RU2228311C2 - Способ получения композитных материалов на основе высокотемпературных сверхпроводников - Google Patents
Способ получения композитных материалов на основе высокотемпературных сверхпроводников Download PDFInfo
- Publication number
- RU2228311C2 RU2228311C2 RU2002122155/03A RU2002122155A RU2228311C2 RU 2228311 C2 RU2228311 C2 RU 2228311C2 RU 2002122155/03 A RU2002122155/03 A RU 2002122155/03A RU 2002122155 A RU2002122155 A RU 2002122155A RU 2228311 C2 RU2228311 C2 RU 2228311C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature
- magnetic field
- production
- base
- composite materials
- Prior art date
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 16
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005404 magnetometry Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 229910017676 MgTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 abstract 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 3
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Mn+2] PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области магнитометрии, радиоэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано в криоэлектронике, в частности для точного измерения слабых магнитных полей. Способ получения композитных материалов на основе высокотемпературных сверхпроводников включает приготовление композита из высокотемпературной сверхпроводящей керамики и диэлектрика и их спекание, при этом спекание смеси сначала проводят при температуре 900-950°С в течение 2-20 минут, а затем выдерживают при температуре 350-450°С в течение 2-10 часов и охлаждают вместе с печью, а в качестве высокотемпературной керамики используют Y1-xLuxBa2Cu3O7, где 0≤х≤0,5, а в качестве диэлектрика используют один из оксидов: CuO; MgTiO3 и Y3Al5О12. Способ обеспечивает получение материала на основе высокотемпературного сверхпроводника, обладающего высокими значениями чувствительности к магнитному полю, гигантским магниторезистивным эффектом при 77К и линейной зависимостью электросопротивления от магнитного поля. 2 табл., 3 ил.
Description
Изобретение относится к области магнитометрии, радиоэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано в криоэлектронике, в частности для точного измерения слабых магнитных полей.
Известен способ получения высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) - композитов методом длительного спекания при высоких температурах [1]. На первом этапе синтезируют исходный ВТСП состава YВа2Сu3O7. Второй компонент композита - диэлектрик ZrO2 берется в виде порошка. Затем смешивают исходные порошки в определенных пропорциях (до 20 вес.% ZrO2), прессуют таблетки и окончательно спекают при температуре 930-950°С в течение 10-15 ч [1].
Материал, полученный таким способом, хотя и имеет улучшенные (по сравнению с чистыми ВТСП) механические характеристики, но не обладает высокой чувствительностью электросопротивления к магнитным полям при температуре жидкого азота 77К.
Наиболее близким техническим решением является способ получения композитных материалов из YВа2Сu3O7 и оксида меди CuO [2]. В указанной работе начальные компоненты, взятые в виде порошков, перетирались в алюминиевой ступке с ацетоном. Затем порошок высушивался на воздухе и изостатически прессовался в таблетки в масляной полости. Таблетки синтезировались при 950°С на воздухе в течение 20 ч.
Полученные в работе [2] образцы обладают линейной зависимостью электросопротивления от температуры выше сверхпроводящего перехода, подобно исходному ВТСП. Это свидетельствует о том, что транспортный ток протекает в основном через кристаллиты ВТСП, минуя гранулы диэлектрика. Поэтому основные резистивные и магниторезистивные свойства ВТСП - композитов не отличаются от таковых для исходных ВТСП - керамик.
Техническим результатом изобретения является получение материала на основе высокотемпературного сверхпроводника, обладающего высокими значениями чувствительности к магнитному полю, гигантского магниторезистивного эффекта при 77К и линейной зависимостью электросопротивления от магнитного поля.
Технический результат достигается тем, что в способе получения композитных материалов на основе высокотемпературных сверхпроводников, включающем приготовление композита из высокотемпературной сверхпроводящей керамики и диэлектрика и их спекание, новым является то, что спекают смесь сначала при температуре 900-950°С в течение 2-20 мин, а затем выдерживают при температуре 350-450°С в течение 2-10 ч и охлаждают вместе с печью, а в качестве высокотемпературной сверхпроводящей керамики используют Y1-xLuxBa2Cu3O7 (0≤х≤0,5), в качестве диэлектрика используют один из оксидов: СuО; MgTiO3 и Y3Аl5O12.
В данном способе используется не длительный отжиг [1, 2], описанный выше, при котором происходит рост кристаллитов ВТСП и формируется бесконечный сверхпроводящий кластер, по которому протекает транспортный ток, а режим быстрого спекания. Второй несверхпроводящий ингредиент композита формирует барьеры для носителей сверхпроводящего тока, туннелирующих между гранулами ВТСП. В “чистой” ВТСП керамике этими барьерами являются границы раздела между сверхпроводящими кристаллитами. Введение несверхпроводящего ингредиента в матрицу ВТСП приводит (к ослаблению “связи” сверхпроводящих гранул и, как следствие, к усилению влияния внешних факторов (магнитное поле) на электросопротивление материала. Необходимым условием для композита является отсутствие сильного химического взаимодействия между компонентами композита.
Для приготовления композитов нами использовалась керамика Y1-xLuxBa2Cu3O7 (0≤х≤0,5), полученная стандартной методикой твердофазного синтеза [3] из порошков ОСЧ Y2О3, Lu2О3, ВаО2, СuО при температуре 930°С в течение 30 ч с тремя промежуточными помолами.
В качестве второго несверхпроводящего ингредиента используются диэлектрики, взятые в виде окислов. Были использованы ОСЧ порошок СuО и синтезированные MgTiO3, Y3Al5O12. MgTiO3 был приготовлен из порошков ОСЧ MgO, NiO и TiO2 стандартной методикой твердофазного синтеза при температуре 950°С в течение 40 ч с тремя промежуточными помолами. YaAl5O12 был также приготовлен по стандартной методике твердофазного синтеза соответственно из порошков ОСЧ Y2О3, Аl(ОН)3 при температуре 1250°С в течение 40 ч с тремя промежуточными помолами.
Композиты приготавливались следующим образом. Смесь порошкообразных компонентов будущего композита, взятых в нужных пропорциях, тщательно перемешивалась в агатовой ступке и затем прессовалась в таблетки. Давление в прессе -10 Т, скорость компактирования составляла величину ~5×10-4 м/с, время компактирования ~5 с. Далее прессованные таблетки помещались на предварительно нагретые лодочки в печь при температуре 900-950°С, где выдерживались в течение 2-20 мин. Затем лодочки с композитами помещались в другую печь, разогретую до температуры 350-450°С, где они выдерживались в течение 2-10 ч и охлаждались вместе с печью.
Были приготовлены композиты с объемным содержанием перечисленных выше диэлектриков от 2 до 50 об.%. Рентгеноструктурные исследования полученных композитов показали только рефлексы соответствующих фаз исходных ингредиентов, что говорит об отсутствии их химического взаимодействия. Электронная микроскопия композитов показала, что средний размер кристаллитов YBCO в композите составляет величину ~1,5 μт.
Для экспериментальной проверки заявленных составов композитов были исследованы зависимости электросопротивления от температуры и измерен эффект магнитосопротивления на композитах, чья маркировка приведена в Таблице 1.
Образцы выпиливались в форму параллелепипеда с размерами 2×2×10 мм3. Электросопротивление полученных образцов измерялось стандартным четырехточечным методом. Токовые и потенциальные контакты - прижимные, золоченые. Во время измерения образец находился в теплообменной гелиевой атмосфере. Использовались плотности тока до 1 мА/см, что составляет 30 мА аппаратурного тока. Было установлено, что при указанных значениях транспортного тока разогрев образца, связанный с джоулевым выделениям тепла на токовых контактах, незначителен и не изменяет температуру образца даже в том случае, когда образец находится в разреженной атмосфере.
Типичные экспериментальные зависимости электросопротивления от температуры композитов приведены на фиг.1. Скачок электросопротивления при 93,5К соответствует переходу в сверхпроводящее состояние сверхпроводящих кристаллитов, затянутый переход до некоторой температуры, когда электросопротивление становится равным нулю ТCО (регистрирующемся с точностью 10-6 Ом×см) является следствием перехода в сверхпроводящее состояние сети контактов YBCO-CuO-YBCO. Из чертежа видно, что сравнительно малое внешнее магнитное поле значительно уменьшает эту температуру ТCО. Этот физический эффект подавления сверхпроводящих свойств сети переходов сверхпроводник - диэлектрик - сверхпроводник магнитным полем, не наблюдающийся раннее на ВТСП - композитах, может лежать в основе использования ВТСП - композитов в качестве высокочувствительных датчиков магнитного поля. Зависимость электросопротивления от магнитного поля композита 85 YBCO+15 CuO при фиксированной температуре 77К (удобной для практического применения) приведена на фиг.2 для трех значений транспортного тока: 0,03, 0,09 и 0,3 А/см2. При малых значениях транспортного тока зависимость R(H) имеет участок с нулевым значением сопротивления, но протяженность этого участка легко регулировать транспортным током (в отличие от прототипа), что видно из кривой R(H), измеренной при токе 0,09 А/см2, где электросопротивление становится отличным от аппаратурного нуля при минимальном увеличении поля (1 Э). При увеличении транспортного тока (0,3 А/см) на зависимости R(H) появляется участок до ~20 Э, в котором электросопротивление является линейной функцией магнитного поля, что важно для датчиков магнитного поля. Чувствительность электросопротивления от магнитного поля dρ/dH на участке 0÷20 Э для композита 85 YBCO+15 CuO составляет 2,5х10-3Ом×см/Э, что, по крайней мере, на порядок выше этой величины для прототипа. На фиг.3, приведена зависимость магниторезистивного эффекта, полученного на композите 85 YBCO+15 CuO при 77К и транспортном токе 0,9 мА/см2, в координатах Δρ0={[ρ(Н)-ρ(Н=0)]/ρ(Н=0)}×100%, Н. Видно, что в поле Н=50 Э величина Δρ0 составляет более 800% и, в принципе, путем подбора значений транспортного тока можно добиться и больших показателей магниторезистивного эффекта. В таблице 2 приведены значения магниторезистивного эффекта в полях 100 Э и 60 кЭ для исследованных композитных составов при температурах жидкого азота (77К) и жидкого гелия (4,2К). Видно, что из выбранных составов наибольшими величинами магниторезистивного эффекта и чувствительности dρ/dH при температуре 77К обладают композиты, в которых в качестве диэлектрика взят оксид меди.
Композиты с MgTiO3 и Y3Аl5О12 имеют высокие характеристики Δρ0 и dρ/dH при температуре ниже 77К. Например, для 92,5 YBCO+7, MgTiO3 при Т=60К Δρ0 (Н=100 Э)=1800%, dρ/dH=0.71×10-3Ом×см/Э (0≤Н≤20Э), для 92, YBCO+7, Y3Al5O12 при Т=70К Δρ0 (Н=100Э)=1000%, dρ/dH=0.1×10-3Ом×см/Э (0≤Н≤20Э).
Наибольший магниторезистивный эффект при Т=77К для композитов с MgTiO3 и Y3Al5O12 будет наблюдаться при концентрации диэлектрика, меньшей 7,5 об.%.
Благодаря добавлению в сверхпроводящую матрицу ингредиента с высоким удельным сопротивлением (для СuО ρ(100К)~1012Ом×см [4]) растет и удельное сопротивление композита в нормальном (несверхпроводящем) состоянии. Это и объясняет высокие значения чувствительности по магнитному полю dρ/dH, полученные на композитах.
Из Таблицы 2 следует, что исследованные композиты обладают значительным эффектом магнитосопротивления при температуре жидкого азота, перспективным для практического применения. По сравнению с магниторезистивным эффектом в оксидах марганца, приготовленные нами композитные сверхпроводники демонстрируют большие значения магниторезистивного эффекта Δρ0={[ρ(Н)-ρ(Н=0)]/ρ(Н=0)}×100% (см. Таблицу 2) в относительно слабых полях (до 100 Э). По сравнению с выбранным прототипом, композиты имеют обладают гигантским магниторезистивным эффектом в слабых (до 100 Э) магнитных полях и линейным участком зависимости электросопротивления от магнитного поля (в диапазоне от 0 до 20 Э). Использование заявляемого изобретения позволит
- применять композиты на основе ВТСП в качестве активных элементов в безинерционных высокочувствительных датчиках слабых магнитных полей, работающих в азотных (~77К) температурах;- исключить влияние саморазогрева образца из-за выделения джоулева тепла на токоподводящих контактах, что существенно уменьшит габариты устройства.
Источники информации
1. Бильгильдеева Т.Ю., Мастеров В.Ф., Хабаров С.Э., Чурсинов А.Н., Полянская Т.А. Электрофизические свойства ВТСП - композитов YВа2Сu3О7/ZrO2. Сверхпроводимость: Физика, Химия, Техника, 1990, Т.3, №9, с.2117-2120.
2. Kim Chan-Joong, Kim Ki-Baik, Kuk Il-Hyun, Hong Gue-Won. Microstructure of the domain boundary and the effect of excess CuO in the melt-textured Y-Ba-Cu-O oxides. - Physica C, 1995, Vol.255, p.95-104.
3. D.Shi, Phase transitions in YВа2Сu3О7. - Physical Review B, 1989, Vol.39 N.7, p.4299-4305.
4. Гижевский Б.А., Самохвалов А.А., Чеботарев Н.М., Наумов С.В. Электросопротивление и термо - ЭДС СuО. Сверхпроводимость: Физика, Химия, Техника, 1991, Т.4, №4, с.827-830.
Claims (1)
- Способ получения композитных материалов на основе высокотемпературных сверхпроводников, включающий приготовление композита из высокотемпературной сверхпроводящей керамики и диэлектрика и их спекание, отличающийся тем, что спекают смесь вначале при температуре 900-950°С в течение 2-20 мин, затем выдерживают при температуре 350-450°С в течение 2-10 ч, и охлаждают вместе с печью, а в качестве высокотемпературной сверхпроводящей керамики используют Y1-xLuxBa2Cu3O7, при 0≤x≤0,5, а в качестве диэлектрика - оксиды: CuO, MgTiO3 и Y3Al5O12.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002122155/03A RU2228311C2 (ru) | 2002-08-14 | 2002-08-14 | Способ получения композитных материалов на основе высокотемпературных сверхпроводников |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002122155/03A RU2228311C2 (ru) | 2002-08-14 | 2002-08-14 | Способ получения композитных материалов на основе высокотемпературных сверхпроводников |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2002122155A RU2002122155A (ru) | 2004-02-20 |
| RU2228311C2 true RU2228311C2 (ru) | 2004-05-10 |
Family
ID=32678797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2002122155/03A RU2228311C2 (ru) | 2002-08-14 | 2002-08-14 | Способ получения композитных материалов на основе высокотемпературных сверхпроводников |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2228311C2 (ru) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2050604C1 (ru) * | 1993-04-09 | 1995-12-20 | Государственный научный центр РФ "Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.акад.А.А.Бочвара" | Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих изделий из порошка сверхпроводящей керамики |
| RU2064909C1 (ru) * | 1994-02-28 | 1996-08-10 | Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова | Способ получения сверхпроводящего оксидного материала на основе иттрий-бариевого купрата |
| RU2091880C1 (ru) * | 1995-05-19 | 1997-09-27 | Государственный научный центр РФ Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.акад.А.А.Бочвара | Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих изделий |
-
2002
- 2002-08-14 RU RU2002122155/03A patent/RU2228311C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2050604C1 (ru) * | 1993-04-09 | 1995-12-20 | Государственный научный центр РФ "Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.акад.А.А.Бочвара" | Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих изделий из порошка сверхпроводящей керамики |
| RU2064909C1 (ru) * | 1994-02-28 | 1996-08-10 | Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова | Способ получения сверхпроводящего оксидного материала на основе иттрий-бариевого купрата |
| RU2091880C1 (ru) * | 1995-05-19 | 1997-09-27 | Государственный научный центр РФ Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.акад.А.А.Бочвара | Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих изделий |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| KIM CHANG – JOONG. Microstructure of the domain boundary and the effect of excess CuO in the melt-textured Y-Ba-Cu-O oxides. - Physica C, 1995, Vol.255, p.95-104. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2002122155A (ru) | 2004-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zhao et al. | High critical current density of MgB 2 bulk superconductor doped with Ti and sintered at ambient pressure | |
| Sheng et al. | Superconductivity at 90 K in the Tl-Ba-Cu-O system | |
| US8688181B1 (en) | Superconductive compounds having high transition temperature, and methods for their use and preparation | |
| Paul et al. | Inductive measurements of intergranular critical currents in ceramic rings: A comparison between sintered and melt processed Y-, Bi-and Tl-based superconductors | |
| CA1337149C (en) | Devices and systems based on novel superconducting material | |
| JPS63232208A (ja) | 導電性又は超伝導性薄膜の製造方法 | |
| RU2228311C2 (ru) | Способ получения композитных материалов на основе высокотемпературных сверхпроводников | |
| JP2533108B2 (ja) | 超伝導性材料 | |
| CA1341626C (en) | Devices and systems based on novel superconducting material | |
| CA1341636C (en) | Superconductive compounds having high transition temperature, and methods for their use and preparation | |
| EP0443488B1 (en) | Method for producing oxide superconductor | |
| JP2855123B2 (ja) | 酸化物超電導体 | |
| Liu et al. | Superconductivity above 130 K in Tl1− xHgxBa2Ca2Cu3O8+ δ | |
| JP2855128B2 (ja) | 酸化物超電導体 | |
| JP2855126B2 (ja) | 酸化物超電導体 | |
| Miller et al. | Enhanced superconducting properties in Bi/sub 2/Sr/sub 2/Ca/sub 1/Cu/sub 2/O/sub y/by thermal and mechanical processing | |
| JP2855127B2 (ja) | 酸化物超電導体 | |
| RU2241675C1 (ru) | Перовскитоподобный рутено-купрат на основе празеодима в качестве магнитоупорядоченного сверхпроводящего материала | |
| JP2523928B2 (ja) | 酸化物超伝導体およびその製造方法 | |
| JPH0380110A (ja) | 酸化物超電導体 | |
| Shpeizman et al. | Effect of the relative content of Y, Ba, and Cu on the superconducting transition characteristics of the Y Ba Cu O System | |
| JPS63315566A (ja) | 高Ｊｃ，高Ｔｃペロブスカイト型酸化物超電導材 | |
| Hong et al. | Evicence for weak link and anisotropy firmitations on the transport critical current in bulk polycrystaliine Y., BaCuO | |
| JPH01212222A (ja) | 酸化物超伝導材料 | |
| Ovshinsky | Superconductivity at 155 K SR Ovshinsky, RT Young, DD Allred, G. DeMaggio, and GA Van der Leeden Energy Conversion Devices, Inc., Troy, Michigan 48084 (Received 22 May 1987) Transition to a superconducting zero-resistance state at 155 K is observed for the first time in bulk |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20040815 |