RU222954U1 - Радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов - Google Patents
Радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов Download PDFInfo
- Publication number
- RU222954U1 RU222954U1 RU2023125810U RU2023125810U RU222954U1 RU 222954 U1 RU222954 U1 RU 222954U1 RU 2023125810 U RU2023125810 U RU 2023125810U RU 2023125810 U RU2023125810 U RU 2023125810U RU 222954 U1 RU222954 U1 RU 222954U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cooling
- plate
- pins
- radiator
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000006262 metallic foam Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 10
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 41
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910001291 heusler alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 5
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000002907 paramagnetic material Substances 0.000 description 1
- -1 rare earth compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Abstract
Полезная модель относится к системам охлаждения полупроводниковых и мощных микроэлектронных электровакуумных приборов, а именно к радиаторам, осуществляющим теплообмен между корпусом миниатюрных электронных приборов и окружающей средой. Технический результат - повышение эффективности охлаждения миниатюрных полупроводниковых или мощных микроэлектронных электровакуумных приборов за счет повышения интенсивности их теплообмена с окружающей средой. Технический результат достигается тем, что радиатор для охлаждения полупроводниковых или микроэлектронных электровакуумных приборов содержит пластину, штыри, теплопроводную полку для размещения электронного прибора, отверстия для прохождения охлаждающей среды. Штыри выполнены с дополнительными отверстиями, образующими пространственную фрактальную структуру, на пластине и полке для размещения электронного прибора выполнены поверхностные фрактальные структуры, пластина выполнена из пенометалла с открытыми порами, а в качестве пенометалла с открытыми порами используется пенометалл с большой величиной магнитокалорического эффекта, дополнительно понижающий температуру на основе магнитокалорического эффекта. 4 ил.
Description
Полезная модель относится к системам охлаждения полупроводниковых и мощных микроэлектронных электровакуумных приборов, а именно к радиаторам, осуществляющим теплообмен между корпусом электронных приборов и внешней средой.
Известен охладитель для силового полупроводникового прибора [Авторское свидетельство СССР №1229982, МПК: Н05К 7/20, H01L 23/34], в котором для повышения эффективности охлаждения в межреберное пространство радиатора введена гофрированная вставка, которая перераспределяет воздушный поток по высоте ребра.
Недостатком данного устройства является невысокая интенсивность охлаждения и необходимость использования внешнего вентилятора.
В теплообменном элементе [Авторское свидетельство СССР №1409848, МПК: F28F 3/02] для интенсификации теплообмена используют перфорированные уголковые элементы, которые турбулизируют поток на концах элементов, создавая дополнительную скорость пограничному слою на тыльной стороне уголковых элементов.
Недостатком данного устройства является то, что увеличение интенсивности теплообмена происходит только за счет турбулизации ядра потока при сравнительно малой поверхности охлаждения радиатора.
Известен штыревой радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов [Патент РФ №2037988, МПК: Н05К 7/20, H01L 23/34], в котором площадь тепловыделяющих элементов увеличена за счет того, что в его конструкцию введены пластина и штыри, выполненные в виде параллелепипедов и повернутые или гранями, или ребрами к потоку охлаждающей среды, а также выступы, имеющие прямоугольную форму. Кроме того, это устройство содержит теплопроводную полку, которая передает тепло от охлаждаемого электронного прибора пластине и штырям через отверстия для прохождения охлаждающей среды. Причем в указанном устройстве штыри расположены как в шахматном, так и в коридорном порядке, что позволяет турбулизировать само ядро потока, а основание штырей и выступы турбулизируют пограничный слой по всей поверхности охлаждаемой пластины, поскольку они находятся в промежутке между штырями, как в поперечном, так и в продольном направлениях.
Недостатком данного устройства является трудоемкость изготовления, высокая стоимость, а также малая площадь охлаждаемой поверхности.
