RU2018135083A - Способ обработки и устройство - Google Patents

Способ обработки и устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2018135083A
RU2018135083A RU2018135083A RU2018135083A RU2018135083A RU 2018135083 A RU2018135083 A RU 2018135083A RU 2018135083 A RU2018135083 A RU 2018135083A RU 2018135083 A RU2018135083 A RU 2018135083A RU 2018135083 A RU2018135083 A RU 2018135083A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
range
preceding paragraph
structures
optionally
laser
Prior art date
Application number
RU2018135083A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2018135083A3 (ru
Inventor
Амин АБДОЛЬВАНД
Original Assignee
Юниверсити Оф Данди
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Юниверсити Оф Данди filed Critical Юниверсити Оф Данди
Publication of RU2018135083A publication Critical patent/RU2018135083A/ru
Publication of RU2018135083A3 publication Critical patent/RU2018135083A3/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/3568—Modifying rugosity
    • B23K26/3584—Increasing rugosity, e.g. roughening
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0626—Energy control of the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • H01L21/76894—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern using a laser, e.g. laser cutting, laser direct writing, laser repair
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
    • H01L23/5258—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive the change of state resulting from the use of an external beam, e.g. laser beam or ion beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/32—Wires
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/02—Iron or ferrous alloys
    • B23K2103/04—Steel or steel alloys
    • B23K2103/05—Stainless steel
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B23K2103/10—Aluminium or alloys thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B23K2103/12—Copper or alloys thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B23K2103/14—Titanium or alloys thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52—Ceramics

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Claims (35)

