CN106130524B - 自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器 - Google Patents
自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106130524B CN106130524B CN201610421382.4A CN201610421382A CN106130524B CN 106130524 B CN106130524 B CN 106130524B CN 201610421382 A CN201610421382 A CN 201610421382A CN 106130524 B CN106130524 B CN 106130524B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- switch pipe
- mos switch
- output end
- voltage
- quenched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
本发明提供的一种自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器，针对SiC高速、高压大电流MOSFET的特点，在大摆幅内实现精确栅极驱动以及对驱动路径离散电感和栅极电容产生的振铃尖峰进行淬灭，以确保有效利用SiC的高速开关能力和克服其跨导较低的不足。所述驱动电路包括第一开关管、第二开关管，第一开关管的漏极和第二开关管的漏极连接栅极驱动输出端，第二开关管的源极接正电源，第一开关管的源极经稳压器接正电源，稳压器的正输入端接高电位，稳压器的负输入端经电容接地；第一开关管的栅极和第二开关管的栅极连接采用淬灭时间自适应的驱动源内阻变化的方式实现电压快速上拉和振铃淬灭的上拉淬灭电路。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域，特别是涉及一种自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器。
背景技术
SiC器件具有高耐压和高速开关的特性，但由于其跨导较低，有效地利用其高速开关特性需要以大摆幅、并且在其栅电压许可的范围内满摆幅驱动，这与在其整个许可的驱动电压范围内高速满摆幅驱动相关。实际施加在栅极上的电压需要精确控制和防止因寄生串联电感与栅电容之间的振铃产生尖峰、击穿栅极绝缘层。硅COMS FET的跨导大，并不需要在整个最大摆幅内满摆幅快速驱动，由于不满摆幅，只要留出足够的幅度余量也不需要防止振铃击穿，或者可以利用摆幅接近最大输出幅度时降低输出能力的办法消除振铃；这种办法可见UCC27523数据手册中figure 28电路的示意。名义上专门为SiC设计的驱动器，Avago公司的ACPL-P345除了加大摆幅外，没有针对消除振铃设计，而是依靠较弱的驱动能力减缓振铃。
发明内容
本发明提供一种自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器，针对SiC高速、高压大电流MOSFET的特点，在大摆幅内实现精确栅极驱动以及对驱动路径离散电感和栅极电容产生的振铃尖峰进行淬灭，以确保有效利用SiC的高速开关能力和克服其跨导较低的不足。
本发明的技术方案是：
1.一种自适应振铃淬灭栅极驱动电路，其特征在于，包括第一MOS开关管Q1、第二MOS开关管Q2，所述第一MOS开关管Q1的漏极和第二MOS开关管Q2的漏极连接栅极驱动输出端GD，所述第二MOS开关管Q2的源极接正电源VP，所述第一MOS开关管Q1的源极经稳压器接正电源VP，稳压器的正输入端接高电位VH，稳压器的负输入端经电容c接地；所述第一MOS开关管Q1的栅极和第二MOS开关管Q2的栅极连接采用淬灭时间自适应的驱动源内阻变化的方式实现电压快速上拉和振铃淬灭的上拉淬灭电路。
