RU2217843C2 - Способ отбраковки интегральных схем - Google Patents
Способ отбраковки интегральных схем Download PDFInfo
- Publication number
- RU2217843C2 RU2217843C2 RU2001128329A RU2001128329A RU2217843C2 RU 2217843 C2 RU2217843 C2 RU 2217843C2 RU 2001128329 A RU2001128329 A RU 2001128329A RU 2001128329 A RU2001128329 A RU 2001128329A RU 2217843 C2 RU2217843 C2 RU 2217843C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- integrated circuits
- aluminum
- corrosion
- temperature
- rejecting
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Examining Or Testing Airtightness (AREA)
Abstract
Использование: для отбраковки загерметизированных интегральных схем. Сущность изобретения: интегральные схемы подвергают воздействию внешнего фактора, в данном случае циклическому воздействию повышенной и пониженной температуры, получают изменение информативного параметра, по величине которого делают вывод о наличии коррозии алюминиевой металлизации на кристалле. При этом время выдержки и количество циклических воздействий рассчитывают по допустимому на схему натеканию, изменению внутреннего свободного объема от температуры и количеству алюминия на незащищенных контактных площадках. Техническим результатом изобретения является обеспечение сплошного контроля интегральных схем на наличие загрязнений кристаллов в загерметизированных схемах, приводящих к коррозии. Контроль осуществляется без разрушения конструкции, без внесения неконтролируемых дефектов и с использованием простой аппаратуры. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области производства и эксплуатации интегральных схем и может быть использовано для их отбраковки с наличием загрязнений кристаллов в загерметизированных ИС, приводящих со временем к коррозии алюминиевой металлизации на кристалле.
Известно, что даже в нормальных условиях при длительном хранении ИС (как правило от шести месяцев до нескольких лет) в отдельных схемах появляются отказы, связанные с разрушениями алюминиевой металлизации на кристалле (коррозия) из-за наличия загрязнения и влаги внутри корпуса изделия. Анализ микроскопических проб показывает, что в большинстве случаев на участках алюминия, пораженных коррозией, обнаруживаются ионы хлора, которые как правило, являясь катализатором и участвуя в реакции, освобождаются, что соответствует следующим химическим реакциям:
Al+3Cl--->AlCl3 -+3e
AlCl3 -+3H2O-->Al(OH)3+3H++3Cl- (1)
При полном отсутствии влаги внутри корпуса схемы и абсолютной герметичности корпуса коррозия остановилась бы после израсходования имеющихся ионов хлора. Если в составе газов внутри корпуса схемы имеются пары воды, реакции будут идти непрерывно, пока не израсходуются все пары воды или не прореагирует весь алюминий на кристалле.
Al+3Cl--->AlCl3 -+3e
AlCl3 -+3H2O-->Al(OH)3+3H++3Cl- (1)
При полном отсутствии влаги внутри корпуса схемы и абсолютной герметичности корпуса коррозия остановилась бы после израсходования имеющихся ионов хлора. Если в составе газов внутри корпуса схемы имеются пары воды, реакции будут идти непрерывно, пока не израсходуются все пары воды или не прореагирует весь алюминий на кристалле.
В случае идеально герметичной ИС не происходит взаимодействия между внутренним объемом корпуса и внешней средой, при этом количество газа во внутреннем объеме остается постоянным, а при изменении температуры корпуса схемы внутри объема происходит повышение или понижение давления.
Известно, пороговое значение влажности, выше которого возможна коррозия алюминиевой металлизации внутри загерметизированной ИС, составляет 10 г/м3 [1] , что соответствует содержанию паров воды в подкорпусном объеме ИС 5000 ppm (или 0,5 объемных процента) при 100±5oС.
Известны методы контроля содержания паров воды в объеме корпуса ИС, которые являются выборочными и разрушающими конструкцию схемы [2], с использованием сложной аппаратуры (масс-спектрометра, барокамеры, электронного устройства с датчиком влажности).
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ отбраковки ИС по загрязнению кристаллов в загерметизированных изделиях, имеющих свободный внутренний объем, приведенный в [3] и принятый за прототип.
