RU2002112309A - Способ восстановления зондов для нанотехнологии - Google Patents

Способ восстановления зондов для нанотехнологии

Info

Publication number
RU2002112309A
RU2002112309A RU2002112309/02A RU2002112309A RU2002112309A RU 2002112309 A RU2002112309 A RU 2002112309A RU 2002112309/02 A RU2002112309/02 A RU 2002112309/02A RU 2002112309 A RU2002112309 A RU 2002112309A RU 2002112309 A RU2002112309 A RU 2002112309A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
probes
nanotechnology
restoration
substrate
inert gas
Prior art date
Application number
RU2002112309/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2241066C2 (ru
Inventor
Евгений Николаевич Ивашов
Андрей Андреевич Степочкин
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)
Priority to RU2002112309/02A priority Critical patent/RU2241066C2/ru
Priority claimed from RU2002112309/02A external-priority patent/RU2241066C2/ru
Publication of RU2002112309A publication Critical patent/RU2002112309A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2241066C2 publication Critical patent/RU2241066C2/ru

Links

Claims (1)

  1. Способ восстановления зондов для нанотехнологии путем ионизации инертного газа электронами возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировки ионизированным инертным газом катода-мишени и осаждения материала мишени на подложку, отличающийся тем, что на подложке закрепляют пакет изношенных вольфрамовых зондов, устанавливают расстояние между изношенными вольфрамовыми зондами в пакете равным двум диаметрам зондов и подают на пакет изношенных вольфрамовых зондов отрицательный потенциал порядка 500-700 В.
RU2002112309/02A 2002-05-13 2002-05-13 Способ восстановления зондов для нанотехнологии RU2241066C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002112309/02A RU2241066C2 (ru) 2002-05-13 2002-05-13 Способ восстановления зондов для нанотехнологии

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002112309/02A RU2241066C2 (ru) 2002-05-13 2002-05-13 Способ восстановления зондов для нанотехнологии

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2002112309A true RU2002112309A (ru) 2003-12-20
RU2241066C2 RU2241066C2 (ru) 2004-11-27

Family

ID=34309831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002112309/02A RU2241066C2 (ru) 2002-05-13 2002-05-13 Способ восстановления зондов для нанотехнологии

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2241066C2 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SG144714A1 (en) Removal of surface oxides by electron attachment for wafer bumping applications
US7059268B2 (en) Method, apparatus and magnet assembly for enhancing and localizing a capacitively coupled plasma
JPH07507360A (ja) プレーナ型マグネトロン・スパッタ用磁石構造体の改良
EP0115119A2 (en) Shaped field magnetron electrode
JPS58151028A (ja) 磁気的に強められたプラズマ処理方法および装置
JPH01116070A (ja) スパツタ装置
SE0102134D0 (sv) Method and apparatus for plasma generation
JP2004537825A5 (ru)
WO2002031215A3 (en) Method of forming indium tin oxide film
EP1020541A3 (en) Vacuum arc evaporation source and deposition apparatus
JPS62290866A (ja) 薄膜形成装置
JPS63184333A (ja) プラズマ処理方法および装置
US9266180B2 (en) Arc evaporation source having fast film-forming speed, coating film manufacturing method and film formation apparatus using the arc evaporation source
EP0878819A3 (en) Electron emission device and display device using the same
US20070080304A1 (en) Compact ionization source
RU2002112309A (ru) Способ восстановления зондов для нанотехнологии
EP1306870A3 (en) Field emission-type electron source and method of biasing the same
WO2001027964A3 (de) Elektronenstossionenquelle
JP2005314773A5 (ru)
JPH01298154A (ja) 対向ターゲット式プレーナーマグネトロンスパッタリング装置
ATE355607T1 (de) Plasma-verdampfungsquelle mit kathoden-elektrode für eine vakuum-beschichtungsanordnung
US6377149B1 (en) Magnetic field generator for magnetron plasma generation
RU2241066C2 (ru) Способ восстановления зондов для нанотехнологии
US7612348B1 (en) Transverse magnetic field voltage isolator
JPH11256315A (ja) 蒸着源及び蒸着装置