RU2308119C1 - Способ изготовления мдп ис - Google Patents
Способ изготовления мдп ис Download PDFInfo
- Publication number
- RU2308119C1 RU2308119C1 RU2006109587/28A RU2006109587A RU2308119C1 RU 2308119 C1 RU2308119 C1 RU 2308119C1 RU 2006109587/28 A RU2006109587/28 A RU 2006109587/28A RU 2006109587 A RU2006109587 A RU 2006109587A RU 2308119 C1 RU2308119 C1 RU 2308119C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resist
- conductivity
- layer
- silicon oxide
- type
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Изобретение относится к интегральной микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления МДП ИС включает создание на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины (ПП) областей кармана, образование подзатворного диэлектрика, формирование электродов полевых затворов, формирование маски и легирование стоков, истоков и охранных областей одного типа проводимости с низкой концентрацией примеси, формирование маски и легирование областей стоков, истоков и охранных областей другого типа проводимости с низкой концентрацией примеси, осаждение слоя оксида кремния, формирование в нем разделительных зон между областями стоков, истоков и охранных зон, формирование маски и легирование областей стоков, истоков и охранных областей одного типа проводимости с высокой концентрацией примеси, формирование маски и легирование областей стоков, истоков и охранных областей другого типа проводимости с высокой концентрацией примеси, осаждение слоя оксида кремния и его химико-механическую полировку до вскрытия поверхности затворов, вскрытие в упомянутом слое оксида кремния контактных окон к диффузионным областям, нанесение металла и формирование разводки. Технический результат изобретения заключается в повышении процента выхода годных ИС за счет повышения воспроизводимости электрических параметров и характеристик пассивных и активных элементов взаимодополняющих ИС и повышении быстродействия за счет уменьшения величин проходных емкостей МДП транзисторов, при стабилизации величины поверхностной концентрации примеси в областях стоков, истоков и охранных зонах. 12 ил.
Description
Использование: в интегральной микроэлектронике, при разработке и производстве одноканальных и взаимодополняющих МДП ИС цифрового и аналогового применения.
Известен способ изготовления взаимодополняющих ИС [US, патент №4918510, Кл. Н01L 27/02, 1990], содержащий следующую последовательность технологических операций: окисление полупроводниковой пластины, нанесение слоя нитрида кремния, вскрытие с помощью литографии окон в слое нитрида кремния и подлежащем под ним слое окисла в областях охранных зон за пределами активных областей МДП транзисторов, проведение легирования вскрытых областей охранных зон примесью того же типа проводимости, что и тип проводимости подложки, удаление резиста, локальное окисление областей охранных зон свободных от слоя нитрида кремния, удаление нитрида кремния с активных областей МДП транзисторов, выращивание подзатворного диэлектрика, нанесение поликристаллического кремния и формирование в нем с помощью литографии затворов, удаление резиста, формирование окон для областей стоков и истоков, проведение ионного легирования для создания областей второго типа проводимости, удаление резиста, нанесение из внешнего источника слоя оксида кремния, вскрытие в нем с помощью литографии контактных окон к диффузионным областям удаление резиста, нанесение слоя металла и создание в нем с помощью литографии разводки.
Недостатком этого способа изготовления взаимодополняющих ИС является снижение процента выхода годных из-за наличия рельефа изолирующего диэлектрика и появление сбоев при работе ИС в условиях сильных внешних воздействий.
Наиболее близким техническим решением, принятым за прототип, является способ изготовления взаимодополняющих ИС [RU, патент №2099817, МПК 6 Н01L 21/8238, 29.06.95 г. Способ изготовления МДП ИС], включающий создание на поверхности полупроводниковой пластины первого типа проводимости областей кармана второго типа проводимости, проведение подзатворного окисления, осаждение слоя затворного поликристаллического кремния, формирование в поликристаллическом кремнии затворов МДП транзисторов, нанесение резиста и формирование в нем с помощью литографии маски для легирования областей стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, проведение легирования примесью одного типа проводимости этих областей, удаление резистивной маски, нанесение резиста и формирование в нем с помощью литографии маски для легирования областей стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, проведение легирования примесью другого типа проводимости этих областей, удаление резистивной маски, локальное окисление на толщину, равную толщине затворного поликристаллического кремния, формирование с помощью литографии в слое оксида кремния контактных окон к диффузионным областям, нанесение металла и формирование в нем с помощью литографии разводки.