Известен радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов [Патент РФ на полезную модель №110893, МПК: H05K 7/20], в котором площадь тепловыделяющих элементов увеличена за счет того, что в его конструкцию введены пластина и штыри, выполненные в виде параллелепипедов и повернутые или гранями, или ребрами к потоку охлаждающей среды, а также выступы, имеющие прямоугольную форму. При этом штыри выполнены с дополнительными отверстиями, образующими пространственную фрактальную структуру, а на пластине и полке для размещения электронного прибора выполнены поверхностные фрактальные структуры. Кроме того, штыри радиатора могут иметь квадратную форму поперечного сечения, а дополнительные отверстия в штырях образуют пространственную фрактальную структуру в виде губки Менгера. Дополнительно созданные поверхностные фрактальные структуры на пластине и теплопроводной полке для размещения электронного прибора могут быть выполнены в виде многоострийной структуры из углеродных материалов с плотностью упаковки 104…106 см-2, например, из стеклоуглерода, причем каждое острие имеет вид усеченного конуса высотой около 10…20 мкм.
Недостатком данного устройства является трудоемкость изготовления, высокая стоимость, а также малая площадь охлаждаемой поверхности.
Наиболее близким по техническому решению - прототипом - является радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов [Патент РФ на полезную модель №207764, МПК: H05K 7/20], содержащий пластину, штыри, теплопроводную полку для размещения электронного прибора и отверстия для прохождения охлаждающей среды; штыри выполнены с дополнительными отверстиями, образующими пространственную фрактальную структуру, на пластине и полке для размещения электронного прибора выполнены поверхностные фрактальные структуры, а пластина выполнена из пенометалла с открытыми порами.
Современный этап развития полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов характеризуется, в том числе, миниатюризацией при одновременном возрастании (или сохранении) уровня выходной мощности. В связи с этим недостатком известного радиатора, принятого за прототип, при применении его для охлаждения миниатюрных полупроводниковых или микроэлектронных электровакуумных приборов, является недостаточная эффективность охлаждения для мощных полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов, например, ламп бегущей волны (ЛБВ), использующих для фокусировки электронного пучка магнитную периодическую фокусирующую систему (МПФС) с значительными величинами магнитной индукции, обладающих высоким тепловыделением при работе радиоэлектронной аппаратуры.
Поэтому интенсивность охлаждения таких приборов также остается невысокой, даже при наличии принудительного обдува внешним вентилятором. Это ограничивает уровень выходной мощности миниатюрных электронных приборов и снижает срок их службы.
Техническим результатом предлагаемой полезной модели является повышение эффективности охлаждения миниатюрных полупроводниковых и мощных микроэлектронных электровакуумных приборов за счет повышения интенсивности их теплообмена с окружающей средой, без изменения габаритных размеров радиатора.
Технический результат достигается тем, что в радиаторе для охлаждения полупроводниковых или микроэлектронных электровакуумных приборов, содержащем пластину, штыри, теплопроводную полку для размещения электронного прибора и отверстия для прохождения охлаждающей среды, штыри выполнены с дополнительными отверстиями, образующими пространственную фрактальную структуру, на пластине и полке для размещения электронного прибора выполнены поверхностные фрактальные структуры, пластина выполнена из пенометалла с открытыми порами, а в качестве пенометалла с открытыми порами используется пенометалл с большой величиной магнитокалорического эффекта, дополнительно понижающий температуру на основе магнитокалорического эффекта.
Поясним, что магнитокалорическим эффектом (МКЭ) принято называть адиабатическое изменение температуры или изотермическое изменение энтропии магнетика при изменении внешнего магнитного поля, в котором он находится [Warburg, Е. Magnetische Untersuchungen //Annalen der Physik. -1881. - V. 249. - №. 5. - P. 141-164]. В результате действия внешнего магнитного поля на атомные магнитные моменты магнетика происходит изменение энтропии магнитной подсистемы, что в адиабатическом случае (то есть при постоянной суммарной энтропии) влечет изменение энтропии структурной подсистемы. Таким образом, происходит перераспределение внутренней энергии между магнитной и структурной подсистемами магнетика и, как следствие, его нагрев или охлаждение.
