RU2240541C1 - Способ измерения декремента рентгеновского показателя преломления - Google Patents
Способ измерения декремента рентгеновского показателя преломления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2240541C1 RU2240541C1 RU2003122736/28A RU2003122736A RU2240541C1 RU 2240541 C1 RU2240541 C1 RU 2240541C1 RU 2003122736/28 A RU2003122736/28 A RU 2003122736/28A RU 2003122736 A RU2003122736 A RU 2003122736A RU 2240541 C1 RU2240541 C1 RU 2240541C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sample
- radiation
- angle
- ray
- decrement
- Prior art date
Links
- 0 C[C@@](C1)*1NC Chemical compound C[C@@](C1)*1NC 0.000 description 2
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Использование: для измерения декремента рентгеновского показателя преломления. Сущность: заключается в том, что для измерения декремента рентгеновского показателя преломления используется формула δ=(ω2-ω1) Ψ/2, где ω2 и ω1 - соответственно положительный и отрицательный угол установки образца относительно падающего излучения, при которых наблюдается пик интенсивности рентгеновского излучения; Ψ - угол, при котором производят детектирование относительно падающего излучения. Технический результат: повышение точности измерений декремента путем перехода от измерения угла установки образца относительно падающего излучения к измерению разности двух углов установки образца. 4 ил.
Description
Изобретение относится к области рентгеновской техники и может использоваться для измерения декремента § рентгеновского показателя преломления и определения материала (состава вещества) различных образцов.
Известен способ контроля состава и показателя преломления структуры по углу полного внешнего отражения θкр [1, 2]. Для осуществления этого способа используют стандартный рефлектометр. Измеряют угол θкр, используя формулу 2δ=θ вычисляют декремент показателя преломления материала образца и по его значению идентифицируют само вещество. Здесь δ - действительная часть декремента показателя преломления n=1-δ+iβ для рентгеновского излучения в веществе, iβ - мнимая часть декремента показателя преломления. Обычно |β|<<|δ|, и может не приниматься во внимание.
Способ имеет тот недостаток, что при использовании обычного (одноволнового) рефлектометра он требует длительных приготовлений и не обеспечивает достаточную достоверность измерений. Использование двухволнового рефлектометра [3] обеспечивает повышение точности и достоверности, но подготовительные работы столь же трудоемки и составляют значительную часть всего времени измерения.
В качестве прототипа выбран способ определения декремента показателя преломления, описанный в [4]. В этом способе используют взаимосвязь между углом падения излучения на полированную грань образца, декрементом показателя преломления материала образца и углом отклонения излучения от первоначального направления распространения.
Для хода лучей, соответствующего образцу, установленному в положение ω1 фиг.2, эта взаимосвязь выражается соотношением: Ψ=θ2-θ1=√―(θ +2δ)-θ1, где Ψ - угол отклонения излучения от первоначального направления, θ1 - угол между падающим излучением и полированной гранью, θ2 - угол между отклоненным излучением и полированной гранью, δ - искомый декремент показателя преломления. Предлагаемый способ осуществляется на рефлектометре, содержащем источник рентгеновского излучения, средства коллимации, поворотный стол с держателем образца и средства детектирования излучения.
Недостаток указанного способа - сложность настройки, трудоемкость и недостаточная точность измерений. Это обусловлено тем, что после установки нового образца вначале необходимо выполнить точное определение его угла установки относительно падающего излучения. Для выполнения этого требуется попеременное вращение образца и детектирующего устройства.
При создании заявляемого изобретения решались задачи повышения точности и снижения трудоемкости измерений.
Основным техническим результатом изобретения является повышение точности измерений декремента путем перехода от измерения угла установки образца относительно падающего излучения к измерению разности двух углов установки образца.
Другим техническим результатом является повышение производительности благодаря отсутствию настройки перед измерением каждого нового образца. Если управление вращением стола с образцом и сбор данных с детектора выполняют с помощью компьютера, измерение серии образцов может быть выполнено в автоматическом режиме.
В соответствии с изобретением указанные технические результаты достигаются тем, что на рентгеновском рефлектометре, содержащем источник рентгеновского излучения, средства коллимации, поворотный стол с держателем образца и средства детектирования излучения, для выбранного угла положения средства детектирования производят измерение разности углов установки образца, при которых максимум преломленного излучения попадает в детектор.
Сущность предложенного способа заключается в том, что при облучении образца потоком рентгеновского излучения выполняют измерение разности двух углов установки образца ω2-ω1, при которых пик интенсивности рентгеновского излучения после взаимодействия с образцом детектируется под определенным углом Ψ относительно падающего излучения, без определения как угла установки образца относительно нулевого положения, так и самого нулевого положения образца, и вычисляют значение декремента по формуле δ=(ω2-ω1) Ψ/2.
Осуществление заявляемого способа поясняется на фиг.1-4.