2.所述上拉淬灭电路包括第一电平转移缓冲器1、第二电平转移缓冲器3、导通延时器8以及滞回电压比较器C，所述第一MOS开关管Q1的栅极经第一电平转移缓冲器1和导通延时器8连接SIN信号输入端，第二MOS开关管Q2的栅极接第二电平转移缓冲器3输出端，第二电平转移缓冲器3控制端接正电源VP，第二电平转移缓冲器3输入端接第一或门2输出端，第一或门2的第一输入端经导通延时器8连接SIN信号输入端，第一或门2的第二输入端连接滞回电压比较器C的输出端，滞回电压比较器C的正输入端连接栅极驱动输出端GD，滞回电压比较器C的负输入端经电容c接地。
3.所述第一MOS开关管Q1的内阻rpu大于第二MOS开关管Q2的内阻Rpu。
4.所述稳压器包括一个放大器A和一个p沟道MOSFET，所述放大器A的输出端接MOSFET的栅极，MOSFET的源极接第一MOS开关管Q1的源极，MOSFET的漏极接正电源VP，放大器A的一个输入端接高电位VH，另一个输入端经电容c接地。
5.一种自适应振铃淬灭栅极驱动电路，其特征在于，包括第三MOS开关管Q3，所述第三MOS开关管Q3的源极接负电源VL，第三MOS开关管Q3的漏极连接栅极驱动输出端GD，第三MOS开关管Q3的栅极连接采用通过传输延时产生一个固定的淬灭时间的方式实现电压下拉和振铃淬灭的下拉淬灭电路。
6.所述下拉淬灭电路包括产生固定淬灭时间的延时器4、第三电平转移缓冲器7以及所述滞回电压比较器C，所述第三MOS开关管Q3的栅极经第三电平转移缓冲器7连接与门6的输出端，与门6的一个输入端连接SIN信号输入端，与门6的另一个输入端接第二或门5的输出端，第二或门5的一个输入端连接滞回电压比较器C的输出端，并通过产生固定淬灭时间的延时器4与第二或门5的另一个输入端连接，滞回电压比较器C的正输入端连接栅极驱动输出端GD，滞回电压比较器C的负输入端经电容c接地。
7.一种双极性自适应振铃淬灭栅极驱动电路，其特征在于，包括第一MOS开关管Q1、第二MOS开关管Q2和第三MOS开关管Q3，所述第一MOS开关管Q1的漏极和第二MOS开关管Q2的漏极连接栅极驱动输出端GD，所述第二MOS开关管Q2的源极接正电源VP，所述第一MOS开关管Q1的源极经稳压器接正电源VP，稳压器的正输入端接高电位VH，稳压器的负输入端经电容c接地；所述第一MOS开关管Q1的栅极和第二MOS开关管Q2的栅极连接采用淬灭时间自适应的驱动源内阻变化的方式实现电压快速上拉和振铃淬灭的上拉淬灭电路；所述第三MOS开关管Q3的源极接负电源VL，第三MOS开关管Q3的漏极连接栅极驱动输出端GD，第三MOS开关管Q3的栅极连接采用通过传输延时产生一个固定的淬灭时间的方式实现电压下拉和振铃淬灭的下拉淬灭电路。
8.一种双极性自适应振铃淬灭栅极驱动器，其特征在于，包括双极性电源以及所述双极性自适应振铃淬灭栅极驱动电路；所述双极性自适应振铃淬灭栅极驱动电路的栅极驱动输出端GD连接所要驱动的开关器件的栅极；所述双极性电源的正电源输出端和负电源输出端分别连接自适应振铃淬灭栅极驱动电路的正电源引脚VP和负电源引脚VN。
9.所述双极性的电源为内置双极性电源或外置双极性电源，包括采用单电感、双电感或者电荷泵产生的双极性电源；所述内置双极性电源包括欠压保护电路，用于检查输入电源是否满足所述内置双极性电源所需要的电流。
10.还包括抗共模干扰的改出-自保持输入电路，输入信号经所述改出-自保持输入电路连接所述自适应振铃淬灭栅极驱动电路；所述改出-自保持输入电路包括一个比较器、一个n沟道MOSFET和一个p沟道MOSFET，所述比较器的一个输入端连接输入信号引脚SIN，并同时连接n沟道MOSFET的漏极和p沟道MOSFET的漏极，所述比较器的输出端同时连接n沟道MOSFET的栅极和p沟道MOSFET的栅极，所述n沟道MOSFET的源极接地，p沟道MOSFET的源极接供电电压Vbia，所述比较器的另一个输入端接参考电压Vth。
本发明的技术效果：
本发明提供的一种自适应振铃淬灭栅极驱动电路及驱动器，针对SiC器件的高耐压和高速开关的特性，提供了一种双极性自适应振铃淬灭驱动电路，其特点是，上拉部分采用时间自适应的驱动源内阻变化的方式实现电压快速上拉和振铃淬灭，下拉部分通过传输延时产生一个固定的淬灭时间的方式实现电压下拉和振铃淬灭，达到精确电压控制和主动振铃尖峰淬灭的目的，在其栅电压许可的范围内实现了满摆幅精确栅极驱动，以及对驱动路径离散电感和栅极电容产生的振铃尖峰进行有效淬灭，有效的利用了SiC的高速开关能力和克服了其跨导较低的不足。另外还提出了一种改出-自保持输入电路，能更有效的抗共模干扰，并采用内置或外置双极性电源，保证驱动电路的双极性输出。
