RU2337473C1 - Силовой ключ на мдп-транзисторе - Google Patents
Силовой ключ на мдп-транзисторе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2337473C1 RU2337473C1 RU2007129163/09A RU2007129163A RU2337473C1 RU 2337473 C1 RU2337473 C1 RU 2337473C1 RU 2007129163/09 A RU2007129163/09 A RU 2007129163/09A RU 2007129163 A RU2007129163 A RU 2007129163A RU 2337473 C1 RU2337473 C1 RU 2337473C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- mis
- transistors
- emitters
- mos transistor
- Prior art date
Links
Abstract
Предлагаемое изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Целью настоящего изобретения является повышение надежности и помехоустойчивости. Технический результат достигается тем, что эмиттеры и базы двух взаимодополняющих транзисторов соединены непосредственно, эмиттеры транзисторов подключены к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой подключен к истоку МДП-транзистора и через резистор к базам транзисторов, коллекторы которых через диоды в отпирающем направлении подключены к затвору МДП-транзистора. 1 ил.
Description
Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных коммутационных устройствах.
Известен силовой ключ, содержащий разделительный трансформатор, два взаимодополняющих биполярных транзистора, конденсаторы, резисторы и диоды (высокочастотные конверторы на мощных МДП-транзисторах / Б.В. Кабелев - ЭТвА, 1984, вып. 15, с.27, рис.5).
Однако этот ключ не позволяет коммутировать длительные импульсы.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор, резисторы, диоды и два транзистора (патент РФ, №2152127), который выбран в качестве прототипа.
Недостатком прототипа является недостаточно высокая надежность и помехоустойчивость.
Целью изобретения является повышение надежности и помехоустойчивости.
Поставленная цель достигается тем, что эмиттеры и базы двух взаимодополняющих транзисторов соединены непосредственно, эмиттеры подключены к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой подключен к истоку МДП-транзистора и через резистор к базам транзисторов, коллектора которых через диоды в отпирающем направлении подключены к затвору МДП-транзистора.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема силового ключа на МДП-транзисторе.
Силовой ключ на МДП-транзисторе содержит трансформатор 1 с первичной обмоткой 2 и вторичной обмоткой 3, два взаимодополняющих транзистора 4 и 5, эмиттеры и базы которых соединены непосредственно, эммитеры транзисторов подключены к началу вторичной обмотки 3 трансформатора 1, конец которой подключен к истоку МДП-транзистора 6 и через резистор 7 к базам транзисторов 4 и 5, коллекторы которых через диоды 8 и 9 в отпирающем направлении подключены к затвору МДП-транзистора 6.
Устройство работает следующим образом.
При подаче на вход устройства на первичную обмотку 2 трансформатора 1 коротких положительных импульсов с большой скважностью на вторичной обмотке 3 трансформатора 1 также появляются короткие положительные импульсы с большой скважностью, небольшое отрицательное напряжение, присутствующее между короткими положительными импульсами, мало и им можно пренебречь.
Положительный потенциал с начала вторичной обмотки 3 поступает на эмиттеры транзисторов 4 и 5, а отрицательный потенциал с конца вторичной обмотки 3 поступает на исток МДП-транзистора 6 и через резистор 7 на базы транзисторов 4 и 5. Транзистор 4 типа р-n-р открывается и положительный потенциал с начала вторичной обмотки 3 через открытый транзистор 4 и диод 8 поступает на затвор МДП-транзистора 6, отрицательный потенциал с конца вторичной обмотки 3 непосредственно поступает на исток МДП-транзистора 6, проходит быстрый заряд емкости затвор - исток МДП-транзистора 6 и он открывается.
В паузе между короткими положительными импульсами на вторичной обмотке 3 присутствует небольшое отрицательное напряжение, но его величины недостаточно для открывания транзистора 5 по цепи - эмиттер транзистора 5, база транзистора 5, резистор 7, вторичная обмотка 3, и он будет закрыт, емкость затвор - исток МДП-транзистора 6 остается заряженной положительным напряжением, и, следовательно, он остается открытым.
При подаче на вход устройства на первичную обмотку 2 трансформатора 1 коротких отрицательных импульсов с большой скважностью происходят аналогичные процессы - открывается n-р-n транзистор 5, и отрицательный потенциал через открытый транзистор 5 и через диод 9 поступает на затвор МДП-транзистора 6, при этом емкость затвор - исток МДП-транзистора 6 перезаряжается - на затвор относительно истока поступает отрицательное напряжение, и МДП-транзистор 6 закрывается.