Недостатком этого способа изготовления взаимодополняющих ИС являются:
1. Высокие величины разброса значений электрических характеристик, связанных с:
1.1. Изменением геометрических размеров по длине канала из-за прокисления поликристаллического кремния затворных областей по торцевой поверхности.
1.2. Изменением поверхностной концентрации примеси в областях стоков, истоков и охранных зонах из-за окислительных процессов после легирования областей стоков, истоков и охранных зон одного и другого типа проводимости.
2. Большая глубина залегания P-N переходов областей стоков и истоков, что приводит к увеличенным значениям проходных емкостей затвор - сток и, в результате, к уменьшению быстродействия.
3. Влияние горячих носителей на характеристики приборов при уменьшении геометрических размеров приборов.
Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является достижение технического результата, заключающегося в повышении процента выхода годных ИС за счет повышения воспроизводимости электрических параметров и характеристик элементов взаимодополняющих ИС, повышении быстродействия за счет уменьшения величин проходных емкостей МДП транзисторов при стабилизации величины поверхностной концентрации примеси в областях стоков, истоков и охранных зонах и уменьшении влияния горячих носителей на характеристики приборов за счет применения диффузионных областей стоков и истоков с пониженной концентрацией примеси под затвором.
Поставленная задача решается за счет того, что в известном способе изготовления МДП ИС, включающем:
создание при помощи окисления слоя оксида кремния на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины первого типа проводимости, нанесение на полученный слой оксида кремния резиста, вскрытие с помощью литографии в упомянутом слое оксида кремния окон, проведение через вскрытые окна в слое вышеупомянутого оксида кремния, с помощью процесса ионного внедрения легирования через вскрытые окна в кремниевой полупроводниковой пластине первого типа проводимости легирующей примесью второго типа проводимости, удаление резиста, термообработку с активизацией, разгонкой и образованием областей кармана, легированных внедренной примесью второго типа проводимости и расположенных в кремниевой полупроводниковой пластине первого типа проводимости, удаление слоя оксида кремния, окисление поверхности кремниевой полупроводниковой пластины до образования подзатворного диэлектрика, осаждение слоя поликристаллического кремния, нанесение резиста и формирование с помощью литографии в слое поликристаллического кремния электродов полевых затворов, удаление резиста, нанесение резиста и формирование в нем с помощью литографии маски областей стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, легирование в кремниевой полупроводниковой пластине с помощью ионного внедрения областей стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости через полученную маску, удаление резиста, нанесение резиста и формирование в нем с помощью литографии маски областей стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, легирование в кремниевой полупроводниковой пластине с помощью ионного внедрения областей стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости через полученную маску, удаление резиста, нанесение резиста на упомянутый слой оксида кремния, вскрытие с помощью литографии контактных окон к диффузионным областям в оксиде кремния, удаление резиста, нанесение слоя металла, нанесение резиста и формирование с помощью литографии в слое металла разводки, удаление резиста, причем после формирования с помощью литографии в слое поликристаллического кремния электродов полевых затворов, и удаления резиста и нанесения резиста, формируют в нем с помощью литографии маску областей стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, через полученную маску легируют в полупроводниковой пластине с помощью ионного внедрения области стоков, истоков одного типа проводимости с низкой концентрацией примеси, удаляют резист, наносят резист и формируют в нем с помощью литографии маску областей стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, через полученную маску легируют в полупроводниковой пластине с помощью ионного внедрения области стоков, истоков другого типа проводимости с низкой концентрацией примеси, удаляют резист, осаждают слой оксида кремния, производят отжиг и уплотнение осажденного слоя оксида кремния, наносят резист и формируют с помощью литографии в слое осажденного оксида кремния разделительные зоны между областями стоков - истоков и охран, удаляют резист, наносят резист и формируют в нем с помощью литографии маску областей стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, через полученную маску, составленную из резиста и осажденного, но не удаленного слоя оксида кремния при формировании разделительной зоны, легируют с помощью ионного внедрения в полупроводниковой пластине области стоков, истоков и охранных зон с высокой концентрацией примеси одного типа проводимости, удаляют резист, наносят резист и формируют в нем с помощью литографии маску областей стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, через полученную маску, составленную из резиста и осажденного, но не удаленного слоя оксида кремния при формировании разделительной зоны, легируют с помощью ионного внедрения в полупроводниковой пластине области стоков, истоков и охранных зон с высокой концентрацией примеси другого типа проводимости, удаляют резист, осаждают слой оксида кремния большей толщины упомянутого выше слоя поликристаллического кремния, производят отжиг с уплотнением осажденного оксида кремния, активацией примеси лигатуры в областях стоков, истоков и охранных зонах обоих (одного и другого) типов проводимости в кремниевой полупроводниковой пластине, производят процесс химико-механической полировки осажденного оксида кремния до вскрытия поверхности затворов из поликристаллического кремния, наносят на упомянутый частично сошлифованный химико-механической полировкой до поликристаллического кремния осажденный слой оксида кремния, наносят резист, вскрывают с помощью литографии в упомянутом шлифованном химико-механической полировкой слое оксида кремния контактные окна к диффузионным областям, удаляют резист, наносят слой металла, наносят резист и формируют с помощью литографии в слое металла разводку, удаляют резист.
Вследствие замены процесса прямого окисления поверхности кремния процессами осаждения оксида кремния при пониженных температурах с последующими процессами химико-механической полировки и отжига оксида кремния тоже при пониженной температуре устраняются указанные выше недостатки, поскольку в результате предложенного способа изготовления взаимодополняющих МДП ИС:
1. Области стоков, истоков и охранных зон как одного, так и другого типов проводимости легируются примесью максимально высокой концентрации, а в процессе термических отжигов не происходит сегрегации примеси из-за окислительных процессов.
2. Геометрические размеры и электрические характеристики транзисторов не зависят от разброса технологических параметров процессов формирования областей затвора, стока, истока и охранных областей.
3. Глубина залегания стоков и истоков минимизируется, что позволяет получить минимальное значение проходных емкостей затвор - сток.
4. Влияние горячих носителей на характеристики приборов уменьшается, за счет применения диффузионных областей стоков и истоков с пониженной концентрацией примеси под затвором.
Изобретение поясняется чертежами.
На фиг.1-11 схематически представлены разрезы структуры взаимодополняющих МДП ИС, получаемые после основных операций изготовления в соответствии с предложенным способом изготовления.
На фиг.1 схематически показан разрез полупроводниковой структуры взаимодополняющих МДП ИС после формирования на поверхности полупроводниковой пластины первого типа проводимости областей кармана второго типа проводимости, где: 1 - кремниевая полупроводниковая пластина первого типа проводимости, 2 - карман в виде области полупроводника второго типа проводимости, 3 - слой оксида кремния, 4 - слой резиста.
На фиг.2 схематически показан разрез полупроводниковой структуры взаимодополняющих МДП ИС после формирования на поверхности полупроводниковой пластины, в слое поликристаллического кремния и расположенного под ним слоя подзатворного диэлектрика, разводки и электродов полевых затворов, где: 1 - кремниевая полупроводниковая пластина первого типа проводимости, 2 - карман в виде области полупроводника второго типа проводимости, 4 - слой резиста, 5 - слой поликристаллического кремния электродов полевых затворов, 6 - слой подзатворного диэлектрика.
На фиг.3 схематически показан разрез полупроводниковой структуры взаимодополняющих МДП ИС после формирования на поверхности полупроводниковой пластины электродов полевых затворов и проведения легирования в полупроводниковой пластине с помощью ионного внедрения областей стоков и истоков одного типа проводимости с низкой концентрацией примеси, где: 1 - кремниевая полупроводниковая пластина первого типа проводимости, 2 - карман в виде области полупроводника второго типа проводимости, 4 - слой резиста, 5 - слой поликристаллического кремния электродов полевых затворов, 6 - слой подзатворного диэлектрика, 7 - диффузионные области стоков и истоков одного типа проводимости с низкой концентрацией примеси.
