RU2019132405A - Датчик излучения с защитой от засветки - Google Patents
Датчик излучения с защитой от засветки Download PDFInfo
- Publication number
- RU2019132405A RU2019132405A RU2019132405A RU2019132405A RU2019132405A RU 2019132405 A RU2019132405 A RU 2019132405A RU 2019132405 A RU2019132405 A RU 2019132405A RU 2019132405 A RU2019132405 A RU 2019132405A RU 2019132405 A RU2019132405 A RU 2019132405A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sensor according
- layer
- pixel
- conductive layer
- radiation
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/041—Mountings in enclosures or in a particular environment
- G01J5/045—Sealings; Vacuum enclosures; Encapsulated packages; Wafer bonding structures; Getter arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0803—Arrangements for time-dependent attenuation of radiation signals
- G01J5/0804—Shutters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0816—Optical arrangements using attenuators
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14669—Infrared imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Claims (21)
1. Датчик излучения, содержащий множество пикселей (600), сформированных в и на полупроводниковой подложке (101), причем каждый пиксель содержит микроплату (103), подвешенную над подложкой (101) на теплоизоляционных лапках (105a, 105b), при этом микроплата (103) содержит в порядке, начиная с верхней поверхности подложки (101):
проводящий слой (601), выполненный с возможностью преобразования падающего электромагнитного излучения в тепловую энергию;
пассивный оптический затвор, содержащий термочувствительный слой (605), покрывающий одну из поверхностей проводящего слоя (601), причем термочувствительный слой (605) термически связан с проводящим слоем (601) и имеет коэффициент отражения для обнаруживаемого излучения, увеличивающийся в зависимости от его температуры; и
термистор (603), покрывающий противоположную проводящему слою (601) поверхность термочувствительного слоя (605).
2. Датчик по п.1, в котором расстояние между проводящим слоем (601) и термочувствительным слоем (605) составляет меньше 20 нм.
3. Датчик по п.1 или 2, в котором проводящий слой (601) находится в контакте с термочувствительным слоем (605).
4. Датчик по любому из пп.1–3, в котором толщина термочувствительного слоя (605) составляет между 20 и 60 нм.
5. Датчик по любому из пп.1–4, в котором проводящий слой (601) разделен на первый (601–a) и второй (601–b) отдельные участки изолирующей канавкой (705).
6. Датчик по п.5, в котором площадь поверхности первого участка (601–a) больше, чем площадь поверхности второго участка (601–b).
7. Датчик по любому из пп.1–6, в котором термочувствительный слой (605) выполнен из материала с фазовым переходом.
8. Датчик по п.7, в котором термочувствительный слой (605) выполнен из оксида металла, имеющего изолирующую фазу, прозрачную для обнаруживаемого излучения, и металлическую фазу, отражающую для обнаруживаемого излучения.
9. Датчик по п.8, в котором термочувствительный слой (605) выполнен из оксида ванадия или оксида титана.
10. Датчик по п.7, в котором термочувствительный слой (605) выполнен из Ag2S или из FeS.
11. Датчик по любому из пп.6–10, в котором термочувствительный слой (605) имеет температуру перехода между 60 и 180°C.
12. Датчик по любому из пп.1–11, в котором каждый пиксель (600) дополнительно содержит схему (102) считывания для считывания значения термистора (603) пикселя.
13. Датчик по любому из пп.1–12, в котором в каждом пикселе (600) проводящий слой (601) выполнен из материала, поглощающего обнаруживаемое излучение.
14. Датчик по любому из пп.1–13, в котором в каждом пикселе (600) проводящий слой (601) представляет собой металлический слой.
15. Датчик по любому из пп.1–14, в котором в каждом пикселе (600) проводящий слой (601) выполнен из нитрида титана.
16. Датчик по любому из пп.1–15, в котором в каждом пикселе (600) теплоизоляционные лапки (105a, 105b) лежат на вертикальных электросоединительных столбиках (107a, 107b).
17. Датчик по любому из пп.1–16, в котором в каждом пикселе (600) микроплата (103) и теплоизоляционные лапки (105a, 105b) расположены в полости (113), закрытой прозрачной для обнаруживаемого излучения крышкой (111).
