RU2295845C2 - Способ производства полупроводниковых систем на основе фольгированного полиимида - Google Patents

Способ производства полупроводниковых систем на основе фольгированного полиимида Download PDF

Info

Publication number
RU2295845C2
RU2295845C2 RU2004107762/09A RU2004107762A RU2295845C2 RU 2295845 C2 RU2295845 C2 RU 2295845C2 RU 2004107762/09 A RU2004107762/09 A RU 2004107762/09A RU 2004107762 A RU2004107762 A RU 2004107762A RU 2295845 C2 RU2295845 C2 RU 2295845C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
polyimide
solution
layer
adhesive
sample
Prior art date
Application number
RU2004107762/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2004107762A (ru
Inventor
Галина Шайхнелисламовна Комарова (RU)
Галина Шайхнелисламовна Комарова
Евгений Александрович Комаров (RU)
Евгений Александрович Комаров
Original Assignee
Галина Шайхнелисламовна Комарова
Евгений Александрович Комаров
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Галина Шайхнелисламовна Комарова, Евгений Александрович Комаров filed Critical Галина Шайхнелисламовна Комарова
Priority to RU2004107762/09A priority Critical patent/RU2295845C2/ru
Publication of RU2004107762A publication Critical patent/RU2004107762A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2295845C2 publication Critical patent/RU2295845C2/ru

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу производства полупроводниковых систем, в частности к вскрытию контактных площадок в печатных платах, шлейфах, микросхемах, изготовленных на основе полиимидной пленки, когда необходимо удаление с контактных площадок адгезива из эпоксидной смолы, которой склеивается медная фольга с полиимидной основой. В предложенном способе образец фольгированного полиимида с адгезивным слоем из эпоксидной смолы с нанесенной фоторезистивной маской обрабатывают в растворе моноэтаноламина при температуре около 100°С. для удаления полиимидного слоя, после чего осуществляют удаление адгезивного слоя из эпоксидной смолы в две стадии, при этом на первой стадии образец обрабатывают раствором диметилформамида со спиртом или диметилформамида с этиленгликолем для набухания, а на второй - раствором неорганической кислоты, при этом обе стадии осуществляют при температуре 20-50°С. Техническим результатом изобретения является возможность удаления адгезива при низких температурах, не изменяя размер и форму контактных площадок, вытравленных в слое полиимида, т.к. растворы, используемые для удаления эпоксидной смолы, не взаимодействуют с полиимидным слоем.

