RU2384838C1 - TESTING METHOD OF CHIPS OF CASCADE PHOTOCONVERTERS BASED ON Al-Ga-In-As-P CONNECTIONS AND DEVICE FOR IMPLEMENTATION THEREOF - Google Patents
TESTING METHOD OF CHIPS OF CASCADE PHOTOCONVERTERS BASED ON Al-Ga-In-As-P CONNECTIONS AND DEVICE FOR IMPLEMENTATION THEREOF Download PDFInfo
- Publication number
- RU2384838C1 RU2384838C1 RU2008151283/28A RU2008151283A RU2384838C1 RU 2384838 C1 RU2384838 C1 RU 2384838C1 RU 2008151283/28 A RU2008151283/28 A RU 2008151283/28A RU 2008151283 A RU2008151283 A RU 2008151283A RU 2384838 C1 RU2384838 C1 RU 2384838C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- radiation
- chip
- chips
- laser
- cascade
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего контроля качества чипов полупроводниковых фотопреобразователей (ФП), в частности солнечных элементов (СЭ). Наиболее перспективным представляется использование предлагаемого экспресс метода при разбраковке большого массива отдельных ячеек СЭ, расположенных на общей подложке.The invention relates to measuring technique and is intended for non-destructive non-destructive testing of the quality of chips of semiconductor photoconverters (FP), in particular solar cells (SC). The most promising is the use of the proposed express method for sorting a large array of individual solar cells located on a common substrate.
Известен способ тестирования ФП для определения трещиноватости и других дефектов на поверхности чипов (см. патент US №4301409; МПКВ G01R 31/26, опубликован 17.11.1981). По этому способу осуществляют сканирование поверхности чипа ФП узким лазерным пучком света гелий-неонового лазера и фиксируют электрический отклик СЭ. С помощью механической контактной системы электрический сигнал снимается с этого чипа и подается на телевизионный монитор. Развертка монитора синхронизована со сканированием светового пучка по поверхности чипа и, таким образом, составляется так называемая карта поверхности ФП. По величине яркости свечения отдельных точек на этой карте судят о качестве чипа ФП. Аппаратура позволяет осуществлять сканирование поверхности не только отдельного чипа, но и множества чипов на общей подложке.A known method for testing AF to determine fracturing and other defects on the surface of the chips (see US patent No. 4301409; MPKV G01R 31/26, published 17.11.1981). This method scans the surface of the FP chip with a narrow laser beam of light from a helium-neon laser and records the electrical response of the solar cells. Using a mechanical contact system, an electrical signal is removed from this chip and fed to a television monitor. The scan of the monitor is synchronized with the scanning of the light beam over the surface of the chip and, thus, a so-called AF surface map is compiled. By the magnitude of the brightness of the glow of individual points on this card, they judge the quality of the FP chip. The equipment allows you to scan the surface of not only a single chip, but also many chips on a common substrate.
Такой способ тестирования требует использования прецизионной механической системы для подключения электрических контактов к чипу ФП, а это ограничивает долговременную надежность и достоверность измерений. Кроме того, сканирование поверхности чипа требует высокой точности и быстродействия оптической системы, а сам процесс тестирования занимает достаточно много времени.This testing method requires the use of a precision mechanical system to connect electrical contacts to the FP chip, and this limits the long-term reliability and reliability of measurements. In addition, scanning the surface of the chip requires high accuracy and speed of the optical system, and the testing process takes a lot of time.
Известно устройство для тестирования ФП (см. патент US №4301409; МПКВ G01R 31/26, опубликован 17.11.1981). Устройство включает осветитель, состоящий из лазера и оптической системы, фокусирующей лазерный пучок в точку на поверхность ФП, оптической системы сканирования этого узкого пучка по всей поверхности чипа, усилителя электрических сигналов, работающего на частоте оптического модулятора излучения лазера и, наконец, телевизионного монитора, развертка которого синхронизована с системой сканирования лазерного луча.A device for testing AF is known (see US patent No. 4301409; MPKV G01R 31/26, published November 17, 1981). The device includes a illuminator consisting of a laser and an optical system focusing the laser beam to a point on the surface of the phase transition, an optical system for scanning this narrow beam over the entire surface of the chip, an electric signal amplifier operating at the frequency of the optical laser radiation modulator, and finally a television monitor, scan which is synchronized with the laser beam scanning system.
Недостатком известного устройства является, во-первых, применение оптической системы сканирования поверхности чипа ФП, что требует больших времен и, во-вторых, контактная механическая система съема информации.A disadvantage of the known device is, firstly, the use of an optical system for scanning the surface of the FP chip, which requires large times and, secondly, a contact mechanical information retrieval system.
Известно устройство для определения дефектов ФП (см. патент US №5367174; МПКВ G01N 21/88, опубликован 22.11.1994) путем визуализации картины поверхности чипа на ПЗС матрицу видеокамеры. Поверхность чипа освещают двумя источниками света: осветитель с галогеновой лампой и осветитель с лампой и двумя сменяемыми оптическими фильтрами - зеленым и красным. Угол освещения второго источника может меняться в широких пределах. Позиционирование чипов осуществляют при помощи компьютерных подвижек. Подбирают спектральный диапазон и угол падения монохроматического освещения таким образом, чтобы добиться наилучшей видимости дефектов поверхности ФП на экране монитора.A device is known for determining the defects of AF (see US patent No. 5367174; MPKV G01N 21/88, published November 22, 1994) by visualizing the surface pattern of the chip on the CCD matrix of the video camera. The surface of the chip is illuminated by two light sources: a illuminator with a halogen lamp and a illuminator with a lamp and two replaceable optical filters - green and red. The angle of illumination of the second source can vary widely. The positioning of the chips is carried out using computer shifts. The spectral range and angle of incidence of monochromatic illumination are selected in such a way as to achieve the best visibility of the surface defects of the AF on the monitor screen.
Известное устройство малопроизводительно, так как требуется значительное время на предварительную подготовку к условиям наилучшей видимости картинки дефектов.The known device is inefficient, since considerable time is required for preliminary preparation for the conditions of the best visibility of the image of defects.