1. Способ уменьшения фотоэлектронного выхода (PEY) и/или выхода вторичных электронов (SEY) керамической поверхности, содержащий подачу импульсного лазерного излучения, содержащего последовательность лазерных импульсов, к поверхности для получения периодического расположения структур на поверхности.
2. Способ по п. 1, причем удельная мощность импульсов находится в диапазоне от 0,1 ТВт/см2 до 3 ТВт/см2, необязательно в диапазоне от 0,5 ТВт/см2 до 1,5 ТВт/см2.
3. Способ по п. 1, причем удельная мощность импульсов находится в диапазоне от 0,1 ГВт/см2 до 3 ГВт/см2, необязательно в диапазоне от 0,2 ГВт/см2 до 1 ГВт/см2.
4. Способ по любому предшествующему пункту, причем подача лазерного излучения является такой, чтобы изменять свойства поверхности так, что эта поверхность имеет значение SEY меньше 2,5, необязательно меньше 2,0, необязательно меньше или равное 1,6, необязательно меньше или равное 1,4, необязательно в диапазоне 0,2-2,0, необязательно в диапазоне 0,5-1,6, необязательно в диапазоне 1,0-1,4.
5. Способ по любому предшествующему пункту, причем лазерные импульсы имеют длительность меньшую, чем время термической релаксации материала поверхности.
6. Способ по любому предшествующему пункту, причем длительность лазерного импульса может находиться в диапазоне от 300 фемтосекунд (фс) до 1 наносекунды (нс), необязательно в диапазоне от 1 нс до 100 нс.
7. Способ по любому предшествующему пункту, причем длительность импульса может находиться в диапазоне от 1 пс до 100 пс, необязательно, длительность импульса может находиться в диапазоне от 1 пс до 50 пс, необязательно, длительность импульса может находиться в диапазоне от 5 пс до 500 пс.
8. Способ по любому предшествующему пункту, причем периодическое расположение структур на поверхности содержит периодическую последовательность пиков и впадин практически параллельных друг другу, и необязательно эти пики могут быть практически плоскими на вершине и/или могут быть закруглены на вершине, и/или могут иметь практически незаостренные и/или заостренные области на вершине.
9. Способ по любому предшествующему пункту, причем расстояние от пика до впадины для по меньшей мере некоторых из пиков и/или среднее или медианное расстояние от пика до впадины находится в диапазоне от 1 мкм до 100 мкм, необязательно в диапазоне от 20 мкм до 80 мкм, необязательно в диапазоне от 30 мкм до 60 мкм.
10. Способ по любому предшествующему пункту, причем периодическое расположение структур содержит перекрестное расположение или расположение практически параллельных линий пиков и впадин практически без пересечения.
11. Способ по любому предшествующему пункту, причем периодическое расположение структур создают одним проходом лазерного источника, который выдает лазерное излучение.
12. Способ по любому предшествующему пункту, причем лазерное излучение содержит импульсный лазерный пучок, который имеет диаметр фокального пятна на поверхности в диапазоне от 5 мкм до 100 мкм или в диапазоне от 1 мкм до 100 мкм.
13. Способ по любому предшествующему пункту, причем импульсное излучение имеет частоту повторения импульсов в диапазоне от 10 кГц до 1 МГц.
14. Способ по любому предшествующему пункту, причем средняя мощность лазерного излучения может находиться в диапазоне от 3 Вт до 8 Вт, или в диапазоне от 1 Вт до 10 Вт, или в диапазоне от 0,3 Вт до 2 Вт, или в диапазоне от 1 Вт до 5 Вт, или в диапазоне от 0,1 Вт до 1 Вт, или в диапазоне от 0,1 Вт до 2 Вт, или в диапазоне от 0,3 Вт до 5 Вт.
15. Способ по любому предшествующему пункту, причем подача лазерного излучения к поверхности содержит сканирование импульсным лазерным пучком по поверхности, и скорость этого сканирования находится в диапазоне от 1 мм/с до 200 мм/с.
16. Способ по любому предшествующему пункту, причем сканирование импульсным лазерным пучком по поверхности повторяют от 2 до 10 раз или выполняют однократно.
17. Способ по любому предшествующему пункту, причем угол падения лазерного излучения на поверхность находится в диапазоне от 0 до 30 градусов или от 90 до 60 градусов.
18. Способ по любому предшествующему пункту, причем длина волны излучения находится в диапазоне от 100 нм до 2000 нм, необязательно 355 нм, или 532 нм, или 1064 нм.
19. Способ по любому предшествующему пункту, причем периодическое расположение структур содержит первую последовательность пиков и впадин, расположенных в первом направлении, и вторую последовательность пиков и впадин, расположенных во втором, отличающемся направлении.
20. Способ по любому предшествующему пункту, причем первая последовательность пиков и впадин и вторая последовательность пиков и впадин пересекаются так, что периодическое расположение структур представляет собой перекрестное расположение.
21. Способ по любому предшествующему пункту, причем лазерное излучение является таким, что подача лазерного излучения к поверхности создает дополнительные структуры, и эти дополнительные структуры меньше, чем структуры с периодическим расположением структур.
22. Способ по любому предшествующему пункту, причем дополнительные структуры содержат дополнительные периодические структуры, необязательно нановолнистости.
23. Способ по любому предшествующему пункту, причем дополнительные структуры содержат индуцированные лазером периодические поверхностные структуры (LIPPS).
24. Способ по любому предшествующему пункту, причем дополнительные структуры имеют периодичность в диапазоне от 10 нм до 1 мкм, необязательно в диапазоне от 100 нм до 1 мкм.
25. Способ по любому предшествующему пункту, причем дополнительные структуры покрывают по меньшей мере часть периодического массива структур и/или сформированы во впадинах и/или на пиках периодического расположения структур.
26. Способ по любому предшествующему пункту, причем поверхность образует часть ламинированной структуры.
27. Способ по любому предшествующему пункту, причем поверхность образует часть ускорителя частиц, инжекционной кикерной системы, канала синхротронного излучения, волновода, например радиочастотного волновода, детектора, детекторного устройства, космического аппарата или вакуумной камеры.
28. Способ по любому предшествующему пункту, причем поверхность содержит поверхность компонента устройства, и способ содержит подачу лазерного излучения к этой поверхности для создания периодического расположения структур на поверхности, а затем установку этого компонента в устройство, или способ содержит подачу лазерного излучения к этой поверхности с компонентом непосредственно в этом устройстве.
29. Способ по любому предшествующему пункту, дополнительно содержащий формирование металлического слоя на по меньшей мере части этой поверхности после подачи лазерного излучения.
30. Способ по любому предшествующему пункту, содержащий по меньшей мере одно из обезжиривания, очистки или сглаживания поверхности после подачи лазерного излучения и/или выполнения процесса поверхностного восстановления углерода по отношению к упомянутой поверхности после подачи лазерного излучения.
31. Устройство для сокращения фотоэлектронного выхода (PEY) и/или выхода вторичных электронов (SEY) керамической поверхности, содержащее
лазерный источник для подачи импульсного лазерного излучения к поверхности; и
лазерный контроллер, выполненный с возможностью управления лазерным источником для подачи лазерного излучения в виде последовательности лазерных импульсов так, чтобы получить периодическое расположение структур на керамической поверхности.
32. Обработанная лазером керамическая поверхность, содержащая периодическое расположение структур.
33. Обработанная лазером керамическая поверхность по п. 32, дополнительно содержащая металлический слой, покрывающий по меньшей мере часть периодического расположения структур.
RU2018135083A 2016-03-08 2017-03-08 Способ обработки и устройство RU2018135083A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1603991.9 2016-03-08
GBGB1603991.9A GB201603991D0 (en) 2016-03-08 2016-03-08 Processing method and apparatus
PCT/GB2017/050621 WO2017153750A1 (en) 2016-03-08 2017-03-08 Method of reducing photoelectron yield and/or secondary electron yield of a ceramic surface; corresponding apparatus and product