附图说明
图1a是形成振铃的寄生电感和栅电容分布说明图。
图1b是图1a的简化模型图。
图2a是振铃形成原理说明图。
图2b是振铃淬灭原理说明图。
图3是本发明的双极性自适应振铃淬灭栅极驱动电路图。
图4是本发明的双极性自适应振铃淬灭栅极驱动器实施例示意图。
图5是本发明的改出-自保持输入电路的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例作进一步详细说明。
图1a是形成振铃的寄生电感和栅电容分布说明图。作用到MOS FET内部栅极上振铃与驱动路径上的寄生电感和栅电容有关。寄生电感包括电路板上的寄生电感Lwire和MOSFET内部引线上的寄生电感Llead两部分，栅电容包括Ciss、Crss、Cdss，这些都是SiCMOSFET内部的寄生电容，即图中所示的三个电极直接的电容。这些寄生电感和栅电容进一步简化成图1b的简化模型图，用来说明振铃的形成。为了实现高速驱动，简化模型中的电阻r需要尽可能低，这使得等效电感Lpar中的电流在等效电容Cpar上的电压上升到输出电压Von前一直是增加的；等电容电压达到Von后，电感会继续向电容放电，在Lpar-Cpar-r之间产生振铃。电容上将观察到图2a所示的电压过冲。如图2b所示，如果在电容电压达到Von时迅速拉低驱动输出，电感电流在反向电压的作用下迅速下降，放电过程中转移的电荷量减少，电容上的电压过冲减小，即振铃淬灭。
如图3所示，是本发明的双极性自适应振铃淬灭栅极驱动电路图，用以说明本发明的带自适应淬灭的驱动电路原理。
本发明的双极性自适应振铃淬灭电路包括采用淬灭时间自适应的驱动源内阻变化的方式实现电压快速上拉和振铃淬灭的上拉淬灭电路和通过传输延时产生一个固定的淬灭时间的方式实现电压下拉和振铃淬灭的下拉淬灭电路。
具体的，GD输出上拉时，上拉电路包括第一MOS开关管Q1、第二MOS开关管Q2，第一MOS开关管Q1的漏极和第二MOS开关管Q2的漏极连接栅极驱动输出端GD，第二MOS开关管Q2的源极接正电源VP，第一MOS开关管Q1的源极经稳压器接正电源VP，稳压器的正输入端接高电位VH，稳压器的负输入端经电容c接地；第一MOS开关管Q1的栅极和第二MOS开关管Q2的栅极连接采用淬灭时间自适应的驱动源内阻变化的方式实现电压快速上拉和振铃淬灭的上拉淬灭电路。上拉淬灭电路包括第一电平转移缓冲器1、第二电平转移缓冲器3、导通延时器8以及滞回电压比较器C，所述第一MOS开关管Q1的栅极经第一电平转移缓冲器1和导通延时器8连接SIN信号输入端，第二MOS开关管Q2的栅极接第二电平转移缓冲器3输出端，第二电平转移缓冲器3控制端接正电源VP，第二电平转移缓冲器3输入端接第一或门2输出端，第一或门2的第一输入端经导通延时器8连接SIN信号输入端，第一或门2的第二输入端连接滞回电压比较器C的输出端，滞回电压比较器C的正输入端连接栅极驱动输出端GD，滞回电压比较器C的负输入端经电容c接地。
其中，第一MOS开关管Q1的内阻rpu大于第二MOS开关管Q2的内阻Rpu；稳压器包括一个放大器A和一个p沟道MOSFET，放大器A的输出端接MOSFET的栅极，MOSFET的源极接第一MOS开关管Q1的源极，MOSFET的漏极接正电源VP，放大器A的一个输入端接高电位VH，另一个输入端经电容c接地。
图中第一电平转移缓冲器1除进行电平转移外，还用来配平第一与门2→第二电平转移缓冲器3延迟，使Q1的导通略迟于Q2导通。滞回电压比较器C用来比较输出幅度与高电平VH的接近程度，当GD接近VH时输出高电平。当接收到要求GD上拉的输入时，2→3→GD→C→2的环行使Q2只在一开始参与上拉，其后将由Q1自己保持上拉。设计rpu>Rpu，Q2停止导通后，GD将因电感持续吸出电流出现下冲，从而淬灭栅极振铃。Q2的上拉能力除采用较低导通电阻的器件外，VP-VH的压差使其在输出接近VH时仍可保持上拉能力。