Известен способ для визуального тестирования полупроводниковых чипов, размещенных на общем основании (см. патент US №6420705, МПК G01N 21/88, опубликован 16.07.2002). По этому способу производят равномерную засветку поверхности чипа инфракрасным излучением и визуализацию изображения этой поверхности на экране монитора. Дефекты поверхности проявляются в виде темных участков на светлом изображении поверхности всего чипа.A known method for visual testing of semiconductor chips placed on a common basis (see US patent No. 6420705, IPC G01N 21/88, published July 16, 2002). This method produces uniform illumination of the surface of the chip by infrared radiation and visualization of the image of this surface on the monitor screen. Surface defects appear as dark patches in the light image of the surface of the entire chip.
Недостатком известного способа является визуальное определения дефектности поверхности образца, что не дает возможности автоматизировать весь процесс.The disadvantage of this method is the visual determination of the imperfection of the surface of the sample, which makes it impossible to automate the entire process.
Известно устройство для тестирования полупроводниковых чипов (см. патент US №6420705, МПК G01N 21/88, опубликован 16.07.2002). Устройство включает в себя источник ИК-излучения, выполненный в виде кольца, и ИК-камеру, расположенную по оси этого кольца на стороне, противоположной тестируемому чипу. Перед ИК-камерой находятся объектив, фокусирующий поверхность чипа на входное окно камеры, и ИК-фильтр, блокирующий излучение 2 мкм и ниже. С помощью механической системы тестируемый чип может отодвигаться или приближаться к камере, при этом объектив последней все время подстраивается на поверхность ФП. Перемещение чипа изменяет угол падения ИК-излучения на тестируемую поверхность и позволяет настроиться на максимальный контраст картины дефектов.A device for testing semiconductor chips is known (see US patent No. 6420705, IPC G01N 21/88, published July 16, 2002). The device includes a source of IR radiation, made in the form of a ring, and an IR camera located along the axis of this ring on the side opposite to the chip under test. In front of the IR camera there is a lens focusing the chip surface on the camera input window, and an IR filter blocking radiation of 2 μm or lower. Using a mechanical system, the chip under test can move away or approach the camera, while the lens of the latter constantly adjusts to the surface of the phase transition. Moving the chip changes the angle of incidence of infrared radiation on the test surface and allows you to tune in to the maximum contrast of the pattern of defects.
Недостатком известного устройства является наличие специально разработанного кольцевого источника ИК-излучения, который освещает поверхность чипа только под одним углом, что не позволяет наблюдать все дефекты без перемещения ФП. Таким образом, известное устройство требует индивидуальной настройки угла падения освещающего излучения для каждого тестируемого чипа. В результате общее время диагностики всех чипов, размещенных на общем основании, оказывается неприемлемо большим.A disadvantage of the known device is the presence of a specially designed ring source of infrared radiation, which illuminates the surface of the chip only at one angle, which does not allow to observe all defects without moving the AF. Thus, the known device requires individual adjustment of the angle of incidence of the illumination radiation for each chip under test. As a result, the total diagnostic time for all chips placed on a common basis is unacceptably long.
Известен бесконтактный способ тестирования полупроводниковых чипов (см. патент US №6847443, МПК G01N 21/88, опубликован 25.11.2005). В известном методе стробированный свет от лампы накаливания пропускают через оптический фильтр, выделяющий один из трех узких участков видимого спектра, и через световод направляют на коллиматор. Параллельный пучок света пропускают через полупрозрачное зеркало и направляют посредством глухого зеркала на исследуемую поверхность чипа под определенным углом падения. Часть излучения, отраженная от поверхности этого же полупрозрачного зеркала, направляют перпендикулярно к поверхности чипа. Кроме того, имеется возможность диффузного освещения тестируемой поверхности при установке диффузора на выходе оптического волокна (коллиматор убирается). Трехканальная камера регистрирует картинки поверхности чипа в трех диапазонах видимого спектра. Это достигается тем, что максимум спектральной чувствительности каждой из трех матриц ПЗС подобран под свой участок спектра, согласованный с характеристикой оптического фильтра. Таким образом, получают информацию о дефектах на поверхности чипа, во-первых, при освещении ее тремя различными узкими участками видимого спектра, во-вторых, под разными углами падающего света и, в-третьих, при диффузном освещении. Различные варианты освещения и их комбинации дают возможность получить информацию для широкого класса дефектов, присутствующих на поверхности полупроводниковых чипов. Полученная информация записывается на компьютер и автоматически сравнивается с информацией, предварительно полученной от калиброванных дефектов такой же поверхности. После окончания определения дефектов одного чипа компьютер автоматически подставляет следующий. Таким образом, получают карту дефектов поверхности всех чипов на пластине полупроводника.A non-contact method for testing semiconductor chips is known (see US patent No. 6847443, IPC G01N 21/88, published November 25, 2005). In the known method, the gated light from an incandescent lamp is passed through an optical filter that selects one of the three narrow sections of the visible spectrum, and is sent through a light guide to the collimator. A parallel beam of light is passed through a translucent mirror and sent through a deaf mirror to the test surface of the chip at a certain angle of incidence. Part of the radiation reflected from the surface of the same translucent mirror is directed perpendicular to the surface of the chip. In addition, there is the possibility of diffuse illumination of the test surface when installing a diffuser at the output of the optical fiber (the collimator is removed). A three-channel camera registers pictures of the surface of the chip in three ranges of the visible spectrum. This is achieved by the fact that the maximum spectral sensitivity of each of the three CCD matrices is selected for its part of the spectrum, consistent with the characteristic of the optical filter. Thus, information is obtained about defects on the surface of the chip, firstly, when illuminated with three different narrow sections of the visible spectrum, secondly, at different angles of incident light, and thirdly, with diffuse illumination. Various lighting options and their combinations make it possible to obtain information for a wide class of defects present on the surface of semiconductor chips. The received information is recorded on a computer and automatically compared with information previously obtained from calibrated defects of the same surface. After defining one chip, the computer automatically substitutes the next. Thus, a surface defect map of all the chips on the semiconductor wafer is obtained.
Недостатком известного способа является то, что он основан на последовательном переборе различных вариантов освещения тестируемой поверхности, что влечет за собой значительное время определения дефектов отдельного чипа и соответственно малую производительность для большого массива чипов ФП.The disadvantage of this method is that it is based on the sequential search of various lighting options for the test surface, which entails a significant time for identifying defects of a single chip and, accordingly, low performance for a large array of FP chips.
