RU2241066C2 - Способ восстановления зондов для нанотехнологии - Google Patents
Способ восстановления зондов для нанотехнологии Download PDFInfo
- Publication number
- RU2241066C2 RU2241066C2 RU2002112309/02A RU2002112309A RU2241066C2 RU 2241066 C2 RU2241066 C2 RU 2241066C2 RU 2002112309/02 A RU2002112309/02 A RU 2002112309/02A RU 2002112309 A RU2002112309 A RU 2002112309A RU 2241066 C2 RU2241066 C2 RU 2241066C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tungsten
- probes
- restoration
- nanotechnology
- deposition
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно к способам восстановления зондов. Предложен способ восстановления изношенных поверхностей вольфрамовых зондов путем ионизации инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировки ионизированным инертным газом катода-мишени и осаждения вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов, при этом на подложке закрепляют пакет изношенных вольфрамовых зондов, установленных в нем на расстоянии, равном двум диаметрам зонда, а перед осаждением вольфрама на пакет подают отрицательный потенциал 500-700 В. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности осаждения вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов. 1 ил.
Description
Изобретение относится к области нанотехнологии, а более конкретно к способам восстановления зондов.
Известен способ восстановления зондов для нанотехнологии, включающий осаждение вольфрама в плазме гексафторида вольфрама с водородом [Моряков О.С. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 кн. Кн.7. Элионная обработка. Учебное пособие для ПТУ. - М.: Высшая школа, 1990, 128 с., ил., стр 25].
Недостатком аналога является отсутствие возможности осаждения вольфрама на поверхность изношенных вольфрамовых зондов.
Аналогом по технической сущности является способ нанесения покрытия, включающий ионизацию инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировку ионизированным газом катода-мишени и осаждение материала мишени на подложку [То же, с. 39, рис.15 ].
Недостатком аналога является также отсутствие возможности осаждения вольфрама на поверхность изношенных вольфрамовых зондов.
Наиболее близким к предложенному является способ восстановления изношенных поверхностей деталей путем ионизации инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировки ионизированным инертным газом катода-мишени и осаждения вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов (Митин Б.С. Порошковая металлургия и напыленные покрытия. - М.: Металлургия, 1987, с.7, 703, 704).
В основу изобретения положена задача: обеспечить возможность осаждения вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов.
Задача решается способом восстановления изношенных поверхностей вольфрамовых зондов для нанотехнологии путем ионизации инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировки ионизированным инертным газом катода-мишени и осаждения вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов, при этом на подложке закрепляют пакет изношенных вольфрамовых зондов, установленных в нем на расстоянии, равном двум диаметрам зонда, а перед осаждением вольфрама на пакет подают отрицательный потенциал 500-700 В.
Введение в способ восстановления зондов для нанотехнологии операции закрепления пакета вольфрамовых зондов, закрепленных на подложке, и операции подачи на него отрицательного потенциала порядка 500-700 В обеспечивает целенаправленное движение ионов вольфрама на изношенную поверхность вольфрамовых зондов, что и позволяет достичь восстановление зондов, т.е. их “ионное заострение”.
Сущность изобретения поясняется чертежом, где показана схема устройства, реализующего предложенный способ восстановления зондов для нанотехнологии.
Устройство, реализующие способ восстановления зондов для нанотехнологии, содержит вакуумную камеру 1, внутри которой расположены магнитная система 2, катод-мишень 3 и анод 4. Катод-мишень 3 и анод 4 связаны с источником питания 5. На подложке 6 закреплен пакет зондов 7, расстояние между зондами в пакете устанавливают, равной двум диаметрам зондов 7. Пакет зондов 7 также связан с источником питания 5. Внутрь вакуумной камеры 1 введен инертный газ (условно не показан).
Способ реализуется следующим образом.