На фиг.4 схематически показан разрез полупроводниковой структуры взаимодополняющих МДП ИС после проведения легирования в полупроводниковой пластине с помощью ионного внедрения областей стоков и истоков другого типа проводимости, с низкой концентрацией примеси, где: 1 - кремниевая полупроводниковая пластина первого типа проводимости, 2 - карман в виде области полупроводника второго типа проводимости, 4 - слой резиста, 5 - слой поликристаллического кремния электродов полевых затворов, 6 - слой подзатворного диэлектрика, 7 - диффузионные области стоков и истоков одного типа проводимости, с низкой концентрацией примеси, 8 - диффузионные области стоков и истоков другого типа проводимости, с низкой концентрацией примеси.
На фиг.5 схематически показан разрез полупроводниковой структуры взаимодополняющих МДП ИС после осаждения слоя оксида кремния и формирования в осажденном слое оксида кремния разделительных зон между областями стоков, истоков и областями охраны с одновременным образованием из оксида кремния "пристенка" на боковой поверхности электродов полевых затворов, где: 1 - кремниевая полупроводниковая пластина первого типа проводимости, 2 - карман в виде области полупроводника второго типа проводимости, 4 - слой резиста, 5 - слой поликристаллического кремния электродов полевых затворов, 6 - слой подзатворного диэлектрика, 7 - диффузионные области стоков и истоков одного типа проводимости, с низкой концентрацией примеси, 8 - диффузионные области стоков и истоков другого типа проводимости, с низкой концентрацией примеси, 9 - разделительные зоны между областями стоков, истоков и областями охраны, 9а - "пристенок" на боковой поверхности электродов полевых затворов.
На фиг.5а показан вид на полупроводниковую структуру в плане, образованную после технологических операций, изображенных на фиг.5, где сформированы в нем разделительными зонами между областями стоков - истоков и областями охраны с одновременным образованием из оксида кремния "пристенка" на боковой поверхности электродов полевых затворов.
На фиг.6 показана полупроводниковая структура после формирования на поверхности полупроводниковой структуры областей стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, с высокой концентрацией примеси, где: 1 - кремниевая полупроводниковая пластина первого типа проводимости, 2 - карман в виде области полупроводника второго типа проводимости, 4 - слой резиста, 5 - слой поликристаллического кремния электродов полевых затворов, 6 - слой подзатворного диэлектрика, 7 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, с низкой концентрацией примеси, 8 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, с низкой концентрацией примеси, 9 - слой оксида кремния для создания разделительной зоны между областями стоков, истоков и охраны, 9а - пристеночный диэлектрик на боковых поверхностях электродов полевых затворов, 10 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, с высокой концентрацией примеси.
На фиг.7 показана полупроводниковая структура после формирования на поверхности полупроводниковой структуры областей стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости и проведения легирования примесью другого типа проводимости, с высокой концентрацией примеси, где: 1 - кремниевая полупроводниковая пластина первого типа проводимости, 2 - карман в виде области полупроводника второго типа проводимости, 4 - слой резиста, 5 - слой поликристаллического кремния электродов полевых затворов, 6 - слой подзатворного диэлектрика, 7 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, с низкой концентрацией примеси, 8 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, с низкой концентрацией примеси, 9 - слой оксида кремния для создания разделительной зоны между областями стоков, истоков и охраны, 9а - пристеночный диэлектрик на боковых поверхностях электродов полевых затворов, 10 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, с высокой концентрацией примеси, 11 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, с высокой концентрацией примеси.
На фиг.8 показана полупроводниковая структура после осаждения слоя оксида кремния (изолирующего диэлектрика), где: 1 - кремниевая полупроводниковая пластина первого типа проводимости, 2 - карман в виде области полупроводника второго типа проводимости, 4 - слой резиста, 5 - слой поликристаллического кремния электродов полевых затворов, 6 - слой подзатворного диэлектрика, 7 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, с низкой концентрацией примеси, 8 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, с низкой концентрацией примеси, 9 - слой оксида кремния для создания разделительной зоны между областями стоков, истоков и охраны, 9а - пристеночный диэлектрик на боковых поверхностях электродов полевых затворов, 10 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, с высокой концентрацией примеси, 11 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, с высокой концентрацией примеси, 12 - слой оксида кремния (изолирующего диэлектрика).
На фиг.9 показана полупроводниковая структура после осаждения слоя оксида кремния и проведения процесса химико-механической полировки слоя оксида кремния (изолирующего диэлектрика), где: 1 - кремниевая полупроводниковая пластина первого типа проводимости, 2 - карман в виде области полупроводника второго типа проводимости, 4 - слой резиста, 5 - слой поликристаллического кремния электродов полевых затворов, 6 - слой подзатворного диэлектрика, 7 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, с низкой концентрацией примеси, 8 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, с низкой концентрацией примеси, 9 - слой оксида кремния для создания разделительной зоны между областями стоков, истоков и охраны, 9а - пристеночный диэлектрик на боковых поверхностях электродов полевых затворов, 10 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, с высокой концентрацией примеси, 11 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, с высокой концентрацией примеси, 12 - слой оксида кремния (изолирующего диэлектрика).
На фиг.10 показана полупроводниковая структура после проведения процесса химико-механической полировки слоя оксида кремния и вскрытия контактных окон, где: 1 - кремниевая полупроводниковая пластина первого типа проводимости, 2 - карман в виде области полупроводника второго типа проводимости, 4 - слой резиста, 5 - слой поликристаллического кремния электродов полевых затворов, 6 - слой подзатворного диэлектрика (слой оксида кремния), 10 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, с высокой концентрацией примеси, 11 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, с высокой концентрацией примеси, 12 - слой оксида кремния (изолирующего диэлектрика), 13 - контактные окна.
На фиг.11 показана полупроводниковая структура после проведения процесса нанесения металла и формирования в нем разводки, где: 1 - кремниевая полупроводниковая пластина первого типа проводимости, 2 - карман в виде области полупроводника второго типа проводимости, 4 - слой резиста, 5 - слой поликристаллического кремния электродов полевых затворов, 6 - слой подзатворного диэлектрика (слой оксида кремния), 10 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, с высокой концентрацией примеси, 11 - диффузионные области стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, с высокой концентрацией примеси, 12 - слой оксида кремния (изолирующего диэлектрика), 13 - контактные окна, 14 - слой разводки металла.
Пример изготовления взаимодополняющих ИС.
На пластине кремния 1 (фиг.1) электронного типа проводимости с ориентацией (100) и сопротивлением 4,5 Ом×см проводят окисление в водяном паре для получения оксида кремния толщиной 200 нм. Проводят первую литографию и через маску резиста 4 проводят ионное легирование Р-кармана 2 ионами бора с энергией 100 кэВ и дозой 2-4 мкКл, удаляют резист 4, проводят разгонку примеси в подложке в атмосфере смеси сухого кислорода и азота при температуре Т=1150°С в течение 6 часов до получения глубины залегания р-n перехода кармана 5 мкм с поверхностной концентрацией примеси (1÷5)×1016 см-3. После этого удаляют окись кремния 3, проводят окисление поверхности кремния в атмосфере паров Н2O при Т=850°С до получения толщины подзатворного окисла 6, равной 20 нм, и осаждают слой поликристаллического кремния толщиной, равной 0.5 мкм.
С помощью маски резиста 4 формируют затворы транзисторов 5 (фиг.2) и после удаления резиста 4 с помощью маски резиста 4 формируют окна для областей стоков, истоков N--типа, с помощью проведения ионного легирования фосфором этих областей 7 дозой 3÷6 мкКл и энергией 40 кэВ (фиг.3) таким образом, что граница резистивной маски проходит примерно посередине защитного окисла (который будет сформирован позже, как разделительные зоны 9), удаляют резист и проводят осаждение оксида кремния толщиной, равной 0.6 мкм.
С помощью маски резиста 4 формируют окна для областей стоков, истоков Р--типа, с помощью проведения ионного легирования бором этих областей 8 дозой 3-6 мкКл и энергией 10÷30 кэВ (фиг.4) таким образом, что граница резистивной маски проходит примерно посередине защитного окисла (который будет сформирован позже, как разделительные зоны 9), удаляют резист и проводят осаждение оксида кремния толщиной, равной 0.6 мкм.
С помощью маски резиста 4 формируют в нем разделительные зоны (кольца оксида кремния) между областями стоков и охраны (фиг.5 и фиг.5а), при этом реактивное ионное травление оксида кремния проводят на толщину осажденного оксида кремния, равную 0.6 мкм. Это позволяет сформировать пристеночный слой оксида кремния на боковых поверхностях электродов полевых затворов (пристеночный диэлектрик), после чего удаляют резист 4.
С помощью маски резиста 4 формируют окна областей стоков, истоков и охранных зон N+-типа 10 таким образом, что граница резистивной маски проходит посередине разделительных зон (кольца оксида кремния), и проводят легирование фосфором этих областей 10 дозой 300-600 мкКл и энергией 40 кэВ (фиг.6), проводят удаление резиста, нанесение следующего слоя резиста 4, в котором с помощью литографии формируют области стоков, истоков и охранных зон Р+-типа проводимости таким образом, что граница резистивной маски проходит посередине защитного окисла, выращенного в окне разделительной области 9, проводят легирование бором этих областей 15 дозой 300-600 мкКл и энергией ионов 30-40 кэВ (фиг.7), проводят удаление резиста, осаждают слой оксида кремния толщиной 0.55 мкм 12 (фиг.8), проводят отжиг окисла при температуре Т=750-950°С в атмосфере смеси сухого кислорода и азота, после чего проводят химико-механическую полировку до того момента, пока не удалится слой оксида кремния над затвором из поликристаллического кремния 5 (фиг.9). Последующая литография позволяет вскрыть контактные окна 13 в слое оксида 12 (фиг.10), и после напыления слоя алюминия и формирования разводки 14 (фиг.11) процесс завершен.
Claims (1)
- Способ изготовления МДП ИС, включающий создание при помощи окисления слоя оксида кремния на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины первого типа проводимости, нанесение на полученный слой оксида кремния резиста, вскрытие с помощью литографии в упомянутом слое оксида кремния окон, проведение через вскрытые окна в слое вышеупомянутого оксида кремния с помощью процесса ионного внедрения, легирования через вскрытые окна кремниевой полупроводниковой пластины первого типа проводимости легирующей примесью второго типа проводимости, удаление резиста, термообработку с активизацией, разгонкой и образованием областей кармана, легированных внедренной примесью второго типа проводимости и расположенных в кремниевой полупроводниковой пластине первого типа проводимости, удаление слоя оксида кремния, окисление поверхности кремниевой полупроводниковой пластины до образования подзатворного диэлектрика, осаждение слоя поликристаллического кремния, нанесение резиста и формирование с помощью литографии в слое поликристаллического кремния электродов полевых затворов, удаление резиста, нанесение резиста и формирование в нем с помощью литографии маски областей стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, легирование в кремниевой полупроводниковой пластине с помощью ионного внедрения областей стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости через полученную маску, удаление резиста, нанесение резиста и формирование в нем с помощью литографии маски областей стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, легирование в кремниевой полупроводниковой пластине с помощью ионного внедрения областей стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости через полученную маску, удаление резиста, нанесение резиста на упомянутый слой оксида кремния, вскрытие с помощью литографии контактных окон к диффузионным областям в оксиде кремния, удаление резиста, нанесение слоя металла, нанесение резиста и формирование с помощью литографии в слое металла разводки, удаление резиста, отличающийся тем, что после формования с помощью литографии в слое поликристаллического кремния электродов полевых затворов, и удаления резиста и нанесения резиста, формируют в нем с помощью литографии маску областей стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, через полученную маску легируют в полупроводниковой пластине с помощью ионного внедрения области стоков, истоков одного типа проводимости с низкой концентрацией примеси, удаляют резист, наносят резист и формируют в нем с помощью литографии маску областей стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, через полученную маску легируют в полупроводниковой пластине с помощью ионного внедрения области стоков, истоков другого типа проводимости с низкой концентрацией примеси, удаляют резист, осаждают слой оксида кремния, производят отжиг и уплотнение осажденного слоя оксида кремния, наносят резист и формируют с помощью литографии в слое осажденного оксида кремния разделительные зоны между областями стоков-истоков и охранных зон, удаляют резист, наносят резист и формируют в нем с помощью литографии маску областей стоков, истоков и охранных зон одного типа