Известно устройство тестирования полупроводниковых чипов (см. патент US №6847443, МПК G01N 21/88, опубликован 25.11.2005), которое состоит из осветителя с лампой, оптического фильтра, пропускающего три узких участка видимого спектра (красный, зеленый, синий), оптического волокна, коллиматора, создающего параллельный пучок света, полупрозрачного зеркала, глухого зеркала и линзы, проектирующей поверхность чипа на матрицу ПЗС камеры.A device for testing semiconductor chips is known (see US patent No. 6847443, IPC G01N 21/88, published November 25, 2005), which consists of a illuminator with a lamp, an optical filter that passes three narrow sections of the visible spectrum (red, green, blue), optical fiber, a collimator that creates a parallel beam of light, a translucent mirror, a deaf mirror and a lens projecting the surface of the chip onto the CCD camera matrix.
Недостатком устройства является последовательный перебор различных вариантов освещения поверхности ФП и сложная оптико-механическая конструкция, требующая периодической тонкой юстировки.The disadvantage of this device is the sequential enumeration of various options for lighting the surface of the FP and a complex optical-mechanical design that requires periodic fine adjustment.
Известен способ для тестирования полупроводниковых чипов ФП (см. заявка US №2005/0252545, МПК Н011 31/00, опубликована 17.11.2005), включающий в себя три отдельных операции: сначала подготавливается специальная линейка из отдельных чипов, далее линейка поступает в блок, где снимаются вольт-амперные характеристики каждого из ФП и, наконец, линейка поступает в блок для получения ИК-картины каждого из чипов. Рассмотрим подробнее каждую из операций. Отдельные чипы автоматическим держателем подаются в отсек, где они с помощью раскладчика помещаются на специальную ленту, содержащую низкотемпературный припой на токопроводящем слое, причем нижняя сторона элементов становится общей шиной, а контакты верхней стороны для каждого чипа свои. Таким образом, формируется линейка из нескольких элементов, объединенных единым основанием. Эта линейка поступает в отсек, где освещается высокоинтенсивной лампой для припайки чипов и их выводов на линейку. Далее линейка СЭ поступает в блок измерения параметров и обнаружения дефектов. На первом этапе производится измерение вольт-амперной характеристики каждой ячейки, при этом все элементы линейки засвечиваются одной и той же импульсной ксеноновой лампой. На втором этапе анализируется инфракрасное поле каждой ячейки при помощи инфракрасной камеры, сфокусированной на поверхность линейки. Для нагрева каждый СЭ подключается в прямом направлении к источнику напряжения с плотностью тока 70-200 мА/см2. Сравнение вольт-амперной характеристики элемента с инфракрасной картиной его поверхности дает возможность определить наличие дефектов как на поверхности, так и внутри ФП. Кроме того, возможно проводить те же измерения для всей линейки в целом, что позволяет наиболее оптимальным образом подобрать СЭ для их последующего объединения в единую систему.There is a method for testing semiconductor chips FP (see application US No. 2005/0252545, IPC H011 31/00, published November 17, 2005), which includes three separate operations: first, a special line of individual chips is prepared, then the line goes to the block, where the current-voltage characteristics of each of the FPs are taken and, finally, the line enters the unit to obtain an IR picture of each of the chips. Let us consider in more detail each of the operations. Separate chips are fed by an automatic holder into the compartment, where they are placed using a handler on a special tape containing a low-temperature solder on the conductive layer, the lower side of the elements becoming a common bus, and the upper side contacts for each chip. Thus, a line of several elements is formed, united by a single base. This line arrives in the compartment where it is illuminated by a high-intensity lamp for soldering chips and their conclusions on the line. Next, the SE line enters the unit for measuring parameters and detecting defects. At the first stage, the current – voltage characteristics of each cell are measured, while all elements of the line are illuminated by the same pulsed xenon lamp. At the second stage, the infrared field of each cell is analyzed using an infrared camera focused on the surface of the ruler. For heating, each SC is connected in the forward direction to a voltage source with a current density of 70-200 mA / cm 2 . A comparison of the current – voltage characteristics of the element with the infrared picture of its surface makes it possible to determine the presence of defects both on the surface and inside the phase transition. In addition, it is possible to carry out the same measurements for the entire line as a whole, which allows the most optimal way to select solar cells for their subsequent integration into a single system.
Недостатком известного способа является большое время, затрачиваемое на подготовку чипов для тестирования, так как, во-первых, необходимо предварительно разрезать всю пластину с чипами ФП на отдельные элементы и, во-вторых, наклеить и термически закрепить линейку с чипами.The disadvantage of this method is the long time it takes to prepare the chips for testing, since, firstly, you must first cut the entire plate with the FP chips into separate elements and, secondly, stick and thermally fix the ruler with the chips.
Известна аппаратура для тестирования полупроводниковых чипов ФП (см. заявка US №2005/0252545, МПК Н011 31/00, опубликована 17.11.2005), состоящая из контейнера, содержащего отдельные чипы ФП, раскладчика, который захватывает отдельный чип и помещает его на специальную линейку, содержащую припой, высокоинтенсивной лампы для расплавления припоя, камеры с импульсной ксеноновой лампой и измерительной аппаратурой, где снимаются вольт-амперные характеристики чипов, камеры с инфракрасным приемником и источником тока для прямого нагрева тестируемого чипа и компьютера, который записывает и сравнивает с эталонной всю получаемую информацию.Known equipment for testing semiconductor FP chips (see application US No. 2005/0252545, IPC H011 31/00, published November 17, 2005), consisting of a container containing individual FP chips, a pickup that grabs a separate chip and places it on a special line containing solder, a high-intensity lamp for melting the solder, a camera with a pulsed xenon lamp and measuring equipment, where the current-voltage characteristics of the chips are taken, a camera with an infrared receiver and a current source for direct heating of the chip under test and to mpyutera that records and compares it with a reference all the information.
К недостаткам известной аппаратуры следует отнести наличие контактов, необходимых для снятия вольт-амперной характеристики чипа ФП и его нагрева от источника токаThe disadvantages of the known equipment should include the presence of contacts necessary for taking the current-voltage characteristics of the FP chip and its heating from the current source
Известно устройство "SAMCELL" для тестирования фотовольтаических ячеек, используемое при производстве модулей из СЭ (см. V.Diaz, E.Rodriguez, A.Cordero, M.Moreno, ISOFOTON S.A. HCPV Business Unit Severo Ochoa 50, РТА Campanillas Malaga 29590 SPAIN, Sorting of III-V concentrator solar cells as an efficient tool for CPV modules manufacturing). Устройство состоит из излучателя на импульсной газоразрядной лампе, имитирующей солнечный спектр AM1, 5D, оптического концентратора от 500 до 1200 солнц, универсального пневматического держателя, позволяющего фиксировать чипы различных размеров, механической контактной системы для присоединения выбранного чипа к соответствующей аппаратуре, двухкоординатного столика с контроллером, графопостроителя и центрального процессора. Известное устройство позволяет проводить измерения и строить графики таких параметров ФП, как вольт-амперная характеристика (ВАХ) чипа, фактор заполнения ВАХ, ток короткого замыкания, напряжение холостого хода, напряжение в точке максимальной мощности и ток в точке максимальной мощности.A device "SAMCELL" is known for testing photovoltaic cells used in the manufacture of modules from solar cells (see V. Diaz, E. Rodriguez, A. Cordero, M. Moreno, ISOFOTON SA HCPV Business Unit Severo Ochoa 50, PTA Campanillas Malaga 29590 SPAIN, Sorting of III-V concentrator solar cells as an efficient tool for CPV modules manufacturing). The device consists of an emitter on a pulsed discharge lamp that simulates the AM1, 5D solar spectrum, an optical concentrator from 500 to 1200 suns, a universal pneumatic holder that allows you to fix chips of various sizes, a mechanical contact system for attaching the selected chip to the appropriate equipment, a two-coordinate table with a controller, plotter and central processor. The known device allows you to measure and build graphs of such parameters of the phase transition as the current-voltage characteristic (CVC) of the chip, the filling factor of the CVC, short circuit current, open circuit voltage, voltage at the maximum power point and current at the maximum power point.
В результате всех измерений строится цветная карта поверхности всей пластины с массивом чипов, на которой каждому цвету сопоставлено качество отдельной ячейки. Это возможно благодаря предварительной настройке всей установки по образцовой ячейке СЭ, откалиброванной в специальной лаборатории. Сообщается о производительности устройства до 4000 чипов в час.As a result of all measurements, a color map of the surface of the entire plate with an array of chips is built, on which the quality of a single cell is associated with each color. This is possible due to the preliminary adjustment of the entire installation according to the standard solar cell calibrated in a special laboratory. Reported device performance up to 4000 chips per hour.
Недостаток известного устройства заключается в том, что измерения производятся контактным способом с помощью прецизионных механических контактов, которые подвержены износу.A disadvantage of the known device is that measurements are made by the contact method using precision mechanical contacts that are subject to wear.
Известен бесконтактный способ тестирования чипов СЭ (Manuel The, Johannes Giesecke, Martin Kasemann, Wilhelm Warta, Spatially resolved characterization of silicon as-cut wafers with photoluminescence imaging, 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Valencia, Spain, 2008), который основан на регистрации фотолюминесцентного (ФЛ) изображения поверхности тестируемого образца. В соответствии с известным способом проверяемый чип засвечивают возбуждающим пучком света длиной волны 790 нм либо на отражение, либо на просвет. Объектив ПЗС камеры проектирует изображение передней поверхности тестируемого чипа на светочувствительную матрицу. Перед камерой расположен оптический фильтр, который отсекает излучение 790 нм и таким образом камера фиксирует только картину ФЛ (900-1250 нм) образца. В зависимости от того, как возбуждается образец (на отражение или на пропускание), картина ФЛ будет разная. Визуальное исследование распределения интенсивности ФЛ таких картинок по площади образца СЭ и сравнение ее с картиной ФЛ бездефектного образца, дают необходимую информацию об однородности состава, толщине, качестве и наличии дефектов эпитаксиальных слоев.A non-contact method for testing FE chips is known (Manuel The, Johannes Giesecke, Martin Kasemann, Wilhelm Warta, Spatially resolved characterization of silicon as-cut wafers with photoluminescence imaging, 23 rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Valencia, Spain, 2008), which based on the registration of a photoluminescent (PL) image of the surface of the test sample. In accordance with the known method, the chip under test is illuminated by an exciting light beam with a wavelength of 790 nm, either for reflection or for lumen. The CCD camera lens projects an image of the front surface of the chip under test onto a photosensitive matrix. An optical filter is located in front of the camera, which cuts off the radiation of 790 nm and thus the camera only captures the PL picture (900-1250 nm) of the sample. Depending on how the sample is excited (for reflection or for transmission), the PL picture will be different. A visual study of the PL intensity distribution of such images over the area of an FE sample and its comparison with the PL picture of a defect-free sample provide the necessary information about the homogeneity of the composition, thickness, quality and presence of defects of epitaxial layers.
Однако известный способ является визуальным, что требует больших времен и не позволяет автоматизировать весь процесс.However, the known method is visual, which requires large times and does not allow to automate the entire process.
Известно устройство для тестирования чипов СЭ (Manuel The, Johannes Giesecke, Martin Kasemann, Wilhelm Warta, Spatially resolved characterization of silicon as-cut wafers with photoluminescence imaging, 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Valencia, Spain, 2008), состоящее из лазерного диода с длиной волны 790 нм, держателя образцов, глухого зеркала, которое может быть установлено вместо образца в держатель, ПЗС камера, с возможностью фокусировки на поверхность чипа ФП и оптического фильтра, который установлен перед камерой и не пропускает излучение с длиной волны лазерного диода.A known device for testing FE chips (Manuel The, Johannes Giesecke, Martin Kasemann, Wilhelm Warta, Spatially resolved characterization of silicon as-cut wafers with photoluminescence imaging, 23 rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Valencia, Spain, 2008), consisting from a laser diode with a wavelength of 790 nm, a sample holder, a blind mirror, which can be installed instead of the sample in the holder, a CCD camera, with the ability to focus on the surface of the FP chip and an optical filter that is installed in front of the camera and does not transmit radiation with a laser wavelength diode.