GD输出下拉时，下拉电路包括第三MOS开关管Q3，第三MOS开关管Q3的源极接负电源VL，第三MOS开关管Q3的漏极连接栅极驱动输出端GD，第三MOS开关管Q3的栅极连接采用通过传输延时产生一个固定的淬灭时间的方式实现电压下拉和振铃淬灭的下拉淬灭电路。下拉淬灭电路包括产生固定淬灭时间的延时器4、第三电平转移缓冲器7以及滞回电压比较器C，第三MOS开关管Q3的栅极经第三电平转移缓冲器7连接与门6的输出端，与门6的一个输入端连接SIN信号输入端，与门6的另一个输入端接第二或门5的输出端，第二或门5的一个输入端连接滞回电压比较器C的输出端，并通过产生固定淬灭时间的延时器4与第二或门5的另一个输入端连接，滞回电压比较器C的正输入端连接栅极驱动输出端GD，滞回电压比较器C的负输入端经电容c接地。
GD输出下拉时由于其对应所驱动器件的关断过程，Q3大多数时间需要保持高驱动能力以吸收所驱动器件的负载感性通过漏-栅电容对栅极的驱动，本发明采用4→5的传输延时产生一个固定的淬灭时间。淬灭期间Q3短暂断开，GD因电感注入电流出现上冲。淬灭时间需要较短以避免C再次翻转并使Q3出现第二次断开，同时4输出的上跳变延迟快、下跳变延迟慢(如图3中左下波形所示)；这个下跳变慢的特性可防止输出下拉时淬灭脉冲引起翻转。
如图4所示，是本发明的双极性自适应振铃淬灭栅极驱动器的实施例示意图。本发明区别于现有技术实现方案的电路部分在见图中阴影标记，即1.抗共模干扰的改出-自保持输入；2.自适应振铃淬灭；3.双极性电源。分别描述如下：
一种双极性自适应振铃淬灭栅极驱动器，包括双极性电源以及所述双极性自适应振铃淬灭栅极驱动电路；双极性自适应振铃淬灭栅极驱动电路的栅极驱动输出端GD连接所要驱动的开关器件Q的栅极；双极性电源的正电源输出端和负电源输出端分别连接自适应振铃淬灭栅极驱动电路的正电源引脚VP和负电源引脚VN。
其中，自适应振铃淬灭采用图3所示的双极性自适应振铃淬灭栅极驱动电路。双极性电源为内置双极性电源或外置双极性电源，包括采用单电感、双电感或者电荷泵产生的双电源。实施例中，采用内置双极性电源，包括欠压保护电路，用于检查输入电源是否满足这个内置电源的需要的电流；LBS和LINV是这个内置电源的两个开关节点。
还包括抗共模干扰的改出-自保持输入电路，输入信号经所述改出-自保持输入电路连接所述自适应振铃淬灭栅极驱动电路的输入端。如图5所示，改出-自保持输入电路包括一个比较器、一个n沟道MOSFET和一个p沟道MOSFET，比较器的一个输入端连接输入信号引脚SIN，并同时连接n沟道MOSFET的漏极和p沟道MOSFET的漏极，比较器的输出端同时连接n沟道MOSFET的栅极和p沟道MOSFET的栅极，n沟道MOSFET的源极接地，p沟道MOSFET的源极接供电电压Vbia，比较器的另一个输入端接参考电压Vth。这里Vbias是一个电路内部的工作电压，该电压用于给PMOSFET供电，产生一个受控的上拉电流；Vth是一个内部的参考电压，以该电压值为临界点，当输入被拉超过或低于该电压时，认定输入为逻辑高或者低，同时把恒流源切换到一致的方向上。如果需要改变此电路的逻辑状态在灌入或者吸出电流的同时满足逻辑门限要求。无论是在高电平还是低电平，此电路的输入阻抗即当时开启的MOSFET的导通电阻。同时，从SIN输入到GD输出为倒相关系，与外部开关产生的共模电压保持反相(正反馈关系)，可进一步避免共模导致误操作。
图4中还包括隔离采样电路，这个电路用于对高电压的隔离，与一般意义下的绝缘隔离不同，它是隔离掉高电压，使其不直接进入驱动电路部分。图4中，自适应振铃淬灭电路的OCP电压引脚(连接图3中的VH)通过隔离采样电路连接所要驱动的开关器件Q的漏极，自适应振铃淬灭电路的DLY引脚(连接图3中的导通延时器8的输入端)通过电阻Rd接地，用于利用不同电阻值设置延迟时间，连接双极性电源的PWR电源引脚通过电容Cpwr接地。
在此指明，以上叙述有助于本领域技术人员理解本发明创造，但并非限制本发明创造的保护范围。任何没有脱离本发明创造实质内容的对以上叙述的等同替换、修饰改进和/或删繁从简而进行的实施，均落入本发明创造的保护范围。
Claims (8)
1.一种自适应振铃淬灭栅极驱动电路，其特征在于，包括第一MOS开关管Q1、第二MOS开关管Q2，所述第一MOS开关管Q1的漏极和第二MOS开关管Q2的漏极连接栅极驱动输出端GD，所述第二MOS开关管Q2的源极接正电源VP，所述第一MOS开关管Q1的源极经稳压器接正电源VP，稳压器的正输入端接高电位VH，稳压器的负输入端经电容c接地；所述第一MOS开关管Q1的栅极和第二MOS开关管Q2的栅极连接采用淬灭时间自适应的驱动源内阻变化的方式实现电压快速上拉和振铃淬灭的上拉淬灭电路；