От источника питания 5 на катод-мишень 3 подают отрицательный потенциал, а на анод 4 - положительный, тем самым обеспечивают ионизацию инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическими и магнитными полями, и осуществляют бомбардировку ионизированным инертным газом катода-мишени 3. Затем подают отрицательный потенциал порядка 500-700 В на пакет изношенных вольфрамовых зондов 7, закрепленных на подложке 6, и осаждают материал катода-мишени 3 - вольфрам - на пакет изношенных вольфрамовых зондов 7.
Применение предложенного способа восстановления зондов для нанотехнологии обеспечивает осаждение вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов, что и позволяет повторно использовать зонды в нанотехнологии.
Claims (1)
- Способ восстановления изношенных поверхностей вольфрамовых зондов для нанотехнологии путем ионизации инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировки ионизированным инертным газом катода-мишени и осаждения вольфрама на изношенные поверхности вольфрамовых зондов, отличающийся тем, что на подложке закрепляют пакет изношенных вольфрамовых зондов, установленных в нем на расстоянии, равном двум диаметрам зонда, а перед осаждением вольфрама на пакет подают отрицательный потенциал 500-700 В.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002112309/02A RU2241066C2 (ru) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | Способ восстановления зондов для нанотехнологии |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002112309/02A RU2241066C2 (ru) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | Способ восстановления зондов для нанотехнологии |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2002112309A RU2002112309A (ru) | 2003-12-20 |
| RU2241066C2 true RU2241066C2 (ru) | 2004-11-27 |
Family
ID=34309831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2002112309/02A RU2241066C2 (ru) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | Способ восстановления зондов для нанотехнологии |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2241066C2 (ru) |
-
2002
- 2002-05-13 RU RU2002112309/02A patent/RU2241066C2/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| МИТИН Б.С. Порошковая металлургия и напыленные покрытия. - М.: Металлургия, 1987, с.7, 703, 704. * |
| МОРЯКОВ О.С. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Книга 7. Элионная обработка. Учебное пособие для ПТУ. - М.: Высшая школа, 1990. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100485034B1 (ko) | 플라즈마 처리 시스템 및 방법 | |
| US7250195B1 (en) | Molecular plasma deposition of colloidal materials | |
| US11133157B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| US8324592B2 (en) | Ion source and a method of generating an ion beam using an ion source | |
| KR101048057B1 (ko) | 플라즈마 잠입 이온을 이용한 가공 장치 및 방법 | |
| ATE406467T1 (de) | Plasmabehandlungsvorrichtung mit kombinierter anoden/ionen quelle | |
| WO2006019565B1 (en) | Method and system for coating internal surfaces of prefabricated process piping in the field | |
| JP2007510258A (ja) | 導電性メッシュを使用するプラズマ浸漬イオン埋め込み | |
| EP0786795A3 (en) | Method for manufacturing thin film, and deposition apparatus | |
| JPS63184333A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| JP2020503436A (ja) | スパッタ堆積源、スパッタ堆積装置、及び基板上に層を堆積させる方法 | |
| US7241360B2 (en) | Method and apparatus for neutralization of ion beam using AC ion source | |
| DE59914040D1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur beschichtung von substraten im vakuum | |
| RU2241066C2 (ru) | Способ восстановления зондов для нанотехнологии | |
| AU2001242287A1 (en) | Method and device for plasma-treating the surface of substrates by ion bombardment | |
| JP2017002340A (ja) | Ｄｌｃ膜コーティング装置及びｄｌｃ膜コーティング装置を用いて被覆対象物を被覆する方法 | |
| CN113035677B (zh) | 等离子体处理设备以及等离子体处理方法 | |
| WO2007106212A1 (en) | Molecular plasma deposition of colloidal materials | |
| RU2601903C2 (ru) | Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления | |
| KR102171588B1 (ko) | 스퍼터링 장치 및 방법 | |
| JP2006083459A (ja) | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 | |
| Rogov et al. | A discharge cell that combines a magnetron and a hollow cathode for cleaning substrates and subsequent deposition of coatings | |
| US9105451B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| US20140352617A1 (en) | Coating Insulating Materials For Improved Life | |
| CN113745079B (zh) | 离子源和方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20060514 |