RU2671546C1 - Method and device for testing arsenid-gallium photoconverters in the composition of solar cells - Google Patents
Method and device for testing arsenid-gallium photoconverters in the composition of solar cells Download PDFInfo
- Publication number
- RU2671546C1 RU2671546C1 RU2017135617A RU2017135617A RU2671546C1 RU 2671546 C1 RU2671546 C1 RU 2671546C1 RU 2017135617 A RU2017135617 A RU 2017135617A RU 2017135617 A RU2017135617 A RU 2017135617A RU 2671546 C1 RU2671546 C1 RU 2671546C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photoconverter
- radiation
- photoconverters
- solar cells
- testing
- Prior art date
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title claims abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 28
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010921 in-depth analysis Methods 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B64—AIRCRAFT; AVIATION; COSMONAUTICS
- B64G—COSMONAUTICS; VEHICLES OR EQUIPMENT THEREFOR
- B64G1/00—Cosmonautic vehicles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к космической технике и может быть использовано при создании связных (телекоммуникационных) космических аппаратов (КА) для бесконтактного неразрушающего контроля качества полупроводниковых фотопреобразователей (ФП) солнечных батарей (БС).The invention relates to space technology and can be used to create a connected (telecommunication) spacecraft (SC) for non-contact non-destructive quality control of semiconductor photoconverters (FP) of solar cells (BS).
В настоящее время в составе КА все более широко используются солнечные батареи на основе арсенид-галлиевых фотопреобразователей (например, http://solarb.ru/arsenid-galievye-solnechnye-batarei). Поэтому задача обеспечения оптимальной проверки качества ФП на различных этапах изготовления солнечных батарей КА весьма актуальна.Currently, solar cells based on gallium arsenide photoconverters (for example, http://solarb.ru/arsenid-galievye-solnechnye-batarei) are increasingly used in the spacecraft. Therefore, the task of ensuring optimal quality control of AF at various stages of the manufacture of spacecraft solar batteries is very relevant.
Известен способ тестирования ФП (чипов каскадных фотопреобразователей) на основе Al-Ga-In-As-P с помощью электролюминесцентных измерений (Thomas Kirchartz, Anke Helbig, Martin Hermle, Uwe Rau и Andreas W. Bett "23rd Europian Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 1-5 September 2008, Valencia, Spain). Известный способ-прототип включает в себя пропускание тока через исследуемый чип для возбуждения спектра электролюминесценции (ЭЛ) и исследование этого спектра с помощью Ge-приемника, объединенного с монохроматором. Теоретически показано, как, используя теорему электрооптической взаимности, которая описывает связь между квантовой эффективностью СЭ и интенсивностью спектра ЭЛ, можно рассчитать индивидуальную вольт-амперную характеристику чипа и, соответственно, судить о качестве этого чипа ФП.A known method for testing AF (cascade photoconverter chips) based on Al-Ga-In-As-P using electroluminescent measurements (Thomas Kirchartz, Anke Helbig, Martin Hermle, Uwe Rau and Andreas W. Bett "23 rd Europian Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 1-5 September 2008, Valencia, Spain) A well-known prototype method involves passing current through the chip under study to excite the electroluminescence (EL) spectrum and examining this spectrum using a Ge receiver combined with a monochromator. using the electro-optical reciprocity theorem that describes the relationship between the quantum efficiency of solar cells and the intensity of the EL spectrum, we can calculate the individual current-voltage characteristic of the chip and, accordingly, judge the quality of this FP chip.
Недостатком известного способа является то, что здесь использован классический метод возбуждение спектра ЭЛ - пропускание тока через исследуемый образец, то есть, применена контактная система со всеми ее недостатками.The disadvantage of this method is that the classical method of excitation of the EL spectrum is used here - transmission of current through the sample under study, that is, a contact system with all its shortcomings is used.