В случае ферромагнетика и парамагнетика увеличение внешнего магнитного поля увеличивает число параллельных магнитных моментов, уменьшая магнитную часть энтропии, это в свою очередь приводит к увеличению энтропии кристаллической решетки, и материал нагревается (прямой МКЭ). В антиферромагнетике магнитную часть энтропии можно разбить на магнитные энтропии подрешеток кристалла. Воздействие внешнего магнитного поля на магнетик вдоль магнитных моментов одной из подрешеток приводит к тому, что магнитные моменты обоих подрешеток становятся сонаправленными. Таким образом, магнитная энтропия одной из подрешеток увеличится, а другой, соответственно, не изменяется.
В адиабатных условиях это приводит к уменьшению энтропии кристаллической решетки, то есть к охлаждению магнетика (обратный МКЭ). В окрестности фазовых переходов величина МКЭ может достигать гигантских значений [Gschneidner, K.А. Thirty years of near room temperature magnetic cooling: Where we are today and future prospects / K.A. Gschneidner, V. K. Pecharsky // Int. J. Refrig. - 2008. - V. 31. - №6. - P. 945-961]. Адиабатическое изменение температуры и изотермическое изменение магнитной части энтропии представляют собой функции температуры, давления и изменения магнитного поля [Chernyshov, A.S. Magnetic and magnetocaloric properties and the magnetic phase diagram of single-crystal dysprosium / A. S. Chernyshov, A. O. Tsokol, A. M. Tishin, K. A. Gschneidner, V. K. Pecharsky // Phys. Rev. B. - 2005. - V. 71. - №18. - P. 184410-1-184410-17; Tishin, A. M. Dynamic magnetocaloric effect / A.M. Tishin, Y.I. Spichkin, K.A. Gschneidner, JR., V.K. Pecharsky // Refrigeration science and technology proceedings. Second IIF-IIR International Conference on Magnetic Refrigeration at Room Temperature, Portoroz, Slovenia, 11-13 April 2007. - №2007-1. - P. 35- 45].
Укажем, что еще в 1999 г. компания "American Astronautic Corporation", USA продемонстрировала рабочий образец магнитного холодильного устройства, предназначенного для работы при комнатной температуре, способного развивать мощность Р=120…600 W при использовании магнитных полей с величиной магнитной индукции до B=5 Tl, и создающего при работе разность температур δТ=10…30 К [Gschneidner, K.А. Thirty years of near room temperature magnetic cooling: Where we are today and future prospects / K.A. Gschneidner, V.K. Pecharsky // Int. J. Refrig. - 2008. - V. 31. - №6. - P. 945-961]. В качестве рабочего тела в представленной установке использовался гадолиний (Gd). Однако гадолиний является достаточно дорогим, что делает в настоящее время производство подобных установок нерентабельным. В связи с этим интенсивные исследования, проводимые, в том числе, в США, Канаде, ЕЭС, России, Китае, Японии и других странах, выявили ряд сплавов и соединений, перспективных для применения в качестве рабочего тела в технике магнитного охлаждения, например, в окрестностях комнатных температур.
К ним были отнесены редкоземельные соединения вида RM2 (где: R - редкоземельные металлы, М=Al, Со, Ni) и Gd5(Si1-xGex)4, интерметаллиды Mn(As1-xSbx), MnFe(P1-xAsx) и La(Fe13-xSix), а также редкоземельные манганиты R1-xMxMnO3 (М=Са, Sr, Ва) и др. Необходимо отметить, что многие приведенные выше материалы обладают одной общей чертой, а именно, магнитным фазовым переходом 1-го рода (ферромагнетик - парамагнетик или антиферромагнетик - ферромагнетик). Подобная общность указывает, скорее всего, на то, что наблюдаемый в этих материалах гигантский МКЭ обусловлен не только изменением энтропии магнитной подсистемы, но и вкладом от структурной подсистемы.