проводимости, через полученную маску, составленную из резиста и осажденного, но не удаленного слоя оксида кремния при формировании разделительной зоны, легируют с помощью ионного внедрения в полупроводниковой пластине области стоков, истоков и охранных зон с высокой концентрацией примеси одного типа проводимости, удаляют резист, наносят резист и формируют в нем с помощью литографии маску областей стоков, истоков и охранных зон другого типа проводимости, через полученную маску, составленную из резиста и осажденного, но не удаленного слоя оксида кремния при формировании разделительной зоны, легируют с помощью ионного внедрения в полупроводниковой пластине области стоков, истоков и охранных зон с высокой концентрацией примеси другого типа проводимости, удаляют резист, осаждают слой оксида кремния большей толщины, упомянутого выше слоя поликристаллического кремния, производят отжиг с уплотнением осажденного оксида кремния, активацией примеси лигатуры в областях стоков, истоков и охранных зонах обоих (одного и другого) типов проводимости в кремниевой полупроводниковой пластине, производят процесс химико-механической полировки осажденного оксида кремния до вскрытия поверхности затворов из поликристаллического кремния, наносят на упомянутый частично сошлифованный химико-механической полировкой до поликристаллического кремния осажденный слой оксида кремния, наносят резист, вскрывают с помощью литографии в упомянутом шлифованном химико-механической полировкой слое оксида кремния контактные окна к диффузионным областям, удаляют резист, наносят слой металла, наносят резист и формируют с помощью литографии в слое металла разводку, удаляют резист.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006109587/28A RU2308119C1 (ru) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | Способ изготовления мдп ис |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006109587/28A RU2308119C1 (ru) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | Способ изготовления мдп ис |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2308119C1 true RU2308119C1 (ru) | 2007-10-10 |
Family
ID=38953046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006109587/28A RU2308119C1 (ru) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | Способ изготовления мдп ис |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2308119C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2633799C1 (ru) * | 2016-06-07 | 2017-10-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет") | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2671294C1 (ru) * | 2017-11-28 | 2018-10-30 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления полупроводникового прибора |
-
2006
- 2006-03-28 RU RU2006109587/28A patent/RU2308119C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2633799C1 (ru) * | 2016-06-07 | 2017-10-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет") | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2671294C1 (ru) * | 2017-11-28 | 2018-10-30 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4391650A (en) | Method for fabricating improved complementary metal oxide semiconductor devices | |
| JP2510751B2 (ja) | 単一集積回路チップ上に高電圧及び低電圧ｃｍｏｓトランジスタを形成するためのプロセス | |
| JPS58148445A (ja) | 相補形電界効果型トランジスタの製造方法 | |
| JPS61503064A (ja) | リンにてゲッタリングされる半導体集積回路 | |
| JPS58202562A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3181695B2 (ja) | Ｓｏｉ基板を用いた半導体装置の製造方法 | |
| US4517731A (en) | Double polysilicon process for fabricating CMOS integrated circuits | |
| US8063439B2 (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof | |
| US4470191A (en) | Process for making complementary transistors by sequential implantations using oxidation barrier masking layer | |
| RU2308119C1 (ru) | Способ изготовления мдп ис | |
| US3550256A (en) | Control of surface inversion of p- and n-type silicon using dense dielectrics | |
| JPH0361338B2 (ru) | ||
| US5780347A (en) | Method of forming polysilicon local interconnects | |
| JPS6360549B2 (ru) | ||
| JPH05283687A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| RU2434312C1 (ru) | Способ изготовления радиационно-стойкой бис | |
| RU2105382C1 (ru) | Способ изготовления мдп ис | |
| RU2099817C1 (ru) | Способ изготовления мдп ис | |
| RU1340481C (ru) | Способ изготовлени БИС на МДП-транзисторах с поликремниевыми затворами | |
| RU1322929C (ru) | Способ изготовлени МДП-транзисторов интегральных микросхем | |
| JPH0712085B2 (ja) | 絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法 | |
| SU1023969A1 (ru) | Способ изготовлени взаимодополн ющих МДП-приборов | |
| RU2056673C1 (ru) | Способ формирования кмоп-структур с поликремниевым затвором | |
| KR100280799B1 (ko) | 반도체 소자의 접합층 형성 방법 | |
| RU2141148C1 (ru) | Способ изготовления бикмоп прибора |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130329 |