В предлагаемом устройстве резисторов меньше, чем в прототипе, следовательно, его надежность выше за счет использования меньшего количества элементов. Помехоустойчивость предложенного устройства выше за счет того, что конец вторичной обмотки 3 трансформатора 1 подключен непосредственно к истоку МДП-транзистора 6, исток которого, как правило, в исполнительной цепи заземляется или соединяется с общей шиной и токи помех, воздействующие на вторичную обмотку 3 трансформатора 1, стекают в заземление или в общую шину.
Опытный образец устройства был собран на транзисторах 2Т313А, 2Т3117А, диодах 2Д522Б, трансформаторе ТИЛ2В, резисторе 910 Ом, МДП-транзисторе 2П769В.
При управлении импульсами амплитудой 5 В, τ=2 мкс, Q=12 ключ коммутировал 10 А с длительностью фронтов 35 нс.
Из известных заявителю патентно-информационных материалов не обнаружены признаки, сходные с совокупностью признаков заявляемого объекта.
Claims (1)
- Силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор, резистор, диоды и два транзистора, отличающийся тем, что эмиттеры и базы двух взаимодополняющих транзисторов соединены непосредственно, эмиттеры транзисторов подключены к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой подключен к истоку МДП-транзистора и через резистор к базам транзисторов, коллекторы которых через диоды в отпирающем направлении подключены к затвору МДП-транзистора.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007129163/09A RU2337473C1 (ru) | 2007-07-30 | 2007-07-30 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007129163/09A RU2337473C1 (ru) | 2007-07-30 | 2007-07-30 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2337473C1 true RU2337473C1 (ru) | 2008-10-27 |
Family
ID=40042209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007129163/09A RU2337473C1 (ru) | 2007-07-30 | 2007-07-30 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2337473C1 (ru) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2469473C1 (ru) * | 2011-04-08 | 2012-12-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
RU2469474C1 (ru) * | 2011-06-16 | 2012-12-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
RU2524853C2 (ru) * | 2012-11-08 | 2014-08-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
RU2562752C2 (ru) * | 2013-02-22 | 2015-09-10 | Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
RU2571719C1 (ru) * | 2014-10-29 | 2015-12-20 | Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
RU2785321C1 (ru) * | 2022-07-22 | 2022-12-06 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" | Схема управления силовым ключом на основе БТИЗ или МДП-транзисторов |
-
2007
- 2007-07-30 RU RU2007129163/09A patent/RU2337473C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2469473C1 (ru) * | 2011-04-08 | 2012-12-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
RU2469474C1 (ru) * | 2011-06-16 | 2012-12-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
RU2524853C2 (ru) * | 2012-11-08 | 2014-08-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
RU2562752C2 (ru) * | 2013-02-22 | 2015-09-10 | Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
RU2571719C1 (ru) * | 2014-10-29 | 2015-12-20 | Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
RU2785321C1 (ru) * | 2022-07-22 | 2022-12-06 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" | Схема управления силовым ключом на основе БТИЗ или МДП-транзисторов |
RU2806902C1 (ru) * | 2023-05-24 | 2023-11-08 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" | Схема управления силовым ключом на основе бтиз или мдп-транзисторов |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10903621B2 (en) | Circuit for driving a laser and method therefor | |
US20140063593A1 (en) | Capacitor discharge pulse drive circuit with fast recovery | |
RU2337473C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
US9496862B2 (en) | Circuit arrangement for actuating a semiconductor switching element | |
US9397658B2 (en) | Gate drive circuit and a method for controlling a power transistor | |
US7750720B2 (en) | Circuit arrangement and a method for galvanically separate triggering of a semiconductor switch | |
JP2013013044A (ja) | ゲートドライブ回路 | |
JP5761656B2 (ja) | ゲートドライブ回路 | |
KR101732225B1 (ko) | 가속 요소를 포함하는 회로 | |
US9602096B2 (en) | Power electronic device with improved efficiency and electromagnetic radiation characteristics | |
RU2390094C2 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
AU2013224322B2 (en) | High voltage current switch circuit | |
RU2395159C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2263393C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2338316C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2262799C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2340084C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2340085C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
CN106130524B (zh) | 自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器 | |
RU2262187C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2340086C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2358383C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2223596C2 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2713559C2 (ru) | Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием | |
RU2396706C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140731 |