Общие технические условия (ТУ) на ИС предписывают проверку герметичности изделий после испытаний на термоциклирование в процессе технологии изготовления, а также при периодических и конструктивных испытаниях. Способ-прототип основан на циклических воздействиях на изделия при различных температурах и направлен на проверку целостности конструкции при перепаде температур.
Но эти испытания не отбраковывают ИС с наличием загрязнений на кристаллах изделий, приводящих со временем к коррозии алюминиевой металлизации, что является недостатком способа-прототипа.
Изобретение направлено на сплошной контроль ИС на наличие загрязнений кристаллов в загерметизированных ИС, приводящих к коррозии, методом без разрушения конструкции, без внесения неконтролируемых дефектов и с использованием простой аппаратуры.
Для устранения указанного недостатка в способе отбраковки интегральных схем (ИС) по загрязнению кристаллов в загерметизированных изделиях, имеющих свободный внутренний объем, основанном на циклических выдержках изделий при различных температурах, выявляемых по изменению информативного параметра относительно норм, указанных в технических условиях на изделие, отбраковку проводят по проявлению загрязнений, приводящих со временем к коррозии алюминиевой металлизации на кристаллах, время выдержки и количество циклических воздействий рассчитывают по допустимому на ИС натеканию, изменению внутреннего объема от температуры и количеству алюминия на незащищенных контактных площадках.
Сущность заявляемого способа отбраковки заключается в следующем.
Если ИС не идеально герметична (в этот вариант входят ИС и с натеканием, считающимся годными по общим ТУ [3]), то будет происходить взаимодействие внутреннего объема и внешней среды при изменении температуры до сравнивания давления в объеме корпуса с внешним. При этом заменяется только часть внутреннего объема, которая будет пропорциональна изменению температуры.
Например, при увеличении температуры ИС с Т1 до Т2 соответственно увеличивается внутренний объем газа в корпусе, который рассчитываемся по формуле:
где V1, V2 - внутренний объем ИС соответственно при температуре Т1 и Т2.
где V1, V2 - внутренний объем ИС соответственно при температуре Т1 и Т2.
При изменении температуры ИС расширение объема газа или его сжатие приводит к изменению давления газа внутри корпуса в соответствии с формулой:
где Р1, Р2 - давление газа внутри корпуса ИС соответственно при температуре Т1 и Т2.
где Р1, Р2 - давление газа внутри корпуса ИС соответственно при температуре Т1 и Т2.
Следовательно, в процессе однократного повышения температуры с Т1 до Т2 объем газа в негерметичных ИС должен увеличиться на величину ΔV=V2-V1.
Для изделия с натеканием В при однократном изменении температуры от Т2 до Т1 выравнивание давлений, то есть изменение внутреннего газа на объем ΔV произойдет за время, которое рассчитывается по формуле [4]:
молекулярный вес воздуха и гелия, равный соответственно 28,9 и 4.
молекулярный вес воздуха и гелия, равный соответственно 28,9 и 4.
На примере ИС в 14-выводном металлостеклянном корпусе 401.14-3 рассмотрим алгоритм действий по предлагаемому способу отбраковки ИС.
При нормальной температуре Т1= 20oC значения V1 и Р1 будут равны V1= 0,0243 см8 и Р1=105 Па;
при 125oС: V2=0,033 см3 и P2=1,36•105 Па. Тогда ΔV=0,0087 см3.
при 125oС: V2=0,033 см3 и P2=1,36•105 Па. Тогда ΔV=0,0087 см3.
Подставляя найденные значения в формулу (4), получим, что время, при котором произойдет выравнивание, для ИС в корпусе 401.14-3 с гарантированным по ОТУ натеканием 6,65•10-9 Па•м3/с (5•10-5 л•мкм.рт.с./с), равно 9,6 ч. Таким образом, если нагреть ИС с указанным натеканием до 125oС и выдержать в течение 9,6 часа, то из корпуса за это время выйдет газ в объеме ΔV.
Если затем охладить ИС до температуры 20oС, тогда с внешней стороны (из атмосферы) в корпус, будет поступать воздух с водяными парами в течение 9,6 часа в том же объеме ΔV. Нагревание до температуры 125oС и выдержка при этой температуре в течение 9,6 часа, затем охлаждение до температуры 20oС и выдержка при этой температуре в течение 9,6 часа считается за один цикл воздействия. Время переноса изделий из одной температуры в другую не имеет значения и не учитывается.
