изобретения является повышение надежности.
Поставленная цель достигается тем, что в силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий резистор, трансформатор, конец вторичной обмотки которого подключен к истоку МДП-транзистора, введен симистор, предназначенный для работы в I и III квадрантах, первый силовой электрод которого (со стороны управляющего электрода) подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, управляющий электрод симистора через резистор подключен к концу вторичной обмотки трансформатора, а второй силовой электрод симистора подключен к затвору МДП-транзистора.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема силового ключа на МДП-транзисторе.
Силовой ключ на МДП-транзисторе содержит трансформатор 1 с первичной обмоткой 2 и вторичной обмоткой 3, симистор 4 (предназначенный для работы в I и III квадрантах), управляющий электрод 5 которого через резистор 6 подключен к точке соединения конца вторичной обмотки 3 трансформатора 1 с истоком МДП-транзистора 7. Первый силовой электрод 8 симистора 4 (со стороны управляющего электрода 5) подключен к началу вторичной обмотки 3 трансформатора 1, второй силовой электрод 9 симистора 4 подключен к затвору МДП-транзистора 7.
Устройство работает следующим образом.
При подаче на вход устройства на первичную обмотку 2 трансформатора 1 коротких положительных импульсов с большой скважностью на вторичной обмотке 3 трансформатора 1 также появляются короткие положительные импульсы с большой скважностью, небольшое отрицательное напряжение, присутствующее между короткими положительными импульсами, мало и им можно пренебречь.
Положительный потенциал с начала вторичной обмотки 3 трансформатора 1 поступает на силовой электрод 8 симистора 4, а отрицательный потенциал с конца вторичной обмотки 3 трансформатора 1 через емкость затвор-исток МДП-транзистора 7 на силовой электрод 9 симистора 4 и через резистор 6 на управляющий электрод 5 симистора 4 и включает его (симистор работает в III квадранте) - отрицательный потенциал с конца вторичной обмотки 3 трансформатора 1 поступает непосредственно на исток МДП-транзистора 7, а положительный - с начала вторичной обмотки 3 трансформатора 1 через открытый симистор 4 на затвор МДП-транзистора 7, происходит быстрый заряд емкости затвор-исток МДП-транзистора 7 и он открывается.
В паузе между короткими положительными импульсами симистор 4 закрыт, емкость затвор-исток МДП-транзистора остается заряженной положительным напряжением и, следовательно, он остается открытым.
При подаче на вход устройства на первичную обмотку 2 трансформатора 1 коротких отрицательных импульсов с большой скважностью происходят аналогичные процессы, т.к. схема передачи потенциала от начала вторичной обмотки 3 трансформатора 1 к затвору МДП-транзистора 7 симметричная (симистор работает в I квадранте). Происходит быстрый перезаряд емкости затвор-исток МДП-транзистора 7 отрицательным напряжением и он закрывается.
В предлагаемом устройстве на шесть элементов меньше, чем в прототипе, следовательно, его надежность выше за счет использования меньшего количества элементов.
Опытный образец устройства был собран на трансформаторе ТИЛ2В, резисторе 910 Ом, симисторе МАС9М, МДП-транзисторе 2П769В.
При управлении импульсами с амплитудой 5В, τ=2 мкс, Q=12 ключ коммутировал 20А с длительностью фронтов 50 нс.
Из известных заявителю патентно-информационных материалов не обнаружены признаки, сходные с совокупностью признаков заявляемого объекта.
Claims (1)
- Силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий резистор, трансформатор, конец вторичной обмотки которого подключен к истоку МДП-транзистора, отличающийся тем, что введен симистор, предназначенный для работы в I и III квадрантах, первый силовой электрод которого со стороны управляющего электрода подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, управляющий электрод симистора подключен через резистор к концу вторичной обмотки трансформатора, а второй силовой электрод симистора подключен к затвору МДП-транзистора.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007123094/09A RU2340086C1 (ru) | 2007-06-19 | 2007-06-19 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007123094/09A RU2340086C1 (ru) | 2007-06-19 | 2007-06-19 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2340086C1 true RU2340086C1 (ru) | 2008-11-27 |
Family
ID=40193367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007123094/09A RU2340086C1 (ru) | 2007-06-19 | 2007-06-19 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2340086C1 (ru) |
-
2007
- 2007-06-19 RU RU2007123094/09A patent/RU2340086C1/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9787302B2 (en) | Source driver circuit and control method thereof | |
US9496862B2 (en) | Circuit arrangement for actuating a semiconductor switching element | |
JP4903214B2 (ja) | 半導体スイッチをガルバニック絶縁で制御する方法および回路装置 | |
US9362827B2 (en) | Soft-switching bi-directional power converter and method of operating the same | |
US6844779B2 (en) | Optically isolated bias control circuit | |
WO2018051087A8 (en) | Dc-dc converters | |
RU2337473C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
TWI458245B (zh) | Switching power conversion device and its switching controller and driving method | |
RU2420858C2 (ru) | Коммутационная схема и способ управления потребителем электроэнергии | |
RU2340086C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2395159C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2340085C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2338316C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
JP2014150654A (ja) | ゲート駆動回路 | |
RU2390094C2 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2344542C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
US20110068832A1 (en) | Driving circuit for power mosfet | |
RU2340084C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2263393C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2396706C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2262799C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2223596C2 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2382489C1 (ru) | Ключ на цифровой мдп - микросхеме с открытым стоковым выходом | |
RU2358383C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2257668C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140620 |