18. Датчик по п.17, в котором в каждом пикселе (600) прозрачная крышка (111) герметично закрывает полость (113), и полость (113) находится под давлением, которое ниже атмосферного давления.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1752109 | 2017-03-15 | ||
| FR1752109A FR3064060B1 (fr) | 2017-03-15 | 2017-03-15 | Capteur de rayonnement muni d'une protection anti-eblouissement |
| PCT/FR2018/050619 WO2018167434A1 (fr) | 2017-03-15 | 2018-03-14 | Capteur de rayonnement muni d'une protection anti-eblouissement |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2019132405A true RU2019132405A (ru) | 2021-04-15 |
| RU2019132405A3 RU2019132405A3 (ru) | 2021-07-08 |
| RU2760103C2 RU2760103C2 (ru) | 2021-11-22 |
Family
ID=59699743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019132405A RU2760103C2 (ru) | 2017-03-15 | 2018-03-14 | Датчик излучения с защитой от засветки |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10982997B2 (ru) |
| EP (1) | EP3596435B1 (ru) |
| KR (1) | KR102587689B1 (ru) |
| CN (1) | CN110621968B (ru) |
| CA (1) | CA3055668A1 (ru) |
| FR (1) | FR3064060B1 (ru) |
| RU (1) | RU2760103C2 (ru) |
| WO (1) | WO2018167434A1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110887572B (zh) * | 2019-12-02 | 2021-03-09 | 中国船舶工业系统工程研究院 | 一种基于温度测量的用于反演太阳辐照的凸台装置 |
| US10871580B1 (en) * | 2020-07-08 | 2020-12-22 | King Saud University | Metal oxide based radiation sensor |
| FR3125585B1 (fr) * | 2021-07-22 | 2023-08-04 | Lynred | Micro-bolometre d’imagerie infrarouge |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5450053A (en) * | 1985-09-30 | 1995-09-12 | Honeywell Inc. | Use of vanadium oxide in microbolometer sensors |
| US4795240A (en) * | 1987-08-18 | 1989-01-03 | Hibshman Corporation | High speed infrared shutter |
| US5900799A (en) * | 1997-10-03 | 1999-05-04 | Mcdonnell Douglas Corporation | High responsivity thermochromic infrared detector |
| FR2796148B1 (fr) | 1999-07-08 | 2001-11-23 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur bolometrique a isolation electrique intermediaire et procede de fabrication de ce detecteur |
| FR2822541B1 (fr) | 2001-03-21 | 2003-10-03 | Commissariat Energie Atomique | Procedes et dispositifs de fabrication de detecteurs de rayonnement |
| CN101298997A (zh) * | 2008-04-29 | 2008-11-05 | 清华大学 | 双层结构的室温红外探测器阵列及其制造方法 |
| CN101718587B (zh) * | 2009-12-07 | 2011-05-25 | 北京广微积电科技有限公司 | 非致冷式红外微测热辐射计 |
| US8610070B2 (en) * | 2010-04-28 | 2013-12-17 | L-3 Communications Corporation | Pixel-level optical elements for uncooled infrared detector devices |
| US8546757B2 (en) * | 2010-04-28 | 2013-10-01 | L-3 Communications Corporation | Pixel structure for microbolometer detector |
| US8513605B2 (en) | 2010-04-28 | 2013-08-20 | L-3 Communications Corporation | Optically transitioning thermal detector structures |
| JP5736906B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-06-17 | 三菱マテリアル株式会社 | 赤外線センサ |
| US10145743B2 (en) * | 2013-03-05 | 2018-12-04 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Superconducting thermal detector (bolometer) of terahertz (sub-millimeter wave) radiation |
