RU2002112309A - Способ восстановления зондов для нанотехнологии - Google Patents
Способ восстановления зондов для нанотехнологииInfo
- Publication number
- RU2002112309A RU2002112309A RU2002112309/02A RU2002112309A RU2002112309A RU 2002112309 A RU2002112309 A RU 2002112309A RU 2002112309/02 A RU2002112309/02 A RU 2002112309/02A RU 2002112309 A RU2002112309 A RU 2002112309A RU 2002112309 A RU2002112309 A RU 2002112309A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- probes
- nanotechnology
- restoration
- substrate
- inert gas
- Prior art date
Links
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
Claims (1)
- Способ восстановления зондов для нанотехнологии путем ионизации инертного газа электронами возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировки ионизированным инертным газом катода-мишени и осаждения материала мишени на подложку, отличающийся тем, что на подложке закрепляют пакет изношенных вольфрамовых зондов, устанавливают расстояние между изношенными вольфрамовыми зондами в пакете равным двум диаметрам зондов и подают на пакет изношенных вольфрамовых зондов отрицательный потенциал порядка 500-700 В.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2002112309/02A RU2241066C2 (ru) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | Способ восстановления зондов для нанотехнологии |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2002112309/02A RU2241066C2 (ru) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | Способ восстановления зондов для нанотехнологии |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2002112309A true RU2002112309A (ru) | 2003-12-20 |
RU2241066C2 RU2241066C2 (ru) | 2004-11-27 |
Family
ID=34309831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2002112309/02A RU2241066C2 (ru) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | Способ восстановления зондов для нанотехнологии |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2241066C2 (ru) |
-
2002
- 2002-05-13 RU RU2002112309/02A patent/RU2241066C2/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SG144714A1 (en) | Removal of surface oxides by electron attachment for wafer bumping applications | |
US7059268B2 (en) | Method, apparatus and magnet assembly for enhancing and localizing a capacitively coupled plasma | |
JPH07507360A (ja) | プレーナ型マグネトロン・スパッタ用磁石構造体の改良 | |
EP0115119A2 (en) | Shaped field magnetron electrode | |
JPS58151028A (ja) | 磁気的に強められたプラズマ処理方法および装置 | |
JPH01116070A (ja) | スパツタ装置 | |
SE0102134D0 (sv) | Method and apparatus for plasma generation | |
JP2004537825A5 (ru) | ||
WO2002031215A3 (en) | Method of forming indium tin oxide film | |
EP1020541A3 (en) | Vacuum arc evaporation source and deposition apparatus | |
JPS62290866A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS63184333A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
US9266180B2 (en) | Arc evaporation source having fast film-forming speed, coating film manufacturing method and film formation apparatus using the arc evaporation source | |
EP0878819A3 (en) | Electron emission device and display device using the same | |
US20070080304A1 (en) | Compact ionization source | |
RU2002112309A (ru) | Способ восстановления зондов для нанотехнологии | |
EP1306870A3 (en) | Field emission-type electron source and method of biasing the same | |
WO2001027964A3 (de) | Elektronenstossionenquelle | |
JP2005314773A5 (ru) | ||
JPH01298154A (ja) | 対向ターゲット式プレーナーマグネトロンスパッタリング装置 | |
ATE355607T1 (de) | Plasma-verdampfungsquelle mit kathoden-elektrode für eine vakuum-beschichtungsanordnung | |
US6377149B1 (en) | Magnetic field generator for magnetron plasma generation | |
RU2241066C2 (ru) | Способ восстановления зондов для нанотехнологии | |
US7612348B1 (en) | Transverse magnetic field voltage isolator | |
JPH11256315A (ja) | 蒸着源及び蒸着装置 |