RU2019112496A - Тонкопленочный фотоэлектрический модуль - Google Patents

Тонкопленочный фотоэлектрический модуль Download PDF

Info

Publication number
RU2019112496A
RU2019112496A RU2019112496A RU2019112496A RU2019112496A RU 2019112496 A RU2019112496 A RU 2019112496A RU 2019112496 A RU2019112496 A RU 2019112496A RU 2019112496 A RU2019112496 A RU 2019112496A RU 2019112496 A RU2019112496 A RU 2019112496A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photovoltaic
layer
negative
cells
positive
Prior art date
Application number
RU2019112496A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2745694C2 (ru
RU2019112496A3 (ru
Inventor
Маркус Йохан ЯНСЕН
Original Assignee
Недерландсе Органисати Вор Тугепаст-Натюрветенсхаппелейк Ондерзук Тно
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Недерландсе Органисати Вор Тугепаст-Натюрветенсхаппелейк Ондерзук Тно filed Critical Недерландсе Органисати Вор Тугепаст-Натюрветенсхаппелейк Ондерзук Тно
Publication of RU2019112496A publication Critical patent/RU2019112496A/ru
Publication of RU2019112496A3 publication Critical patent/RU2019112496A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2745694C2 publication Critical patent/RU2745694C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H01L31/02245—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Claims (21)