Недостатком известного устройства является визуальный способ контроля, что сопряжено с большими временами при разбраковке массивов ФП.A disadvantage of the known device is the visual control method, which is associated with large times when sorting arrays of FPs.
Наиболее близким к заявляемому техническому решению по совокупности существенных признаков является способ тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе Al-Ga-In-As-P с помощью электролюминесцентных измерений (Thomas Kirchartz, Anke Helbig, Martin Hermle, Uwe Rau и Andreas W.Bett "23rd Europian Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 1-5 September 2008, Valencia, Spain). Известный способ-прототип включает в себя пропускание тока через исследуемый чип для возбуждения спектра электролюминесценции (ЭЛ) и исследование этого спектра с помощью Ge приемника, объединенного с монохроматором. Теоретически показано, как, используя теорему электрооптической взаимности, которая описывает связь между квантовой эффективностью СЭ и интенсивностью спектра ЭЛ, можно рассчитать индивидуальную вольт-амперную характеристику чипа и, соответственно, судить о качестве этого чипа ФП.The closest to the claimed technical solution in terms of essential features is a method for testing cascade Al-Ga-In-As-P photoconverter chips using electroluminescent measurements (Thomas Kirchartz, Anke Helbig, Martin Hermle, Uwe Rau and Andreas W. Bett "23 rd Europian Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, September 1-5, 2008, Valencia, Spain) A well-known prototype method involves passing current through the chip under study to excite the electroluminescence (EL) spectrum and studying this spectrum using a Ge detector combined with monochromator. nical shows how, using the reciprocity theorem electrooptical which describes the relationship between the quantum efficiency and the intensity of the FE EL spectrum, it is possible to calculate an individual current- voltage characteristic of the chip and thus judge the quality of the FP chip.
Недостатком известного способа-прототипа является то, что здесь использован классический метод возбуждение спектра ЭЛ - пропускание тока через исследуемый образец, то есть применена контактная система со всеми ее недостатками.The disadvantage of the known prototype method is that the classical method of excitation of the EL spectrum is used here - transmission of current through the test sample, that is, a contact system with all its shortcomings is used.
Известно устройство для тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе Al-Ga-In-As-P (Thomas Kirchartz, Anke Helbig, Martin Hermle, Uwe Rau и Andreas W.Bett "23rd Europian Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 1-5 September 2008, Valencia, Spain), совпадающее с заявляемым техническим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятое за прототип. Устройство состоит из источника постоянного тока с пределом регулировки (0,1-150) мА, оптического модулятора излучения спектра ЭЛ образца ФП, монохроматора в диапазоне (600-1800) нм, германиевого приемника излучения, электронного селективного усилителя, синхронного с частотой модуляции спектра ЭЛ, и измерителя электрического сигнала.Known device for testing cascade photoconverter chips based on Al-Ga-In-As-P (Thomas Kirchartz, Anke Helbig, Martin Hermle, Uwe Rau and Andreas W. Bett "23 rd Europian Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 1-5 September 2008, Valencia, Spain), which coincides with the claimed technical solution for the largest number of essential features and is taken as a prototype.The device consists of a direct current source with a control limit of (0.1-150) mA, an optical modulator of the radiation of the spectrum of the EL of the AF sample, a monochromator in the range (600-1800) nm, a germanium radiation detector, electronic selective an amplifier synchronous with the frequency of modulation of the EL spectrum, and an electric signal meter.
Недостатком устройства-прототипа является контактная система для возбуждения спектра ЭЛ исследуемого образца ФП, что при стандартных размерах чипов порядка 2×2 мм2 требует прецизионных точных механических контактов, которые требуют постоянного внимания.The disadvantage of the prototype device is the contact system for exciting the EL spectrum of the investigated AF sample, which, with standard chip sizes of the order of 2 × 2 mm 2, requires precise precise mechanical contacts that require constant attention.
Задачей заявляемого изобретения является разработка такого бесконтактного способа тестирования чипов каскадных ФП на основе соединений Al-Ga-In-As-P и устройства для его осуществления, которые бы позволили упростить процесс тестирования и сократить время, затрачиваемое на проверку отдельных чипов, что приведет к существенному снижению времени построения "карты" качества всего массива фотопреобразователей.The objective of the invention is the development of such a non-contact method for testing cascade FP chips based on Al-Ga-In-As-P compounds and a device for its implementation, which would simplify the testing process and reduce the time spent on checking individual chips, which will lead to a significant reducing the time to build a "map" of the quality of the entire array of photoconverters.
Поставленная задача решается группой изобретений, объединенных единым изобретательским замыслом.The problem is solved by a group of inventions, united by a single inventive concept.
Поставленная задача в части способа достигается тем, что облучают участок поверхности тестируемого чипа лазерным излучением с длиной волны (0,40-0,55) мкм, направляют возникающее в необлученном участке чипа фотоэлектролюминесцентное излучение на фотоприемник, имеющий фоточувствительность к излучению с длиной волны более 0,6 мкм. Далее измеряют интенсивность фотоэлектролюминесцентного излучения и определяют качество чипа путем сравнивания измеренной интенсивности фотоэлектролюминесцентного излучения тестируемого чипа с интенсивностью фотоэлектролюминесцентного излучения эталонного чипа каскадного фотопреобразователя на основе соединений Al-Ga-In-As-P.The task in terms of the method is achieved by irradiating a portion of the surface of the chip under test with laser radiation with a wavelength of (0.40-0.55) μm, directing the photo-electroluminescent radiation arising in the unirradiated portion of the chip to a photodetector having a photosensitivity to radiation with a wavelength of more than 0 6 microns. Next, the intensity of the photo-electroluminescent radiation is measured and the quality of the chip is determined by comparing the measured intensity of the photo-electroluminescent radiation of the test chip with the photo-electroluminescent radiation intensity of the reference chip of the cascade photoconverter based on Al-Ga-In-As-P compounds.
