RU2330301C1 - Способ контроля ис по содержанию влаги в подкорпусном объеме - Google Patents

Способ контроля ис по содержанию влаги в подкорпусном объеме Download PDF

Info

Publication number
RU2330301C1
RU2330301C1 RU2006137740/28A RU2006137740A RU2330301C1 RU 2330301 C1 RU2330301 C1 RU 2330301C1 RU 2006137740/28 A RU2006137740/28 A RU 2006137740/28A RU 2006137740 A RU2006137740 A RU 2006137740A RU 2330301 C1 RU2330301 C1 RU 2330301C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
leakage current
temperature
integrated circuits
moisture content
volume
Prior art date
Application number
RU2006137740/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Митрофан Иванович Горлов (RU)
Митрофан Иванович Горлов
Наталь Александровна Шишкина (RU)
Наталья Александровна Шишкина
нов Антон Викторович Емель (RU)
Антон Викторович Емельянов
Владимир Иванович Плебанович (RU)
Владимир Иванович Плебанович
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет"
Priority to RU2006137740/28A priority Critical patent/RU2330301C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2330301C1 publication Critical patent/RU2330301C1/ru

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к контролю интегральных схем (ИС) и может быть использовано для отбраковки ИС на этапе серийного производства, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры. Сущность: в камере холода устанавливается температура -20°С или -28°С, загружаются ИС, измеряется ток утечки каждой схемы. Температура снижается до -28°С или повышается до -20°С со скоростью не более 10°С при непрерывном измерении тока утечки. Если величина тока утечки резко не возрастает, то содержание в подкорпусном объеме ИС будет соответствовать требованиям общих технических условий, т.е. будет не более 0,05 объемного процента при нормальной температуре.

Description

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к определению влаги в подкорпусном объеме интегральных схем (ИС). Изобретение может быть использовано для отбраковки ИС на этапе серийного производства, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры.
В настоящее время в общих технических условиях (ОТУ) на ИС имеется требование по допустимому содержанию влаги внутри корпуса не более 0,05 объемного процента при 25°С [1], что идентично 500 ppm (ppm - одна часть на миллион). При этом по ОТУ контроль содержания паров воды внутри корпуса должен проводиться при приемо-сдаточных и периодических испытаниях с приемочным уровнем, равным С=0, при выборке N=2.
Известны масс-спектрометрические методы измерения содержания паров воды в газовой среде в подкорпусном объеме ИС [2]. Эти методы трудоемкие и разрушающие, поэтому они используются только при выборочных испытаниях.
Известен способ контроля качества и надежности ИС [3], который позволяет по измерению информативного параметра (тока утечки по цепи шины питания - общая точка) при 20, 0 и -20°С судить о качестве ИС. Недостатком способа является то, что он не позволяет судить о соответствии ИС по содержанию влаги внутри корпуса требованиям ОТУ.
Известен способ контроля качества ИС [4], который состоит в том, что контролируемая ИС охлаждается до температуры минус 60°С, затем нагревается до 35°С, при этом измеряется ток утечки при нагревании непрерывно в диапазоне от 0 до 35°С, а о качестве ИС судят по характеру изменения тока утечки в диапазоне температур 0-35°С. Недостатком метода является невозможность судить о содержании влаги внутри корпуса.
Известен способ неразрушающего определения влаги в подкорпусном объеме ИС [5], по которому испытуемые ИС охлаждают от комнатной до минус 65°С со скоростью не более 10°С в минуту, затем с той же скоростью нагревают до исходной температуры, при этом непрерывно при охлаждении и последующем нагревании измеряют влагочувствительный параметр и определяют точку росы в подкорпусном объеме газа. Рассчитывается давление газа в корпусе ИС при температуре точки росы и по номограмме определяется концентрация влаги в подкорпусном объеме газа. Недостатком способа является его большая трудоемкость.
Известен способ [6], в котором исследуемый герметизированный электронный прибор помещают в поле СВЧ-волны, постепенно охлаждая его, и момент появления росы внутри прибора определяют по скачкообразному изменению параметров СВЧ-волны. Недостатком способа является его трудоемкость и сложность.
Известен способ [7], в котором подают постоянный прямой ток через внешние выводы объекта контроля на одну из его внутренних цепей, содержащего хотя бы один p-n-переход, измеряются падение напряжения на прямосмещенном p-n-переходе Uпрям, получают производную по времени U'прям в зависимость от Uпрям в процессе охлаждения до температуры ниже минус 20°С и нагревания выше 0°С, а наличие влаги в корпусе объекта контроля определяют по наличию локальных экстремумов на любой из реализуемых зависимостях. Недостатком способа является его сложность и подтверждение только наличия влаги внутри корпуса, которая практически есть всегда, но то, что ее должно быть не выше установленного в ОТУ значения, не определяется.
Наиболее близким является способ контроля надежности ИС [8], в котором заданную температуру охлаждения выбирают ниже или равной точке выпадения росы газа, сравнивают ток утечки при заданной температуре со средним значением тока утечки, определенным на статически достоверной выборке и считают испытываемую ИС ненадежной, если измеренный ток утечки превышает среднее значение не менее чем в заданное число раз или в 10 и более раз. Недостатком способа является усреднение значения тока утечки, которое не позволяет судить о соответствии конкретной ИС по содержанию влаги в подкорпусном объеме требуемым ОТУ.
Необходимо отметить, что ОТУ на ИС допускает при неудовлетворительных выборочных испытаниях перейти на сплошной контроль партий ИС. Все выше перечисленные способы не позволяют с наименьшей трудоемкостью перейти на сплошной контроль, т.е. отделить от партии ИС те схемы, которые не удовлетворяют требованиям ОТУ по содержанию влаги внутри корпуса.
Изобретение направлено на создание неразрушающего сплошного контроля ИС на их соответствие по содержанию влаги в подкорпусном объеме требованиям ОТУ, т.е. определению, что количество влаги в подкорпусном объеме ИС будет не более 0,05 объемного процента при нормальной температуре.
Способ реализуется следующим образом. В камере холода устанавливается температура минус 20°С, взятая из практики измерения точки росы влаги в объеме ИС, загружаются ИС, измеряется ток утечки каждой схемы, и температура снижается до минус 28°С (при непрерывном измерении тока утечки), т.к. при точке росы минус 28°С объемная концентрация паров воды в подкорпусном объеме будет равна 462 ppm [9], т.е. меньше 500 ppm. Можно сразу установить температуру минус 28°С, а затем повышать ее до минус 20°С, непрерывно измеряя ток утечки ИС. Скорость охлаждения или повышения температуры не более 10°С в минуту. При этом если величина тока утечки резко не возрастает, то содержание влаги в подкорпусном объеме ИС будет соответствовать требованиям ОТУ, т.е. будет более 0,05 объемного процента.
Источники информации
1. ОСТ В 11 0998-99. Микросхемы интегральные. Общие технические условия.
2. ОСТ 11 073.013-83. Микросхемы интегральные. Методы испытаний. Часть 2. Испытания на воздействие климатических факторов и сред заполнения.
3. А.с. СССР №1228052, G01R 31/28, 1986.
4. А.с. СССР №1684755, G01R 31/28, 1991.
5. Патент РФ №2263369, Н01L 21/66, G01R 31/18, 2005.
6. А.с. СССР №1083099, G01N 22/04, 1981.
7. А.с. СССР №1839241, G01R 31/28, 1990.
8. А.с. СССР №1596288, G01R 31/28, 1988.
9. Горлов М.И., Ануфриев Л.П., Николаева Е.В. Контроль содержания паров воды внутри корпусов интегральных схем // Минск: Беспринт, 2002. - 96 с.

