RU2325729C1 - Неохлаждаемый металлический болометр - Google Patents

Неохлаждаемый металлический болометр Download PDF

Info

Publication number
RU2325729C1
RU2325729C1 RU2006136431/28A RU2006136431A RU2325729C1 RU 2325729 C1 RU2325729 C1 RU 2325729C1 RU 2006136431/28 A RU2006136431/28 A RU 2006136431/28A RU 2006136431 A RU2006136431 A RU 2006136431A RU 2325729 C1 RU2325729 C1 RU 2325729C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
radiation
film
sew
bolometer
window
Prior art date
Application number
RU2006136431/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Герман Николаевич Жижин (RU)
Герман Николаевич Жижин
Алексей Константинович Никитин (RU)
Алексей Константинович Никитин
Тать на Александровна Рыжова (RU)
Татьяна Александровна Рыжова
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН)
Priority to RU2006136431/28A priority Critical patent/RU2325729C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2325729C1 publication Critical patent/RU2325729C1/ru

Links

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

Изобретение относится к тепловым фотоприемникам для обнаружения монохроматического излучения дальнего инфракрасного (ИК) диапазона и определения угла прихода этого излучения. Разработка может найти применение в спектрометрических и астрономических приборах, в спецтехнике и в средствах связи. Металлический болометр содержит непрозрачную металлическую пленку на оптической теплоизолирующей подложке, размещенной в вакуумированном контейнере, имеющем прозрачное окно. На поверхность пленки нанесен диэлектрический слой определенной толщины. Обращенная к окну поверхность пленки имеет освещаемый детектируемым излучением гофрированный участок протяженностью, равной длине распространения возбуждаемой в пленке поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ). Период гофра рассчитывается по определенной формуле. Изобретение обеспечивает повышение селективности устройства (по частоте, углу прихода и поляризации излучения) и увеличение длинноволновой границы рабочего диапазона до 100 мкм. 1 ил.

Description

Изобретение относится к тепловым фотоприемникам для обнаружения монохроматического излучения дальнего инфракрасного (ИК) диапазона, называемого в последнее время терагерцовым (ТГц) (частота от 0,1 до 10 ТГц), и определения угла прихода этого излучения. Разработка может найти применение в спектрометрических и астрономических приборах, в спецтехнике, в средствах связи посредством ТГц излучения.
Известно, что для обнаружения ТГц излучения используют, главным образом, тепловые приемники (радиационные термопары и болометры) и фотонные приемники (вакуумные фотоэлементы и полупроводниковые фотосопротивления) [1]. При достаточно большой мощности излучения используют пироэлектрические приемники [2] или оптико-акустические элементы Голея [3]. Все эти разновидности приемников являются неселективными или слабо селективными по частоте, углу прихода и поляризации излучения. Кроме того, длинноволновая граница рабочей области известных неохлаждаемых болометров ограничена 50 мкм [4].
Создание лазерных источников (полупроводниковых, на свободных электронах, парах воды и метанола) ТГц излучения, исследования синхротронного и космического излучений, разработка ТГц средств связи и обработки информации, использование ТГц излучения в медицинских томографах [5] обусловило необходимость разработки неохлаждаемых металлических болометров с длинноволновой границей их рабочей области, достигающей нескольких десятых долей миллиметра, и обладающих высокой селективной способностью по частоте, углу падения и поляризации детектируемого излучения.
Известно, что «...при необходимости болометр можно сделать избирательным (по частоте) с помощью внешнего светофильтра или путем введения соответствующих селективных красителей в органическую пленку, наносимую на основной поглощающий слой золотой черни» [4]. Однако такой прием обеспечивает очень невысокую селективность болометра.
Известны селективные фотоприемники, функционирующие на основе барьера Шоттки. В этих фотоприемниках детектируемое монохроматическое излучение возбуждает p-поляризованную поверхностную электромагнитную волну (ПЭВ), что сопровождается увеличением напряженности поля излучения в полупроводнике и повышением квантовой эффективности приемника [6, 7]. При этом возбуждение ПЭВ происходит только при строго определенном угле падения, что конструктивно обеспечивается созданием гофра на границе раздела «металл-полупроводник». Основной недостаток таких фотоприемников - ограниченность их рабочей области видимым и ближним ИК-диапазонами.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому устройству является неохлаждаемый металлический болометр, состоящий из непрозрачной металлической пленки, нанесенной на теплоизолирующую оптическую подложку, размещенную в вакуумированном контейнере, снабженном прозрачным окном [4]. Свободная поверхность пленки покрыта слоем золотой или платиновой черни, обеспечивающей поглощение излучения. Основными недостатками известного устройства являются неселективность (по частоте, углу прихода и поляризации излучения) и наличие длинноволновой границы (50 мкм) рабочего диапазона.
Техническим результатом изобретения является повышение селективности устройства (по частоте, углу прихода и поляризации излучения) и увеличение длинноволновой границы рабочего диапазона до 100 мкм (0,1 мм).
Технический результат достигается тем, что в неохлаждаемом металлическом болометре, содержащем непрозрачную металлическую пленку на оптической теплоизолирующей подложке, размещенной в вакуумированном контейнере, имеющем прозрачное окно, на поверхность пленки нанесен диэлектрический слой толщиной do, определяемой по формуле:
Figure 00000002
где nl - показатель преломления материала слоя, а λ - длина волны излучения в вакууме, при этом обращенная к окну поверхность пленки имеет освещаемый детектируемым излучением гофрированный участок протяженностью, равной длине распространения возбуждаемой в пленке поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ), причем период Λ гофра рассчитывается по формуле:
Figure 00000003
где φ - угол падения излучения, nПЭВ - показатель преломления ПЭВ.
Нагревание чувствительного элемента болометра детектируемым излучением обеспечивается в результате тепловых потерь ПЭВ по мере ее распространения вдоль пленки. На этом эффекте основан известный болометрический метод регистрации возбуждения ПЭВ [8, 9].
Селективность болометра по поляризации детектируемого излучения следует из того факта, что на поверхности чувствительного металлического элемента болометра может существовать электромагнитная волна только р-поляризации, в которой вектор электрического поля имеет ненулевую перпендикулярную поверхности компоненту [10].
Селективность элемента по частоте и углу прихода детектируемого излучения объясняется резонансным характером фотонного возбуждения ПЭВ. Преобразование падающего (детектируемого) излучения в ПЭВ происходит при равенстве тангенциальной компоненты волнового вектора ПЭВ kx сумме тангенциальных компонент волновых векторов излучения ko и гофра kΛ. Это условие может быть записано в следующем виде [11]:
Figure 00000004
где Λ - период гофра, ko=2π/λ.
Смещение длинноволновой границы рабочего диапазона вплоть до 0,1 мм достигается вследствие увеличения теплового поглощения энергии поля ПЭВ в металлической пленке при нанесении на ее поверхность диэлектрического слоя толщиной d [12]. Нанесение слоя приводит к перераспределению поля ПЭВ из окружающей среды в пленку, при этом длина распространения ПЭВ в ТГц диапазоне уменьшается на пять порядков и составляет всего десятые доли миллиметра. Соответственно увеличиваются и тепловые потери ПЭВ.