| US20160097681A1 (en) * | 2013-03-14 | 2016-04-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microbolometer supported by glass substrate |
| KR101780299B1 (ko) * | 2015-07-31 | 2017-10-10 | 한국과학기술원 | 자기가열 상쇄 가능한 마이크로 볼로미터 어레이 센서 및 이를 포함하는 적외선 검출기 |
| CN105060237B (zh) * | 2015-08-26 | 2016-09-14 | 无锡艾立德智能科技有限公司 | 一种焦平面阵列微桥单元桥腿复合结构 |
| US10175113B2 (en) * | 2017-04-12 | 2019-01-08 | Raytheon Company | Thermal protection mechanisms for uncooled microbolometers |
-
2017
- 2017-03-15 FR FR1752109A patent/FR3064060B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-03-14 CN CN201880032313.1A patent/CN110621968B/zh active Active
- 2018-03-14 EP EP18714318.5A patent/EP3596435B1/fr active Active
- 2018-03-14 KR KR1020197030134A patent/KR102587689B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-14 WO PCT/FR2018/050619 patent/WO2018167434A1/fr unknown
- 2018-03-14 RU RU2019132405A patent/RU2760103C2/ru active
- 2018-03-14 CA CA3055668A patent/CA3055668A1/fr active Pending
- 2018-03-14 US US16/492,575 patent/US10982997B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR3064060B1 (fr) | 2021-06-25 |
| EP3596435B1 (fr) | 2021-02-24 |
| US20200240836A1 (en) | 2020-07-30 |
| KR20190140921A (ko) | 2019-12-20 |
| CN110621968B (zh) | 2021-08-31 |
| FR3064060A1 (fr) | 2018-09-21 |
| RU2019132405A3 (ru) | 2021-07-08 |
| EP3596435A1 (fr) | 2020-01-22 |
| CA3055668A1 (fr) | 2018-09-20 |
| CN110621968A (zh) | 2019-12-27 |
| KR102587689B1 (ko) | 2023-10-12 |
| RU2760103C2 (ru) | 2021-11-22 |
| US10982997B2 (en) | 2021-04-20 |
| WO2018167434A1 (fr) | 2018-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2019132405A (ru) | Датчик излучения с защитой от засветки | |
| CN106006538B (zh) | 使用集成阻光层和透镜的热电堆温度感测器的视场窄化 | |
| KR101910575B1 (ko) | 적외선 검출기 및 적외선 이미지 센서 | |
| US9227839B2 (en) | Wafer level packaged infrared (IR) focal plane array (FPA) with evanescent wave coupling | |
| US10175113B2 (en) | Thermal protection mechanisms for uncooled microbolometers | |
| CN102280455B (zh) | 一种非制冷式红外焦平面阵列探测器 | |
| CN103776546A (zh) | 双层结构的非制冷红外焦平面阵列探测器 | |
| CN107546319B (zh) | 一种热释电红外探测器及其制备方法 | |
| CN102226721A (zh) | 一种非制冷红外探测焦平面器件 | |
| JP2015055600A (ja) | 熱型赤外線センサー | |
| KR100862947B1 (ko) | 적외선 온도 센서 및 적외선 온도 센서 모듈 | |
| US20200232853A1 (en) | Non-contact type infrared temperature sensor module | |
| KR101180647B1 (ko) | 마이크로 볼로미터에서 필 팩터를 높이기 위한 픽셀 디자인 | |
| US10254169B2 (en) | Optical detector based on an antireflective structured dielectric surface and a metal absorber | |
| JP2811709B2 (ja) | 赤外線センサ | |
| CN107990989A (zh) | 热电堆红外探测器及其制备方法 | |
| CN207556682U (zh) | 热电堆红外探测器 | |
| KR20180016143A (ko) | 비접촉식 적외선 온도 센서 모듈 | |
| CN202120912U (zh) | 一种非制冷式红外焦平面阵列探测器 | |
| Bañobre et al. | Radiative Properties of Thin Films of Common Dielectric Materials in the IR Spectral Range of 1.5–14.2 μ m: Application to Infrared Imaging | |
| RU2681224C1 (ru) | Оптимизированный термопарный сенсор | |
| KR20170011512A (ko) | 열차폐 홀을 구비하는 써모파일 장치 및 이를 이용한 온도센서 | |
| JPH11337414A (ja) | 放射温度検出素子 | |
| KR20060021982A (ko) | 써모파일 적외선 센서 | |
| SU260702A1 (ru) | Термобатарея |