Description

Изобретение относится к способу вскрытия контактных площадок в производстве полупроводниковых систем, печатных плат или шлейфов, изготавливаемых на основе полиимидной пленки.
При производстве полупроводниковых устройств часто используется фольгированный полиимид. При вскрытии контактных площадок для того, чтобы обеспечить электрическую связь между проводящими слоями необходимо, кроме полиимидного слоя, удалить слой клея, которым фольга склеена с полимером.
В известном способе [Пат №4639290 США] в качестве клея использован акриловый полимер, удаление которого производят щелочным раствором гликоля при температуре 120-145°С.
Задачей предполагаемого изобретения является разработка технологии удаления с контактных площадок полиимидного слоя и адгезива из эпоксидной смолы, которой склеивается медная фольга с полиимидной основой.
Указанная задача решается в известном способе, который выбран прототипом тем, что для удаления полиимидного слоя используют растворы гидразингидрата и диамина, а для удаления адгезива из акрилового полимера применяют щелочные растворы гликолей при температурах выше 100°С. Любые щелочные растворы, используемые для травления адгезива, будут травить и полиимид, находящийся над адгезивом. Следовательно, вскрыть контактные площадки, сохранив при этом точные размеры в диэлектрическом слое, невозможно.
Задачей предлагаемого способа производства полупроводниковых систем на основе фольгированного полиимида является селективное удаление адгезива, в качестве которого используют эпоксидную смолу, сохранив точные размеры отверстий, вытравленных в полиимидном слое.
Способ производства полупроводниковых систем на основе фольгированного полиимида, включающий селективное удаление адгезива, отличающийся тем, что в качестве клеевого (адгезивного) слоя используют эпоксидную смолу, а процесс удаления ее осуществляют обработкой образца в две стадии - на первой стадии образец обрабатывают растворами диметилформамид - спирты или диметилформамид - гликоли, с последующим травлением адгезивного слоя растворами неорганических кислот, причем обе стадии осуществляют в температурном интервале 20-50°С.
На фольгированный полиимид наносят фоторезист с двух сторон окунанием или центрифугированием, высушивают, экспонируют, термообрабатывают. Для травления полиимида используют щелочные растворы этаноламина при температуре 100±5°С. Образец промывают. После чего плату или шлейф обрабатывают раствором диметилформамида со спиртом или диметилформамида с гликолем для набухания слоя эпоксидного клея. На этой стадии с поверхности удаляются остатки пиромеллитовой кислоты и диаминодифенилового эфира, удержанные клеем, а слой адгезива набухает. Обработка неорганической кислотой удаляет набухший слой эпоксидного клея. Очищенный медный участок обрабатывают раствором декапира или раствором персульфата аммония для удаления с медной фольги окисленных форм меди. Растворы, используемые при удалении слоя адгезива, не взаимодействуют с полиимидной пленкой, таким образом, размер вытравленных площадок соответствует размеру и форме шаблона с углом стравливания полиимида не более 75°.
Способ изготовления печатных плат или шлейфов представлен следующими примерами:
Пример 1.
1. Травление.
Образец с фоторезистивной маской травят при t=100±5°С в щелочном растворе моно-этаноламина для удаления с контактных площадок полиимидного слоя. Промывают в проточной воде.
2. Набухание.
Образец обрабатывают раствором 50 ДМФА - 50 ЭС (об.%) при комнатной температуре. Время набухания 3 мин. Для каждой партии полимера время обработки на этой стадии следует корректировать. Промывают окунанием в воду.
ДМФА - диметилформамид; ЭС - этиловый спирт.
3. Травление слоя эпоксидного клея при 50°С раствором 70% (об.) серной кислоты до появления светло-желтой окраски поверхности медного слоя образца, время травления составляет 5-6 мин. Промывают в проточной воде.
4. Обработка раствором персульфата аммония или декапира при комнатной температуре 20-60 с для удаления окисленных форм меди.
Пример 2.
1. Травление.
Образец с фоторезистивной маской травят при t=100±5°С в щелочном растворе моно-этаноламина для удаления с контактных площадок полиимидного слоя. Промывают в проточной воде.
2. Набухание.
Образец обрабатывают раствором 60 ДМФА - 40 ЭС (об.%) при комнатной температуре. Время набухания - 3 мин. Промывают окунанием в воду.
ДМФА - диметилформамид; ЭС - этиловый спирт.
3. Травление слоя эпоксидного клея раствором 50% (об.) серной кислоты при температуре 25-30°С до появления светло-желтой окраски поверхности медного слоя происходит за 8-10 мин. Промывают в проточной воде.
4. Обработка раствором персульфата аммония или декапира при комнатной температуре 20-60 сек до появления характерного медного цвета (удаление окисленных форм меди).
Пример 3.
1. Травление.
Образец с фоторезистивной маской травят при t=100±5°С в щелочном растворе моно-этаноламина для удаления с контактных площадок полиимидного слоя. Промывают в проточной воде.
2. Набухание.
Образец обрабатывают раствором 40 ДМФА - 60 ЭГ (об.%) при комнатной температуре. Время набухания - 5-7 мин. Промыть окунанием в воду.
ДМФА - диметилформамид, ЭГ - этиленгликоль.
3. Травление слоя эпоксидного клея при 50°С составляет 5-7 мин раствором 70% (об.) серной кислоты до появления светло-желтой окраски поверхности. Промывают в проточной воде.
4. Обработка раствором персульфата аммония или декапира при комнатной температуре 20-60 сек до появления характерного медного цвета.
Пример 4.
1. Травление.
Образец с фоторезистивной маской травится при t=100±5°С в щелочном растворе этаноламина для удаления с контактных площадок полиимидного слоя. Промывают в проточной воде.
2. Набухание.
Образец обрабатывают раствором 50 ДМФА - 50 ЭС (об.%) при температуре 50°С. Время набухания - 2-3 мин. Промывают окунанием в воду.
3. Травление слоя эпоксидного клея при комнатной температуре 70% (об.) раствором серной кислоты до появления светло-желтой окраски поверхности медного слоя составляет 5-6 мин. Промывают в проточной воде.
3. Обработка раствором персульфата аммония или декапира при комнатной температуре 20-60 сек до появления характерного медного цвета.
Пример 5.
1. Травление.
Образец с фоторезистивной маской травят при t=100±5°С в щелочном растворе моно-этаноламина для удаления полиимидного слоя с контактных площадок. Промывают в проточной воде.
2. Набухание.
Образец обрабатывают раствором ДМФА при комнатной температуре. Время набухания 8-10 мин. Для каждой партии полимера время обработки на этой стадии следует корректировать в связи с разнотолщинностью и равномерностью нанесения адгезивных слоев. Промывают окунанием в воду.
ДМФА - диметилформамид.
3. Травление слоя эпоксидного клея при 50°С раствором 70% (об.) серной кислоты до появления светло-желтой окраски поверхности медного слоя образца, время травления составляет 5-6 мин. Промывают в проточной воде.
Таким образом, предлагаемый способ удаления адгезива при производстве полупроводниковых систем на основе фольгированного полиимида обеспечивает чистоту и точность размеров и форм контактных площадок при низких температурах, обеспечивая меньшее испарение растворов, т.е. большую их стабильность и работоспособность.

