SU1596288A1 - Способ контрол надежности интегральных микросхем - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике и может быть использовано дл  диагностического контрол  и отбраковки предрасположенных к коррозии интегральных микросхем. Цель изобретени  - снижение продолжительности контрол . На интегральные микросхемы 1 подают напр жение питани  от блока 4 питани  через блок 2 коммутации, охлаждают в камере 5 холода и измер ют с помощью измерител  3 тока утечки информативный электрический параметр - ток утечки контролируемой интегральной микросхемы при критическом значении температуры. За критическое значение температуры принимают значение температуры, соответствующее точке выпадени  росы наход щегос  в подкорпусном пространстве микросхемы газа, ненадежной считают микросхему, если значение тока утечки при критическом значении температуры превышает среднее значение тока утечки контролируемой партии микросхем. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для диагностического контроля и отбраковки предрасположенных к кор розни интегральных микросхем. Цель

росхемы 1 подают напряжение питания от блока 4 питания через блок 2 коммутации, охлаждают в камере 5 холода и измеряют с помощью измерителя 3 тока утечки информативный электрический параметр - ток утечки контролируемой интегральной микросхемы при критическом значении температуры. За критическое значение температуры принимают значение температуры, соответствующее точке выпадения росы находящегося в подкорпусном пространстве микросхемы газа, ненадежной считают микросхему, если значение тока утечки при критическом значении температуры превышает среднее значение тока утечки кон-

СЛ

ф

Ю

00

эр

7

е

1596288

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для диагностического контроля и отбраковки предрасположенных к коррозии интегральных микросхем (ИС).

Цель изобретения - снижение продолжительности контроля,

На чертеже показана схема реализации способа.

Схема содержит контролируемую ин тегральную схему 1, блок·2 коммутации, измеритель 3 тока утечки, блок 4 питания, камеру 5 холода.

Способ реализуется следующим обра- ι< зом.

Контролируемую партию ИС устанавливают в автономные контактирующие устройства, расположенные на печатной плате, и помещают ее в камеру 5 20

холода, в которой поддерживается критическое значение отрицательной температуры, В качестве критического значения температуры выбирают температуру точки выпадения росы находя- 25 щегося в подкорпусном пространстве ИС 1 газа. Плату с ИС 1 выдерживают в камере в течение часа, затем включают питание ИС и, коммутируя его, блоком 2 коммутации поочередно измеряют с помощью измерителя 3 токи утечки каждого экземпляра ИС. Экземпляры ИС с повышенным более чем на 1-3 порядка значениями токов утечки , по сравнению со средним значением тока утечки контролируемой партии микро схем, бракуют.

Дефекты выявляются за счет того, что при понижении температуры в герметических корпусах ИС увеличивается относительная влажность находящегося там газа, при этом увеличивается и адсорбция молекул воды кристаллом и изоляционными слоями. Температура замерзания адсорбированной влаги ниже 0°С, так как при тонком слое жидкость может находиться в переохлажденном состоянии. Проведенные измерения показали, что для ИС серии 564 максимальные значения токов утечек получены при температуре - 30°С, Гак как увеличение токов утечки при пониженных температурах обусловлено адсорбцией влаги, ток утечки в этих условиях и выбран в качестве критерия.

П р и м е р. В связи с получением данных о повышенной интенсивности от10

30

,_35

40

45

50

55

каэов при эксплуатации РЭА (по дефекту "коррозия") была подвергнута проверке партия КМОП ИС типа 564ЛЕ5 (50 шт.). Нормативными документам! на ИС.серию 564 установлена предельная влажность в подкорпусном объеме 0,05%, что соответствует точке выпадения росы - 30°С, которая принята в качестве критической температуры.

Результаты измерений: тока утечки 43 экземпляров ИС при С=-30°С находились в пределах'0,§-16,3 нА, а у 7. экземпляров - в пределах 63500 нА.

Проведенные затем исследования отбракованных 7 экз. ИС (со вскрытием) подтвердили предрасположенность их к коррозии.

Таким образом, способ позволяет по результатам одного измерения производить отбраковку предрасположенных к коррозии ИС и, соответственно, повысить эксплуатационную надежность изготавливаемой радиоэлектронной аппаратуры, в которой использованы эти ИС при снижении времени контроля.

Claims (2)

1. Формула изобретения

   1, Способ контроля надежности интегральных микросхем, заключающийся в том, что, охлаждают испытуемую интегральную микросхему до заданной температуры, измеряют ток утечки между шиной питания и общей шиной испытуемой микросхемы, отличающийся тем, что, с целью снижения продолжительности контроля, заданную температуру охлаждения выбирают ниже или равной точке выпадения росы газа, находящегося в подкорпусном простран-, стве испытуемой микросхемы, сравнивают ток утечки при заданной температуре со средним значением тока утечки, определенным на статистически достоверной выборке интегральных микросхем того же типа, считают испытуемую интегральную микросхему ненадежной, если измеренный ток утечки превышает среднее значение не менее чем в заданное число раз.·
2. 2. Способ по π. 1, отличающийся тем, что интегральную микросхему считают ненадежной, если измеренный ток утечки превышает среднее значение в 10 и более раз.