所述上拉淬灭电路包括第一电平转移缓冲器1、第二电平转移缓冲器3、导通延时器8以及滞回电压比较器C，所述第一MOS开关管Q1的栅极经第一电平转移缓冲器1和导通延时器8连接SIN信号输入端，第二MOS开关管Q2的栅极接第二电平转移缓冲器3输出端，第二电平转移缓冲器3控制端接正电源VP，第二电平转移缓冲器3输入端接第一或门2输出端，第一或门2的第一输入端经导通延时器8连接SIN信号输入端，第一或门2的第二输入端连接滞回电压比较器C的输出端，滞回电压比较器C的正输入端连接栅极驱动输出端GD，滞回电压比较器C的负输入端经电容c接地。
2.根据权利要求1所述的自适应振铃淬灭栅极驱动电路，其特征在于，所述第一MOS开关管Q1的内阻rpu大于第二MOS开关管Q2的内阻Rpu。
3.根据权利要求2所述的自适应振铃淬灭栅极驱动电路，其特征在于，所述稳压器包括一个放大器A和一个p沟道MOSFET，所述放大器A的输出端接MOSFET的栅极，MOSFET的源极接第一MOS开关管Q1的源极，MOSFET的漏极接正电源VP，放大器A的一个输入端接高电位VH，另一个输入端经电容c接地。
4.一种自适应振铃淬灭栅极驱动电路，其特征在于，包括第三MOS开关管Q3，所述第三MOS开关管Q3的源极接负电源VL，第三MOS开关管Q3的漏极连接栅极驱动输出端GD，第三MOS开关管Q3的栅极连接采用通过传输延时产生一个固定的淬灭时间的方式实现电压下拉和振铃淬灭的下拉淬灭电路；
所述下拉淬灭电路包括产生固定淬灭时间的延时器4、第三电平转移缓冲器7以及滞回电压比较器C，所述第三MOS开关管Q3的栅极经第三电平转移缓冲器7连接与门6的输出端，与门6的一个输入端连接SIN信号输入端，与门6的另一个输入端接第二或门5的输出端，第二或门5的一个输入端连接滞回电压比较器C的输出端，并连接产生固定淬灭时间的延时器4的输入端，延时器4的输出端与第二或门5的另一个输入端连接，滞回电压比较器C的正输入端连接栅极驱动输出端GD，滞回电压比较器C的负输入端经电容c接地。
5.一种双极性自适应振铃淬灭栅极驱动电路，其特征在于，包括第一MOS开关管Q1、第二MOS开关管Q2和第三MOS开关管Q3，所述第一MOS开关管Q1的漏极和第二MOS开关管Q2的漏极连接栅极驱动输出端GD，所述第二MOS开关管Q2的源极接正电源VP，所述第一MOS开关管Q1的源极经稳压器接正电源VP，稳压器的正输入端接高电位VH，稳压器的负输入端经电容c接地；所述第一MOS开关管Q1的栅极和第二MOS开关管Q2的栅极连接采用淬灭时间自适应的驱动源内阻变化的方式实现电压快速上拉和振铃淬灭的上拉淬灭电路；所述第三MOS开关管Q3的源极接负电源VL，第三MOS开关管Q3的漏极连接栅极驱动输出端GD，第三MOS开关管Q3的栅极连接采用通过传输延时产生一个固定的淬灭时间的方式实现电压下拉和振铃淬灭的下拉淬灭电路；
所述上拉淬灭电路包括第一电平转移缓冲器1、第二电平转移缓冲器3、导通延时器8以及滞回电压比较器C，所述第一MOS开关管Q1的栅极经第一电平转移缓冲器1和导通延时器8连接SIN信号输入端，第二MOS开关管Q2的栅极接第二电平转移缓冲器3输出端，第二电平转移缓冲器3控制端接正电源VP，第二电平转移缓冲器3输入端接第一或门2输出端，第一或门2的第一输入端经导通延时器8连接SIN信号输入端，第一或门2的第二输入端连接滞回电压比较器C的输出端，滞回电压比较器C的正输入端连接栅极驱动输出端GD，滞回电压比较器C的负输入端经电容c接地；
所述下拉淬灭电路包括产生固定淬灭时间的延时器4、第三电平转移缓冲器7以及滞回电压比较器C，所述第三MOS开关管Q3的栅极经第三电平转移缓冲器7连接与门6的输出端，与门6的一个输入端连接SIN信号输入端，与门6的另一个输入端接第二或门5的输出端，第二或门5的一个输入端连接滞回电压比较器C的输出端，并连接产生固定淬灭时间的延时器4的输入端，延时器4的输出端与第二或门5的另一个输入端连接，滞回电压比较器C的正输入端连接栅极驱动输出端GD，滞回电压比较器C的负输入端经电容c接地。