Известно устройство для тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе Al-Ga-In-As-P (Thomas Kirchartz, Anke Helbig, Martin Hermle, Uwe Rau и Andreas W. Bett "23rd Europian Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 1-5 September 2008, Valencia, Spain). Устройство состоит из источника постоянного тока с пределом регулировки (0,1÷150) мА, оптического модулятора излучения спектра ЭЛ образца ФП, монохроматора в диапазоне (600÷1800) нм, германиевого приемника излучения, электронного селективного усилителя, синхронного с частотой модуляции спектра ЭЛ, и измерителя электрического сигнала.Known device for testing cascaded photoconverter chips based on Al-Ga-In-As-P (Thomas Kirchartz, Anke Helbig, Martin Hermle, Uwe Rau and Andreas W. Bett "23 rd Europian Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 1-5 September 2008, Valencia, Spain) The device consists of a direct current source with an adjustment limit of (0.1 ÷ 150) mA, an optical modulator of the emission of the EL spectrum of the AF sample, a monochromator in the range (600 ÷ 1800) nm, a germanium radiation detector, and an electronic selective amplifier synchronous with the frequency of modulation of the EL spectrum, and an electric signal meter.
Недостатком известного устройства является контактная система для возбуждения спектра ЭЛ исследуемого образца ФП, что при стандартных размерах чипов порядка 2×2 мм2 требует прецизионных точных механических контактов, которые требуют постоянного внимания.A disadvantage of the known device is a contact system for exciting the EL spectrum of the investigated AF sample, which, with standard chip sizes of the order of 2 × 2 mm 2, requires precision precise mechanical contacts that require constant attention.
Наиболее близким к заявляемому техническому решению по совокупности существенных признаков являются «Способ тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе соединений Al-Ga-In-As-P, включающий облучение участка поверхности тестируемого чипа лазерным излучением с длиной волны (0,40÷0,55) мкм, направление возникающего в необлученном участке чипа фотоэлектролюминесцентного излучения на фотоприемник, имеющий фоточувствительность к излучению с длиной волны, более 0,6 мкм, измерение интенсивности фотоэлектролюминесцентного излучения и определение качества чипа путем сравнивания измеренной интенсивности фотоэлектролюминесцентного излучения тестируемого чипа с интенсивностью фотоэлектролюминесцентного излучения эталонного чипа каскадного фотопреобразователя на основе соединений Al-Ga-In-As-Р» и «Устройство для тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе соединений Al-Ga-In-As-P, включающее лазер с длиной волны излучения 0,40÷0,55 мкм, линзу, фокусирующую излучение лазера на платформу для размещения матрицы тестируемых чипов, установленную на основании с возможностью его вращения вокруг вертикальной оси и горизонтального возвратно-поступательного перемещения в двух взаимно перпендикулярных направлениях, объектив, оптический фильтр, пропускающий излучение с длинами волн более 0,6 мкм, и фотоприемник, фоточувствительный к излучению с длинами волн более 0,6 мкм, установленные на одной оптической оси, и экран, препятствующий попаданию фотолюминесцентного излучения из облучаемого участка чипа в объектив, при этом фотоприемник подключен через усилитель к контроллеру с блоком памяти» (патент №2384838, RU).The closest to the claimed technical solution in terms of essential features are the "Method for testing cascade photoconverter chips based on Al-Ga-In-As-P compounds, including irradiating a portion of the surface of the tested chip with laser radiation with a wavelength of (0.40 ÷ 0.55) μm, direction of the photoelectroluminescent radiation arising in the unirradiated region of the chip to a photodetector having a photosensitivity to radiation with a wavelength of more than 0.6 μm, measurement of the intensity of photoelectroluminescent radiation and determining the quality of the chip by comparing the measured intensity of the photo-electroluminescent radiation of the tested chip with the intensity of the photo-electroluminescent radiation of the reference chip of the cascade photoconverter based on Al-Ga-In-As-P compounds and the Device for testing cascade photoconverter chips based on Al-Ga-In- compounds As-P, including a laser with a radiation wavelength of 0.40 ÷ 0.55 μm, a lens focusing the laser radiation on a platform for placing a matrix of tested chips, mounted on the base with the possibility of its rotation around the vertical axis and horizontal reciprocating movement in two mutually perpendicular directions, a lens, an optical filter that transmits radiation with wavelengths of more than 0.6 μm, and a photodetector photosensitive to radiation with wavelengths of more than 0.6 μm, installed on one optical axis, and a screen that prevents the photoluminescent radiation from the irradiated portion of the chip into the lens, while the photodetector is connected through an amplifier to the controller with a memory unit "(patent No. 2 384838, RU).