Одними из перспективных магнитных материалов для использования в магнитных охлаждающих устройствах являются сплавы Гейслера: Ni-Mn-X, где: X=Ga, In, Sb, Sn. Начиная с 2014 г. порядка 20% всех опубликованных работ в рамках исследования магнитокалорического эффекта направлены на изучение явления именно в данных сплавах. На сегодняшний день особое внимание уделяется многокомпонентным сплавам Гейслера. Дополнение сплавов Гейслера четвертым или даже пятым компонентом может существенно улучшить качество данных сплавов, а именно - увеличить максимальное значение МКЭ [Liu, J. Giant magnetocaloric effect driven by structural transitions. / J. Liu, T. Gottschall, K. P. Skokov, J. D. Moore, O. Gutfleisch // Nat. Mater. - 2012. - V. 11. - №7. - P. 620-626]; изменять температуру фазового превращения и тем самым перемещать максимум МКЭ; а также может улучшать и пластические свойства сплавов [Stepanova, N.N. Phase composition and the mechanical properties of a Heusler alloy Ni2MnGa alloyed by iron and tungsten / N. N. Stepanova, D. P. Rodionov, V. a. Kazantsev, V. a. Sazonova, Y. I. Philippov // Phys. Met. Metallogr. - 2007. - V. 104. - №6. - P. 637-643; Wang, H.B. Effect of Fe content on fracture behavior of Ni-Mn-Fe-Ga ferromagnetic shape memory alloys / H.B. Wang, F. Chen, Z.Y. Gao, W. Cai, L.C. Zhao // Mater. Sci. Eng. A. - 2006. - V. 438-440. - №0. - P. 990-993].
На фиг.1 показан предлагаемый радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов.
На фиг.2 приведен вид сбоку полупроводникового или микроэлектронного электровакуумного прибора с радиатором предлагаемой конструкции, где позициями обозначены: 1 - штыри, 2 - пластина, 4 -теплопроводная полка, 3 - отверстия в штырях, 5 - охлаждаемый электронный прибор (часть прибора - в случае ЛБВ).
На фиг.3 и фиг.4 соответственно показана структура пенометалла с открытыми порами, в том числе и при увеличении.
Охлаждаемый электронный прибор 5 может располагаться на теплопроводной полке 4 или непосредственно на самой пластине 2; причем при использовании предлагаемого радиатора для охлаждения мощных полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов, имеющих большие габариты, например, ламп бегущей волны (ЛБВ), использующих для фокусировки электронного пучка магнитную периодическую фокусирующую систему (МПФС) с значительными величинами магнитной индукции, его конструкция может быть выполнена модульной, охватывающей с внешней стороны корпус ЛБВ в зоне охлаждения (условно не показано).
Штыри радиатора могут иметь, например, квадратную, прямоугольную или цилиндрическую и другую форму поперечного сечения.
Штыри 1 выполнены, в частности, в виде параллелепипедов и повернуты или гранями или ребрами к потоку охлаждающей среды. Штыри могут располагаться как с одной стороны пластины, так и с двух сторон в шахматном и (или) коридорном порядке; причем расположение штырей ребрами к потоку позволяет уменьшить аэродинамическое сопротивление радиатора.
Поток рабочей среды, проходя через штыри 1, образует отрывные вихревые зоны, интенсифицирующие теплообмен. Различное (шахматное и (или) коридорное) расположение штырей позволяет турбулизировать само ядро потока и пограничный слой по всей поверхности охлаждаемой пластины. Кроме этого отметим, что на фокусировку электронного пучка в магнитной периодической фокусирующей системе ЛБВ оказывают влияние не только продольная составляющая магнитного поля, но и поперечная составляющая и ее азимутальное распределение [В.М. Белугин, А.Е. Васильев, В.В. Ветров, Н.Е. Розанов. Разработка, методы расчета и создание широкополосных ЛБВ для непрерывного режима работы. Препринт 2005-03. М., МРТИ РАН, 2005. - 20 с.]. Для функционирования ЛБВ относительно малой мощности (Р=100…150 W) при работе используется напряжение и ток соответственно порядка U=22…24 kV; I=3…4 А; при этом величина магнитной индукции в магнитной периодической фокусирующей системе для фокусировки электронного пучка составляет примерно В=0,2…0,3 Tl.
В качестве пенометалла с открытыми порами для теплопроводной полки 4, пластины 2 и штырей 1 используется пенометалл с большой величиной магнитокалорического эффекта, например, на основе сплавов CALOPIVAC С, CALORIVAC Н и др., дополнительно понижающий температуру примерно на δТ=2,2…4.6 К; (*при постоянном воздействии магнитного поля с величиной индукции В=1,25…1,5 Tl); - [Vacuumschmelze GmbH & Co. KG, Germany, официальный сайт: www.vacuumschmelze.com].
Таким образом, предлагаемая конструкция радиатора позволяет в результате интенсификации теплообмена с окружающей средой - поскольку пластина выполнена из пенометалла с открытыми порами, а в качестве пенометалла с открытыми порами используется пенометалл с большой величиной магнитокалорического эффекта, дополнительно понижающий температуру на основе магнитокалорического эффекта - увеличить отвод тепла от полупроводниковых или микроэлектронных электровакуумных приборов большой мощности без увеличения внешних размеров радиатора, что даже при тех же габаритах радиатора и в таких же условиях эксплуатации приведет к повышению эффективности теплообмена устройства и дополнительному понижению температуры, обеспечивая тем самым достижение технического результата предлагаемой полезной модели.
Источники информации
1. Авторское свидетельство СССР №1229982, МПК: Н05К 7/20, H01L 23/34
2. Авторское свидетельство СССР №1409848, МПК: F28F 3/02
3. Патент РФ №2037988, МПК: Н05К 7/20, H01L 23/34
4. Патент РФ на полезную модель №110893, МПК: Н05К 7/20
5. Патент РФ на полезную модель №207764, МПК: Н05К 7/20
6. Warburg, Е. Magnetische Untersuchungen //Annalen der Physik. - 1881. - V. 249. - №. 5. - P. 141-164
7. Gschneidner, K.A. Thirty years of near room temperature magnetic cooling: Where we are today and future prospects / K.A. Gschneidner, V. K. Pecharsky // Int. J. Refrig. - 2008. - V. 31. - №6. - P. 945-961
8. Chernyshov, A.S. Magnetic and magnetocaloric properties and the magnetic phase diagram of single-crystal dysprosium / A.S. Chernyshov, A.O. Tsokol, A.M. Tishin, K.A. Gschneidner, V.K. Pecharsky // Phys. Rev. B. - 2005. - V. 71. -№18.-P. 184410-1-184410-17;
9. Tishin, A.M. Dynamic magnetocaloric effect / A.M. Tishin, Y.I. Spichkin, K.A. Gschneidner, JR., V.K. Pecharsky // Refrigeration science and technology proceedings. Second IIF-IIR International Conference on Magnetic Refrigeration at Room Temperature, Portoroz, Slovenia, 11-13 April 2007. - №2007-1. - P. 35-45
10. Liu, J. Giant magnetocaloric effect driven by structural transitions. / J. Liu, T. Gottschall, K.P. Skokov, J.D. Moore, O. Gutfleisch //Nat. Mater. - 2012. - V. 11. - №7. - P. 620-626
11. Stepanova, N.N. Phase composition and the mechanical properties of a Heusler alloy Ni2MnGa alloyed by iron and tungsten / N.N. Stepanova, D.P. Rodionov, V. a. Kazantsev, V. a. Sazonova, Y.I. Philippov // Phys. Met. Metallogr. - 2007. - V. 104. - №6. - P. 637-643
12. Wang, H.B. Effect of Fe content on fracture behavior of Ni-Mn-Fe-Ga ferromagnetic shape memory alloys / H.B. Wang, F. Chen, Z.Y. Gao, W. Cai, L.C. Zhao // Mater. Sci. Eng. A. - 2006. - V. 438-440. - №0. - P. 990-993
13. В.M. Белугин, A.E. Васильев, В.В. Ветров, Н.Е. Розанов. Разработка, методы расчета и создание широкополосных ЛБВ для непрерывного режима работы. Препринт 2005-03. М., МРТИ РАН, 2005. - 20 с.