Claims (1)

  1. Способ контроля интегральных схем по содержанию влаги в подкорпусном объеме, включающий охлаждение интегральных схем и измерение тока утечки при изменении температуры, отличающийся тем, что в камере устанавливают температуру -20°С или -28°С, измеряют ток утечки каждой интегральной схемы, затем соответственно снижают температуру до -28°С или повышают до -20°С со скоростью не более 10°С в мин при непрерывном измерении тока утечки, и если величина тока утечки резко не возрастает, то содержание влаги в подкорпусном объеме интегральной схемы будет соответствовать установленным требованиям - не более 0,05 об.% при нормальной температуре.
RU2006137740/28A 2006-10-25 2006-10-25 Способ контроля ис по содержанию влаги в подкорпусном объеме RU2330301C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006137740/28A RU2330301C1 (ru) 2006-10-25 2006-10-25 Способ контроля ис по содержанию влаги в подкорпусном объеме

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006137740/28A RU2330301C1 (ru) 2006-10-25 2006-10-25 Способ контроля ис по содержанию влаги в подкорпусном объеме

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2330301C1 true RU2330301C1 (ru) 2008-07-27

Family

ID=39811155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006137740/28A RU2330301C1 (ru) 2006-10-25 2006-10-25 Способ контроля ис по содержанию влаги в подкорпусном объеме

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2330301C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2527669C1 (ru) * 2013-01-09 2014-09-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ испытания на коррозионную стойкость интегральных схем

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2527669C1 (ru) * 2013-01-09 2014-09-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ испытания на коррозионную стойкость интегральных схем

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6480010B2 (en) Method of inspecting piezoelectric ceramic device
EP2977770B1 (en) Leakage current detection method and device
US20070126430A1 (en) System and method for testing power durability of saw filter
CN106950507A (zh) 一种智能时钟电池用高可靠性寿命评估方法
RU2330301C1 (ru) Способ контроля ис по содержанию влаги в подкорпусном объеме
KR100707585B1 (ko) Mos 트랜지스터 소자의 정전용량-전압 특성을 이용한캐리어 농도 분포 측정 자동화 시스템 및 방법
CN1982907A (zh) 测试晶体管寿命的方法
CN112945418B (zh) 集成芯片的测温装置及测温方法
CN111678886A (zh) 一种tdlas测定sf6设备中湿度的标定和验证方法
WO2019163608A1 (ja) 検査装置及び検査装置の動作方法
CN110851936A (zh) 一种通孔焊点可靠性评估试验方法及装置
CN114216581A (zh) 一种短路工况下功率器件的实时结温无损测量方法
US20070294072A1 (en) Testing model
RU2263369C2 (ru) Способ неразрушающего определения содержания влаги в подкорпусном объеме интегральных схем
JP2010038639A (ja) 半導体デバイスの信頼性評価方法、および半導体デバイスの信頼性評価装置
CN110658436A (zh) 一种在射频应力下mos晶体管性能退化的表征方法
CN113534033A (zh) 测试机台的校准方法及校准系统
RU2527669C1 (ru) Способ испытания на коррозионную стойкость интегральных схем
CN100460867C (zh) 塑料有引线芯片载体封装器件的封装材料可靠性检测方法
CN103792438A (zh) 一种soi mos器件闪烁噪声的测试设备及测试方法
SU1596288A1 (ru) Способ контрол надежности интегральных микросхем
JP2003194755A (ja) 半導体パッケージの試験方法
TWI840063B (zh) 射頻裝置溫度相關可靠度試驗系統及其方法
CN115309211B (zh) 老炼温度控制的加热功率确定方法及温度控制方法
Kolomiets Method for Evaluating the Degree of Metallization Corrosion Damage of Integrated Circuits under Accelerated Tests

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20081026