В нормальных условиях в 1 см3 объема находится 2,68•1019 молекул газа, то есть в данном объеме ΔV=0,0087 см3 будет находиться 2,5•1017 молекул газа (воздуха и паров воды).
Если принять относительную влажность окружающего воздуха при температуре 20oС равной 65%, то в нем содержится 11,2 г/м3 водяного пара [5]. Для объема ΔV соответственно будет 10,4•10-8 г водяного пара.
Для конденсации паров воды на поверхность кристалла охладим ИС до 0oС и выдержим при этой температуре некоторое время, необходимое для того, чтобы процесс конденсации паров достиг динамического равновесия. Для этого достаточное время будет 0,8 часа, тогда время, необходимое для одного полного цикла, равняется 20 часам.
Примем для ИС в корпусе 401.14-3, что четвертая часть водяного пара конденсируется на кристалле. Так как 14 незащищенных контактных площадок из алюминия занимают 0,2 площади кристалла, то пять сотых части водяного пара будет участвовать в реакциях, подобным реакциям (1). Тогда расчет по формуле реакций (1) дает, что 2,6•10-9 г алюминия, подвергнутся коррозии за один цикл. Согласно расчетам вес алюминия на 14 контактных площадках кристалла, то есть незащищенный алюминий на кристалле, равен 2,42•10-7 г. Составляя пропорцию, получим количество циклов, равное 93, за которое алюминий на контактных площадках полностью закоррозирует. Выполняя один цикл в сутки, необходимо 93 суток, чтобы проверить качественно ли изготовляем ИС, нет ли загрязнений внутри корпуса, способных привести к коррозии алюминия. Проверяя, например, через каждые 20 циклов статические электрические параметры, в том числе токи утечки можно своевременно обнаружить ИС с коррозией металлизации.
Количество циклов значительно уменьшается, если выдержку изделий при температуре 20oС осуществлять в камере влаги с 80% и более относительной влажности.
Приведем пример применения предложенного способа для отбраковки ИС типа 134ИР1 (цифровые схемы с диэлектрической изоляцией элементов). Для эксперимента взяты 4 серийные партии разной даты выпуска по 100 шт. и 50 ИС, отбракованных по негерметичности на малые или большие течи, и проводили циклы по изложенной выше программе. Проверка статических электрических параметров, в том числе и токов утечки, проводилась через каждые 20 циклов. На первых четырех партиях отказов по электрическим параметрам не наблюдалось даже после 200 циклов. После 100 и 200 циклов из каждых четырех партий брали по 50 ИС, вскрывали и осматривали под микроскопом состояние поверхности кристалла, особенно при увеличении •200 осматривали контактные площадки. Результаты испытаний показали, что даже после 200 циклов, в два раза превышающих расчетное, признаков коррозии не обнаружено в ИС, изготовленных в серийном производстве.
Отказы по току утечки 50 ИС, отбракованных по негерметичности, но имеющих в начальный замер статические параметры, в том числе ток утечки, в нормах технических условий, произошли при измерениях, представленных в таблице.
Источники информации
1. Батюк Н.Ф., Милясевич И.В. Влияние влажной атмосферы внутри корпусов интегральных схем на коррозию алюминиевой металлизации // Электронная техника. Сер.8-6 1992, вып.2-3, с.37-38.
1. Батюк Н.Ф., Милясевич И.В. Влияние влажной атмосферы внутри корпусов интегральных схем на коррозию алюминиевой металлизации // Электронная техника. Сер.8-6 1992, вып.2-3, с.37-38.
2. ОСТ 11073.013-83. Микросхемы интегральные. Методы испытаний. Ч.2.
3. ГОСТ 18725-83. Микросхемы интегральные. Общие технические условия.
4. Левина Л.Е., Хавкин Л.П. Расчетная оценка чувствительности испытаний на герметичность замкнутых оболочек полупроводниковых приборов и микросхем // Электронная техника. Сер.7, вып.1. с.108-119.5. Астафьев А.А. Окружающая среда и надежность радиотехнической аппаратуры // М.-Л.: Госэнергоиздат, 1959. - 232 с.
Claims (1)
- Способ отбраковки интегральных схем (ИС) в герметизированных корпусах, имеющих свободный внутренний объем, основанный на циклических выдержках изделий при различных температурах и выявлении по изменению информативного статического электрического параметра (параметров), указанного в ТУ на ИС, отличающийся тем, что отбраковку проводят по проявлению загрязнений, приводящих со временем к коррозии алюминиевой металлизации на кристаллах, а время выдержки и количество циклических выдержек рассчитывают по допустимому на ИС натеканию, изменению внутреннего объема от температуры и количеству алюминия на незащищенных контактных площадках из расчета необходимого количества циклов, за которое алюминий на контактных площадках полностью коррозирует.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2001128329A RU2217843C2 (ru) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | Способ отбраковки интегральных схем |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2001128329A RU2217843C2 (ru) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | Способ отбраковки интегральных схем |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2001128329A RU2001128329A (ru) | 2003-08-10 |
RU2217843C2 true RU2217843C2 (ru) | 2003-11-27 |
Family
ID=32026959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2001128329A RU2217843C2 (ru) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | Способ отбраковки интегральных схем |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2217843C2 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2464583C2 (ru) * | 2009-11-17 | 2012-10-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах |
-
2001
- 2001-10-18 RU RU2001128329A patent/RU2217843C2/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ГОСТ 18725-83. Микросхемы интегральные. Общие технические условия, с.1-3. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2464583C2 (ru) * | 2009-11-17 | 2012-10-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Mak et al. | Optical fiber sensor for the continuous monitoring of hydrogen in oil | |
US8020426B2 (en) | Gas sorption tester for rapid screening of multiple samples | |
US4272986A (en) | Method and means for measuring moisture content of hermetic semiconductor devices | |
KR960015517B1 (ko) | 반도체소자용 패턴의 형성 또는 시험방법 | |
RU2217843C2 (ru) | Способ отбраковки интегральных схем | |
Esmeryan et al. | Humidity tolerant organic vapor detection using a superhydrophobic quartz crystal microbalance | |
Amaro et al. | X-ray fluorescence as a condition monitoring tool for copper and corrosive sulphur species in insulating oil | |
Suzuki et al. | Development of reliable technique for evaluating the properties of water vapor barriers | |
Sari et al. | AACVD grown WO 3 nanoneedles decorated with Ag/Ag 2 O nanoparticles for oxygen measurement in a humid environment | |
Li et al. | Room Temperature Flexible Ammonia Sensor Based on Sb‐Doped SnO2/Polypyrrole Nanohybrid | |
IT201600072363A1 (it) | Sensore per rilevare la presenza di un gas e/o vapore di ammoniaca. | |
CN115468904A (zh) | 高压密相co2湿气环境中原位电化学及腐蚀测试装置及方法 | |
Herbst et al. | Helium transmission rate as a rapid and reliable method for assessing the water vapour transmission rate of transparent PET‐SiOx barrier foils | |
US2444613A (en) | Low humidity meter | |
Reid et al. | Testing method for measuring corrosion resistance of surface mount chip resistors | |
JP6149601B2 (ja) | ガス透過性試験片、ガス透過性試験片作製装置、及びガスバリア透過性評価装置 | |
CN117470899B (zh) | 一种热导原理传感器测量气体浓度的装置及方法 | |
CN216847585U (zh) | 一种用于多气体浓度检测的混合气体密封腔和检测设备 | |
RU2263369C2 (ru) | Способ неразрушающего определения содержания влаги в подкорпусном объеме интегральных схем | |
Lowry et al. | Characteristics of a surface conductivity moisture monitor for hermetic integrated circuit packages | |
CN109613180B (zh) | 原位标定方法 | |
Kelly et al. | Solid-state ion sensors. Theoretical and practical issues | |
Singh et al. | Development of a Quick Test for Conformal Coatings | |
Bullis et al. | Measurement standards for integrated circuit processing | |
JPH01201131A (ja) | 気密試験方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20071019 |