Claims (1)

  1. Способ производства полупроводниковых систем на основе фольгированного полиимида, включающий селективное удаление химическим травлением полиимидного и адгезивного слоев с контактных площадок печатных плат, отличающийся тем, что образец фольгированного полиимида с адгезивным слоем из эпоксидной смолы с нанесенной фоторезистивной маской обрабатывают в щелочном растворе моноэтаноламина при температуре 100±5°С для удаления полиимидного слоя, после чего осуществляют удаление адгезивного слоя из эпоксидной смолы в две стадии, при этом на первой стадии образец обрабатывают раствором диметилформамида со спиртом или этиленгликолем для набухания, а на второй - раствором неорганической кислоты, причем обе стадии осуществляют в температурном интервале 20-50°С.
RU2004107762/09A 2004-03-15 2004-03-15 Способ производства полупроводниковых систем на основе фольгированного полиимида RU2295845C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004107762/09A RU2295845C2 (ru) 2004-03-15 2004-03-15 Способ производства полупроводниковых систем на основе фольгированного полиимида

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004107762/09A RU2295845C2 (ru) 2004-03-15 2004-03-15 Способ производства полупроводниковых систем на основе фольгированного полиимида

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004107762A RU2004107762A (ru) 2005-09-20
RU2295845C2 true RU2295845C2 (ru) 2007-03-20

Family

ID=35848701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004107762/09A RU2295845C2 (ru) 2004-03-15 2004-03-15 Способ производства полупроводниковых систем на основе фольгированного полиимида

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2295845C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2447628C1 (ru) * 2010-12-15 2012-04-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственный комплекс "ЭЛАРА" имени Г.А. Ильенко" (ОАО "ЭЛАРА") Способ защиты полиимидных материалов при травлении

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2447628C1 (ru) * 2010-12-15 2012-04-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственный комплекс "ЭЛАРА" имени Г.А. Ильенко" (ОАО "ЭЛАРА") Способ защиты полиимидных материалов при травлении

Also Published As

Publication number Publication date
RU2004107762A (ru) 2005-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100780973B1 (ko) 연성 회로용 액정 중합체
US8092696B2 (en) Method for manufacturing printed circuit board
US9909063B2 (en) Polymer etchant and method of using same
JP2004528725A (ja) 所定の傾斜ビアを有するフレキシブルポリイミド回路基板
US20090039053A1 (en) Method for manufacturing electrical traces of printed circuit boards
KR100738854B1 (ko) 에칭액 및 플렉시블 배선판의 제조방법
RU2295845C2 (ru) Способ производства полупроводниковых систем на основе фольгированного полиимида
US6177357B1 (en) Method for making flexible circuits
KR20030047985A (ko) 열가소성 폴리이미드수지 용 에칭액
US20100140100A1 (en) Manufacturing method of printed circuit board
JP2003078234A (ja) プリント配線板およびその製造方法
KR100313611B1 (ko) 인쇄회로기판 제조방법
US20130168349A1 (en) Method of forming via hole in circuit board
JP4350922B2 (ja) 両面可撓性回路基板の製造法
JP2006222217A (ja) 配線回路基板の製造方法
JP2001313451A (ja) フレキシブル配線板の製造方法
KR100890306B1 (ko) 인쇄회로기판의 제조방법
JPH0864930A (ja) プリント配線板の製造方法
JP2024077031A (ja) 処理液及び積層体
JP2001230335A (ja) 電気回路基板製造方法
JP2010205803A (ja) 配線基板の製造方法
JP2009267001A (ja) 配線基板の製造方法
JPH0348489A (ja) 回路基板の製造方法
KR100198640B1 (ko) 폴리머 제거방법
JPH088513A (ja) プリント配線板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees