RU2338316C1 - Силовой ключ на мдп-транзисторе - Google Patents
Силовой ключ на мдп-транзисторе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2338316C1 RU2338316C1 RU2007124113/09A RU2007124113A RU2338316C1 RU 2338316 C1 RU2338316 C1 RU 2338316C1 RU 2007124113/09 A RU2007124113/09 A RU 2007124113/09A RU 2007124113 A RU2007124113 A RU 2007124113A RU 2338316 C1 RU2338316 C1 RU 2338316C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- secondary winding
- collector
- transformer
- additional secondary
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Предлагаемое изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Целью настоящего изобретения является повышение надежности и уменьшение габаритов. Технический результат достигается тем, что силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий транзисторы одинаковой проводимости, коллекторно-эмиттерные переходы которых зашунтированы диодами в запирающем направлении, резистор, коллектор одного из транзисторов подключен к затвору МДП-транзистора, а коллектор другого транзистора подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора, трансформатор имеет дополнительную вторичную обмотку со средней точкой, базы транзисторов соединены непосредственно, а дополнительная вторичная обмотка включена между эмиттерами транзисторов, причем начало дополнительной вторичной обмотки подключено к эмиттеру того транзистора, коллектор которого подключен к затвору МДП-транзистора, а средняя точка дополнительной вторичной обмотки трансформатора через резистор соединена с базами транзисторов. 1 ил.
Description
Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных коммутационных устройствах.
Известен силовой ключ, содержащий разделительный трансформатор, два взаимодополняющих биполярных транзистора, конденсаторы, резисторы и диоды (высокочастотные конверторы на мощных МДП-транзисторах [ Б.В.Кабелев - ЭТвА, 1984, вып.15, с.27, рис.5].
Однако этот ключ не позволяет коммутировать длительные импульсы.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий транзисторы одинаковой проводимости, коллекторно-эмиттерные переходы которых зашунтированы диодами в запирающем направлении, коллектор одного из транзисторов подключен к затвору МДП-транзистора, трансформатор, резистор, в трансформатор введена дополнительная обмотка, крайние выводы которой подключены к базам транзисторов, эмиттеры которых соединены непосредственно, к точке соединения эмиттеров через резистор подключена средняя точка дополнительной обмотки, а ее начало подключено к базе того транзистора, коллектор которого подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора (патент РФ №2262799), который выбран в качестве прототипа.
Недостатком прототипа является недостаточно высокая надежность и большие габариты, т.к. для создания необходимого управляющего напряжения затвор-исток МДП-транзистора используется только одна вторичная обмотка, которую приходится выполнять с большим числом витков, что снижает надежность и увеличивает габариты.
Целью изобретения является повышение надежности и уменьшение габаритов.
Поставленная цель достигается тем, что силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий транзисторы одинаковой проводимости, коллекторно-эмиттерные переходы которых зашунтированы диодами в запирающем направлении, резистор, коллектор одного из транзисторов подключен к затвору МДП-транзистора, а коллектор другого транзистора подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора, трансформатор имеет дополнительную вторичную обмотку со средней точкой, базы транзисторов соединены непосредственно, а дополнительная вторичная обмотка включена между эмиттерами транзисторов, причем начало дополнительной вторичной обмотки подключено к эмиттеру того транзистора, коллектор которого подключен к затвору МДП-транзистора, а средняя точка дополнительной вторичной обмотки трансформатора через резистор соединена с базами транзисторов.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема силового ключа на МДП-транзисторе.
Силовой ключ на МДП-транзисторе содержит транзисторы 1 и 2 одинаковой проводимости, базы которых соединены непосредственно, а коллекторно-эмиттерные переходы зашунтированы диодами 3 и 4, включенными в запирающем направлении, трансформатор 5 с первичной обмоткой 6, вторичной обмоткой 7 и дополнительной вторичной обмоткой 8. Конец вторичной обмотки 7 подключен к истоку МДП-транзистора 9, а начало - к коллектору транзистора 1. Дополнительная вторичная обмотка 8 включена между эмиттерами транзисторов 1 и 2, причем ее начало подключено к эмиттеру транзистора 2, коллектор которого соединен с затвором МДП-транзистора 9, а средняя точка дополнительной вторичной обмотки 8 трансформатора 5 через резистор 10 соединена с базами транзисторов 1 и 2.
Устройство работает следующим образом.
При подаче на вход устройства на первичную обмотку 6 трансформатора 5 коротких положительных импульсов с большой скважностью на вторичной обмотке 7 и дополнительной вторичной обмотке 8 трансформатора 5 также появляются короткие положительные импульсы с большой скважностью, небольшое отрицательное напряжение, присутствующее между короткими положительными импульсами, мало и им можно пренебречь.
Положительный потенциал с начала вторичной обмотки 7 и с начала дополнительной вторичной обмотки 8 поступает на коллектор транзистора 1 и в цепь его базы по цепи средняя точка обмотки 8 - резистор 10, база транзистора 1, эмиттер транзистора 1, конец дополнительной обмотки 8.