1. Фотоэлектрический модуль, содержащий множество тонкопленочных фотоэлектрических элементов (2), расположенных на прозрачной подложке (11),
причем каждый тонкопленочный фотоэлектрический элемент (2) содержит прозрачный электрод (12), обеспеченный на прозрачной подложке (11), пакет (13) солнечных элементов, расположенный на прозрачном электроде (12), и верхний электрод (14), расположенный на пакете (13) солнечных элементов,
причем обеспечено множество параллельно соединенных блоков (3) фотоэлектрических элементов, каждый из которых содержит цепочку последовательно соединенных фотоэлектрических элементов (2),
причем фотоэлектрический модуль дополнительно содержит положительную соединительную часть (6, 20a) и отрицательную соединительную часть (5, 20b) в одиночном верхнем слое межсоединений, с обеспечением схемы параллельного соединения параллельно соединенных блоков (3) фотоэлектрических элементов, и по меньшей мере один элемент (9a, 9b) перекрестного соединения в слое, отличном от одиночного верхнего слоя межсоединений, причем по меньшей мере один элемент (9a, 9b) перекрестного соединения обеспечивает электрическое соединение в отрицательной соединительной части (5, 20b) и/или в положительной соединительной части (6, 20a).
2. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором ширина элемента каждого из множества фотоэлектрических элементов составляет менее 10 мм, например, менее 5 мм.
3. Фотоэлектрический модуль по п. 1 или 2, в котором последовательно соединенные фотоэлектрические элементы (2) обеспечены посредством проводящих элементов (14a) между прозрачным электродом (12) фотоэлектрического элемента (2) и верхним электродом (14) смежного фотоэлектрического элемента (2).
4. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором по меньшей мере один элемент (9a) перекрестного соединения для положительной соединительной части (6, 20a) содержит часть (21a) положительного контактного слоя в слое верхних электродов (14), причем часть (21a) положительного контактного слоя соединяет верхние электроды (14) двух смежных фотоэлектрических элементов (2) двух соседних блоков (3) фотоэлектрических элементов.
5. Фотоэлектрический модуль по п. 4, в котором по меньшей мере один элемент (9a) перекрестного соединения для положительной соединительной части (6, 20a) дополнительно содержит соединительный слой (22a) между частью (21a) положительного контактного слоя и положительной соединительной частью (6, 20a).
6. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором по меньшей мере один элемент (9b) перекрестного соединения для отрицательной соединительной части (5, 20b) содержит часть (23b) отрицательного контактного слоя в слое прозрачных электродов (12), причем часть (23b) отрицательного контактного слоя соединяет прозрачные электроды (12) двух смежных фотоэлектрических элементов (2) двух соседних блоков (3) фотоэлектрических элементов, и соединительный пакет (24b, 21b) поверх части (23b) отрицательного контактного слоя.
7. Фотоэлектрический модуль по п. 6, в котором по меньшей мере один элемент (9b) перекрестного соединения для отрицательной соединительной части (5, 20b) дополнительно содержит соединительный слой (22b) между соединительным пакетом (24b, 21b) и отрицательной соединительной частью (5, 20b).
8. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором положительная соединительная часть (6, 20a) содержит множество соединенных между собой положительных линий (20a, 21a) сетки, где первая группа положительных линий (20a) сетки обеспечена в одиночном верхнем слое межсоединений, а вторая группа положительных линий (21a) сетки обеспечена в слое верхних электродов (14), и при этом положительные линии (20a, 21a) сетки первой группы и второй группы ориентированы по существу перпендикулярно друг другу.
9. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором отрицательная соединительная часть (5, 20b) содержит множество соединенных между собой отрицательных линий (20b, 21b) сетки, где первая группа отрицательных линий (20b) сетки обеспечена в одиночном верхнем слое межсоединений, а вторая группа отрицательных линий (21b) сетки обеспечена в слое верхних электродов (14), и при этом отрицательные линии (20b, 21b) сетки первой группы и второй группы ориентированы по существу перпендикулярно друг другу.
10. Фотоэлектрический модуль по п. 8 или 9, в котором обеспечен по меньшей мере один элемент (9a, 9b) перекрестного соединения, где пересекаются положительные и отрицательные линии (20a, 21a, 20b, 21b) сетки.
11. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором фотоэлектрические элементы (2) имеют тонкопленочный тип с обернутыми металлом сквозными соединениями (MWT), причем каждый прозрачный электрод (12) и связанный с ним верхний электрод (14) фотоэлектрического элемента (2) перекрывает множество фотоэлектрических подэлементов, а элементы (16, 16a, 16b) межсоединений обеспечены для последовательного соединения фотоэлектрических элементов (2) в блоке (3) фотоэлектрических элементов, и при этом
элемент (9b) перекрестного соединения содержит полосу (25b) отрицательного параллельного соединительного слоя для смежных блоков (3) фотоэлектрических элементов, которая обеспечена в том же слое, что и элемент (16) межсоединений, причем полоса (25b) отрицательного параллельного соединительного слоя соединена с отрицательной соединительной частью (5) через соединение (26b) промежуточного слоя.
12. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором фотоэлектрические элементы (2) имеют тонкопленочный тип с обернутыми металлом сквозными соединениями (MWT), причем каждый прозрачный электрод (12) и связанный с ним верхний электрод (14) фотоэлектрического элемента (2) перекрывает множество фотоэлектрических подэлементов, а элементы (16, 16a, 16b) межсоединений обеспечены для последовательного соединения фотоэлектрических элементов (2) в блоке (3) фотоэлектрических элементов, и при этом
элемент (9a) перекрестного соединения содержит полосу (25a) положительного параллельного соединительного слоя для смежных блоков (3) фотоэлектрических элементов, которая обеспечена в том же слое, что и элемент (16) межсоединений, причем полоса (25a) положительного параллельного соединительного слоя соединена с положительной соединительной частью (6) через соединение (26a) промежуточного слоя.
13. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором положительная соединительная часть (6, 20a) и отрицательная соединительная часть (5, 20b) в одиночном верхнем слое межсоединений охватывают площадь поверхности, перекрывающую блок (3) фотоэлектрических элементов.
14. Фотоэлектрический модуль по п. 13, в котором упомянутая площадь поверхности снабжена перфорационными отверстиями.
15. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором фотоэлектрические элементы (2) имеют форму прямоугольных элементов, полосообразных элементов или ромбовидных элементов.
16. Фотоэлектрический модуль по п. 15, в котором фотоэлектрические элементы представляют собой ромбовидные элементы, и каждый блок (3) фотоэлектрических элементов содержит три блока ромбовидных фотоэлектрических элементов (2), имеющих основную ось блока, где основная ось одного блока находится под углом 60 градусов к основной оси смежного блока.
RU2019112496A 2016-09-26 2017-09-25 Тонкопленочный фотоэлектрический модуль RU2745694C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL2017527 2016-09-26
NL2017527A NL2017527B1 (en) 2016-09-26 2016-09-26 Thin Film Photo-Voltaic Module
PCT/NL2017/050637 WO2018056823A1 (en) 2016-09-26 2017-09-25 Thin film photo-voltaic module

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2019112496A true RU2019112496A (ru) 2020-10-26
RU2019112496A3 RU2019112496A3 (ru) 2021-01-25
RU2745694C2 RU2745694C2 (ru) 2021-03-30

Family

ID=57208340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019112496A RU2745694C2 (ru) 2016-09-26 2017-09-25 Тонкопленочный фотоэлектрический модуль

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20210288198A1 (ru)
EP (1) EP3516703B1 (ru)
JP (1) JP2019530245A (ru)
CN (1) CN110226237B (ru)
NL (1) NL2017527B1 (ru)
RU (1) RU2745694C2 (ru)
WO (1) WO2018056823A1 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114156352B (zh) * 2020-08-17 2024-02-27 比亚迪股份有限公司 电池板及光伏组件
WO2022196995A1 (ko) * 2021-03-17 2022-09-22 울산과학기술원 태양 전지 모듈