6.一种采用如权利要求5所述的双极性自适应振铃淬灭栅极驱动电路的驱动器，其特征在于，包括双极性电源以及所述双极性自适应振铃淬灭栅极驱动电路；所述双极性自适应振铃淬灭栅极驱动电路的栅极驱动输出端GD连接所要驱动的开关器件的栅极；所述双极性电源的正电源输出端和负电源输出端分别连接自适应振铃淬灭栅极驱动电路的正电源引脚VP和负电源引脚VN。
7.根据权利要求6所述的驱动器，其特征在于，所述双极性的电源为内置双极性电源或外置双极性电源，包括采用单电感、双电感或者电荷泵产生的双极性电源；所述内置双极性电源包括欠压保护电路，用于检查输入电源是否满足所述内置双极性电源所需要的电流。
8.根据权利要求6或7所述的驱动器，其特征在于，还包括抗共模干扰的改出-自保持输入电路，输入信号经所述改出-自保持输入电路连接所述自适应振铃淬灭栅极驱动电路；所述改出-自保持输入电路包括一个比较器、一个n沟道MOSFET和一个p沟道MOSFET，所述比较器的一个输入端连接输入信号引脚SIN，并同时连接n沟道MOSFET的漏极和p沟道MOSFET的漏极，所述比较器的输出端同时连接n沟道MOSFET的栅极和p沟道MOSFET的栅极，所述n沟道MOSFET的源极接地，p沟道MOSFET的源极接供电电压Vbia，所述比较器的另一个输入端接参考电压Vth。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610421382.4A CN106130524B (zh) | 2016-06-14 | 2016-06-14 | 自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610421382.4A CN106130524B (zh) | 2016-06-14 | 2016-06-14 | 自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106130524A CN106130524A (zh) | 2016-11-16 |
| CN106130524B true CN106130524B (zh) | 2019-08-23 |
Family
ID=57270133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610421382.4A Active CN106130524B (zh) | 2016-06-14 | 2016-06-14 | 自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106130524B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107167697B (zh) * | 2017-07-11 | 2023-04-18 | 澳特翼南京电子科技有限公司 | 一种具有全方位自检功能的灭火执行器驱动装置 |
| CN111431395B (zh) * | 2020-03-13 | 2023-04-28 | 大连理工大学 | 一种基于门极驱动器的开关振铃抑制电路及其控制方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008116292A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Perkinelmer Canada, Inc. | Double quench circuit for an avalanche current device |
| CN101473451A (zh) * | 2006-06-19 | 2009-07-01 | 半南实验室公司 | 光控碳化硅和相关的宽带隙晶体管以及可控硅元件 |
| CN102290480A (zh) * | 2006-06-19 | 2011-12-21 | 半南实验室公司 | 光控碳化硅和相关的宽带隙晶体管以及可控硅元件 |
| CN104729724A (zh) * | 2015-04-09 | 2015-06-24 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 基于失调控制差分放大结构的单光子雪崩二极管淬灭电路 |
-
2016