Поставленная задача в части устройства достигается тем, что устройство для тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе соединений Al-Ga-In-As-P включает лазер с длиной волны излучения 0,40-0,55 мкм, линзу, фокусирующую излучение лазера на платформу для размещения матрицы тестируемых чипов, установленную на основании с возможностью его вращения вокруг вертикальной оси и горизонтального возвратно-поступательного перемещения в двух взаимно перпендикулярных направлениях, объектив, оптический фильтр, пропускающий излучение с длинами волн более 0,6 мкм, и фотоприемник, фоточувствительный к излучению с длинами волн более 0,6 мкм, установленные на одной оптической оси, и экран, препятствующий попаданию фотолюминесцентного излучения из облучаемого участка чипа в объектив.The task in terms of the device is achieved by the fact that the device for testing cascade photoconverter chips based on Al-Ga-In-As-P compounds includes a laser with a radiation wavelength of 0.40-0.55 μm, a lens focusing the laser radiation onto a platform for placement of the matrix of tested chips, mounted on the base with the possibility of its rotation around the vertical axis and horizontal reciprocating movement in two mutually perpendicular directions, lens, optical filter that transmits radiation from lengths waves of more than 0.6 μm, and a photodetector that is photosensitive to radiation with wavelengths of more than 0.6 μm, mounted on the same optical axis, and a screen that prevents the photoluminescent radiation from the irradiated portion of the chip into the lens.
В основе заявляемого способа лежит генерация спектра электролюминесценции тестируемыми полупроводниковыми структурами. Осуществляется это при помощи оптического возбуждения небольшого участка чипа каскадного фотопреобразователя и последующей миграции фотовозбужденных носителей заряда в неосвещенную область чипа, где происходит их излучательная рекомбинация. Далее осуществляют бесконтактное измерение интенсивности спектра электролюминесценции чипа и сравнивают эту величину с величиной интенсивности спектра электролюминесценции, полученной заранее при тестировании эталонного чипа и записанной в памяти компьютера.The basis of the proposed method is the generation of the electroluminescence spectrum of the tested semiconductor structures. This is accomplished by optical excitation of a small portion of the cascade photoconverter chip and the subsequent migration of photoexcited charge carriers into the unlit region of the chip, where their radiative recombination occurs. Next, a non-contact measurement of the intensity of the electroluminescence spectrum of the chip is carried out and this value is compared with the magnitude of the intensity of the electroluminescence spectrum obtained in advance when testing the reference chip and recorded in the computer memory.
Заявляемый способ и устройство поясняется чертежом.The inventive method and device is illustrated in the drawing.
Устройство для тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе соединений Al-Ga-In-As-P включает лазер 1 с длиной волны излучения 0,40-0,55 мкм, снабженный устройством удвоения частоты 2, линзу 3, фокусирующую излучение лазера 1 на матрицу 4 чипов 5 каскадных фотопреобразователей, размещаемых на общей полимерной платформе 6. Платформа 6 установлена на основании 7 с возможностью его вращения вокруг вертикальной оси и горизонтального возвратно-поступательного перемещения в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Это достигается тем, что платформа 6 установлена на основании 7 при помощи двух фиксаторов типа ласточкин хвост, расположенных под прямым углом друг к другу, и третьей прижимной планки, тоже с ласточкиным хвостом (на чертеже не показаны). Устройство также содержит объектив 8, например, широкоапертурный оптический фильтр 9, пропускающий излучение с длинами волн более 0,6 мкм, фотоприемник 10, фоточувствительный к излучению с длинами волн более 0,6 мкм, например, кремниевый, подключенный к усилителю 11, который соединен с контроллером 12, например, микроконтроллером, снабженным блоком 13 памяти. Объектив 8, оптический фильтр 9 и фотоприемник 10 установлены на одной оптической оси. Экран 14, препятствующий попаданию фотолюминесцентного излучения из облучаемого участка чипа в объектив. Возвратно-поступательное перемещение в двух взаимно перпендикулярных направлениях платформы 6 может быть осуществлено с помощью двух шаговых двигателей 15, управляемых контроллером 12.The device for testing cascade photoconverter chips based on Al-Ga-In-As-P compounds includes a laser 1 with a radiation wavelength of 0.40-0.55 μm, equipped with a frequency doubling device 2, a lens 3 focusing the radiation of laser 1 on the matrix 4 chips 5 cascade photoconverters placed on a common polymer platform 6. Platform 6 is installed on the base 7 with the possibility of rotation around the vertical axis and horizontal reciprocating movement in two mutually perpendicular directions. This is achieved by the fact that the platform 6 is installed on the base 7 using two dovetail clamps located at right angles to each other, and a third clamping bar, also with a dovetail (not shown in the drawing). The device also contains a lens 8, for example, a wide-aperture optical filter 9, transmitting radiation with wavelengths of more than 0.6 μm, a photodetector 10, photosensitive to radiation with wavelengths of more than 0.6 μm, for example, silicon, connected to an amplifier 11, which is connected with a controller 12, for example, a microcontroller provided with a memory unit 13. The lens 8, the optical filter 9 and the photodetector 10 are mounted on the same optical axis. Screen 14, preventing photoluminescence from the irradiated portion of the chip into the lens. Reciprocating movement in two mutually perpendicular directions of the platform 6 can be carried out using two stepper motors 15, controlled by the controller 12.
Заявляемый способ осуществляют следующим образом. Излучение твердотельного лазера 1, например, на неодиме, с диодной накачкой и преобразованием частоты с помощью устройства удвоения частоты 2, на длине волны 532 нм с помощью линзы 3 фокусируется на область 16 чипа 5 в пятно размером примерно 200 мкм. Такое сечение пучка света выбрано из расчета того, чтобы уверенно засвечивать поверхность чипа, не занятую контактной системой, что необходимо при автоматическом позиционировании всех элементов. Длина волны возбуждающего света (400-550 нм) выбрана таким образом, чтобы она приходилась на область собственного поглощения полупроводника. Для чипов каскадных фотопреобразователей на основе соединений Al-Ga-In-As-P это зеленая область спектра. Мощность излучения обычно выбирают небольшой (200 мВт) из соображений исключения любых изменений в спектре ЭЛ. В освещенной области 16 чипа 5 за счет фотовозбуждения возникают носители заряда, часть из которых рекомбинирует, с излучением фотонов в длинноволновой области спектра (красной) - ФЛ, а другая часть фотосгенерированных носителей за счет диффузии и по контактной системе чипа перемещаются в неосвещенную область 17 чипа 5, где они рекомбинируют с генерацией спектра электролюминесценции (ЭЛ) в красной области спектра. Таким образом, малая область 16 чипа 5 засвечивается промодулированным зеленым светом лазера 1, а остальная область 17 чипа 5 светится красным светом, причем интенсивность этого свечения зависит от количества как поверхностных, так и внутренних дефектов чипа 5. Широкоапертурный объектив 8 собирает это свечение ЭЛ на кремниевый фотоприемник 10. Оптический фильтр 9 пропускает на фотоприемник 10 только красную часть спектра, отрезая ее зеленую часть (рассеянное и переотраженное падающее излучение возбуждения). Электрический сигнал с фотоприемника 10, пропорциональный интенсивности свечения ЭЛ, усиливается узкополосным усилителем 11 на частоте модуляции излучения лазера 1. Усиленный электрический сигнал поступает на микроконтроллер 12 с блоком памяти 13, где он запоминается и сравнивается с предварительно записанным в блоке памяти 13 калибровочным сигналом от эталонного чипа 18. Существенным в работе устройства является наличие экрана 14, который препятствует попаданию на фотоприемник 10 красного спектра ФЛ, образующегося на засвечиваемой области 16 чипа 5. Для этого экран 14, выполненный, например, в виде стальной зачерненной полосы толщиной 0,4 мм, высотой 20 мм и длиной 60 мм, расположен на общем с лазером 1 основании 7 и юстируется относительно лазерного пучка таким образом, чтобы пучок проходил параллельно экрану 154 с минимальным расстоянием от его поверхности, но не задевал его. Матрица 4 чипов 5 СЭ, расположенных на общей полимерной платформе 6, неподвижно крепится к основанию 8 (например, столику) при помощи двух фиксаторов типа ласточкин хвост, расположенных под прямым углом друг к другу, и третьей прижимной планки, тоже с ласточкиным хвостом. Такой способ крепления обеспечивает быстроту и точность позиционирования всех линеек с чипами 5 СЭ относительно платформы 6. Основание 7 имеет угловую подвижку вокруг центральной оси, с помощью которой осуществляют первоначальную юстировку матрицы 4 чипов 5 СЭ таким образом, чтобы линейка проверяемых чипов 6 при перемещении оставалась параллельна экрану 14. с помощью двух шаговых двигателей 15 имеет возможность перемещаться в двух взаимно перпендикулярных направлениях с точностью 0,01 мм. Поскольку лазер 1 закреплен неподвижно на том же основании 7, что и экран 14, то при любом перемещении основания 7 по команде контроллера 12 мы всегда имеем одно и то же геометрическое положение чипа 5 по отношению к падающему излучению. Таким образом, достигается возможность автоматического проведения измерений качества отдельных чипов 5 СЭ и последующее построение "карты качества" всей матрицы 4 чипов 5 СЭ, расположенных на полимерной платформе 6.The inventive method is as follows. The radiation from a solid-state laser 1, for example, on neodymium, with diode pumping and frequency conversion using a frequency doubling device 2, at a wavelength of 532 nm using a lens 3 focuses on region 16 of chip 5 into a spot of about 200 μm in size. This cross section of the light beam is selected in order to confidently illuminate the surface of the chip, not occupied by the contact system, which is necessary for the automatic positioning of all elements. The wavelength of the exciting light (400-550 nm) is chosen so that it falls on the region of intrinsic absorption of the semiconductor. For cascade photoconverter chips based on Al-Ga-In-As-P compounds, this is the green region of the spectrum. The radiation power is usually chosen small (200 mW) for reasons of eliminating any changes in the EL spectrum. In the illuminated region 16 of chip 5, photoexcitation gives rise to charge carriers, some of which recombine, with photon emission in the long-wavelength region of the spectrum (red) - PL, and the other part of the photo-generated carriers due to diffusion and through the contact system of the chip move to the unlit region of the chip 17 5, where they recombine with the generation of an electroluminescence (EL) spectrum in the red region of the spectrum. Thus, the small area 16 of the chip 5 is illuminated by the modulated green light of the laser 1, and the remaining area 17 of the chip 5 is lit in red, and the intensity of this glow depends on the number of both surface and internal defects of the chip 5. The wide-aperture lens 8 collects this EL glow on silicon photodetector 10. The optical filter 9 passes to the photodetector 10 only the red part of the spectrum, cutting off its green part (scattered and re-reflected incident excitation radiation). The electrical signal from the photodetector 10, proportional to the EL emission intensity, is amplified by a narrow-band amplifier 11 at the frequency of laser radiation modulation 1. The amplified electrical signal is fed to the microcontroller 12 with a memory unit 13, where it is stored and compared with a calibration signal previously recorded in the memory unit 13 from the reference chip 18. Essential to the operation of the device is the presence of a screen 14, which prevents the red photoluminescence spectrum formed on the illuminated region 1 from reaching the photodetector 10 6 of the chip 5. For this, the screen 14, made, for example, in the form of a blackened steel strip with a thickness of 0.4 mm, a height of 20 mm and a length of 60 mm, is located on a base 7 common to the laser 1 and is aligned with the laser beam so that the beam passed parallel to the screen 154 with a minimum distance from its surface, but did not touch it. The matrix of 4 chips 5 SE located on a common polymer platform 6 is fixedly attached to the base 8 (for example, a table) using two dovetail locks located at right angles to each other, and a third clamping bar, also with a dovetail. This method of fastening ensures the speed and accuracy of positioning of all rulers with 5 SE cells relative to platform 6. The base 7 has an angular movement around the central axis, with which the initial alignment of the matrix 4 of 5 SE cells is carried out so that the line of tested chips 6 remains parallel when moving the screen 14. using two stepper motors 15 has the ability to move in two mutually perpendicular directions with an accuracy of 0.01 mm Since the laser 1 is fixed motionless on the same base 7 as the screen 14, for any movement of the base 7 at the command of the controller 12, we always have the same geometric position of the chip 5 with respect to the incident radiation. Thus, it is possible to automatically measure the quality of individual chips 5 SE and the subsequent construction of a “quality map” of the entire matrix of 4 chips 5 SE located on the polymer platform 6.
Пример. В качестве примера была проведена разбраковка массива чипов ФП на полимерной матрице диаметром 125 мм американской фирмы Spectrolab. Отдельный чип представляет собой трехкаскадный ФП на основе GaInP2/GaAs/Ge размером (1,7×1,7) мм2. Все чипы наклеены на полимерную матрицу в виде сплошного массива из строк и колонок на расстоянии 0.5 мм друг от друга. Всего массив содержит порядка 1500 чипов. Это полимерная матрица натянута на стальное кольцо внутренним диаметром 160 мм. Это кольцо с помощью ласточкина зажима помещалось на поворотную платформу заявляемого устройства и поворотом платформы вокруг оси вращения устанавливали параллельность строки чипов и экрана прибора. После этого в автоматическом режиме проводилось тестирование всех элементов массива ФП. Полное время составления карты качества такого массива заняло около 5 минут.Example. As an example, the array of FP chips was sorted out on a polymer matrix with a diameter of 125 mm by the American company Spectrolab. A separate chip is a three-stage FP based on GaInP 2 / GaAs / Ge with a size of (1.7 × 1.7) mm 2 . All chips are glued to the polymer matrix in the form of a continuous array of rows and columns at a distance of 0.5 mm from each other. In total, the array contains about 1,500 chips. This polymer matrix is stretched on a steel ring with an inner diameter of 160 mm. This ring with the help of a dovetail clamp was placed on the rotary platform of the claimed device and by rotating the platform around the axis of rotation, parallelism of the string of chips and the screen of the device was established. After that, in an automatic mode, all elements of the FP array were tested. The full time of compiling a quality map of such an array took about 5 minutes.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008151283/28A RU2384838C1 (en) | 2008-12-23 | 2008-12-23 | TESTING METHOD OF CHIPS OF CASCADE PHOTOCONVERTERS BASED ON Al-Ga-In-As-P CONNECTIONS AND DEVICE FOR IMPLEMENTATION THEREOF |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008151283/28A RU2384838C1 (en) | 2008-12-23 | 2008-12-23 | TESTING METHOD OF CHIPS OF CASCADE PHOTOCONVERTERS BASED ON Al-Ga-In-As-P CONNECTIONS AND DEVICE FOR IMPLEMENTATION THEREOF |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2384838C1 true RU2384838C1 (en) | 2010-03-20 |
Family
ID=42137481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008151283/28A RU2384838C1 (en) | 2008-12-23 | 2008-12-23 | TESTING METHOD OF CHIPS OF CASCADE PHOTOCONVERTERS BASED ON Al-Ga-In-As-P CONNECTIONS AND DEVICE FOR IMPLEMENTATION THEREOF |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2384838C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2671546C1 (en) * | 2017-10-05 | 2018-11-01 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС" | Method and device for testing arsenid-gallium photoconverters in the composition of solar cells |
| RU188251U1 (en) * | 2018-07-24 | 2019-04-04 | Общество с ограниченной ответственностью "Люминесцентные диагностические приборы" | BIOCHIP SCAN DEVICE |
-
2008
- 2008-12-23 RU RU2008151283/28A patent/RU2384838C1/en active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2671546C1 (en) * | 2017-10-05 | 2018-11-01 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС" | Method and device for testing arsenid-gallium photoconverters in the composition of solar cells |
| RU188251U1 (en) * | 2018-07-24 | 2019-04-04 | Общество с ограниченной ответственностью "Люминесцентные диагностические приборы" | BIOCHIP SCAN DEVICE |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104412098B (en) | The method for checking semiconductor wafer | |
| US7733111B1 (en) | Segmented optical and electrical testing for photovoltaic devices | |
| US8604447B2 (en) | Solar metrology methods and apparatus | |
| EP3074755B1 (en) | Optical metrology system for spectral imaging of a semiconductor workpiece sample | |
| TWI522609B (en) | Methods and systems for analysing semiconductors and an article of manufacture for conducting the methods and operating the systems | |
| EP1946079B1 (en) | Method and system for inspecting indirect bandgap semiconductor structure | |
| KR101335161B1 (en) | Improved method and apparatus for measuring properties of solar cell | |
| JP6565112B2 (en) | Solar cell evaluation method and evaluation apparatus | |
| JP2975815B2 (en) | Apparatus and method for evaluating semiconductor light emitting device | |
| JP2012519276A (en) | High-speed quantum efficiency measurement system using solid-state light source | |
| JPWO2006059615A1 (en) | Solar cell evaluation method, evaluation apparatus and use thereof | |
| CN101988904A (en) | Solar cell defect detection method | |
| CN112432936A (en) | Rapid quantitative imaging characterization method for life space distribution of semiconductor wafer excess carriers | |
| JP5509414B2 (en) | Solar cell evaluation apparatus and solar cell evaluation method | |
| RU2384838C1 (en) | TESTING METHOD OF CHIPS OF CASCADE PHOTOCONVERTERS BASED ON Al-Ga-In-As-P CONNECTIONS AND DEVICE FOR IMPLEMENTATION THEREOF | |
| CN201803957U (en) | Non-contact type device for detecting defect of solar battery | |
| CN110646384B (en) | Semiconductor material resistivity optical measurement method | |
| Fischer et al. | Scanning IQE-measurement for accurate current determination on very large area solar cells | |
| KR101325356B1 (en) | Method and apparatus for measuring properties of solar cell | |
| JP6781985B2 (en) | Solar cell evaluation method and evaluation device and solar cell evaluation program | |
| RU2391648C1 (en) | APPARATUS FOR TESTING CASCADE PHOTOCONVERTER CHIPS BASED ON Al-Ga-In-As-P | |
| CN115753759A (en) | Phase-locked carrier radiation imaging test system and method for perovskite material/device | |
| JP2010278192A (en) | Solar cell evaluation device | |
| JP6466604B1 (en) | Solar cell sample inspection apparatus and solar cell sample inspection method | |
| RU2565331C2 (en) | Method of investigation spatial distribution of receptivity of characteristics of photoelectric converters in solar panels to optical radiation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QA4A | Patent open for licensing |
Effective date: 20170306 |