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6138957U (ja) * 1984-08-09 1986-03-11 三洋電機株式会社 太陽電池装置
JPH0521892Y2 (ru) * 1987-02-27 1993-06-04
JP2001111083A (ja) * 1999-10-07 2001-04-20 Kubota Corp 太陽電池モジュール
JP5376873B2 (ja) * 2008-09-03 2013-12-25 シャープ株式会社 集積型薄膜太陽電池
JP4637244B2 (ja) * 2009-01-09 2011-02-23 シャープ株式会社 薄膜太陽電池モジュール
CN101510570A (zh) * 2009-03-30 2009-08-19 苏州富能技术有限公司 串并联结构的薄膜太阳电池模块组及其加工方法
FR2945670B1 (fr) * 2009-05-15 2011-07-15 Total Sa Dispositif photovoltaique et procede de fabrication
TW201123482A (en) * 2009-12-29 2011-07-01 Auria Solar Co Ltd Thin film solar cell and fabrication method thereof
DE102010017223A1 (de) * 2010-06-02 2011-12-08 Calyxo Gmbh Dünnschichtsolarmodul und Herstellungsverfahren hierfür
TWI478361B (zh) * 2011-10-20 2015-03-21 Au Optronics Corp 太陽能電池模組
US20160155873A1 (en) * 2011-11-14 2016-06-02 Prism Solar Technologies Incorporated Flexible photovoltaic module
US20130133714A1 (en) * 2011-11-30 2013-05-30 Primestar Solar, Inc. Three Terminal Thin Film Photovoltaic Module and Their Methods of Manufacture
US9647158B2 (en) * 2013-05-21 2017-05-09 Alliance For Sustainable Energy, Llc Photovoltaic sub-cell interconnects
WO2014188092A1 (fr) 2013-05-23 2014-11-27 Sunpartner Technologies Mono cellule photovoltaïque semi-transparente en couches minces
CN104282802B (zh) * 2013-09-27 2016-08-17 成都旭双太阳能科技有限公司 一种多子电池串联的太阳能电池模组及其制备方法
NL2012556B1 (en) * 2014-04-02 2016-02-15 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Photovoltaic module with bypass diodes.

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019530245A (ja) 2019-10-17
CN110226237B (zh) 2023-12-15
EP3516703B1 (en) 2021-07-14
RU2745694C2 (ru) 2021-03-30
WO2018056823A1 (en) 2018-03-29
EP3516703A1 (en) 2019-07-31
US20210288198A1 (en) 2021-09-16
CN110226237A (zh) 2019-09-10
RU2019112496A3 (ru) 2021-01-25
NL2017527B1 (en) 2018-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1941428B (zh) 太阳能电池单元及太阳能电池模块以及制造方法
US8049096B2 (en) Solar battery module
ES2875761T3 (es) Módulo fotovoltaico de placas con diodos de derivación
WO2016188066A1 (zh) 太阳能电池组件
TW201543802A (zh) 具旁路二極體的光伏模組
EP3525245A1 (en) Battery piece serial connection assembly
TWI601300B (zh) 太陽能電池模組
US20170179324A1 (en) High-efficiency low-cost solar panel with protection circuitry
EP1926111A3 (en) Dye-sensitized solar cell module having vertically stacked cells and method of manufacturing the same
US11769847B2 (en) Solar panel with four terminal tandem solar cell arrangement
US20190019908A1 (en) Solar Panel Interconnection System
RU2019127537A (ru) Частично просвечивающиеся фотогальванические модули и способы производства
KR20160141763A (ko) 광전지 모듈
TWI661572B (zh) 太陽能模組及其製法
RU2019112496A (ru) Тонкопленочный фотоэлектрический модуль
JP6802298B2 (ja) 光電池セル組立体、光電池セル配列、および太陽電池セル組立体
WO2018107999A1 (zh) 光伏组件
JP2008300449A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
EP2400517A3 (en) Photoelectric module and method of manufacturing the same
CN103840022A (zh) 可弯曲晶体硅太阳能组件
CN114429995A (zh) 一种叠层结构的太阳能电池组件
CN215451427U (zh) 一种叠层结构的太阳能电池组件
JP2013225548A (ja) 太陽電池モジュール
JP7169824B2 (ja) 配線シート付き太陽電池セル
JP2023145341A (ja) 光起電力モジュールおよびその製造方法