- 2016-06-14 CN CN201610421382.4A patent/CN106130524B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101473451A (zh) * | 2006-06-19 | 2009-07-01 | 半南实验室公司 | 光控碳化硅和相关的宽带隙晶体管以及可控硅元件 |
| CN102290480A (zh) * | 2006-06-19 | 2011-12-21 | 半南实验室公司 | 光控碳化硅和相关的宽带隙晶体管以及可控硅元件 |
| WO2008116292A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Perkinelmer Canada, Inc. | Double quench circuit for an avalanche current device |
| CN104729724A (zh) * | 2015-04-09 | 2015-06-24 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 基于失调控制差分放大结构的单光子雪崩二极管淬灭电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106130524A (zh) | 2016-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101147324B (zh) | 电平移位电路以及电源装置 | |
| CN102790735A (zh) | 振铃抑制电路 | |
| CN103312309B (zh) | 模拟开关控制电路结构 | |
| CN103684381B (zh) | 具有适应性漏极与源极电压的射频切换器 | |
| CN207427111U (zh) | 输出驱动器和驱动装置 | |
| CN104795976B (zh) | 可快速关断pmos开关管的驱动控制电路的设计方法 | |
| CN105048791A (zh) | 功率管控制系统和用于开关电源的外置功率管驱动电路 | |
| CN106357099B (zh) | 一种实现栅极驱动电路的系统和方法 | |
| CN106357145A (zh) | 智能功率模块和空调器 | |
| CN205283106U (zh) | 一种高频高压发生器及其功率模块驱动器 | |
| TW201826251A (zh) | 一種實現閘極驅動電路的系統和方法 | |
| CN106130524B (zh) | 自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器 | |
| CN107947539A (zh) | 开关电源驱动供电电路及开关电源 | |
| CN103066988A (zh) | 一种限制输出端电压摆率的接口电路及其实现方法 | |
| CN116015023A (zh) | 驱动电路及相关控制芯片电路、电源适配器和电子设备 | |
| CN104283526B (zh) | 包括加速元件的电路 | |
| CN106505990A (zh) | 具有可选滞后和速度的输入缓冲器 | |
| CN204858960U (zh) | 功率管控制系统和用于开关电源的外置功率管驱动电路 | |
| CN106487374A (zh) | 一种高速模拟电压信号缓冲器、芯片及通信终端 | |
| CN207070035U (zh) | 氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路 | |
| CN102545560B (zh) | 一种功率开关驱动器、ic芯片及直流-直流转换器 | |
| CN104270138A (zh) | 多电压域的输入/输出缓冲器 | |
| CN106953627A (zh) | 功率器件的栅极驱动电路 | |
| CN103208982B (zh) | 驱动电路 | |
| CN110336549A (zh) | 一种基于双电压控制型器件的单驱动串联均压电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |