RU2140688C1 - Многокристальный модуль - Google Patents
Многокристальный модуль Download PDFInfo
- Publication number
- RU2140688C1 RU2140688C1 RU99105255A RU99105255A RU2140688C1 RU 2140688 C1 RU2140688 C1 RU 2140688C1 RU 99105255 A RU99105255 A RU 99105255A RU 99105255 A RU99105255 A RU 99105255A RU 2140688 C1 RU2140688 C1 RU 2140688C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- chip
- front surface
- semiconductor crystals
- module
- semiconductor chips
- Prior art date
Links
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых микросхем. Многокристальный модуль содержит несколько полупроводниковых кристаллов, контактные площадки которых расположены на одном уровне, а межкристальное пространство заполнено безусадочной конструктивной связкой, не выступающей за лицевую поверхность, которая формирует монолитный модуль с планарно-мозаичной структурой, при этом ее толщина составляет 1,0-1,5 толщины полупроводниковых кристаллов, элементы внутримодульной межкристальной коммутации размещены в одной или нескольких плоскостях параллельно над лицевой поверхностью полупроводниковых кристаллов. Технический результат изобретения заключается в создании прочного многокристального модуля с планарно-мозаичной структурой и надежной многослойной коммутацией при простоте изготовления. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.
Description
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых микросхем.
Из уровня техники известна интегральная схема в виде многокристального модуля, содержащая несколько полупроводниковых кристаллов и элементы многослойной коммутации (см. патент СССР 1808148, кл. H 01 L 27/12, 1993 г.) Полупроводниковые кристаллы при этом запрессованы в твердое тело (металлическую подложку), которое соединено с керамической подложкой (основанием), что усложняет конструкцию, затрудняет создание планарной поверхности для формирования многослойной коммутации и ограничивает плотность компоновки.
Изобретение направлено на создание прочного многокристального модуля с планарно-мозаичной структурой и надежной многослойной коммутацией при простоте изготовления.
Решение поставленной задачи обеспечивается тем, что в многокристальном модуле, содержащем несколько полупроводниковых кристаллов, установленных в твердом теле, которое закреплено на подложку, и элементы многослойной коммутации, согласно изобретению, контактные площадки полупроводниковых кристаллов расположены на одном уровне, а элементы внутримодульной межкристальной коммутации размещены в одной или нескольких плоскостях параллельно над лицевой поверхностью полупроводниковых кристаллов, при этом межкристальное пространство заполнено безусадочной конструктивной связкой, формирующей монолитное твердое тело, которая не выступает за лицевую поверхность полупроводниковых кристаллов и имеет толщину, составляющую 1,0 - 1,5 от толщины полупроводниковых кристаллов.
Заявленное конструктивное решение за счет одноуровневого расположения контактных площадок и использования в качестве твердого тела безусадочной конструктивной связки, заполняющей межкристальное пространство и закрепленной на подложке, в заявленном диапазоне соотношений геометрических параметров позволяет получить многокристальный модуль с достаточно гладкой планарной лицевой поверхностью, что дает возможность использовать групповые методы обработки для создания высококачественной многослойной коммутации.
На чертеже схематично представлен общий вид многокристального модуля.
Многокристальный модуль содержит полупроводниковые (например, кремниевые) кристаллы 1 с контактными площадками 2, которые расположены на одном уровне, и металлизированные элементы 3 внутримодульной межкристальной коммутации с наружным диэлектрическим покрытием 4, размещенные в одной или нескольких плоскостях (слоях) параллельно над лицевой поверхностью 5 полупроводниковых кристаллов 1. Межкристальное пространство многокристального модуля заполнено безусадочной конструктивной связкой 6, выполненной, например, в виде сплава эвтектического состава (типа Al-Ge с Тпл = 424oC) или из полиимида, которая закреплена на керамической подложке 7.
При этом безусадочная конструктивная связка 6, формируя монолитное твердое тело, не выступает за лицевую поверхность 5 и имеет толщину δc, которая составляет 1,0 - 1,5 от толщины δк полупроводниковых кристаллов 1. Выполненная таким образом заявленная конструкция представляет собой прочный планарно-мозаичный монолитный модуль с высокой плотностью упаковки.
При формировании монолитного модуля используют вакуумную фиксацию полупроводниковых кристаллов 1 с вакуумированием межкристального пространства перед их погружением в расплав безусадочной связки 6 (эвтектического состава), который наносят на подложку 7, что обеспечивает достаточную механическую прочность и планарность лицевой поверхности полупроводникового изделия при толщине слоя безусадочной конструктивной связки 6 между подложкой 7 и тыльной стороной полупроводниковых кристаллов 1 до 0,5 δк.
Для выполнения тонкопленочной коммутации применяют групповые методы с использованием фотолитографии, лазерной пантографии, трафаретной печати и т. д. , что благодаря расположению контактных площадок 2 на одном уровне обусловливает высокую надежность и качество внутримодульных межкристальных соединений.
Claims (2)
1. Многокристальный модуль, содержащий несколько полупроводниковых кристаллов, которые установлены в твердом теле, закрепленном на подложке, и элементы многослойной коммутации, отличающийся тем, что контактные площадки полупроводниковых кристаллов расположены на одном уровне, а элементы внутримодульной межкристальной коммутации размещены в одной или нескольких плоскостях параллельно над лицевой поверхностью полупроводниковых кристаллов, при этом межкристальное пространство заполнено безусадочной конструктивной связкой, формирующей монолитное твердое тело, толщина которой составляет 1,0 - 1,5 от толщины полупроводниковых кристаллов.
2. Многокристальный модуль по п.1, отличающийся тем, что безусадочная конструктивная связка не выступает за лицевую поверхность полупроводниковых кристаллов.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU99105255A RU2140688C1 (ru) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | Многокристальный модуль |
PCT/RU2000/000093 WO2000057477A1 (en) | 1999-03-23 | 2000-03-22 | Polycrystalline module and method for producing a semiconductor module |
AU34675/00A AU3467500A (en) | 1999-03-23 | 2000-03-22 | Polycrystalline module and method for producing a semiconductor module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU99105255A RU2140688C1 (ru) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | Многокристальный модуль |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2140688C1 true RU2140688C1 (ru) | 1999-10-27 |
Family
ID=20217197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU99105255A RU2140688C1 (ru) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | Многокристальный модуль |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2140688C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115796249A (zh) * | 2022-11-22 | 2023-03-14 | 辉羲智能科技(上海)有限公司 | 面向chiplet互连的神经网络芯片层切换映射方法 |
-
1999
- 1999-03-23 RU RU99105255A patent/RU2140688C1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115796249A (zh) * | 2022-11-22 | 2023-03-14 | 辉羲智能科技(上海)有限公司 | 面向chiplet互连的神经网络芯片层切换映射方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5081563A (en) | Multi-layer package incorporating a recessed cavity for a semiconductor chip | |
KR930000881B1 (ko) | 세라믹 다층 회로판 및 반도체 모듈 | |
US9184124B2 (en) | Reliable surface mount integrated power module | |
US6195268B1 (en) | Stacking layers containing enclosed IC chips | |
US5637536A (en) | Method for interconnecting semiconductor chips in three dimensions, and component resulting therefrom | |
US7034401B2 (en) | Packaging substrates for integrated circuits and soldering methods | |
JP3239909B2 (ja) | 積層可能な三次元マルチチップ半導体デバイスとその製法 | |
JP2579925B2 (ja) | 相互配線回路素子の製作方法および該方法により製作した集積回路製品 | |
US20050212127A1 (en) | Integrated circuits and packaging substrates with cavities, and attachment methods including insertion of protruding contact pads into cavities | |
US3325882A (en) | Method for forming electrical connections to a solid state device including electrical packaging arrangement therefor | |
TW200826265A (en) | Semiconductor package assembly and silicon-based package substrate | |
KR20080064090A (ko) | 멀티-칩 패키지 및 그 제조 방법 | |
US10181411B2 (en) | Method for fabricating a carrier-less silicon interposer | |
JP2018120902A (ja) | 電力用電子回路パッケージおよびその製造方法 | |
US5326623A (en) | Circuit board | |
TW201209987A (en) | Chip structure having TSV connections and its stacking application | |
RU2140688C1 (ru) | Многокристальный модуль | |
EP0152794A2 (en) | Multi-layered electrical interconnection structure | |
JP4934692B2 (ja) | セラミックプローブカードの製造方法 | |
US5562837A (en) | Method for connecting electronic circuits in a multi-chip module having a co-fired substrate and multi-chip module obtained thereby | |
GB2276033A (en) | Integrated circuit package | |
RU2773807C1 (ru) | Способ изготовления микромодуля | |
JPH0439231B2 (ru) | ||
JPH0810738B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100191485B1 (ko) | 마이크로일렉트로닉 패키지 |