Недостатком известных способа и устройства является низкая технологичность при использовании в процессе изготовления КА, которая заключается в исследовании отдельных экземпляров ФП.A disadvantage of the known method and device is the low manufacturability when used in the manufacturing process of spacecraft, which consists in the study of individual instances of AF.
Задачей заявляемого изобретения является повышение технологических возможностей тестирования арсенид-галлиевых фотопреобразователей в составе солнечных батарей в процессе изготовления КА.The task of the invention is to increase the technological capabilities of testing gallium arsenide photoconverters as part of solar panels in the manufacturing process of spacecraft.
Поставленная задача в части способа решается тем, что при облучении участка поверхности тестируемого фотопреобразователя лазерным излучением с длиной волны 0,40÷0,55 мкм, контроле возникающего в необлученном участке фотоэлектролюминесцентного излучения на фотоприемник и определении качества фотопреобразователя путем сравнивания измеренной интенсивности фотоэлектролюминесцентного излучения тестируемого фотопреобразователя с интенсивностью фотоэлектролюминесцентного излучения эталонного фотопреобразователя, в качестве фотоприемника используют цифровой фотоаппарат, а включением и выключением лазерного излучателя, включением съемки цифровым фотоаппаратом, выбором координат тестируемого фотопреобразователя управляют с использованием ПЭВМ.The task in terms of the method is solved by the fact that when irradiating a portion of the surface of the tested photoconverter with laser radiation with a wavelength of 0.40 ÷ 0.55 μm, controlling the photoelectroluminescent radiation arising in the unirradiated portion of the photodetector and determining the quality of the photoconverter by comparing the measured intensity of the photoelectroluminescent radiation of the tested photoconverter with the intensity of the photo-electroluminescent radiation of the reference photoconverter, as a photodetector Nick used a digital camera, and turning on and off the laser emitter, the inclusion of shooting with a digital camera, a choice of coordinates photoconverter test run using a PC.
Поставленная задача в части устройства решается тем, что в устройстве, включающем лазер с длиной волны излучения 0,40÷0,55 мкм, фотоприемник, установленные на манипулятор с возможностью их вертикального и горизонтального возвратно-поступательного перемещения в двух взаимно перпендикулярных направлениях, в качестве фотоприемника используют цифровой фотоаппарат, кроме того, дополнительно введена ПЭВМ, связанная с лазерным излучателем, цифровым фотоаппаратом и манипулятором.The problem in terms of the device is solved by the fact that in the device, which includes a laser with a radiation wavelength of 0.40 ÷ 0.55 μm, a photodetector mounted on the manipulator with the possibility of their vertical and horizontal reciprocating movement in two mutually perpendicular directions, as the photodetector uses a digital camera, in addition, a PC connected with a laser emitter, a digital camera and a manipulator is additionally introduced.
Действительно, использование цифрового фотоаппарата в связке с ПЭВМ позволяет проводить запоминание люминесцирующей картины различных этапов наземного жизненного цикла каждого конкретного ФП солнечной батареи. При этом любые влияния на целостность кристалла ФП будут зафиксированы и по параметру интенсивности излучения сравнены с первоначальным (эталонным) значением, полученным при первой проверке данного ФП. В дальнейшем результаты проверок ФП (фотолюминесцирующих картин), при необходимости, могут быть подвергнуты более глубокому анализу. Таким образом, создается индивидуальный паспорт для каждого ФП входящего в состав БС. Цифровой фотоаппарат дает возможность беспристрастной фиксации момента измерения, и проведения съемки в ультрафиолетовом и инфракрасном спектрах. Все это повышает технологические возможности способа тестирования арсенид-галлиевых ФП в составе солнечных батарей.Indeed, the use of a digital camera in conjunction with a PC allows storing the luminescent picture of the various stages of the ground life cycle of each specific phase transition of the solar battery. Moreover, any effects on the integrity of the phase transition crystal will be recorded and compared with the radiation intensity parameter compared with the initial (reference) value obtained during the first check of this phase transition. In the future, the results of checks of phase transitions (photoluminescent patterns), if necessary, can be subjected to more in-depth analysis. Thus, an individual passport is created for each FI included in the BS. A digital camera makes it possible to impartially capture the moment of measurement, and to conduct photography in the ultraviolet and infrared spectra. All this increases the technological capabilities of the method for testing gallium arsenide FPs in solar cells.
Использование системы позиционирования в виде манипулятора перемещающего фотокамеру с лазером в плоскости по заранее заданному алгоритму позволяет использовать данное устройство для широкого спектра БС на основе арсенид-галлиевых фотопреобразователей. Что также повышает технологические возможности.Using a positioning system in the form of a manipulator moving the camera with a laser in the plane according to a predetermined algorithm allows you to use this device for a wide range of BS based on gallium arsenide photoconverters. Which also enhances technological capabilities.
На фиг. 1 изображены БС и устройство для тестирования арсенид-галлиевых фотопреобразователей, где:In FIG. 1 shows a BS and a device for testing gallium arsenide photoconverters, where:
1 - платформа, на которой установлены фотоаппарат и лазерный излучатель;1 - a platform on which a camera and a laser emitter are installed;
2 - манипулятор, перемещающий платформу по заданной программе от ПЭВМ;2 - a manipulator moving the platform according to a given program from a PC;
3 - ПЭВМ, связанная с манипулятором, с лазерным излучателем и фотоаппаратом;3 - PC connected with the manipulator, with a laser emitter and a camera;
4 - проверяемая БС;4 - checked BS;
5 - рама для установки БС.5 - frame for installing BS.
Перед объективом фотоаппарата установлена перегородка, закрывающая часть изображения фотопреобразователя, куда падает луч от лазерного излучателя (на рисунке не показано).A partition is installed in front of the camera lens, covering part of the image of the photoconverter where the beam from the laser emitter falls (not shown in the figure).
Устройство работает следующим образом. По сигналам с ПЭВМ манипулятор позиционирует платформу с фотоаппаратом и лазерным излучателем напротив проверяемого ФП БС. Включается лазерный излучатель, фотоаппарат фотографирует ФП в момент его люминесценции, отключается лазерный излучатель. Изображение с фотоаппарата передается в ПЭВМ для обработки. Анализируется интенсивность люминесценции проверяемого ФП и сравнивается с интенсивностью эталонного ФП.The device operates as follows. According to the signals from the PC, the manipulator positions the platform with a camera and a laser emitter opposite to the checked FS BS. The laser emitter is turned on, the camera photographs the phase transition at the moment of its luminescence, the laser emitter is turned off. The image from the camera is transferred to the PC for processing. The luminescence intensity of the tested AF is analyzed and compared with the intensity of the reference AF.
Таким образом, заявляемый способ тестирования арсенид-галлиевых фотопреобразователей в составе солнечных батарей и устройство для его реализации позволяют повысить технологические возможности известных способа и устройства тестирования арсенид-галлиевых фотопреобразователей в составе солнечных батарей в процессе изготовления КА.Thus, the inventive method for testing gallium arsenide photoconverters in the composition of solar cells and a device for its implementation can improve the technological capabilities of the known method and device for testing gallium arsenide photoconverters in the composition of solar cells in the manufacturing process of spacecraft.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017135617A RU2671546C1 (en) | 2017-10-05 | 2017-10-05 | Method and device for testing arsenid-gallium photoconverters in the composition of solar cells |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017135617A RU2671546C1 (en) | 2017-10-05 | 2017-10-05 | Method and device for testing arsenid-gallium photoconverters in the composition of solar cells |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2671546C1 true RU2671546C1 (en) | 2018-11-01 |
Family
ID=64103182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017135617A RU2671546C1 (en) | 2017-10-05 | 2017-10-05 | Method and device for testing arsenid-gallium photoconverters in the composition of solar cells |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2671546C1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050252545A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Spire Corporation | Infrared detection of solar cell defects under forward bias |