14. Vacuumschmelze GmbH & Co. KG, Germany, официальный сайт: www.vacuumschmelze.com
Claims (1)
- Радиатор для охлаждения полупроводниковых или микроэлектронных электровакуумных приборов, содержащий пластину, штыри, теплопроводную полку для размещения электронного прибора и отверстия для прохождения охлаждающей среды, причем штыри выполнены с дополнительными отверстиями, образующими пространственную фрактальную структуру, на пластине и полке для размещения электронного прибора выполнены поверхностные фрактальные структуры, а пластина выполнена из пенометалла с открытыми порами, отличающийся тем, что в качестве пенометалла с открытыми порами используется пенометалл с большой величиной магнитокалорического эффекта.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU222954U1 true RU222954U1 (ru) | 2024-01-24 |
Family
ID=
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411508B1 (en) * | 2000-01-29 | 2002-06-25 | Korea Institute Of Science And Technology | Foam metal heat sink |
| CN201294224Y (zh) * | 2008-12-01 | 2009-08-19 | 王建 | 开孔泡沫金属热管针翅组合式cpu散热器 |
| RU110893U1 (ru) * | 2011-06-16 | 2011-11-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ) | Радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов |
| RU207764U1 (ru) * | 2021-04-16 | 2021-11-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) | Радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов |
| RU215847U1 (ru) * | 2022-10-17 | 2022-12-29 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) | Радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов |
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411508B1 (en) * | 2000-01-29 | 2002-06-25 | Korea Institute Of Science And Technology | Foam metal heat sink |
| CN201294224Y (zh) * | 2008-12-01 | 2009-08-19 | 王建 | 开孔泡沫金属热管针翅组合式cpu散热器 |
| RU110893U1 (ru) * | 2011-06-16 | 2011-11-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ) | Радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов |
| RU207764U1 (ru) * | 2021-04-16 | 2021-11-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) | Радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов |
| RU215847U1 (ru) * | 2022-10-17 | 2022-12-29 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) | Радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20150033763A1 (en) | Material for magnetic refrigeration and magnetic refrigeration device | |
| Pulko et al. | Epoxy-bonded La–Fe–Co–Si magnetocaloric plates | |
| JP4622179B2 (ja) | 磁気冷凍作業物質および蓄冷式熱交換器ならびに磁気冷凍装置 | |
| US20110048031A1 (en) | Magneto-caloric regenerator system and method | |
| US20130232993A1 (en) | Heat exchanger and magnetic refrigeration system | |
| US8099964B2 (en) | Magnetic refrigerating device and magnetic refrigerating method | |
| Vasile et al. | Innovative design of a magnetocaloric system | |
| US20120023969A1 (en) | Cooling system of an electromagnet assembly | |
| US20120031109A1 (en) | Magnetocaloric refrigerator | |
| US20040182086A1 (en) | Magnetocaloric refrigeration device | |
| US20060080979A1 (en) | Method and device for the generation of cold and heat by magneto-calorific effect | |
| CN110226207A (zh) | 用于磁制冷应用的磁致热合金 | |
| TW202112548A (zh) | 鞘一體型磁冷凍構件、其製造方法及磁冷凍系統 | |
| JP2016520256A (ja) | 磁気冷却装置用の回転磁気遮蔽システムの使用方法 | |
| JP2014520353A (ja) | 電気化学的エネルギー貯蔵器の冷却装置および冷却方法 | |
| US9970690B2 (en) | Magnetic refrigerator and device including the same | |
| RU222954U1 (ru) | Радиатор для охлаждения полупроводниковых и микроэлектронных электровакуумных приборов | |
| Engelbrecht et al. | Recent developments in room temperature active magnetic regenerative refrigeration | |
| JP2012177499A (ja) | 磁気式温度調整装置 | |
| JP5310514B2 (ja) | 冷却装置 | |
| CN109763049B (zh) | 复合磁制冷材料及其制备方法、磁制冷设备 | |
| CN113923950A (zh) | 一种利用磁场和微槽道实现大热流密度器件冷却的装置及方法 | |
| CN216437812U (zh) | 一种基于热磁效应的无泵冷却装置 | |
| Miao et al. | Microchannel magnetic regenerators with optimized porosity by electrodischarge drilling: Microstructure and refrigeration performance | |
| TWI275758B (en) | Nano magnetic fluid refrigeration device with magnetic refrigerator module |