Фиг.1 - общий вид устройства, с помощью которого осуществляется способ. Здесь 1 -источник рентгеновского излучения, 2, 3 - средства коллимации, 4 - поворотный стол, 5 - держатель образца, 6 - образец, 7 -монохроматор, 8 - приемная щель, 9 - рентгеновский детектор, 10 - поворотный рычаг.
Фиг.2. - ход лучей для трех углов установки образца относительно падающего излучения. Здесь ω1 - отрицательный угол установки образца, когда излучение входит через переднюю смежную грань и падает на полированную грань изнутри, ω3 - угол установки образца для зеркального отражения, ω2 - положительный угол установки образца, когда излучение падает на полированную грань снаружи и выходит через заднюю смежную грань. Отклонившееся излучение во всех трех случаях максимально попадает в детектор, расположенный под углом Ψ.
Фиг.3 - типичная кривая интенсивности излучения, детектируемого под углом Ψ=0.150 град, в зависимости от угла установки однородной пластины GaAs, (кривая качания) снятая на двухволновом рефлектометре одновременно для двух длин волн медной рентгеновской трубки: 1 - CuKα, 2 - CuKβ.
Фиг.4 - то же при Ψ=0.096 град для образца Si со слоем структуры Si0.7Ge0.3/Si0.3Ge0.7.
Измерение производят на обычном рефлектометре, имеющем поворотный стол 4 с держателем 5 образца 6 и поворотный рычаг 10 для крепления детектирующей системы с общей остью вращения (см. фиг.1). В состав измерительной схемы также входят источник рентгеновского излучения - рентгеновская трубка 1, средства коллимации пучка излучения 2, 3 и детектор на базе ФЭУ со сцинтиллятором 9, приемная щель 8 и монохроматор 7. Оптимальная форма для измеряемых образцов - это пластина, имеющая полированную грань размером 2-4 мм на 15-20 мм, смежные грани которой получают раскалыванием по плоскостям спайности либо по риске от стеклореза, выполняемой с тыльной стороны. Важно, что ребра полированной грани при такой процедуре остаются плоскими и четкими. Гониометр исходно настроен так, что осевой луч пучка излучения проходит через ось вращения О. Это направление луча соответствует нулевому положению детектора. Кроме того, рабочая плоскость так называемых губок держателя образца, к которым образец прижимают полированной гранью, совпадает с той же осью вращения О.
Измерение производят следующим образом. Вначале устанавливают детектор вблизи нулевого положения и настраивают его поворотом вокруг оси О на максимальное значение сигнала от прямого луча. Затем отворачивают детектор от этого положения на угол +Ψ, например, 0.150 град, считывают величину углового перемещения максимально точно и фиксируют. Закрепляют образец в держателе так, чтобы меньший размер полированной грани был ориентирован вдоль хода луча, передняя по ходу луча и задняя смежные грани были параллельны оси вращения О, а сама ось совпадала с серединой полированной грани. Точно "нулевое" положение образца по шкале углов поворота стола не определяют - в этом нет необходимости, а проворачивают образец от небольших отрицательных углов падения излучения на полированную грань образца до небольших положительных, например, от -0.7 до +1 град, и записывают показания детектора в зависимости от угла установки образца. Для однородного образца получают график, аналогичный изображенному на фиг.3.
Положение левого максимума на шкале углов обозначают как отрицательный угол установки образца ω1, правого - как положительный угол установки образца ω2 и вычисляют значение декремента δ=(ω2-ω1)Ψ/2. Например, для значений углов, взятых из фиг.3, получают δ=14.5×10-6 для волны λ=0.154 нм и δ=11.5×10-6 для λ=0.139 нм. С точностью лучше 1% согласно [5, 6] определяют, что это - GaAs. При наличии соответствующей программы весь процесс идентификации производит компьютер. На обычных гониометрах точность отсчета углов составляет 0.001 град. В методике, описанной в прототипе [4], точность определения нулевого положения образца, когда луч идет касательно к его полированной грани, составляет несколько тысячных градуса. Соответственно, отсчитываемые затем положения образца относительно луча составляют также несколько тысячных градуса. Смещения точек преломления лучей для углов ω1 и ω2 на результатах почти не сказываются, т.к. происходят в одну сторону и, будучи небольшими, (~0.002 град) еще и вычитаются друг из друга при вычитании углов (ω2-ω1). Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом дает в несколько раз более точный результат при определении декремента показателя преломления в рентгеновском диапазоне.
Для образца со слоем, нанесенным на подложку, получают график, аналогичный графику фиг.4. На фиг.4 приведена кривая качания для структуры на 96% состоящей из Si0.7Ge0.3 (4% - Si0.3Ge0.7), имеющей толщину 250 нм и нанесенной на подложку из Si. Основные максимумы соответствуют структуре, а на их внутренних склонах находятся пики от подложки. Их величина мала, т.к. сигнал от Si частично отражается на границе подложка-структура и частично в структуре поглощается. Для многослойных структур число пар пиков соответственно увеличивается. Применение двух- трех- и более волнового детектора позволяет существенно повысить точность измерений и надежность идентификации материалов образца.