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2018135083A true RU2018135083A (ru) 2020-04-08
RU2018135083A3 RU2018135083A3 (ru) 2020-05-15

Family

ID=55859181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018135083A RU2018135083A (ru) 2016-03-08 2017-03-08 Способ обработки и устройство

Country Status (11)

Country Link
US (1) US10994369B2 (ru)
EP (1) EP3397421A1 (ru)
JP (1) JP2019508256A (ru)
KR (1) KR20190015180A (ru)
CN (1) CN109070266B (ru)
AU (1) AU2017231862A1 (ru)
BR (1) BR112018067765A2 (ru)
CA (1) CA3015159A1 (ru)
GB (1) GB201603991D0 (ru)
RU (1) RU2018135083A (ru)
WO (1) WO2017153750A1 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111215399A (zh) * 2020-02-27 2020-06-02 长安大学 一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4834667A (ru) * 1971-09-08 1973-05-21
JPH0640797A (ja) 1992-04-23 1994-02-15 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの加工方法
JPH05325780A (ja) * 1992-05-14 1993-12-10 Nec Corp マイクロ波管用コレクタ電極の製造方法
US6518540B1 (en) * 1998-06-16 2003-02-11 Data Storage Institute Method and apparatus for providing ablation-free laser marking on hard disk media
JP4115051B2 (ja) 1998-10-07 2008-07-09 キヤノン株式会社 電子線装置
US7838794B2 (en) 1999-12-28 2010-11-23 Gsi Group Corporation Laser-based method and system for removing one or more target link structures
WO2001074529A2 (en) 2000-03-30 2001-10-11 Electro Scientific Industries, Inc. Laser system and method for single pass micromachining of multilayer workpieces
JP4578710B2 (ja) * 2001-03-28 2010-11-10 独立行政法人科学技術振興機構 フェムト秒レーザー照射による分極反転構造の作成方法
GB0112234D0 (en) 2001-05-18 2001-07-11 Welding Inst Surface modification
JP2003303561A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Canon Inc スペーサ、スペーサの製造方法および電子線装置
US9409254B2 (en) 2005-09-30 2016-08-09 Lawrence Livermore National Security, Llc Ablation layers to prevent pitting in laser peening
US8846551B2 (en) * 2005-12-21 2014-09-30 University Of Virginia Patent Foundation Systems and methods of laser texturing of material surfaces and their applications
US7628865B2 (en) 2006-04-28 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Methods to clean a surface, a device manufacturing method, a cleaning assembly, cleaning apparatus, and lithographic apparatus
US20080299408A1 (en) 2006-09-29 2008-12-04 University Of Rochester Femtosecond Laser Pulse Surface Structuring Methods and Materials Resulting Therefrom
US20080216926A1 (en) 2006-09-29 2008-09-11 Chunlei Guo Ultra-short duration laser methods for the nanostructuring of materials
JP5774277B2 (ja) * 2007-01-23 2015-09-09 イムラ アメリカ インコーポレイテッド 超短レーザ微細テクスチャ印刷
DE102007018402A1 (de) * 2007-04-17 2008-10-23 Panasonic Electric Works Europe Ag Verfahren zum Einbringen einer Struktur in eine Oberfläche eines transparenten Werkstücks
MX2009013616A (es) * 2007-06-12 2010-06-01 Technolines Llc Metodos y sistemas para tratar con laser a alta velocidad y alta potencia.
JP2010050138A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Canon Machinery Inc 微細周期構造形成方法
JP5583020B2 (ja) 2008-10-22 2014-09-03 東洋製罐株式会社 微細周期構造を有する積層構造体
RU2567138C2 (ru) 2009-03-30 2015-11-10 Боэгли-Гравюр С.А. Способ и устройство для структурирования поверхности твердого тела, покрытого твердым материалом, с помощью лазера
US20110089039A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Michael Nashner Sub-Surface Marking of Product Housings
EP2336810A1 (de) 2009-12-18 2011-06-22 Boegli-Gravures S.A. Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Farbmustern mittels Beugungsgitter
US8379678B2 (en) 2010-02-11 2013-02-19 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for reliably laser marking articles
US8451873B2 (en) 2010-02-11 2013-05-28 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for reliably laser marking articles
US8743165B2 (en) 2010-03-05 2014-06-03 Micronic Laser Systems Ab Methods and device for laser processing
WO2011123515A1 (en) 2010-03-30 2011-10-06 Sun Chemical Corporation A reversible piezochromic system, methods of making a reversible piezochromic system, and methods of using a reversible piezochromic system
US8389895B2 (en) 2010-06-25 2013-03-05 Electro Scientifix Industries, Inc. Method and apparatus for reliably laser marking articles
MY184075A (en) * 2010-07-12 2021-03-17 Rofin Sinar Tech Inc Method of material processing by laser filamentation
GB201011720D0 (en) 2010-07-13 2010-08-25 Univ Southampton Controlling the colours of metals: bas-relief and intaglio metamaterials
RU2447012C1 (ru) 2010-10-28 2012-04-10 Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) Способ получения наноструктурированной поверхности сталей методом лазерно-плазменной обработки
US20130083500A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 Christopher D. Prest Interferometric color marking
JP2013111595A (ja) * 2011-11-28 2013-06-10 Shin Etsu Polymer Co Ltd 金型加工方法およびエンブレムの形成方法
WO2013135703A1 (fr) 2012-03-12 2013-09-19 Rolex S.A. Procédé de gravage d'un élément d'horlogerie et élément d'horlogerie obtenu par un tel procédé
CN103304276B (zh) * 2012-03-14 2015-11-25 比亚迪股份有限公司 一种陶瓷基板表面金属化的方法及一种大功率led底座
PL222531B1 (pl) 2012-04-05 2016-08-31 Wrocławskie Centrum Badań Eit + Spółka Z Ograniczoną Sposób i system do kolorowego znakowania metali
US20140083984A1 (en) 2012-09-23 2014-03-27 Timothy Gerke Formation Of Laser Induced Periodic Surface Structures (LIPSS) With Picosecond Pulses
FR2996487B1 (fr) * 2012-10-08 2014-11-28 Snecma Procede de marquage en surface d'une piece de moteur a turbine a gaz par une representation graphique predefinie
GB201221184D0 (en) 2012-11-24 2013-01-09 Spi Lasers Uk Ltd Method for laser marking a metal surface with a desired colour
CN104884205A (zh) 2012-12-20 2015-09-02 伊雷克托科学工业股份有限公司 经由激光微加工形成影像的方法
US9413137B2 (en) 2013-03-15 2016-08-09 Nlight, Inc. Pulsed line beam device processing systems using laser diodes
JP6079505B2 (ja) * 2013-08-26 2017-02-15 三菱マテリアル株式会社 接合体及びパワーモジュール用基板
CN103586578B (zh) 2013-11-14 2016-08-31 苏州图森激光有限公司 一种材料表面激光黑化或着色方法
FR3019074B1 (fr) * 2014-04-01 2016-04-15 Snecma Procede de marquage en surface d'une piece mecanique par une representation graphique predefinie avec effet de type holographique
GB2527291B (en) 2014-06-13 2021-01-13 Res & Innovation Uk Apparatus and methods relating to reduced photoelectron yield and/or secondary electron yield
ES2564054B1 (es) * 2014-09-16 2016-12-27 Consejo Superior De Investigaciones Científicas (Csic) Recubrimiento anti-multipactor
EP3031785B1 (de) * 2014-12-12 2018-10-17 Schott AG Verfahren zur herstellung eines glaskeramikelements mit strukturierter beschichtung
CN104741852B (zh) * 2015-03-19 2016-05-25 江苏大学 一种船用甲板焊接试验用可调式夹具
EP3274560A1 (en) * 2015-03-27 2018-01-31 Siemens Aktiengesellschaft Hybrid ceramic matrix composite components for gas turbines
KR102013391B1 (ko) * 2015-04-21 2019-08-22 도카로 가부시키가이샤 기재의 조면화(粗面化)방법, 기재의 표면처리방법, 용사 피막 피복부재의 제조방법 및 용사 피막 피복부재
WO2016207659A1 (en) 2015-06-24 2016-12-29 University Of Dundee Method of, and apparatus for, laser blackening of a surface, wherein the laser has a specific power density and/or a specific pulse duration