Транзистор 1 открывается и положительный потенциал с начала вторичной обмотки 7 поступает на конец дополнительной вторичной обмотки 8, и их потенциалы суммируются и через диод 4 поступают на затвор МДП-транзистора 9, отрицательный же потенциал с конца дополнительной обмотки 8, через открытый транзистор 1, поступает на начало вторичной обмотки 7, потенциалы обмоток 8 и 7 суммируются и от конца обмотки 7 непосредственно поступают на исток МДП-транзистора 9, происходит быстрый заряд емкости затвор-исток МДП-транзистора 9, и он открывается.
В паузе между короткими положительными импульсами на вторичной обмотке 7 присутствует небольшое отрицательное напряжение, но его величины недостаточно для открывания диода 3. К базе транзистора 2 будет приложено небольшое положительное напряжение, недостаточное для его открывания по цепи - база транзистора 2, резистор 10, средняя точка дополнительной вторичной обмотки 8, половина обмотки 8, эмиттер транзистора 2, и он будет закрыт, емкость затвор-исток МДП-транзистора 9 остается заряженной положительным напряжением, и, следовательно, он остается открытым.
При подаче на вход устройства коротких отрицательных импульсов с большой скважностью происходят аналогичные процессы, т.к. схема передачи потенциала от начала вторичной обмотки 7 трансформатора 5 к затвору МДП-транзистора 9 симметричная, при этом емкость затвор-исток МДП-транзистора 9 перезаряжается - на затвор относительно истока поступает отрицательное напряжение, и МДП-транзистор закрывается.
В предлагаемом устройстве число витков во вторичной обмотке трансформатора меньше, чем в прототипе на число витков в дополнительной вторичной обмотке трансформатора, что повышает надежность и уменьшает габариты.
Опытный образец устройства был собран на транзисторной матрице 1НТ251, диодах 2Д522Б, МДП-транзисторе 2П769В трансформаторе ТИЛ2 В, резисторах 510 Ом.
При управлении импульсами с амплитудой 5 В, τ=2 мкс, Q=12 ключ коммутировал 20 А с длительностью фронтов 35 нс при надежном открывании и закрывании МДП-транзистора, напряжением затвор-исток ±9 В.
Из известных заявителю патентно-информационных материалов не обнаружены признаки, сходные с совокупностью признаков заявляемого объекта.
Claims (1)
- Силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий транзисторы одинаковой проводимости, коллекторно-эмиттерные переходы которых зашунтированы диодами в запирающем направлении, резистор, коллектор одного из транзисторов подключен к затвору МДП-транзистора, а коллектор другого транзистора подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора, трансформатор имеет дополнительную вторичную обмотку со средней точкой, отличающийся тем, что базы транзисторов соединены непосредственно, а дополнительная вторичная обмотка включена между эмиттерами транзисторов, причем начало дополнительной вторичной обмотки подключено к эмиттеру того транзистора, коллектор которого подключен к затвору МДП-транзистора, а средняя точка дополнительной вторичной обмотки трансформатора через резистор соединена с базами транзисторов.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007124113/09A RU2338316C1 (ru) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007124113/09A RU2338316C1 (ru) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2338316C1 true RU2338316C1 (ru) | 2008-11-10 |
Family
ID=40230480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007124113/09A RU2338316C1 (ru) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2338316C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2487472C1 (ru) * | 2012-01-11 | 2013-07-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Силовой гальванически изолированный ключ |
-
2007
- 2007-06-26 RU RU2007124113/09A patent/RU2338316C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2487472C1 (ru) * | 2012-01-11 | 2013-07-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Силовой гальванически изолированный ключ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA1293295C (en) | Mosfet fullbridge switching regulator having transformer coupledmosfet drive circuit | |
US20110044079A1 (en) | Circuit and Method for Controlling the Power Supply of a Consumer with Current Pulses Having Steep Flanks | |
US9496862B2 (en) | Circuit arrangement for actuating a semiconductor switching element | |
WO2018051087A8 (en) | Dc-dc converters | |
US20090231018A1 (en) | Circuit Arrangement and a Method for Galvanically Separate Triggering of a Semiconductor Switch | |
US6844779B2 (en) | Optically isolated bias control circuit | |
JPH06503938A (ja) | 漏洩インダクタンスを用いたフローティングゲート駆動回路 | |
KR20070116047A (ko) | 스위칭 어셈블리 제어 방법 및 스위칭 어셈블리 제어용디바이스 | |
RU2337473C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
US20160254750A1 (en) | Control circuit for power converter | |
RU2338316C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2395159C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
US20020021578A1 (en) | Synchronous rectification circuit of DC-DC converter | |
RU2340085C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2340084C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
US10454456B2 (en) | Method for driving a transistor device with non-isolated gate, drive circuit and electronic circuit | |
RU2358383C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2340086C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2390094C2 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2344542C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2263393C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2223596C2 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2262799C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2257668C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2713559C2 (ru) | Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140627 |