На чертеже приведена схема заявляемого устройства, где цифрами обозначены: 1 - прозрачное окно; 2 - вакуумированный контейнер; 3 - непрозрачная металлическая пленка; 4 - теплоизолирующая оптическая подложка; 5 - диэлектрический слой толщиной do, 6 - окружающая среда (вакуум), 7 - электрические контакты.
Заявляемый болометр работает следующим образом. Детектируемое излучение с ненулевой р-составляющей проникает через окно 1 в контейнер 2, падает на гофрированный участок пленки 3, нанесенной на подложку 4, под углом φ, удовлетворяющим равенству (1), и возбуждает ПЭВ на границе раздела «пленка 3 - слой 5». Поле ПЭВ переносится по трем средам: пленке 3, слою 5 и вакууму 6. В результате тепловых потерь ПЭВ в металле пленка нагревается. Повышение температуры пленки приводит к увеличению ее электрического сопротивления, что регистрирует подключенное к контактам 7 измерительное устройство, например мостовая электрическая схема.
С целью уменьшения радиационных потерь поверхность пленки 3 за пределами окна выполнена плоской. Таким образом, вся энергия излучения, преобразованного в ПЭВ на гофрированном участке пленки, трансформируется в тепловую энергию, выделяемую в пленке.
В качестве примера применения заявляемого устройства рассмотрим возможность регистрации с его помощью р-поляризованного излучения с длиной волны λ=10 мкм, модулируемого с частотой 1000 Гц. В качестве материала металлической пленки выберем платину, имеющую следующие физические характеристики: плотность γ=21500 кг/м3, температурный коэффициент β=4·10-3 град-1, удельную теплоемкость С=136 Дж/(кг·град), удельное сопротивление ρ=10-7 Ом/м, комплексную диэлектрическую проницаемость ε=-5400+j·33000 (где j - мнимая единица). Длину платинового элемента положим равной 10 мм, ширину - 1 мм, толщину - 0,1 мкм. В качестве подложки элемента выберем нитроклетчатку [4], на поверхности которой сформирован гофр со следующими параметрами: период Λ=77 мкм, амплитуда (расстояние от оптической поверхности подложки до гребня гофра) δ=50 мкм, длина (расстояние вдоль плоскости падения излучения) 1,0 мм и ширина (расстояние перпендикулярно плоскости падения) не менее ширины элемента, т.е. не менее 1 мм. Плотность мощности детектируемого излучения положим равной 10-2 Вт/мм2, а эффективность преобразования излучения в ПЭВ - 50% [15]. Для обеспечения максимального поглощения энергии поля ПЭВ на поверхность платинового элемента нанесен слой германия толщиной do=7,0 мкм с показателем преломления nl=4,0.
В этом случае излучение преобразуется в ПЭВ с максимальной эффективностью (50%) при угле падения φ=30°14'. При этом длина распространения ПЭВ L (расстояние, на котором энергия поля ПЭВ уменьшается в е=2,718 раз) составляет всего 1 мм, что соответствует коэффициенту затухания ПЭВ α=1/L, равному 103 м-1.
Тогда, согласно работе [9], изменение электрического сопротивления ΔR платинового элемента при падении на него одного импульса излучения продолжительностью Δt=10-3 c составит величину, равную 0,04 Ом. Такая величина ΔR может быть уверенно зарегистрирована с помощью измерительного моста Уитстона на фоне общего сопротивления чувствительного элемента (при комнатной температуре), равного примерно 10 Ом.
Таким образом, заявляемое устройство: 1) позволяет регистрировать при комнатной температуре ТГц излучение с длинноволновой границей до 110 мкм; 2) обеспечивает селективность приема по поляризации, углу падения и длине волны излучения.
Источники информации
1. Смит Р., Джонс Ф., Чесмер Р. Обнаружение и измерение инфракрасного излучения. // М.: Иностранная литература, 1959. - Гл.3-4. - с.63-171.
2. Лайнс М., Гласе А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. // М.: Мир, 1981. - С.622-623.
3. Панкратов Н.А. Неселективный оптико-акустический приемник с оптическим микрофоном. // Оптико-механическая промышленность. - 1960. - №1. - с.37-48.
4. Шоль Ж., Марфан И., Мюнш М., Торель П., Комбет П. Приемники инфракрасного излучения. // М.: Мир, 1969. - с.154-186. (прототип)
5. Siegel P.H. Terahertz technology // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. - 2002. - v.50. - No.3. - p.910-955.
6. Glass A.M., Johnson A.M., Liao P.F.-H. Photodetector // Patent GB 2131229 А (МКИ4 H01L 31/02). - 1984.
7. Беляков Л.В., Сресели О.М. Поверхностные электромагнитные волны и фотоприемники. // Физика и техника полупроводников. - 1991. - т.25. - Вып.8. - с.1282-1296.
8. Yuan-Lin X., Hua Li, Yue-Liang Z. et al. Bolometric observation of nonradia-tive decay of surface-plasmons in silver. // Applied Physics (A). - 1989. - v.48. - No.5. - p.497-500.
9. Большаков М.М., Никитин А.К., Тищенко А.А., Самодуров Ю.И. Устройство для определения коэффициента поглощения ПЭВ металлическими пленками. // Автор, св. СССР №1684634 от 15.06.1991 г.
10. Жижин Г.Н., Москалева М.А., Шомина Е.В., Яковлев В.А. Распространение ПЭВ по металлическим поверхностям. // Гл.3. (с.70-104) в книге "Поверхностные поляритоны. Электромагнитные волны на поверхностях и границах раздела сред" под ред. В.М.Аграновича и Д.Л.Миллса. - М.: Наука, 1985. - 525 с.
11. Никитин А.К., Тищенко А.А. Поверхностные электромагнитные волны и их применения. // Зарубежная радиоэлектроника. - 1983. - №3. - с.38-56.
12. Жижин Г.Н., Никитин А.К., Богомолов Г.Д., Завьялов В.В., Джонг Юнг Ук, Ли Банг Чол, Сеонг Хи Пак, Хек Джин Ча. Поглощение поверхностных плазмонов терагерцового диапазона в структуре "металл-покровный слой-воздух". // Оптика и спектроскопия, 2006, Т.100, №5, с.798-802.
13. Seymour R.J., Krupczak J.J., Stegeman G.I. High efficiency coupling to the overcoated surface plasmon mode in the far infrared. // Applied Physics Letters, 1984, v.44, No.4, p.373-375.