Also Published As

Publication number Publication date
CN109070266A (zh) 2018-12-21
KR20190015180A (ko) 2019-02-13
CN109070266B (zh) 2021-05-18
US20190084081A1 (en) 2019-03-21
EP3397421A1 (en) 2018-11-07
JP2019508256A (ja) 2019-03-28
WO2017153750A1 (en) 2017-09-14
AU2017231862A1 (en) 2018-08-23
RU2018135083A3 (ru) 2020-05-15
GB201603991D0 (en) 2016-04-20
BR112018067765A2 (pt) 2019-01-15
US10994369B2 (en) 2021-05-04
CA3015159A1 (en) 2017-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2018102523A (ru) Способ и устройство для уменьшения фотоэлектронного выхода и/или выхода вторичных электронов
DE102014213775B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen, kristallinen Substraten, insbesondere von Halbleitersubstraten
US9335637B2 (en) Laser-produced plasma EUV source with reduced debris generation utilizing predetermined non-thermal laser ablation
Karasik et al. Suppression of laser nonuniformity imprinting using a thin high-Z coating
JP2015529161A5 (ru)
KR20120097394A (ko) 레이저 리프트 오프 시스템과 방법
TW200631718A (en) Division starting point forming method in body to be divided, dividing method for body to be divided, and method of processing work by pulse laser beam
JP2015533654A5 (ru)
RU2013141507A (ru) Способ повышения качества металлического покрытия стальной полосы
US20190359515A1 (en) Method of forming hole in glass substrate by using pulsed laser, and method of producing glass substrate provided with hole
RU2018135083A (ru) Способ обработки и устройство
PH12019000406A1 (en) Material cutting using laser pulses
JP2019532494A5 (ru)
JP2019508256A5 (ru)
JP2018002501A (ja) 管状脆性部材の分断方法並びに分断装置
CA3071681C (en) Laser processing method and laser processing apparatus
NL2007473C2 (en) Method and apparatus for the generation of euv radiation from a gas discharge plasma.
RU2449048C2 (ru) Способ лазерно-плазменного напыления покрытий
RU174220U1 (ru) Устройство для отжига сегнетоэлектрика лазерным излучением с пространственным разрешением, превышающим дифракционный предел
Jukna et al. Acoustic wave generation by multifilamentation in water
Kai et al. Experimental investigation of laser generated shock waves and the onset of evaporation in a mini-shock glass tube filled with water
Nakamura et al. Picosecond time-resolved X-ray diffraction from laser-shocked semiconductors
UA112567U (xx) Спосіб генерації високорегулярних лазерних періодичних структур на поверхні кремнію ультракороткими лазерними імпульсами
Jiménez‐Jarquín et al. Morphology of IR and UV Laser‐induced Structural Changes on Silicon Surfaces
Shulyapov et al. Electron acceleration by parametrical plasma waves created in relativistic laser-plasma interactions

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20210315