| RU2352953C1 (en) * | 2008-01-21 | 2009-04-20 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Device for control of photoelectric transducers parameters |
| RU2384838C1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-03-20 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | TESTING METHOD OF CHIPS OF CASCADE PHOTOCONVERTERS BASED ON Al-Ga-In-As-P CONNECTIONS AND DEVICE FOR IMPLEMENTATION THEREOF |
| RU153920U1 (en) * | 2013-09-23 | 2015-08-10 | Государственный научный центр Российской Федерации-федеральное государственное унитарное предприятие "Исследовательский Центр имени М.В. Келдыша" | DEVICE FOR CONTROL AND VISUALIZATION OF ENERGY CHARACTERISTICS OF PHOTOELECTRIC CONVERTERS |
-
2017
- 2017-10-05 RU RU2017135617A patent/RU2671546C1/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050252545A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Spire Corporation | Infrared detection of solar cell defects under forward bias |
| RU2352953C1 (en) * | 2008-01-21 | 2009-04-20 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Device for control of photoelectric transducers parameters |
| RU2384838C1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-03-20 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | TESTING METHOD OF CHIPS OF CASCADE PHOTOCONVERTERS BASED ON Al-Ga-In-As-P CONNECTIONS AND DEVICE FOR IMPLEMENTATION THEREOF |
| RU153920U1 (en) * | 2013-09-23 | 2015-08-10 | Государственный научный центр Российской Федерации-федеральное государственное унитарное предприятие "Исследовательский Центр имени М.В. Келдыша" | DEVICE FOR CONTROL AND VISUALIZATION OF ENERGY CHARACTERISTICS OF PHOTOELECTRIC CONVERTERS |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI522609B (en) | Methods and systems for analysing semiconductors and an article of manufacture for conducting the methods and operating the systems | |
| KR101365363B1 (en) | Method and system for inspecting indirect bandgap semiconductor structure | |
| US7781749B2 (en) | Beam irradiation apparatus with deep ultraviolet light emission device for lithographic pattern inspection system | |
| US7893409B1 (en) | Transient photoluminescence measurements | |
| TW201315990A (en) | Solar metrology methods and apparatus | |
| WO2006059615A1 (en) | Method and apparatus for evaluating solar cell and use thereof | |
| CN108627523A (en) | Solar battery cell test device and method | |
| CN109564884A (en) | Surface defect with bulky grain monitoring and laser power control is examined | |
| US10302574B2 (en) | Method for analysing the crystal structure of a polycrystalline semiconductor | |
| RU2671546C1 (en) | Method and device for testing arsenid-gallium photoconverters in the composition of solar cells | |
| Si et al. | High-resolution Mo Kα X-ray monochromatic backlight imaging using a toroidal crystal | |
| CN109459418A (en) | A method of using alternating temperature photoluminescence spectrum test analysis solar cell radiation effect | |
| WO2010110751A1 (en) | System and method for determining surface recombination velocity | |
| RU2384838C1 (en) | TESTING METHOD OF CHIPS OF CASCADE PHOTOCONVERTERS BASED ON Al-Ga-In-As-P CONNECTIONS AND DEVICE FOR IMPLEMENTATION THEREOF | |
| WO2022049979A1 (en) | Inspection device and inspection method | |
| TWI830859B (en) | Check device | |
| CN103558558A (en) | Silicon solar cell conversion efficiency detection device and detection method | |
| JP6958833B2 (en) | Semiconductor inspection equipment and semiconductor inspection method | |
| Poley et al. | Active region extent assessment with X-rays (AREA-X) | |
| JP2022112408A (en) | Photoelectric conversion efficiency measuring method, solar cell manufacturing method, and photoelectric conversion efficiency measuring device | |
| RU2391648C1 (en) | APPARATUS FOR TESTING CASCADE PHOTOCONVERTER CHIPS BASED ON Al-Ga-In-As-P | |
| RU153920U1 (en) | DEVICE FOR CONTROL AND VISUALIZATION OF ENERGY CHARACTERISTICS OF PHOTOELECTRIC CONVERTERS | |
| WO2022264521A1 (en) | Measuring device | |
| CN117007561B (en) | Spectrum measuring system, method and device for semiconductor material | |
| CN113984787B (en) | Semiconductor defect distribution imaging detection device and detection method |