Claims (1)

  1. Неохлаждаемый металлический болометр, содержащий непрозрачную металлическую пленку на оптической теплоизолирующей подложке, размещенной в вакуумированном контейнере, имеющем прозрачное окно, отличающийся тем, что на поверхность пленки нанесен диэлектрический слой толщиной do, определяемой по формуле
    где nl - показатель преломления материала слоя, а λ - длина волны излучения в вакууме, при этом обращенная к окну поверхность пленки имеет освещаемый детектируемым излучением гофрированный участок протяженностью, равной длине распространения возбуждаемой в пленке поверхностной электромагнитной волны (ПЭВ), причем период Λ гофра рассчитывается по формуле
    Figure 00000006
    где φ - угол падения излучения, nПЭВ - показатель преломления ПЭВ.
RU2006136431/28A 2006-10-17 2006-10-17 Неохлаждаемый металлический болометр RU2325729C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006136431/28A RU2325729C1 (ru) 2006-10-17 2006-10-17 Неохлаждаемый металлический болометр

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006136431/28A RU2325729C1 (ru) 2006-10-17 2006-10-17 Неохлаждаемый металлический болометр

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2325729C1 true RU2325729C1 (ru) 2008-05-27

Family

ID=39586710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006136431/28A RU2325729C1 (ru) 2006-10-17 2006-10-17 Неохлаждаемый металлический болометр

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2325729C1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2462790C1 (ru) * 2010-03-02 2012-09-27 Кэнон Кабусики Кайся Оптический элемент, оптическое устройство и терагерцевое спектроскопическое устройство с разрешением по времени, включающее в себя это устройство
RU2532650C2 (ru) * 2008-06-06 2014-11-10 Роберт Бош Гмбх Многоспектральный датчик
RU2681224C1 (ru) * 2017-12-27 2019-03-05 Общество с ограниченной ответственностью "ГрафИмпресс" Оптимизированный термопарный сенсор
RU2737678C1 (ru) * 2020-02-25 2020-12-02 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) Устройство контроля электромагнитных излучений терагерцевого диапазона

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Шоль Ж. и др. Приемники инфракрасного излучения. - М.: Мир, 1969, с.154-186. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2532650C2 (ru) * 2008-06-06 2014-11-10 Роберт Бош Гмбх Многоспектральный датчик
RU2462790C1 (ru) * 2010-03-02 2012-09-27 Кэнон Кабусики Кайся Оптический элемент, оптическое устройство и терагерцевое спектроскопическое устройство с разрешением по времени, включающее в себя это устройство
RU2681224C1 (ru) * 2017-12-27 2019-03-05 Общество с ограниченной ответственностью "ГрафИмпресс" Оптимизированный термопарный сенсор
RU2737678C1 (ru) * 2020-02-25 2020-12-02 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) Устройство контроля электромагнитных излучений терагерцевого диапазона

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Panda et al. Investigation of defect based 1D photonic crystal structure for real-time detection of waterborne bacteria
JP5374297B2 (ja) 赤外線式ガス検知器および赤外線式ガス計測装置
CN103035981B (zh) 一种超薄金属膜太赫兹吸收层及其制备方法
JP6095856B2 (ja) 電磁波検出器、及びガス分析装置
RU2325729C1 (ru) Неохлаждаемый металлический болометр
CN102998725B (zh) 用于吸收太赫兹辐射的粗糙黑化金属薄膜及其制备方法
JP5283825B2 (ja) 熱型赤外線検出器
Chen et al. Ultrafast silicon nanomembrane microbolometer for long-wavelength infrared light detection
US20130120743A1 (en) Integrated Surface Plasmon Resonance Sensor
JP6269008B2 (ja) 電磁波−表面ポラリトン変換素子。
Lamsal et al. Simulation of spectral emissivity of vanadium oxides (VO x)-based microbolometer structures
Nan et al. In situ photoelectric biosensing based on ultranarrowband near-infrared plasmonic hot electron photodetection
Varpula et al. High-performance infrared thermoelectric bolometers based on nanomembranes
JP2003304005A (ja) 熱型赤外線検出素子及び受光素子
Harrick et al. A thin film optical cavity to induce absorption or thermal emission
Zhou et al. Broadband infrared thermal detection using manganese cobalt nickel oxide thin film
Su et al. A high sensitivity THz detector
Ashraf et al. Integration of an interferometric IR absorber into an epoxy membrane based CO2 detector
US20180238739A1 (en) Optical detector based on an antireflective structured dielectric surface and a metal absorber
El-Kady et al. Tunable narrow-band infrared emitters from hexagonal lattices
Wang et al. Vanadium Oxide thermal sensitive thin film with TiN absorbing layer for uncooled infrared bolometer
Suzuki et al. Application of high refractive index and/or chromogenic layers to control solar and thermal radiations
JP2011123023A (ja) 光センサ
KR100339395B1 (ko) 적층형 볼로메터 센서 및 제조 방법
KR102376711B1 (ko) 이중 공진구조를 포함하는 마이크로 볼로미터

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20111018