Источники информации
1. Блохин М.А. Физика рентгеновских лучей. М. ГИТТЛ, 1957.
2. Турьянский А.Г., Виноградов А.В., Пиршин И.В. Двухволновой рентгеновский рефлектометр. Приборы и техника эксперимента, 1999, N 1, с.105-111.
3. Турьянский А.Г., Пиршин И.В. Рентгеновский рефлектометр. Патент РФ №2166184, G 01 B 15/08, 27.04 2001.
4. Турьянский А.Г., Пиршин И.В. Рентгеновская рефрактометрия поверхностных слоев. Приборы и техника эксперимента, 1999, N 6, с.104-111.
5. B.L Henke, E.M. Gullikson, J.C. Davis. Atom Data Nucl. Data Tabl. 54, 2, 181 (1993).
6. Физические величины. Справочник под ред. И.С.Григорьева и Е.З.Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991.
Claims (1)
- Способ измерения декремента δ рентгеновского показателя преломления, включающий облучение образца потоком рентгеновского излучения и его детектирование после взаимодействия с образцом, имеющим одну зеркально полированную и две смежные с ней грани, отличающийся тем, что для выполнения одного измерения и вычисления декремента используют формулу δ=(ω2-ω1) Ψ/2, детектирование производят под углом ψ относительно падающего излучения, а образец устанавливают как под положительным углом ω2 падения излучения на полированную грань, с возможностью выхода излучения через заднюю по ходу луча смежную грань в направлении детектора, так и под отрицательным углом ω1, с возможностью входа излучения через переднюю смежную грань, и преломления его на полированной грани в направлении детектора, при этом положительный угол ω2 и отрицательный угол ω1 соответствуют пикам интенсивности рентгеновского излучения, определенным по кривой интенсивности излучения.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2003122736/28A RU2240541C1 (ru) | 2003-07-24 | 2003-07-24 | Способ измерения декремента рентгеновского показателя преломления |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2003122736/28A RU2240541C1 (ru) | 2003-07-24 | 2003-07-24 | Способ измерения декремента рентгеновского показателя преломления |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2240541C1 true RU2240541C1 (ru) | 2004-11-20 |
RU2003122736A RU2003122736A (ru) | 2005-01-27 |
Family
ID=34311119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2003122736/28A RU2240541C1 (ru) | 2003-07-24 | 2003-07-24 | Способ измерения декремента рентгеновского показателя преломления |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2240541C1 (ru) |
-
2003
- 2003-07-24 RU RU2003122736/28A patent/RU2240541C1/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
БЛОХИН М.А. ФИЗИКА РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ. - М.: ГОСУДАРСТВЕННОЕ ИЗДАТЕЛЬСТВО ТЕХНИКО-ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЛИТЕРАТУРЫ, 1953, с.220-228. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2003122736A (ru) | 2005-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6680996B2 (en) | Dual-wavelength X-ray reflectometry | |
CA1127865A (en) | Method and device for analysis with color identification test paper | |
US5619548A (en) | X-ray thickness gauge | |
US7062013B2 (en) | X-ray reflectometry of thin film layers with enhanced accuracy | |
DK171492B1 (da) | Fremgangsmåde til bestemmelse af densitetsprofil i et pladeformet materiale | |
EP0371550A1 (en) | Measure for measuring thin film thickness | |
RU2240541C1 (ru) | Способ измерения декремента рентгеновского показателя преломления | |
US6108077A (en) | Sample support with a non-reflecting sample supporting surface | |
JP3968350B2 (ja) | X線回折装置及び方法 | |
EP0144115A2 (en) | An ellipsometer | |
Dhez et al. | Tests Of Short Period X-Ray Multilayer Mirrors Using A Position Sensitive Proportional Counter | |
US6870617B2 (en) | Accurate small-spot spectrometry systems and methods | |
EP0736766A1 (en) | Method of and device for measuring the refractive index of wafers of vitreous material | |
JP2592931B2 (ja) | 蛍光x線分析装置 | |
JP3840503B2 (ja) | X線分析方法および装置 | |
RU2166184C2 (ru) | Рентгеновский рефлектометр | |
Touryanskii et al. | An X-ray Refractometer | |
RU2025656C1 (ru) | Устройство для неразрушающего измерения толщины диэлектрических и полупроводниковых пленок в фиксированной точке | |
RU2216010C2 (ru) | Многоканальный рентгеновский дифрактометр | |
JPS6353457A (ja) | 二次元走査型状態分析装置 | |
JPH04329347A (ja) | 薄膜試料x線回折装置 | |
SU1631265A1 (ru) | Способ определени толщины покрыти и устройство дл его осуществлени | |
JPH02107952A (ja) | 粉末のx線回析測定方法 | |
SU672480A1 (ru) | Способ контрол качества обработки поверхности | |
JPH04208900A (ja) | エネルギ線の照射角設定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20050725 |